專利名稱：陰離子交換體及使用它的電子器件封裝用樹脂組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)良陰離子交換性的水滑石(hydrotalcite)化合物的煅燒物。另外，還涉及一種使用該水滑石煅燒物的具有優(yōu)良可靠性的電子器件封裝用樹脂組合物及該組合物的固化物。
背景技術：
眾所周知，水滑石具有陰離子交換性，可以吸附屬于陰離子的氯化物離子等，利用該功能，水滑石可以廣泛應用于醫(yī)藥品、阻燃劑、電子材料等領域。
LSI、IC、混合IC、晶體管、二極管、晶閘管及這些的混合零件，大多數(shù)是使用環(huán)氧樹脂來進行封裝的。這些電子器件封裝材料除了需要能抑制原材料中離子性雜質或是從外部侵入的水分所引起的不良情形的同時，還需要具備阻燃性、高粘附性、耐龜裂性、以及高體積電阻系數(shù)等電特性等種種特性。
被大量用作電子器件封裝材的環(huán)氧樹脂中，除了作為主成分的環(huán)氧樹脂化合物之外，還含有環(huán)氧化合物固化劑、固化促進劑、無機填料、阻燃劑，顏料及有機硅烷偶合劑等。
進而，近年來隨著半導體的高集成化，IC晶片上的鋁布線寬度逐漸變小，由此導致了鋁腐蝕的提早發(fā)生。該腐蝕主要是侵入于作為封裝材的環(huán)氧樹脂中的水分所促成的。另外，由于布線寬度的縮小，導致了使用過程中發(fā)生的熱量增加，因此需要在該環(huán)氧樹脂中調配大量的氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂及無機氫氧化物等阻燃劑，而這些阻燃劑成分會進一步促進鋁等布線的腐蝕。
為了防止上述的腐蝕，需要進一步提高環(huán)氧樹脂的耐濕可靠性。針對該提高耐濕可靠性方面的需求，已有人提出了在環(huán)氧樹脂等中調配一種屬于無機陰離子交換體的水滑石類，以捕捉成為問題的雜質離子、特別是鹵離子的方案(參考例如特開昭63-252451號公報、特開昭64-64243號公報、及特開昭60-40124號公報等)水滑石化合物為如下式所示的層狀化合物，M2+aM3+b(OH-)c(An-)d·mH2O(M2+表示2價金屬，M3+為3價金屬，An-為n價的陰離子，a、b、c、d及m為正數(shù))。
具體而言，通常有Mg4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O、Mg4.3Al2(OH)12.6CO3·3. 5H2O、Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O等組成式所表示的鎂鋁水滑石。因為該化合物已經(jīng)具有氫氧離子及碳酸離子等陰離子，不能說具有足夠的陰離子交換性能。
通過煅燒該水滑石化合物，可以使其結構內(nèi)的陰離子脫離而成為下式所表示的物質，M2+xM3+yOz(M2+表示2價金屬、M3+為3價金屬、x、y及z為正數(shù))。
此水滑石煅燒物因為化合物中未含有陰離子，所以與水滑石相比，其具有更優(yōu)良的陰離子交換性能。此水滑石煅燒物吸收水后，會再次成為層狀結構。
也有人提出了在環(huán)氧樹脂等中調配該水滑石煅燒物的方案(例如參照特開昭60-42418號公報)。該水滑石煅燒物具有優(yōu)良的陰離子交換性能，可以有效地提升電子器件的耐濕可靠性，但是因為其吸濕性非常高，在空氣中也容易吸濕，所以存在電子器件中的吸濕、以及伴隨吸濕的體積增加問題。因此，當其在焊錫浴、回流焊接裝置處理等中被暴露于高溫時，因基板等的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生的熱應力、所吸濕水分經(jīng)氣化產(chǎn)生的蒸氣壓有可能導致在元件、引導框架等嵌入品與封裝用成型材料之間發(fā)生剝離，成為封裝龜裂、晶片損傷等的原因。
另外，陰離子交換體一般而言當周圍的環(huán)境偏于酸性時，較容易吸附陰離子；若是中性附近或是偏于堿性時，則較難吸附陰離子，而受調配于封裝材的添加劑的影響，樹脂組合物的pH有時候會在中性附近，此時無法充分地發(fā)揮陰離子交換體的效果。
