專利名稱：一種電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)緊湊、易于擴(kuò)展，用于從含氫的合成其中分離、生產(chǎn)高純度氫氣 的膜分離器，特別涉及到采用電預(yù)熱、恒溫、易于加熱、溫控效果較好的膜分離器。該裝 置能從含氫混合氣中生產(chǎn)高純度的氫氣。
背景技術(shù)：
目前世界上90%的氫氣來自于碳?xì)浠衔?天然氣，煤，生物質(zhì)等)的重整，氣化或 裂解等化學(xué)過程后經(jīng)過純化得到，合成氣的提純是其中一個(gè)關(guān)鍵的工藝過程?？捎玫奶峒?br> 技術(shù)有變壓吸附，高分子膜分離，鈀膜分離，低溫分離等。與其他分離技術(shù)相比，鈀膜
分離可以生產(chǎn)只含ppb級(jí)別雜質(zhì)的高純度氫氣，尤其適應(yīng)燃料電池的要求；另外鈀膜分離
裝置占地小，在小型化方面也較其他幾種分離方法容易。
氫氣在鈀膜中的傳遞服從所謂的"溶解—擴(kuò)散"(Solutioiwiiffiiskm)機(jī)理，它包含以下幾
個(gè)過程氫氣從邊界層中擴(kuò)散到鈀膜表面；氫氣在膜表面分解成氫原子；氫原子被鈀膜溶
解；氫原子在鈀膜中從高壓側(cè)擴(kuò)散到低壓側(cè)；氫原子在鈀膜低壓側(cè)重新合成為氫分子；氫
氣擴(kuò)散離開膜表面。根據(jù)上述理論，氫氣在鈀膜中的穿透率與膜的溫度，厚度，合金成分，
以及氫氣在膜兩側(cè)的分壓有關(guān)，并可用Sievert's Law來表達(dá)
M if)
式中
及氣體常數(shù)；T:溫度;A膜面積;L膜厚度;五活化能;/V氨氣高壓側(cè)分壓;尸,氨 氣低壓側(cè)分壓;"壓力指數(shù);fc指數(shù)函數(shù)前系數(shù)；Jl/:透過率。
應(yīng)用鈀膜分離生產(chǎn)氫氣需要在鈀膜的工作溫度下進(jìn)行，對(duì)鈀膜分離器進(jìn)行升溫的方法 有好幾種，如可以通過在鈀膜組件上加工一些微尺度通道，通過這些微尺度通道可以采用 電加熱或者熱流體加熱，該方法升溫速率比較快，且可以進(jìn)行很好的溫度控制，但是在鈀 膜組件上加工微尺度通道有一定的難度。另外為防止鈀膜組件的溫度散失可以在鈀膜組件 的外側(cè)放置絕熱材料，如陶瓷等。對(duì)膜分離器則可以通過其輔助組件進(jìn)行加熱，該加熱方式加工相對(duì)簡(jiǎn)單，應(yīng)用起來也比較方便。
中國(guó)發(fā)明專利"一種利用微尺度通道傳熱的快速啟動(dòng)鈀膜組件"(申請(qǐng)?zhí)?200710031743.5)公開了一種鈀膜組件，該鈀膜組件包括膜支撐框架、多孔金屬支撐體及 鈀合金膜，兩多孔支撐體及鈀合金膜分別依次位于膜支撐框架的兩側(cè)，膜支撐框架內(nèi)含被 凈化氫氣氣流通道和小尺度通道，所述小尺度通道為穿行于膜支撐框架內(nèi)部的一個(gè)加熱用 的氣體的流通通道，其截面為矩形，截面尺寸0.2-1.0毫米x0,2-1.0毫米，連接小尺度的通 道入口和出口設(shè)在含膜支撐框架上；支撐體上氫氣氣流通道為矩形齒狀，氣體到出口設(shè)置 在支撐框架上端。該組件利用熱流體在小尺度通道內(nèi)的流動(dòng)傳熱可以快速使鈀合金膜組件 升溫至所需要的工作溫度(一般為450"600度)，進(jìn)一步減少了升溫時(shí)間，降低了鈀合金膜 組件的金屬含量。
