專利名稱：脈沖小孔噴射批量制備均一粒子的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于高熔點(diǎn)粒子制備的工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種脈沖小孔噴射批 量制備均一粒子的方法及裝置。
背景技術(shù)：
隨著材料向輕小化、集成化方向不斷發(fā)展，均一球形微粒材料在電子封裝、能源材 料、生物醫(yī)學(xué)材料等方面都得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。銅球粒子具有較好的電學(xué)性能、熱學(xué)性 能、機(jī)械性能和經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)，因此被廣泛重視，有望成為下一代電子封裝技術(shù)中的主要材料； 硅球粒子可應(yīng)用于太陽能電池板，利用硅球粒子生產(chǎn)的太陽能電池不但能減少傳統(tǒng)硅片制 作工序原料的損耗，降低制造成本，同時(shí)也可以提高太陽光的接觸面積，大大提高太陽能電 池板的轉(zhuǎn)換效率；鐵基金屬玻璃微粒具有良好的機(jī)械及軟磁性，并且具有在過冷域內(nèi)粘性 急劇下降而易于加工的特性，因此可以滿足微小精密復(fù)雜器件的要求。生產(chǎn)以上微粒子材 料，對(duì)制備工藝有較嚴(yán)格的要求。如要求制備出的粒子尺寸均一可控、組織一致、圓球度好 等。目前國(guó)內(nèi)外的生產(chǎn)球形粒子的方法有霧化法、切絲或打孔重熔法、均一液滴成型法等。 但霧化法制備的粒子分散度較寬，必須通過多次篩分及檢測(cè)才能得到能夠滿足使用要求的 顆粒；切絲或打孔重熔方法對(duì)于小粒徑的粒子或塑性加工不好的材料比較困難，此外還必 須將制得的焊球進(jìn)行脫脂處理；均一液滴成型法存在精度不穩(wěn)定的問題，尤其是當(dāng)粒子粒 徑較小時(shí)問題更加明顯；而且，以上幾種方法都只局限于制備低熔點(diǎn)微粒子材料，對(duì)高熔點(diǎn) 微粒子的制備研究沒有明顯進(jìn)展，同時(shí)現(xiàn)有的利用噴射小孔制備粒子的方法生產(chǎn)效率低， 效能大，成本高，不適宜工業(yè)化生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述問題，本發(fā)明旨在公開一種脈沖小孔噴射批量制備均 一粒子的方法及裝置，通過巧妙設(shè)計(jì)不僅能制備出大小均一、組織一致、圓球度好、尺寸可 控，滿足要求的均一粒子，同時(shí)可以大批量生產(chǎn)，效率高、成本低。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是這樣實(shí)現(xiàn)的使用加熱器將帶多個(gè)孔的坩堝中的高熔點(diǎn) 材料熔化，然后給壓電陶瓷輸入一定波形的脈沖信號(hào)，壓電陶瓷帶動(dòng)活塞桿向下移動(dòng)擠壓 熔體，熔體從帶多個(gè)噴射小孔的螺栓中的多個(gè)小孔噴射出來液滴，液滴在環(huán)形降落管中冷 凝形成均一粒子。一種脈沖小孔噴射批量制備均一粒子的裝置，其特征在于它包括真空爐和其下的收集倉(cāng)，兩者之間通過支架固定連接在一起，其中間通過環(huán)形降 落管相連通；所述真空爐包括爐體、爐門、真空泵、通氣閥和放氣閥；爐體內(nèi)上部固定安裝有一 個(gè)底部帶有多孔的坩堝，所述坩堝底部的孔徑為0. 1-lcm，真空爐的一個(gè)通氣閥開設(shè)于坩堝 腔的上部，用于連通坩堝腔與外界，稱之為上通氣閥；所述坩堝的外圍安裝有一個(gè)環(huán)形加熱 器，所述加熱器掛裝于爐體內(nèi)上部；所述坩堝外在其的底部螺釘連接有一個(gè)與其底部相匹
