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陶瓷多孔膜和陶瓷過濾器的制作方法

文檔序號:5028324閱讀:152來源:國知局
專利名稱:陶瓷多孔膜和陶瓷過濾器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種陶瓷多孔膜和陶瓷過濾器,特別是涉及一種具有較少缺陷 和厚度小且一致的陶瓷多孔膜,和一種陶瓷過濾器。
背景技術(shù)
迄今為止,已經(jīng)知道有多種方法在多孔基件上形成陶瓷多孔膜。例 如,熱涂敷方法(見非專利文獻(xiàn)l),用含有硅質(zhì)溶膠的織物摩擦管狀基 件以便把硅質(zhì)溶膠施加到被燒結(jié)的管狀基件的外表面并且從而在其上形 成多孔膜。
還知道已經(jīng)有一種方法在具有管形或蓮藕狀整料圓柱形的多孔基件 的內(nèi)表面上形成多孔膜(見專利文獻(xiàn)l),多孔基件的外表面保持在低于 內(nèi)表面壓力的壓力并且所述內(nèi)表面與溶膠液體接觸以在多孔基件的內(nèi)表
面上形成膜。日本專利申請公開號3J67129 [專利文獻(xiàn)2]日本專利申請公開號61-238315 [非專利文獻(xiàn)1]膜科學(xué)期刊第149期(1988 ) 127頁至135頁 但是,熱涂敷方法存在膜不能在整個(gè)基件表面上一致地形成的問題, 并且膜只在管形基件的外表面上形成。此方法不能應(yīng)用于任何整料型的 基件上。另一方面,在過濾膜的形成過程中干燥所形成的膜期間,在基 件的細(xì)孔中的溶劑有時(shí)會(huì)流出到膜 一 側(cè)上從而引起膜脫落。因而存在的 問題是在形成于燒結(jié)基件表面上的多孔膜中就產(chǎn)生了缺陷。整料型基件 可以使用浸漬涂敷方法,但膜的形成時(shí)間長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可以較少的膜形成次數(shù)形成且具有較少的缺陷、 薄且一致的厚度和高的流量陶瓷多孔膜,和一種陶瓷過濾器。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以采用在超濾膜上形成基本上不滲透到超濾膜細(xì)孔中的陶瓷多孔膜的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)上述目的,即根據(jù)本發(fā)明,提供下述陶資多孔膜和陶資 過濾器。 一種陶瓷多孔膜,在具有2至20nm的平均細(xì)孔直徑的超濾膜上形成,
且該陶瓷多孔膜基本上沒有滲透到該超濾膜的細(xì)孔中。根據(jù)上述[l]的陶瓷多孔膜,該陶瓷多孔膜形成于中間層上,該中間層
至少在與具有2至20nm平均細(xì)孔直徑的超濾膜接觸的表面上具有1至5nm平
均細(xì)孔直徑,且該陶瓷多孔膜基本上沒有滲透到超濾膜的細(xì)孔中。根據(jù)上述[1]或[2]的陶瓷多孔膜,其中所述的超濾膜是二氧化鈥膜。 [4]根據(jù)上述[1]至[3]中任意一項(xiàng)的陶瓷多孔膜,該陶瓷多孔膜是硅質(zhì)膜。 [5] —種陶瓷過濾器包括多孔基件,形成于多孔基件上且具有2至20nm
平均細(xì)孔直徑的超濾膜,和形成在超濾膜上且基本上沒有滲透到超濾膜細(xì)孔中
的陶瓷多孔膜。根據(jù)上述[5]的陶瓷過濾器,具有一個(gè)中間層,該中間層處于超濾膜與 陶瓷多孔膜之間,至少在與超濾膜接觸的表面上具有1至5nm的平均細(xì)孔直 徑。根據(jù)上述[5]或[6]的陶資過濾器,其中所述的超濾膜是二氧化鈥膜。 [8]根據(jù)上述[5]至[7]中任意一項(xiàng)的陶瓷過濾器,其中所述的陶瓷多孔膜是 硅質(zhì)膜。