中國(guó)發(fā)明專利"一種含有陶瓷隔熱層及利用小尺度通道換熱的鈀膜組件"(申請(qǐng)?zhí)?200810029464.X)公開了另外一種鈀膜組件。該組件在膜支撐框架兩側(cè)從內(nèi)到外依次設(shè)有 多孔金屬支撐片及鈀膜，膜支撐框架內(nèi)含被凈化氫氣流通通道和小尺度通道，小尺度通道 為穿行與膜支撐框架內(nèi)部的一個(gè)加熱用氣體流通通道，其截面為矩形，連接小尺度通道的 通道入口和出口設(shè)在含膜支撐框架上；膜支撐框架氫氣氣流通道位于膜支撐框架中心兩個(gè) 對(duì)稱的矩形齒狀組合，在兩鈀合金膜外側(cè)分別設(shè)有陶瓷隔熱層。該組件利用小尺度通道內(nèi) 的高溫或低溫流體的流通傳熱以及陶瓷層的隔熱作用，可使膜的運(yùn)行溫度異于組件外介質(zhì) 的工作溫度，從而保證即使膜在最佳運(yùn)行溫度(一般為450-600。C)下運(yùn)行，又使組件外的 制氫過程在其最佳溫度下運(yùn)行。
中國(guó)發(fā)明專利(200710031743.5、 200810029464.X)涉及的是在鈀膜組件上添加微尺 度加熱通道，此方法升溫速率快，節(jié)約材料，但在鈀膜組件上加工微尺度通道在加工技術(shù) 上還存在一定的困難。本專利針對(duì)這種情況，設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)便的用電加熱及恒溫的膜分離器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)化工生產(chǎn)及實(shí)驗(yàn)室中制得的含氫合成氣，以鈀膜組件為主要部件，以電加 熱為主要加熱方式，提供了一種結(jié)構(gòu)緊湊、易于擴(kuò)展、預(yù)熱/恒溫、效果較好的鈀膜分離裝 置。
本發(fā)明的主要實(shí)施方案如下
一種電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，包括鈀膜組件，合成氣流通框架、 盲板法蘭、石墨墊片、連接螺栓及螺母等輔助設(shè)備，其特征在于，該裝置中的合成氣流通框架四壁里面含有電加熱絲。在兩盲板法蘭之間設(shè)有多個(gè)鈀膜組件，盲板法蘭與鈀膜組件 之間及鈀膜組件與鈀膜組件之間設(shè)有合成氣流通框架，盲板法蘭與合成氣流通框架之間及 合成氣流通框架與鈀膜組件之間安裝石墨墊片。
所述合成氣流通框架為方形框架，屮間為空腔；方形框架與盲板法蘭或鈀膜組件形成 封閉的空間，在合成氣流通框架設(shè)有含氫合成氣導(dǎo)入和導(dǎo)出管，導(dǎo)入和導(dǎo)出管與鈀膜組件 的氣體流通空間連通；在合成氣流通框架四周設(shè)有凸臺(tái)；合成氣流通框架的四壁設(shè)有凹槽， 凹槽內(nèi)設(shè)有電加熱絲，電加熱絲的外面設(shè)有絕緣保溫材料。
所述盲板法蘭為方形板；在盲板法蘭和鈀膜組件與合成氣流通框架連接的一面四周分 別設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)有石墨墊圈，合成氣流通框架的凸臺(tái)與盲板法蘭和鈀膜組件上的凹 槽密封連接，在盲板法蘭的四周上開圓孔，用于組裝時(shí)螺栓固定。
為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述鈀膜組件的膜支撐框架兩側(cè)分別有多孔燒結(jié)金屬 支撐體和鈀合金膜，膜支撐框架內(nèi)含有被凈化氫氣氣流流通通道，該通道為兩對(duì)稱的矩形 齒狀組合，通道寬度為3-5毫米，通道之間的支撐框架為3-5毫米，氣體導(dǎo)出口設(shè)置在支撐 框架上下兩端，與氣流通道連通；所述的膜支撐框架的四周加工一用于與合成氣流通框架 密封的長(zhǎng)方形凹槽，所述凹槽寬3—7毫米、深1一3毫米。