3配的圓盤，所述圓盤上設(shè)有均勻分布的噴射小孔，其孔徑為50-800 μ m，與所要制備的粒子 尺寸相匹配；真空爐的另一個(gè)通氣閥開設(shè)于爐體下部環(huán)形降落管的外圍，用于連通爐腔和 外界，稱之為下通氣閥；所述收集倉(cāng)包括倉(cāng)體和倉(cāng)門，所述倉(cāng)體的內(nèi)腔底部上設(shè)有收集槽；所述真空爐的上部與坩堝腔口滑動(dòng)配合有一個(gè)活塞桿，并于兩者配合位置安裝動(dòng) 態(tài)密封圈；所述活塞桿的頂端連接壓電陶瓷；自上而下所述活塞桿、坩堝腔、爐體、環(huán)形加熱器、圓盤、收集倉(cāng)倉(cāng)體及收集槽位于 同一軸線上。進(jìn)一步的，所述坩堝底部的多個(gè)孔均勻分布于所述坩堝底部的同一圓周上；所述 圓盤的直徑大于上述坩堝底上的多個(gè)孔構(gòu)成的圓的直徑。更進(jìn)一步的，所述圓盤采用的材質(zhì)與坩堝內(nèi)所化熔體的潤(rùn)濕角大于90°。采用上述裝置批量制備均一粒子的方法，包括如下步驟(1)裝料將粒徑或等效粒徑為l_2cm的原料顆粒放入底部帶多孔的坩堝中，原料 放入量為坩堝容量的1/4-3/4 ；手動(dòng)調(diào)整活塞桿的位置至距離坩堝底2-5cm的高處，關(guān)上爐 門和倉(cāng)門；(2)真空氣氛下原料熔化為熔體禾U用真空泵將爐體內(nèi)和倉(cāng)體內(nèi)抽至10_3Pa ；根據(jù) 待加熱原料設(shè)定環(huán)形加熱器的加熱功率，將原料顆粒熔化為熔體；(3)利用惰性氣體形成坩堝腔與爐體之間的氣壓差打開所述裝置的上下通氣 閥，分別向坩堝腔和爐腔內(nèi)坩堝腔外的空間通入高純度的惰性氣體，使得坩堝腔與爐腔內(nèi) 壓差為 50-100kPa ；(4)利用逆壓電效應(yīng)擠壓熔體并自圓盤中噴射下來給壓電陶瓷輸入一定波形的 脈沖信號(hào)，壓電陶瓷帶動(dòng)活塞桿向下運(yùn)動(dòng)擠壓熔體，熔體受擠壓從其上均勻分布噴射小孔 的圓盤中向下噴射出來；(5)冷凝形成均一粒子噴射出來的液滴在環(huán)形降落管中下落，冷凝形成均一粒 子，最后降落至收集槽中；(6)收集結(jié)束后，停止加熱并停止惰性氣體的供應(yīng)，繼續(xù)抽真空25-35min，最后關(guān) 閉真空泵，找開收集倉(cāng)門，取出收集槽。進(jìn)一步的，步驟(4)中所述脈沖信號(hào)的波形為方形波、鋸齒波、三角波、尖峰波或 階梯波，頻率為50-100HZ。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的突出特點(diǎn)在于采用本發(fā)明所述方法及裝置，可以大批 量制備大小均一、組織一致、圓球度好、尺寸可控，滿足需求的均一粒子；具有效率高、裝置 簡(jiǎn)單、成本低等特點(diǎn)；適用于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明所述裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為坩堝底部小孔的位置示意圖。圖中，1.壓電陶瓷2.活塞桿3.上機(jī)械泵4.上擴(kuò)散泵5.右掛桿6.爐門7.爐體8.噴 射出來的液滴9.右支架10.倉(cāng)門11.倉(cāng)體12.收集槽13.收集倉(cāng)14.均一粒子15.左支 架16.環(huán)形降落管17.下通氣管18.側(cè)放氣閥19.側(cè)機(jī)械泵20.側(cè)擴(kuò)散泵21.圓盤22.螺釘23.帶多個(gè)孔的坩堝24.熔體25.環(huán)形加熱器26.左掛桿27.真空爐28.坩堝腔29.上 通氣管30.上放氣閥31.動(dòng)態(tài)密封圈。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的具體說明。使用加熱器將底部帶多孔的坩堝中的高熔點(diǎn)材料熔化，然后給壓電陶瓷輸入一定 波形的脈沖信號(hào)，壓電陶瓷帶動(dòng)活塞桿向下移動(dòng)擠壓熔體，熔體從帶多個(gè)噴射小孔的圓盤 中的多個(gè)小孔噴射出來液滴，液滴在環(huán)形降落管中冷凝形成均一粒子。實(shí)施例1批量制備銅的均一凝固粒子所用裝置如圖1所示。