在使用在超濾膜上形成陶瓷多孔膜的結(jié)構(gòu)的情況下,在超濾膜上形成的膜 具有平滑性,因此就可以形成具有較少缺陷的薄陶瓷多孔膜。當(dāng)采用陶瓷多孔 膜不向超濾膜滲透的結(jié)構(gòu)時(shí),形成陶瓷多孔膜的陶瓷溶膠不會(huì)由于滲透而消 耗,能夠可靠地形成膜,從而所需的膜形成次數(shù)也減少。由于超濾膜部分的壓 力損失未增加,陶瓷多孔膜就可以制成高流量的。當(dāng)使用二氧化鈦膜作為超濾 膜時(shí),與其它陶乾膜比較,二氧化鈦具有高耐抗酸、堿和水蒸氣的特性。即可 以較低成本制備具有高分離性、高流量和高耐性的硅質(zhì)膜。進(jìn)一步,由于二氧 化鈦膜形成于多孔基件上和硅質(zhì)膜形成于二氧化鈦膜上,就可以低成本制造具 有高分離性、高流量和高耐性的陶瓷過濾器。當(dāng)陶瓷多孔膜為硅質(zhì)膜時(shí),適于 使用醇如乙醇、異丙基醇或有機(jī)酸如醋酸進(jìn)行脫水。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陶f:過濾器的剖面圖2是表示才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陶覺過濾器的立體圖3(a)(b)是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明的陶瓷過濾器的硅質(zhì)膜制造方法的
一個(gè)實(shí)例的示意圖4(a)(b)(c)是其中形成有二氧化鈦UF膜的硅質(zhì)膜的解釋性示圖; 圖5(a)至5(e)是其中不形成二氧化鈦UF膜的硅質(zhì)膜的解釋性示圖; 圖6是流量相對于分離指數(shù)的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例給予說明。本發(fā)明并不局限于下述 實(shí)施例,可以變化、修改和改進(jìn)而沒有脫離本發(fā)明的范圍。
圖1所示的硅質(zhì)膜1是本發(fā)明的陶瓷多孔膜。硅質(zhì)膜1形成在二氧化鈦 UF膜14上,二氧化鈦UF膜14是形成在作為微濾膜(也稱為MF膜)的多 孔基件11上且平均細(xì)孔直徑小于多孔基件11的平均細(xì)孔直徑的超濾膜(也稱 為UF膜)。硅質(zhì)膜基本上不滲透到二氧化鈦UF膜14中。這里,在硅質(zhì)膜基 本上不滲透到二氧化鈦UF膜14的情況下,根據(jù)EDX元素分析顯示出具有重 量比小于等于0.2的硅質(zhì)/二氧化鈦氧化物的部分的厚度大于等于UF膜從其最 下表面(UF與MF的交界面)的厚度的1/2,假定硅質(zhì)/二氧化鈦氧化物的重 量比為基于EDX元素分析的點(diǎn)分析的10個(gè)測量值的平均值。
多孔基件11最好是在其最外層具有大約0.1至0.6ym細(xì)孔直徑的微濾膜 (MF膜)。
然而,作為具有大約2至20nm (最好為大約8nm)孔徑的超濾膜的二氧 化鈦UF膜14形成于微濾膜(MF膜)11上,并且硅質(zhì)膜1形成于二氧化鈦 UF膜14上。使得硅質(zhì)膜l具有多層結(jié)構(gòu),其中硅質(zhì)溶膠被層壓多次,硅質(zhì)膜 1基本上不滲透到二氧化鈦UF膜14中。
在如上所述的硅質(zhì)膜1形成于具有大約2至20nm孔徑的二氧化鈦UF膜 14上的情況下,當(dāng)二氧化鈦UF膜14的膜表面平滑和具有較少缺陷時(shí),硅質(zhì) 膜1就可以形成得很薄和無任何缺陷,即可以降低具有高分離性和高流量(傳 輸和過濾流量)的硅質(zhì)膜1的制備成本。
另一方面,當(dāng)在具有20nm或更大孔徑的二氧化鈦上形成硅質(zhì)膜l時(shí),由于表面的不均勻性,硅質(zhì)層形成厚膜以便用硅質(zhì)膜覆蓋整個(gè)表面,由此導(dǎo)致流 量降低。由于表面的不均勻性,硅質(zhì)膜l的一致性變差,缺陷如裂縫就容易產(chǎn) 生,即能獲得的分離性降低。進(jìn)一步,為避免裂紋產(chǎn)生,唯一的薄膜一次形成, 步驟數(shù)增加則成本增加。