所述合成氣流通框架為不銹鋼方形框架，中間為空腔，四壁為凹槽；方形框架與盲板 法蘭或鈀膜組件形成封閉的空間，在合成氣流通框架設(shè)有含氫合成氣導(dǎo)入和導(dǎo)出管，在合 成氣流通框架四周加工有凸臺(tái)，凸臺(tái)寬度比盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽的寬度窄0.3—0.7 毫米，高度與盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽深度相同，合成氣流通框架的四壁加工成長(zhǎng)方形 凹槽(導(dǎo)入和導(dǎo)出管處除外)，凹槽的寬度為3-5毫米，深度為3-5毫米，凹槽內(nèi)放置電加 熱絲，電加熱絲的功率根據(jù)所生產(chǎn)氫氣的量決定，電加熱絲的外面放置絕緣保溫材料。
所述盲板法蘭和鈀膜組件與合成氣流通框架連接的一面四周分別設(shè)有的凹槽為長(zhǎng)方形 凹槽，所述凹槽寬度為3—7毫米、深度為1一3毫米。
所述合成氣流通框架的凸臺(tái)寬度比盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽的寬度窄0.3—0.7毫 米，高度與盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽深度相同。
所述石墨墊圈為由耐高溫的石墨制成的長(zhǎng)方形墊圈，寬度與盲板法蘭和鈀膜組件的凹 槽的寬度相同，厚0.3-0.5毫米。
鈀膜分離器組裝完畢后，外面包覆保溫材料以減少散熱損失。保溫材料可選用耐高溫 的陶瓷纖維或其他材料，材料厚度以保證保溫材料外表面溫度不高于環(huán)境溫度10°C計(jì)算 確定。本發(fā)明中對(duì)分離器采用電加熱，易于在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)實(shí)現(xiàn)，升溫速率較快，且溫度易于控制。


圖l.生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置組裝圖。 圖2.圖l的局部放大圖。 圖3.鈀膜組件半剖圖。 圖4.圖3中鈀膜組件A-A剖面圖。 圖5.圖3中鈀膜組件B-B剖面圖。 圖6-l.合成氣流通框架右視圖。 圖6-2.圖6-l合成氣流通框架D-D剖面圖。 圖6-3.圖6-2合成氣流通框架C-C剖面圖。 圖7-1.合成氣流通框架組裝右視圖。 圖7-2.圖7-1合成氣流通框架組裝D-D剖面圖。 圖7-3.圖7-2合成氣流通框架組裝C-C剖面圖。 圖8-1.盲板法蘭結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8-2.圖8-1盲板法蘭結(jié)構(gòu)E-E剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。需要說明的是，所舉的實(shí)例，其作 用只是進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)特征，而不是限定本發(fā)明。如圖1、 2所示， 一種電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，包括鈀膜組件1、 合成氣流通框架2、盲板法蘭3、石墨墊圈4、螺栓及螺母5、電加熱絲205。在兩盲板法 蘭3之間設(shè)有多個(gè)鈀膜組件1，盲板法蘭3與鈀膜組件1之間及鈀膜組件與鈀膜組件之間 設(shè)有合成氣流通框架2，用合成氣流通框架2將兩者分隔，為保持密封，盲板法蘭與合成 氣流通框架之間及合成氣流通框架與鈀膜組件之間安裝石墨墊片。鈀膜組件的數(shù)量可根據(jù) 所需的氫氣產(chǎn)量、分離器的操作條件(溫度、壓力等)、鈀膜的面積、厚度等幾何尺寸來決 定。