針對于此，有人提出了在陰離子交換體中混合屬于固體酸的陽離子交換體來降低表觀pH值，并由此提升離子交換性之后使用的方法(例如參照特開昭60-23901號公報)。但是，在樹脂中添加固體酸時，會損害樹脂的物性。另外，許多陽離子交換體含有重金屬，而最近因為顧慮到環(huán)境問題，有時無法并用陽離子交換體。
已知在用于印刷布線板的環(huán)氧樹脂中調配陽離子交換體、陰離子交換體以及兩性離子交換體等無機離子交換體的物質(例如參照特開平05-140419號公報)。
另外，使芳香族聚酰胺纖維含有環(huán)氧樹脂或是聚苯醚樹脂和離子捕捉劑的印刷基板也是已知的。作為該離子捕捉劑可以舉出離子交換樹脂和無機離子交換體，作為無機離子交換體，所提及的有銻-鉍系的物質和鋯系的物質(例如參照特開平09-314758號公報)。
含有絕緣清漆的離子捕捉劑是已知的，使用該絕緣清漆可以制造多層印刷布線板。作為該離子捕捉劑可以舉出活性碳、沸石、硅膠、活性氧化鋁、活性白土、水合五氧化銻、磷酸鋯及水滑石等(例如參照特開平10-287830號公報)。
另外，在用于多層布線板的粘著薄膜中調配無機離子吸附體的物質也是已知的。作為該無機離子吸附體可以舉出活性碳、沸石、硅膠、活性氧化鋁、活性白土、水合五氧化銻、磷酸鋯及水滑石等(例如參照特開平10-330696號公報)。
此外，含有離子捕捉劑的環(huán)氧樹脂粘接劑是已知的，作為該離子捕捉劑可以舉出陰離子交換體或陽離子交換體(例如參照特開平10-013011號公報)。
還有，含有離子捕捉劑和銀粉等的導電性環(huán)氧樹脂膏是已知的。作為該離子捕捉劑可以舉出水合硝酸鉍、鎂鋁水滑石、氧化銻等(例如參照特開平10-007763號公報)。
在上面提到的離子交換體·離子捕捉劑之中，也有使用水滑石的例子，而這些例子中是直接使用或是煅燒后使用的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種陰離子交換體，其吸濕性小及/和具有優(yōu)良的耐熱性，而且在中性附近具有優(yōu)良的陰離子交換性，本發(fā)明的目的還在于提供使用它的電子器件用及電氣部件用的樹脂組合物。另外，又一目的在于提供使用該樹脂組合物的電子器件、電氣部件及使用它們的制品。
本發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，如下的陰離子交換體可以解決上述課題，從而完成了本發(fā)明，所述陰離子交換體是，通過使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理下式(1)所示的水滑石煅燒物及/或下式(2)所示的水滑石化合物而得到的，M2+xM3+yOz(1)式(1)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，x、y、z為0.1以上的正數(shù)、2x+3y＝2z，而且x＞y、x/y的值為9以下。
M2+1-XM3+X(OH-)2(An-)d·mH2O(2)式(2)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，X為0.1以上0.33以下的正數(shù)，m為0或是正數(shù)，d為X/n。
本發(fā)明的陰離子交換體為，使用上述的金屬鹽溶液及金屬醇鹽溶液來處理而成的陰離子交換體，所述金屬為由硅、鈦、鋯、錫、及鋁中選出的至少1種以上。
本發(fā)明涉及一種陰離子交換體，其是在上述的陰離子交換體中再配合2價金屬氧化物而形成的。
另外，本發(fā)明的另一形態(tài)，為一種陰離子交換體，其含有式(2)所示的水滑石化合物的煅燒物和2價金屬氧化物。涉及使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理該陰離子交換體而成的陰離子交換體。
M2+1-XM3+X(OH-)2(An-)d·mH2O(2)式(2)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，X為0.1以上0.33以下的正數(shù)，m為0或是正數(shù)，d為X/n。