在利用二氧化鈦UF膜14作為形成硅質(zhì)膜1的基件和在二氧化鈦UF膜 14上形成硅質(zhì)膜1所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中預(yù)定量的-圭質(zhì)或更多的石圭質(zhì)不滲透到二氧 化鈦UF膜14中的情況下,MF膜的不均勻性的影響就被減小,硅質(zhì)膜1就具 有較少缺陷,即能夠形成具有高分離性的硅質(zhì)膜l。
為了形成預(yù)定量的硅質(zhì)或更多的硅質(zhì)不滲透到二氧化鈥UF膜14中的結(jié) 構(gòu),使用平均顆粒直徑在大約1至50nm范圍內(nèi)的硅質(zhì)溶膠,首先在具有大約 2至20um孔徑的二氧化鈦UF膜14上形成一層硅質(zhì)膜作為中間層。注意可以 使得所形成的中間層至少在與作為超濾膜的二氧化鈦UF膜14接觸的表面上 具有平均直徑在1至5nm范圍內(nèi)的細(xì)孔。此外,當(dāng)在中間層上進(jìn)一步形成硅 質(zhì)膜1時(shí),該膜不滲透到二氧化鈦UF膜14中。在形成二氧化鈦UF膜14后, 可以不用燒結(jié)形成硅質(zhì)膜1。可替代選擇地,二氧化鈦UF膜14經(jīng)過硅質(zhì)膜1 的燒結(jié)溫度或較低溫度的燒結(jié)后,硅質(zhì)溶膠可以成型為膜,該膜可以被燒結(jié)。 可替代選擇地,可以混入有機(jī)粘合劑如PVA形成膜來形成硅質(zhì)溶膠的第一膜, 然后用硅質(zhì)溶膠(不含有任何有機(jī)粘合劑)進(jìn)行普通的膜形成。
以下參照附圖2對根據(jù)本發(fā)明形成硅質(zhì)膜1的陶瓷過濾器10的實(shí)施例給 予說明。本發(fā)明的陶瓷過濾器10具有包括許多網(wǎng)孔23的整料造型,所述許多 網(wǎng)孔23由分隔壁22所限定并形成軸向通道。在本實(shí)施例中,網(wǎng)孔23具有圓 形截面,圖1中所示的硅質(zhì)膜1形成在每個(gè)網(wǎng)孔的內(nèi)壁表面上。網(wǎng)孔23可以 形成具有六邊形或四邊形的截面。根據(jù)此結(jié)構(gòu),例如,當(dāng)一種混合物(如水和 醋酸)從進(jìn)口側(cè)端面25進(jìn)入網(wǎng)孔23時(shí),混合物中的一種組分在每個(gè)網(wǎng)孔23 的內(nèi)壁上形成的硅質(zhì)膜1處被分離并通過多孔分隔壁22傳輸、從陶瓷過濾器 10的外壁排出以便使混合物被分離。即形成在所述陶瓷過濾器10中的硅質(zhì)膜 1可用作分離膜,且相對于比如水和醋酸具有高分離特性。
作為基件主體的多孔基件11形成為采用多孔材料通過擠壓等類似工藝形 成的桶狀整料型過濾器元件。例如可以使用鋁土作為多孔材料,因?yàn)檫@種材料
6耐腐蝕,過濾部分的孔徑幾乎不隨溫度變化且可以獲得足夠的強(qiáng)度。然而,除 了鋁土,也可以使用如堇青石、多鋁紅柱石或金剛砂等陶覺材料。
由于本發(fā)明的硅質(zhì)膜1形成在多孔基件11的內(nèi)周邊表面(內(nèi)壁表面),可
以優(yōu)選使用相對比較長、具有50cm或更長長度的圓筒形基件,或者具有蓮藕 形狀的多孔基件。
另外,二氧化鈦UF膜14形成在多孔基件11上,硅質(zhì)膜l形成在二氧化 鈦UF膜14上,即超濾膜(UF膜)形成在形成由多孔材料形成的基件表面的 至少一個(gè)硅質(zhì)膜l上。作為超濾膜,最好形成抑制產(chǎn)生0.1pm至2nm范圍內(nèi) 的微?;蚓酆衔锏亩趸€膜。設(shè)定二氧化鈦膜的平均孔徑小于多孔材料的平 均孔徑。
以下參照附圖3(a)和3(b)說明硅質(zhì)膜1的制造方法。首先,制備用來形成 硅質(zhì)膜1的涂液(硅質(zhì)溶膠液體)40。為制備涂液40,在硝酸中水解四乙氧 基硅烷形成溶膠液體,用乙醇稀釋溶膠液體,也可以用水代替乙醇稀釋溶膠液 體。