若整個(gè)裝置所需要的鈀膜組件的數(shù)量為N，則所需要的合成氣流通框架的數(shù)量為N+1， 石墨墊片的數(shù)量為2N+3，盲板法蘭數(shù)量為2。為給膜分離器加熱，在合成氣流通框架四 壁的凹槽內(nèi)放置電加熱絲205，電加熱絲的功率根據(jù)膜分離器的大小進(jìn)行選擇。例如當(dāng)合 成氣流通框架數(shù)為2個(gè)，鈀膜組件數(shù)為1個(gè)，盲板法蘭數(shù)為2,合成氣流通框架的尺寸為 82x186x6-60x164x6毫米，鈀膜組件的尺寸為82x186x6毫米，盲板法蘭的尺寸為122x226x6毫米，保溫材料的厚度是50毫米，要求保溫材料的外溫是50度，溫度從25'C升高到60(TC， 升溫速率為每分鐘3度，則升溫階段所需的電加熱絲的功率為120W，恒溫階段所需的電加 熱絲的功率為25W。如果合成氣流通框架數(shù)為4,鈀膜組件數(shù)為2，盲板法蘭數(shù)為2，則升 溫階段所需的電加熱絲的功率為150W，恒溫階段所需的電加熱絲的功率為32W。合成氣 流通框架，石墨墊片、盲板法蘭，都通過連接螺栓和螺母固定。加熱以及恒溫階段的控制 用溫度控制箱。目前溫度控制箱可采用手動(dòng)控制、自動(dòng)控制等。如圖3~5所示，鈀膜組件1包括膜支撐框架101、多孔燒結(jié)金屬支撐體105、鈀合金膜 106及氫氣導(dǎo)出管104。膜支撐框架101 ,兩側(cè)分別有多孔燒結(jié)金屬支撐體105和鈀合金膜 106，膜支撐框架101內(nèi)含有被凈化氫氣氣流流通通道102，該通道為兩對(duì)稱的矩形齒狀組 合，通道寬度為3-5毫米，通道之間的支撐框架為3-5毫米，氣體導(dǎo)出口 104設(shè)置在支撐框 架101上下兩端，與氣流通道104連通。支撐框架101采用不銹鋼，多孔燒結(jié)金屬支撐體 105采用燒結(jié)不銹鋼。支撐框架與燒結(jié)金屬之間采用焊接連接。鈀合金膜106采用鈀銀合 金膜，膜的厚度為10-50微米。鈀合金膜106與金屬支撐框架101和多孔燒結(jié)金屬支撐體 105之間采用金屬擴(kuò)散的方法密封連接在一起，該方法是將該組件至于高溫高壓環(huán)境下， 使得鈀合金膜106的分子與金屬支撐框架101的分子相互擴(kuò)散，從而達(dá)到密封的效果。膜 支撐框架IOI四周加工寬為3—7毫米，優(yōu)選5毫米，深為1一3毫米，優(yōu)選l毫米的凹槽 103;組裝時(shí)，槽103內(nèi)加厚度0.3-0.5毫米寬度為5毫米的石墨墊片4,與合成氣流通框架 2的凸臺(tái)203對(duì)接(圖2.)。如圖6-l、 6-2、 6-3所示，合成氣流通框架2為一不銹鋼方形框架，中間為空腔、四壁 為一長(zhǎng)方形凹槽。安裝后，與其兩側(cè)的盲板法蘭及鈀膜組件形成封閉的空間201，合成氣 可在此空間流動(dòng)，并有一定的停留時(shí)間。在合成氣流通框架2兩端焊接含氫合成氣導(dǎo)入和 導(dǎo)出管202，導(dǎo)入和導(dǎo)出管與氣體流通空間201連通。在框架兩側(cè)加工一寬4.5毫米、高l 毫米的凸臺(tái)203，用于合成氣流通框架2與鈀膜組件1或盲板法蘭3安裝組合時(shí)密封(圖2)。 如圖7-1、 7-2、 7-3所示，在合成氣流通框架的四壁加工成寬度為3-5毫米、深度為3-5毫 米的長(zhǎng)方形凹槽204，凹槽內(nèi)放置電加熱絲205，用來對(duì)膜分離器的預(yù)熱以及恒溫，電加熱 絲的周圍填充絕緣保溫材料206，減小膜分離器的熱損失和膜分離器的導(dǎo)電。如圖8-l、 8-2所示，盲板法蘭3為一方形不銹鋼板301，厚度為15毫米。