本發(fā)明的陰離子交換體為，使用上述的金屬鹽溶液及金屬醇鹽溶液來處理而成的陰離子交換體，所述金屬為由硅、鈦、鋯、錫、及鋁中選出的至少1種以上。
本發(fā)明的另一形態(tài)，為一種電子器件封裝用樹脂組合物，其中含有上述的陰離子交換體，此時，也可以含有無機陽離子交換體。
本發(fā)明的另一形態(tài)，為使該電子器件封裝用樹脂組合物固化而成的電子器件封裝用樹脂。
本發(fā)明的另一形態(tài)，為一種電子器件，是使用該電子器件封裝用樹脂組合物封裝元件而成的。
本發(fā)明的另一形態(tài)，為一種清漆(varnish)、粘接劑、或膏，其中含有上述陰離子交換體，也可含有無機陽離子交換體。
本發(fā)明的又一形態(tài)，為一種制品，含有上述清漆、粘接劑、或膏。


圖1為水滑石化合物Mg4.5Al2(OH)13CO3·3.5H2O(MAH1)的熱質量分析測定(TG-DTA)的結果，橫軸表示溫度℃，左縱軸表示減少率，右縱軸表示熱減量曲線a的微分曲線b中的任意值，a表示熱減量曲線，b表示熱減量曲線a的微分曲線。
圖2為陰離子交換體A-2的X線衍射圖。
圖3為陰離子交換體A-4的X線衍射圖。
圖4為于550℃煅燒MAH1而成的物質(tMAH1)的X線衍射圖。
圖5為MAH1的X線衍射圖。
圖2-5中，橫軸為X線衍射中的衍射角度(2θ)，縱軸為X線衍射中的衍射強度值。
具體實施例方式
以下詳細說明本發(fā)明。
本發(fā)明中，使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理下式(1)所示的水滑石煅燒物及/或下式(2)所示的水滑石化合物，所謂“處理”是指以濕式或干式的方式賦予金屬鹽及/或金屬醇鹽后加以煅燒。
M2+xM3+yOz(1)式(1)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，x、y、z為0.1以上的正數(shù)、2x+3y＝2z，而且x＞y、x/y的值為9以下。
M2+1-XM3+X(OH-)2(An-)d·mH2O(2)式(2)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，X為0.1以上0.33以下的正數(shù)，m為0或是正數(shù)，d為X/n。
將式(1)所示的水滑石煅燒物及/或式(2)所示的水滑石化合物稱為水滑石類化合物。
○水滑石類化合物本發(fā)明所使用的水滑石煅燒物為上式(1)所示的物質。
作為式(1)的M2+可以舉出鎂、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅等，以鎂、鋅、鎳、及鈷為佳，以鎂、鋅為特佳。
式(1)的M3+可以舉出鋁、鐵、鉻、鈷、銦等，以鋁、鐵、鈷為佳，以鋁為特佳。
式(1)的x/y值為9以下，以7以下為佳，以6以下為更佳。另外，x/y值為2以上，以2.1以上為佳，以2.2以上為更佳。
本發(fā)明所使用的水滑石煅燒物，可以通過煅燒上式(2)所示的水滑石化合物而得到。本發(fā)明所使用的水滑石化合物只要是式(2)所示的水滑石化合物即可，沒有特別的限定。
作為式(2)的M2+可以舉出鎂、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅等，以鎂、鋅、鎳、及鈷為佳，以鎂、鋅為特佳。
作為式(2)的M3+可以舉出鋁、鐵、鉻、鈷、銦等，以鋁、鐵、鈷為佳，以鋁為特佳。
式(2)的X為0.1以上0.33以下，X以0.125以上為佳，以0.143以上為較佳，以0.16以上為更佳，以0.2以上為特佳；以0.32以下為佳，以0.31以下為更佳。
式(2)的An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，以經(jīng)煅燒能夠被去除的為佳。式(2)的An-具體以OH-、NO3-、CO32-；、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子為佳，以OH-、NO3-、或CO32-為更佳，以CO32-為特佳。