首先將銅塊破碎為粒徑或等效粒徑2cm大小的塊狀顆粒， 裝入底部帶多孔的坩堝23中，所述多孔均勻分布于所述坩堝底部的同一圓周上，如圖2所 示；銅顆粒的裝入量達(dá)到所述坩堝23容量的1/4，如圖1所示；然后，將材質(zhì)為石墨的圓盤 21通過均布的四個(gè)螺釘22安裝到帶多孔的坩堝23底部，所述圓盤21的直徑大于所述坩 堝底上的多個(gè)孔構(gòu)成的圓的直徑，圓盤上設(shè)有均勻分布的噴射小孔；銅與石墨的潤(rùn)濕角為 160° ；手動(dòng)調(diào)整活塞桿2的位置，直至活塞桿2與圓盤21的距離為5cm，關(guān)上爐門6 ；用上 機(jī)械泵3將坩堝腔28抽到低真空lPa，再用上擴(kuò)散泵4將坩堝腔28抽到高真空0. OOlPa ； 用側(cè)機(jī)械泵19將爐體7、倉(cāng)體11抽到低真空lPa，再用側(cè)擴(kuò)散泵20將爐體7、倉(cāng)體11抽到 高真空0. OOlPa;設(shè)定功率為環(huán)形加熱器25通電，溫度達(dá)到銅的熔點(diǎn)后，使帶多個(gè)孔的坩堝 23中的銅料熔化成熔體24 ；打開上通氣管29和下通氣管17，分別向坩堝腔28和爐體7通 入高純的惰性氣體，要求坩堝腔28與爐體7之間的差壓達(dá)到IOOkPa ；其次，給壓電陶瓷1輸 入方形波的脈沖信號(hào)，壓電陶瓷1帶動(dòng)活塞桿2向下移動(dòng)擠壓熔體8，熔體8從材質(zhì)為石墨 的圓盤21的均布小孔中噴射出液滴8 ；噴射出來的液滴8在環(huán)形降落管16中下落，冷凝形 成銅的均一粒子14，最后降落到收集槽12中；待收集結(jié)束后，停止給環(huán)形加熱器25通電， 關(guān)掉上通氣管29、下通氣管17，繼續(xù)抽真空35分鐘；最后，依次關(guān)掉上擴(kuò)散泵4、上機(jī)械泵 3、打開上放氣閥28，側(cè)擴(kuò)散泵20、側(cè)機(jī)械泵19、打開側(cè)放氣閥18，打開收集倉(cāng)13的倉(cāng)門10， 取出收集槽12。實(shí)施例2批量制備硅的均一凝固粒子所用裝置如圖1所示。首先將硅塊破碎為粒徑或等效粒徑Icm大小的塊狀顆粒，破 碎的小塊裝入底部帶多孔的坩堝23中，所述多孔均勻分布于所述坩堝底部的同一圓周上， 如圖2所示；硅顆粒的裝入量達(dá)到所述坩堝23容量的3/4，如圖1所示；然后，將材質(zhì)為石 墨的圓盤21通過均布的四個(gè)螺釘22安裝到帶多孔的坩堝23底部，所述圓盤21的直徑大 于所述坩堝底上的多個(gè)孔構(gòu)成的圓的直徑，圓盤上設(shè)有均勻分布的噴射小孔；硅與石英的 潤(rùn)濕角為95° ；手動(dòng)調(diào)整活塞桿2的位置，直至活塞桿2與帶噴射小孔的螺栓21的距離為 2cm，關(guān)上爐門6 ；用上機(jī)械泵3將坩堝腔28抽到低真空lPa，再用上擴(kuò)散泵4將坩堝腔28 抽到高真空0. OOlPa ；用側(cè)機(jī)械泵19將爐體7、倉(cāng)體11抽到低真空lPa，再用側(cè)擴(kuò)散泵20將 爐體7、倉(cāng)體11抽到高真空0. OOlPa;設(shè)定功率為環(huán)形加熱器6通電，溫度達(dá)到硅的熔點(diǎn)后， 使帶多個(gè)孔的坩堝23中的硅料熔化成熔體24 ；打開上通氣管29和下通氣管17，分別向坩 堝腔28和爐體7通入高純的惰性氣體，要求坩堝腔28與爐體7之間的差壓達(dá)到50kPa ；其 次，給壓電陶瓷1輸入方形波的脈沖信號(hào)，壓電陶瓷1帶動(dòng)活塞桿2向下移動(dòng)擠壓熔體8，熔體8從材質(zhì)為石墨的設(shè)有均布的噴射小孔的圓盤21的多個(gè)小孔中噴射出液滴8 ；噴射出來 的液滴8在環(huán)形降落管16中下落，冷凝形成硅的均一粒子14，最后降落到收集槽12中；待 收集結(jié)束后，停止給環(huán)形加熱器25通電，關(guān)掉上通氣管29、下通氣管17，繼續(xù)抽真空35分 鐘；最后，依次關(guān)掉上擴(kuò)散泵4、上機(jī)械泵3、打開上放氣閥28，側(cè)擴(kuò)散泵20、側(cè)機(jī)械泵19、打 開側(cè)放氣閥18，打開收集倉(cāng)13的倉(cāng)門10，取出收集槽12。 