在盲板法蘭 的四周上開圓孔303，用于組裝時(shí)螺栓5固定(圖1)。在盲板法蘭3與合成氣流通框架2 連接的一面加工寬為5毫米，深為1毫米的長(zhǎng)方形凹槽302;在組裝時(shí)(圖1),凹槽302 內(nèi)加厚度0.3-0.5毫米寬度為5毫米的石墨墊圈4，再與合成氣流通框架2的凸臺(tái)203密封。石墨墊圈4為一長(zhǎng)方形墊圈，由耐高溫的石墨制成。該墊圈寬5毫米，厚0.3-0.5毫米。鈀膜的適宜工作溫度是450—600°(:,'鈀膜分離器組裝完畢后，外面包覆保溫材料以減 少散熱損失。保溫材料可選用耐高溫的陶瓷纖維或其他材料，材料厚度以保證保溫材料外 表面溫度不高于環(huán)境溫度10°C計(jì)算確定。如圖1 2所示，含有2個(gè)鈀膜組件的鈀膜分離裝置的組裝順序?yàn)槊ぐ宸ㄌm、石墨墊 片、合成氣流通框架，石墨墊片、鈀膜組件、石墨墊片、合成氣流通框架，石墨墊片、鈀 膜組件、石墨墊片、合成氣流通框架，石墨墊片、盲板法蘭；整個(gè)裝置的部件通過連接螺 栓及螺母固定。當(dāng)需要增加鈀膜組件數(shù)量時(shí)，可在盲板法蘭內(nèi)依次添加石墨墊片、合成氣 流通框架，鈀膜組件即可。工作時(shí)，首先通過電加熱絲205對(duì)膜分離器進(jìn)行預(yù)熱，當(dāng)溫度升高至鈀膜的工作溫度 (一般在450-600°C)時(shí)，將高壓的含氫混合氣體由合成氣流通框架2的導(dǎo)入管202引入， 在含氫氣體流通通道中，混合氣體中的氫氣與鈀膜106接觸，通過鈀膜106、燒結(jié)金屬105 傳遞到氫氣流通通道102，再由氫氣引出管104引出鈀膜分離裝置，成為高純度的產(chǎn)品氫 氣。膜分離器的預(yù)熱以及恒溫階段的溫度控制有溫度控制箱控制。在通常的膜分離器的加熱方式一般采用高溫的惰性氣體或者是在鈀膜組建內(nèi)部加工為 尺度孔道，采用高溫惰性氣體加熱膜分離器時(shí)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)很難進(jìn)行，并且溫度不容易控制， 由于采用的是通過合成氣流通框架的導(dǎo)入管引入高溫惰性氣體，在氫氣分離提純的過程中 不能進(jìn)行熱量的即時(shí)補(bǔ)充。本發(fā)明采在合成氣流通框架的四壁加工一定寬度和一定深度的 長(zhǎng)方形凹槽，凹槽內(nèi)放置電加熱絲，用電加熱對(duì)膜分離器預(yù)熱和恒溫，易于在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)實(shí) 現(xiàn)，升溫速率較快，且溫度易于控制。
權(quán)利要求
1、一種電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于在兩盲板法蘭之間設(shè)有多個(gè)鈀膜組件，盲板法蘭與鈀膜組件之間及鈀膜組件與鈀膜組件之間設(shè)有合成氣流通框架，盲板法蘭與合成氣流通框架之間及合成氣流通框架與鈀膜組件之間安裝石墨墊片；所述合成氣流通框架為方形框架，中間為空腔；方形框架與盲板法蘭或鈀膜組件形成封閉的空間，在合成氣流通框架設(shè)有含氫合成氣導(dǎo)入和導(dǎo)出管，導(dǎo)入和導(dǎo)出管與鈀膜組件的合成氣流通框架中的空腔連通；在合成氣流通框架四周設(shè)有凸臺(tái)，四壁設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)有電加熱絲，電加熱絲的外面設(shè)有絕緣保溫材料；所述盲板法蘭為方形板；在盲板法蘭和鈀膜組件與合成氣流通框架連接的一面四周分別設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)有石墨墊圈，合成氣流通框架的凸臺(tái)與盲板法蘭和鈀膜組件上的凹槽密封連接，在盲板法蘭的四周上開圓孔，用于組裝時(shí)螺栓固定。