煅燒式(2)所示的水滑石化合物的溫度沒有特別限定，為可以去除水滑石化合物中的陰離子的溫度。另外，該煅燒溫度為例如240～1000℃，因式(2)的X值而異。
煅燒時間可以依照水滑石類的種類、煅燒溫度及煅燒量來設定最適合的時間。例如，煅燒時間以24小時以下為佳，以15小時以下為較佳，以10小時以下為更佳；以0.5小時以上為佳。
將式(2)的X為0.29以上的物質，在240℃以上且低于700℃的溫度下煅燒而成的煅燒物，因為在中性附近的陰離子交換性能不佳，有必要與2價金屬氧化物配合使用。該煅燒物的煅燒溫度以330℃以上為佳，以400℃以上為較佳，以430℃以上為更佳，以500℃以上為特佳。煅燒溫度低時，因為無法將陰離子從水滑石化合物去除，有時會出現(xiàn)離子交換性降低的情況，因此不太理想。
將式(2)的X為0.29以上的物質，在700℃以上1000℃以下煅燒而成的煅燒物，會生成2價金屬氧化物。此時的煅燒物中，也可以不添加2價金屬氧化物。該煅燒物在中性附近的陰離子交換性能佳，不配合2價金屬氧化物也可，若配合則更佳。該煅燒物的煅燒溫度，以900℃以下為較佳，以850℃以下為更佳。煅燒溫度若太高，有時會導致陰離子交換體發(fā)生分解，造成離子交換量降低，因此不理想。
將式(2)的X低于0.29的物質，在240℃以上1000℃以下煅燒而成的煅燒物，會生成2價金屬氧化物。此時的煅燒物，也可以不添加2價金屬氧化物。該煅燒物在中性附近的陰離子交換性能佳，不調配2價金屬氧化物也可，若調配則更佳。另外，X值太小時，會出現(xiàn)在中性附近的陰離子交換性能變差的情形。該煅燒物的煅燒溫度以330～1000℃為佳，以400～950℃為較佳，以430～950℃為更佳，以500～900℃為特佳。該煅燒溫度低時，因無法將陰離子從水滑石化合物去除，會出現(xiàn)離子交換性降低的情況。相反，煅燒溫度太高時，會導致離子交換體發(fā)生分解，造成離子交換量降低，因此不理想。
2價金屬氧化物是否生成于水滑石化合物的煅燒物中，可以通過X線衍射來調查。
具體為，例如M2+為Mg2+時，先以X射線衍射測定MgO的標準品，之后通過與煅燒物的衍射角度(2θ)進行比較，可以確認MgO的生成。
對式(2)所示的水滑石化合物只進行煅燒而成的物質中，其氯離子交換率以大于70％為佳，以80％以上為較佳，以90％以上為更佳。
另外，氯離子交換率是，將一克的煅燒式(2)所示的水滑石化合物而成的物質，以0.02摩爾濃度的氯化鈉水溶液50ml處理時的氯離子量算出的值。
就本發(fā)明的陰離子交換體或是陰離子交換組合物的吸濕性而言，在35℃、相對濕度90％的環(huán)境中放置24小時后的重量增加率以50％以下為佳，以40％以下為較佳，以20％以下為更佳。
另外，將本發(fā)明的陰離子交換體的氯離子交換率和吸濕性組合評價時，在其重量增加率大于40％且50％以下的情況下，氯離子交換率以80％以上為佳，以90％以上為更佳。重量增加率在40％以下時，氯離子交換率以65％以上為佳，以70％以上為較佳，以80％以上為更佳，以90％以上為特佳。
作為水滑石化合物，可以舉出Mg4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O、Zn4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O、Ni4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O、Mg4.5Fe2(OH)13CO3·3. 5H2O、Mg5Al1.5(OH)13CO3·3. 5H2O、Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O、或將鎂和鋁以2.5∶1、2.75∶1、4∶1、5∶1等摩爾比合成的物質。另外，作為這些的煅燒物可以舉出Mg0.7Al0.3O1.15、Zn0.7Al0.3O1.15、Ni0.7Al0.3O1.15、Mg0.7Fe0.3O1.15、Mg0.8Al0.24O1.16、Mg0.9Al0.3O1.35、Mg2.5AlO4、Mg2.75AlO4.25、Mg0.8Al0.24O1.16、Mg1.2AlO2.7、Mg1.5AlO3.0、Mg3AlO4.5、Mg4AlO5.5、Mg5AlO6.5等。