下一步,如圖3(a)所示,用遮蔽帶41密封配有二氧化鈦UF膜14的多孔 基件11的外周表面,多孔基件11被固定到例如一個(gè)寬嘴轉(zhuǎn)子(未示出)的下 端,涂液(硅質(zhì)溶膠液體)40從基件的上部通過網(wǎng)孔23。
接著,如例如圖3(b)所示,用干燥器等將冷空氣送入網(wǎng)孔以干燥網(wǎng)孔。由 于網(wǎng)孔用冷空氣以這種方式干燥,所以可獲得硅質(zhì)膜1基本上不滲透到二氧化 鈦UF膜14中的結(jié)構(gòu)。
然后,以100°C/hr的速率升溫,在500。C時(shí)保持一小時(shí),然后以100°C/hr 的速率降溫。諸如涂液(硅質(zhì)溶膠液體)40通過、干燥、升溫和降溫的這類
操作重復(fù)三至五次。
根據(jù)上述步驟,硅質(zhì)膜1形成在二氧化鈦UF膜14上,即如圖4(b)所示, 二氧化鈦UF膜14形成在圖4(a)所示的多孔基件ll上。結(jié)果,多孔基件表面 不均勻的影響被二氧化鈦UF膜14降低。因此,如圖4(c)所示,硅質(zhì)膜能夠 形成具有較少缺陷的薄膜,即以較低成本形成具有高流量和高分離性的硅質(zhì)膜 1。
另一方面,在硅質(zhì)膜1直接形成在圖5(a)所示多孔基件11表面的情況下,甚至當(dāng)硅質(zhì)膜la如圖5(b)所示形成時(shí),整個(gè)表面不能都被覆蓋,由于不均勻 性在硅質(zhì)膜1中容易產(chǎn)生裂紋。如圖5(c)至5(e)所示,當(dāng)硅質(zhì)膜lb、 lc和ld 重疊形成一個(gè)厚膜時(shí),硅質(zhì)膜l能夠變平,但在這種情況下導(dǎo)致低流量。由于 增加了步驟,成本也增加。
如上述獲得的包括在內(nèi)壁表面形成的納米級薄膜狀硅質(zhì)膜1的陶瓷過濾 器10因此能夠優(yōu)選用來作為分離混合液體等的過濾器使用。注意當(dāng)網(wǎng)孔23 被浸沒進(jìn)入醋酸或醋酸通過網(wǎng)孔時(shí),改善了分離指數(shù)。在上述實(shí)施例中,已經(jīng) 描述了硅質(zhì)膜作為陶瓷多孔膜形成的情況,但是本發(fā)明并不局限于此實(shí)施例, 二氧化鈥膜、氧化鋯膜、沸石膜等類似材料的膜均可形成。
示例
本發(fā)明的制造方法將依照示例在下文中更詳細(xì)介紹,但本發(fā)明并不局限于 這些示例。首先介紹本示例中使用的多孔基件、陶乾溶膠液體和膜形成方法等。 (例1)
(1) 多孔基件
設(shè)置有平均孔徑為0.2jum的,并且具有整料造型(外徑30mm,網(wǎng)孔內(nèi) 徑3mm x 37個(gè)網(wǎng)孔和長度500mm)的鋁土膜的材料用作基件。注意基件的對 端部分用玻璃密封。基件的平均孔徑在ASTMF306中介紹的空氣流動(dòng)方法的 基礎(chǔ)上確定。
(2) 二氧化鈦溶膠液體
二氧化鈦異丙氧化物在硝酸中水解獲得二氧化鈦溶膠液體。溶膠顆粒直徑 在動(dòng)態(tài)優(yōu)化散射方法中被確定為100nm。
(3) 形成二氧化鈦UF膜
用水稀釋二氧化鈦溶膠液體獲得形成膜的溶膠液體。該液體通過基件網(wǎng)孔 循環(huán)流動(dòng)以便與網(wǎng)孔接觸,由此在網(wǎng)孔中形成膜。
(4) 干燥、燒結(jié)
樣品被干燥后,在50(TC溫度下熱處理。此樣品用作設(shè)置有二氧化鈦UF 膜的二氧化鈦UF基件。當(dāng)測量二氧化鈦UF基件的孔徑時(shí),平均孔徑為8nm。 孔徑的測量原則與非專利文獻(xiàn)l中介紹的相同,但在非專利文獻(xiàn)l中使用水蒸 發(fā)和氮,而本發(fā)明中使用的測量方法使用n-己烷和氮。(5) 第一硅質(zhì)膜
具有20nm平均顆粒直徑的硅質(zhì)溶膠液體通過二氧化鈦UF基件網(wǎng)孔循環(huán) 流動(dòng)以便與網(wǎng)孔接觸,由此在網(wǎng)孔中形成硅質(zhì)膜。第一硅質(zhì)膜的平均孔徑為 3nm。