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于-所述鈀膜組件的膜支撐框架兩側(cè)分別有多孔燒結(jié)金屬支撐體和鈀合金膜，膜支撐框架內(nèi)含 有被凈化氫氣氣流流通通道，該通道為兩對(duì)稱的矩形齒狀組合，通道寬度為3-5毫米，通 道之間的支撐框架為3-5毫米，氣體導(dǎo)出口設(shè)置在支撐框架上下兩端，與氣流通道連通； 所述的膜支撐框架的四周加工一用于與合成氣流通框架密封的長(zhǎng)方形凹槽，所述凹槽寬3 一7毫米、深l一3毫米。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于 所述合成氣流通框架四壁設(shè)置的長(zhǎng)方形凹槽，凹槽的寬度為3-5毫米，深度為3-5毫米。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于 所述盲板法蘭和鈀膜組件與合成氣流通框架連接的一面四周分別設(shè)有的凹槽為長(zhǎng)方形凹 槽，所述凹槽寬度為3—7毫米、深度為l一3毫米。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于 所述合成氣流通框架的凸臺(tái)寬度比盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽的寬度窄0.3—0.7毫米，高 度與盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽深度相同。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電預(yù)熱與恒溫的生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，其特征在于 所述石墨墊圈為由耐高溫的石墨制成的長(zhǎng)方形墊圈，寬度與盲板法蘭和鈀膜組件的凹槽的 寬度相同，厚0.3-0.5毫米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種采用電加熱生產(chǎn)高純度氫氣的膜分離裝置，該裝置在兩盲板法蘭之間設(shè)有多個(gè)鈀膜組件，盲板法蘭與鈀膜組件之間及鈀膜組件與鈀膜組件之間設(shè)有合成器流通框架，盲板法蘭與合成氣流通框架之間及合成氣流通框架與盲板法蘭之間安裝石墨墊片；合成氣流通框架為方形框架，中間為空腔；方形框架與盲板法蘭或鈀膜組件形成封閉的空間，在合成氣流通框架設(shè)有含氫合成氣導(dǎo)入和導(dǎo)出管；在合成氣流通框架四周設(shè)有凸臺(tái)，四壁設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)有電加熱絲，電加熱絲的外面設(shè)有絕緣保溫材料。本發(fā)明將含氫合成氣直接引入鈀膜組件兩側(cè)，設(shè)計(jì)緊湊、體積小、拆卸方便，升溫速率快、溫控效果好、可進(jìn)行連續(xù)性生產(chǎn)高純度氫氣、并且氫氣的透過率大。
文檔編號(hào)B01D53/22GK101406791SQ200810218798
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者于金鳳, 解東來 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)