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其 發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種脈沖小孔噴射批量制備均一粒子的裝置，其特征在于它包括真空爐和其下的收集倉(cāng)，兩者之間通過支架固定連接在一起，其中間通過環(huán)形降落管相連通；所述真空爐包括爐體、爐門、真空泵、通氣閥和放氣閥；爐體內(nèi)上部固定安裝有一個(gè)底部帶有多孔的坩堝，所述坩堝底部的孔徑為0.1 1cm，真空爐的一個(gè)通氣閥開設(shè)于坩堝腔的上部，用于連通坩堝腔與外界，稱之為上通氣閥；所述坩堝的外圍安裝有一個(gè)環(huán)形加熱器，所述加熱器掛裝于爐體內(nèi)上部；所述坩堝外在其的底部螺釘連接有一個(gè)與其底部相匹配的圓盤，所述圓盤上設(shè)有均勻分布的噴射小孔，其孔徑為50 800μm，與所要制備的粒子尺寸相匹配；真空爐的另一個(gè)通氣閥開設(shè)于爐體下部環(huán)形降落管的外圍，用于連通爐腔和外界，稱之為下通氣閥；所述收集倉(cāng)包括倉(cāng)體和倉(cāng)門，所述倉(cāng)體的內(nèi)腔底部上設(shè)有收集槽；所述真空爐的上部與坩堝腔口滑動(dòng)配合有一個(gè)活塞桿，并于兩者配合位置安裝動(dòng)態(tài)密封圈；所述活塞桿的頂端連接壓電陶瓷；自上而下所述活塞桿、坩堝腔、爐體、環(huán)形加熱器、圓盤、收集倉(cāng)倉(cāng)體及收集槽位于同一軸線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述坩堝底部的多個(gè)孔均勻分布于所述坩堝底部的同一圓周上；所述圓盤的直徑大于 上述坩堝底上的多個(gè)孔構(gòu)成的圓的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于所述圓盤采用的材質(zhì)與坩堝內(nèi)所化熔體的潤(rùn)濕角大于90°。
4.一種采用如權(quán)利要求1所述裝置批量制備均一粒子的方法，包括如下步驟(1)裝料將粒徑或等效粒徑為l_2cm的原料顆粒放入底部帶多孔的坩堝中，原料放入 量為坩堝容量的1/4-3/4 ；手動(dòng)調(diào)整活塞桿的位置至距離坩堝底2-5cm的高處，關(guān)上爐門和 倉(cāng)門；(2)真空氣氛下原料熔化為熔體利用真空泵將爐體內(nèi)和倉(cāng)體內(nèi)抽至ICT3Pa；根據(jù)待加 熱原料設(shè)定環(huán)形加熱器的加熱功率，將原料顆粒熔化為熔體；(3)利用惰性氣體形成坩堝腔與爐體之間的氣壓差打開所述裝置的上下通氣閥，分 別向坩堝腔和爐腔內(nèi)坩堝腔外的空間通入高純度的惰性氣體，使得坩堝腔與爐腔內(nèi)壓差為 50-100kPa ；(4)利用逆壓電效應(yīng)擠壓熔體并自圓盤中噴射下來給壓電陶瓷輸入一定波形的脈沖 信號(hào)，壓電陶瓷帶動(dòng)活塞桿向下運(yùn)動(dòng)擠壓熔體，熔體受擠壓從其上均勻分布噴射小孔的圓 盤中向下噴射出來；(5)冷凝形成均一粒子噴射出來的液滴在環(huán)形降落管中下落，冷凝形成均一粒子，最 后降落至收集槽中；(6)收集結(jié)束后，停止加熱并停止惰性氣體的供應(yīng)，繼續(xù)抽真空25-35min，最后關(guān)閉真 空泵，找開收集倉(cāng)門，取出收集槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于步驟(4)中所述脈沖信號(hào)的波形為方形波、鋸齒波、三角波、尖峰波或階梯波，頻率為 50-100Hz。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種脈沖小孔噴射批量制備均一粒子的方法及裝置，使用加熱器將底部帶多孔的坩堝中的高熔點(diǎn)材料熔化，然后給壓電陶瓷輸入一定波形的脈沖信號(hào)，壓電陶瓷帶動(dòng)活塞桿向下移動(dòng)擠壓熔體，熔體從帶多個(gè)噴射小孔的圓盤中的多個(gè)小孔噴射出來液滴，液滴在環(huán)形降落管中冷凝形成均一粒子。本發(fā)明的突出特點(diǎn)在于其可以大批量制備大小均一、組織一致、圓球度好、尺寸可控，滿足需求的均一粒子；具有效率高、裝置簡(jiǎn)單、成本低等特點(diǎn)；適用于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)B01J13/02GK101982230SQ20101029706
公開日2011年3月2日 申請(qǐng)日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者戰(zhàn)麗姝, 李國(guó)斌, 董偉, 譚毅 申請(qǐng)人:大連隆田科技有限公司