○金屬鹽溶液和金屬醇鹽溶液作為處理水滑石類化合物的金屬鹽溶液及金屬醇鹽溶液的金屬，以硅、鈦、鋯、錫及鋁等為佳，以硅、鈦、鋯、及鋁為更佳，以硅及鈦為特佳。
用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理水滑石類化合物的方法沒有特別的限定。例如有下述的處理方法。
·使水滑石類化合物在金屬鹽溶液中分散，進行過濾、洗凈、干燥、煅燒的方法。
·使水滑石類化合物在金屬鹽溶液中分散，添加氫氧化鈉、氨水等堿性物質，在水滑石類化合物的表面析出金屬氧化物或是金屬氫氧化物后，進行過濾、洗凈、干燥、煅燒的方法。
·使水滑石類化合物在金屬鹽溶液中分散，添加尿素、六亞甲四胺等胺化合物，通過加熱在水滑石類化合物的表面析出金屬氧化物或是金屬氫氧化物后，進行過濾、洗凈、干燥、煅燒的方法。
·使水滑石類化合物在金屬醇鹽溶液中分散，通過添加酸、堿、或水、或加熱來使金屬醇鹽水解，在水滑石類化合物的表面析出金屬氧化物或是金屬氫氧化物后，進行過濾、洗凈、干燥、煅燒的方法。
·在水滑石類化合物中添加金屬醇鹽或是金屬醇鹽溶液，混合后加熱，在水滑石類化合物的表面被覆金屬氧化物或是金屬氫氧化物，進行干燥、煅燒的方法。
通過使用金屬鹽溶液及/或是金屬醇鹽溶液處理水滑石類化合物，可以得到吸濕性較少的陰離子交換體，較佳。
若要在電子器件封裝用樹脂組合物中使用本發(fā)明的陰離子交換體，其以盡可能不含離子性雜質者為佳。使用金屬鹽溶液處理水滑石類化合物時，必須充分地洗凈去除該鹽。另一方面，使用金屬醇鹽溶液來處理時，因為沒有或是只有少量的副產(chǎn)鹽，所以優(yōu)于金屬鹽溶液。
金屬鹽溶液的金屬如上述，該金屬鹽溶液可以是水溶液或是溶膠溶液。作為該金屬鹽可以舉出硅、鈦、鋯、錫、或鋁的含氧酸的堿金屬鹽、鹵化物、或氧化物等。堿金屬鹽以鈉鹽或是鉀鹽為佳，鹵化物以氯化物或是溴化物為佳。
金屬醇鹽的金屬如上述。作為金屬醇鹽溶液的溶液可以舉出水溶液、含水的醇溶液、以及醇溶液等，以含水的醇溶液或是醇溶液為佳。
作為金屬醇鹽的具體例，可以舉出四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四異丙氧化鈦、三乙氧化鋁、四異丙氧化鋯、四乙氧基錫、四甲氧基錫及它們的聚合物(例如正硅酸甲酯寡聚物、正硅酸乙酯寡聚物、正硅酸丙酯寡聚物等)，因為四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、及它們的聚合物的水解速度不會太快而容易處理而較佳。以四乙氧基硅烷的聚合物、四甲氧基硅烷的聚合物等為更佳。
使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液來混合式(1)所示的水滑石煅燒物而成的物質的煅燒溫度，以50～1000℃為佳，以100～900℃為較佳，以200～800℃為更佳，以400～700℃為特佳。
使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液來混合式(2)所示的水滑石化合物而成的物質的煅燒溫度，以400～1000℃為佳，以500～900℃為更佳，以500～700℃為特佳。
也可以使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液，來對調配水滑石類化合物及2價金屬氧化物而成的組合物進行處理，這些的處理條件和上述相同。
使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液來進行的處理，從在中性附近的陰離子交換性能考慮，以在調配2價金屬氧化物之前進行為佳。