(6) 硅質(zhì)溶膠液體
四乙氧基硅烷在硝酸中水解得到硅質(zhì)溶膠液體。用乙醇稀釋硅質(zhì)溶膠液 體,調(diào)節(jié)成硅質(zhì)占0.7%的重量來制備用于形成膜的溶膠液體。
(7) 形成膜
用遮蔽帶密封樣品(多孔基件)的外周表面,將多孔基件固定到寬嘴轉(zhuǎn)子 的下端,硅質(zhì)溶膠液體從基件上部通過網(wǎng)孔。通過此形成膜的步驟確定在整個(gè) 內(nèi)壁上均形成膜。
(8) 干燥
使用干燥器干燥硅質(zhì)溶膠流動(dòng)通過的多孔基件的網(wǎng)孔,使冷空氣通過網(wǎng)孔。
(9) 燒結(jié)
溫度按照100。C/hr的速率上升,在500。C保持一小時(shí),然后按照100°C/hr 的速率下降。注意(6)至(8)的操作被重復(fù)三至五次就得到例1。 (例2 )
在例1的(1)至(4)的二氧化鈦UF制備過程中,與(4)不同,二氧化鈦不被 燒結(jié)而用作基件,然后完成(6)至(9)的硅質(zhì)膜形成。 (例3 )
在例1的(1)至(4)的二氧化鈥UF制備過程中,二氧化鈦在(4)中在300。C的 溫度下被燒結(jié),然后進(jìn)行(6)至(9)的硅質(zhì)膜形成。 (例4 )
例1的(1)至(4)的二氧化鈦UF用作基件,然后進(jìn)行(6)至(9)的硅質(zhì)膜形成, 但在第一硅質(zhì)膜形成時(shí),將硅質(zhì)溶膠液體(6)和與硅質(zhì)固體含量等量的PVA固 體成分混合。在第二和第三硅質(zhì)膜形成時(shí),使用常規(guī)硅質(zhì)溶膠液體形成膜。 (對比例1)
以例1的(1)至(4)中相同的方式形成二氧化鈦UF膜作為基件,然后進(jìn)行(6)
9至(9)的硅質(zhì)膜形成。 (對比例2)
在例1的(1)至(4)的二氧化鈦UF制備過程中,二氧化鈦在(4)中在700°C的 溫度下被燒結(jié),并且此膜形成為配備有二氧化鈥UF膜的二氧化鈦UF基件。 當(dāng)二氧化鈦UF基件的孔徑被測量時(shí),平均孔徑為40nm。此基件要經(jīng)受(6)至 (9)的硅質(zhì)膜形成。 (對比例3)
在例l的膜形成中,不形成任何二氧化鈦UF膜,鋁土多孔基件直接經(jīng)受 6)至(9)的硅質(zhì)溶膠膜形成。
在示例和對比例中,測量滲透進(jìn)入二氧化鈥UF的深度。在例1至4中, 根據(jù)EDX元素分析硅質(zhì)/二氧化鈦氧化物重量比小于等于0.2的部分的長度達(dá) 到從UF膜最底面(UF與MF間的交界面)起的UF厚度的3/4。在對比例1 中,根據(jù)EDX元素分析硅質(zhì)/二氧化鈦氧化物重量比小于等于0.2的部分的長 度只達(dá)到從UF膜最底面(UF與MF間的交界面)起的UF厚度的1/10。因此, 對比例1具有硅質(zhì)滲透進(jìn)入二氧化鈦UF的結(jié)構(gòu)。
在對比例2、 3中,當(dāng)使用具有硅質(zhì)重量濃度為0.7%的膜形成溶膠液體形 成膜時(shí),在膜表面產(chǎn)生裂紋,任何膜都不能形成。因而在對比例2中,以0.3% 重量形成膜,但產(chǎn)生裂紋。進(jìn)一步,以0.1%重量形成膜,裂紋減少,膜形成 了20次。在對比例3中,裂紋在0.3%重量時(shí)減少,膜形成了7次。但是,兩 種情況都表明膜表面留有微小裂紋,不能形成良好的膜。
在例1至4和對比例1至3中,進(jìn)行了兩小時(shí)的滲透蒸發(fā)分離試驗(yàn)。試驗(yàn) 中70。C的90。/。乙醇通過整料網(wǎng)孔,液體流量速率為10L/min,整料的外部抽成 真空在2至10Pa范圍內(nèi)。樣品試驗(yàn)進(jìn)行了4次,每次30分鐘。作為例1至4 和對比例1至3的分離試驗(yàn)結(jié)果,分離指數(shù)和流量之間的關(guān)系示于圖6。
