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用于壓電超聲換能器陣列的主動(dòng)波束成形技術(shù)的制作方法

文檔序號(hào):12506075閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭示一種設(shè)備,其包含像素陣列,每一像素包含單元內(nèi)像素邏輯和壓電微機(jī)械超聲換能器PMUT元件,每一單元內(nèi)像素邏輯以通信方式與所述陣列中的至少一個(gè)相鄰像素耦合。收發(fā)器電子裝置可在第一模式和第二模式中的一可選擇者中操作所述陣列。在所述第一模式中,所述陣列可產(chǎn)生基本上平面超聲波。在所述第二模式中,所述陣列可從至少一個(gè)超像素區(qū)產(chǎn)生相對(duì)較高聲壓的經(jīng)聚焦波束,每一超像素區(qū)包含安置于所述超像素區(qū)的中心部分中的至少一個(gè)內(nèi)部像素和安置于所述超像素區(qū)的外部部分中的至少一第一群組的外部像素。所述收發(fā)器電子裝置可經(jīng)配置以通過配置至少一個(gè)單元內(nèi)像素邏輯來操作所述陣列。

技術(shù)研發(fā)人員:唐浩延;陸一鵬;赫瑞什科士·維加伊庫(kù)馬爾·班差瓦加
受保護(hù)的技術(shù)使用者:高通股份有限公司
文檔號(hào)碼:201580055338
技術(shù)研發(fā)日:2015.10.15
技術(shù)公布日:2017.05.31

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