例i至4與對比例1比較顯得高流量,與對比例2、 3比較顯得高流量、 高分離指數(shù)ct。在對比例2、 3中,為了形成沒有任何裂紋的膜表面,需要使 用比樣品低硅質(zhì)濃度的稀漿,結(jié)果形成膜的次數(shù)增加。當(dāng)形成膜的次數(shù)增加時(shí), 步驟延長,成本增大。
如上所述,當(dāng)二氧化鈥UF膜形成在MF膜上和硅質(zhì)膜形成在二氧化鈦UF膜上時(shí),就以低成本獲得高性能的硅質(zhì)脫水膜。 工業(yè)應(yīng)用性
根據(jù)本發(fā)明,以較少的膜形成次數(shù)就可以獲得具有較低粗糙度、較少大的 細(xì)孔和較少缺陷的、薄且一致的膜。因而帶有這種硅質(zhì)膜的陶瓷過濾器可優(yōu)選 作為過濾器使用。包括形成于內(nèi)壁表面的納米級薄膜硅質(zhì)膜的陶瓷過濾器可用 在不能使用有機(jī)過濾器的地方,例如從酸、堿溶液或有機(jī)溶劑中的分離移除等。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷多孔膜,該陶瓷多孔膜在具有2至20nm的平均細(xì)孔直徑的超濾膜上形成,且該陶瓷多孔膜基本上沒有滲透到該超濾膜的細(xì)孔中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的陶瓷多孔膜,該陶瓷多孔膜形成于中間層上,該中 間層至少在與具有2至20nm平均細(xì)孔直徑的超濾膜接觸的表面上具有1至 5nm平均細(xì)孔直徑,且基本上沒有滲透到超濾膜的細(xì)孔中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的陶瓷多孔膜,其中所述的超濾膜是二氧化鈦膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)的陶瓷多孔膜,該陶瓷多孔膜是硅質(zhì)膜。
5. —種陶瓷過濾器,包括 多孔基件;形成于所述多孔基件上且具有2至20nm平均細(xì)孔直徑的超濾膜,和 形成在所述超濾膜上且其本上沒有滲透到所述超濾膜細(xì)孔中的陶瓷多孔膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的陶資過濾器,該陶瓷過濾器在所述超濾膜與所述陶 瓷多孔膜之間具有中間層,該中間層在至少在與所述超濾膜接觸的表面上具有 1至5nm的平均細(xì)孔直徑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6的陶資過濾器,其中所述的超濾膜是二氧化鈥膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5至7中任意一項(xiàng)的陶瓷過濾器,其中所述的陶瓷多孔 膜是硅質(zhì)膜。
全文摘要
本發(fā)明公開一種陶瓷多孔膜和一種陶瓷過濾器,所述陶瓷多孔膜以較少膜形成次數(shù)形成且具有較少的缺陷、小且一致的厚度和高的流量。硅質(zhì)膜(1)形成在二氧化鈦UF膜(14)上,二氧化鈦UF膜(14)作為超濾膜(UF膜)形成在多孔基件(11)上,多孔基件(11)是微濾膜(也稱為MF膜),二氧化鈦UF膜(14)的平均孔徑小于多孔基件(11)的平均孔徑,且硅質(zhì)膜(1)的平均孔徑小于二氧化鈦UF膜(14)的平均孔徑,硅質(zhì)膜(1)基本上沒有滲透到二氧化鈦UF膜中。
文檔編號B01D71/02GK101528328SQ20078003878
公開日2009年9月9日 申請日期2007年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月18日
發(fā)明者和田一朗, 磯村學(xué), 菱木達(dá)也 申請人:日本礙子株式會(huì)社
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