○金屬鹽溶液或金屬醇鹽溶液的處理比例相對于水滑石類化合物的金屬鹽溶液及/或是金屬醇鹽溶液的處理比例沒有特別限定，較佳的比例為相對于水滑石類化合物100重量份，金屬鹽溶液及/或是金屬醇鹽溶液中的金屬氧化物(將金屬鹽溶液或是金屬醇鹽溶液的金屬換算成氧化物而成)為3～100重量份，以5～50重量份為特佳。金屬氧化物少于3重量份時，會出現(xiàn)無法抑制吸濕性的情形，而且，若大于100重量份，因為會出現(xiàn)離子交換容量變小的情形而不佳。
○2價金屬氧化物本發(fā)明所使用的2價金屬氧化物的金屬以Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Cu2+、Zn2+等2價金屬為佳，更佳的是與水滑石類化合物中的2價金屬相同金屬的氧化物。
2價金屬氧化物的粒徑?jīng)]有特別限定，平均粒徑以0.01μm以上10μm以下為佳，更佳的是0.05μm以上3μm以下。粒徑為0.01μm以下時容易凝聚，10μm以上時，添加在樹脂中時有時會損害到物性而不佳。
○2價金屬氧化物的調配比例對于水滑石類化合物與2價金屬氧化物的調配比例沒有特別限定。
使用金屬鹽溶液及/或是金屬醇鹽溶液處理水滑石類化合物而成的物質為100重量份時，2價金屬氧化物以10～500重量份為佳，以20～200重量份為更佳，以40～100重量份為特佳。此2價金屬氧化物少于10重量份時，會有離子交換性無法提升的情況；大于500重量份時，因為離子交換容量變小而不佳。
將式(2)中的X在0.29以上的物質，在240℃以上、低于700℃的溫度煅燒而成的煅燒物為100重量份時，2價金屬氧化物以10～1000重量份為佳，以20～300重量份為較佳，以40～200重量份為更佳。相對于該煅燒物，2價金屬氧化物若少于10重量份，會有離子交換性無法提升的情況；多于1000重量份時，因為離子交換容量變小而不佳。
將式(2)中的X在0.29以上的物質，在700℃以上1000℃以下煅燒而成的煅燒物，在中性附近的陰離子交換性能不佳時，可以使其含有2價金屬氧化物。此時相對于該煅燒物100重量份，2價金屬氧化物以10～500重量份為佳，以20～200重量份為較佳，以40～100重量份為特佳。相對于該煅燒物，2價金屬氧化物若少于10重量份，會有離子交換性無法提升的情況；多于500重量份時，因為離子交換容量變小而不佳。
將式(2)中的X低于0.29以下的物質，在240℃以上1000℃以下煅燒而成的煅燒物，在中性附近的陰離子交換性能不佳時，可以使其含有2價金屬氧化物。此時相對于該煅燒物100重量份，，2價金屬氧化物以10～500重量份為佳，以20～200重量份為較佳，以40～100重量份為特佳。相對于該煅燒物，2價金屬氧化物若少于10重量份，會有離子交換性無法提升的情況；多于500重量份時，因為離子交換容量變小而不佳。
○電子器件封裝用樹脂組合物作為在配合本發(fā)明的陰離子交換體的電子器件封裝用樹脂組合物中使用的樹脂，可以使用酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、及環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂，也可以使用聚乙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、以及聚丙烯等熱塑性樹脂，以使用熱固化性樹脂為佳。作為本發(fā)明的電子器件封裝用樹脂組合物中所使用的熱固化性樹脂，以酚醛樹脂或是環(huán)氧樹脂為佳，以環(huán)氧樹脂為特佳。
○電子器件封裝用環(huán)氧樹脂組合物本發(fā)明所使用的環(huán)氧樹脂，只要是可以用作電子器件封裝用樹脂即可，沒有限定。例如只要1分子中具有2個以上環(huán)氧基、能夠固化即可而不管其種類，例如苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂等都可以用作成型材料的均可以使用。另外，為了提升本發(fā)明的組合物的耐濕性，作為環(huán)氧樹脂優(yōu)選使用氯化物離子含量為10ppm以下、且水解性氯含量為1000ppm以下的物質。
本發(fā)明的電子器件用環(huán)氧樹脂組合物以含有固化劑及固化促進劑為佳。
作為本發(fā)明中所使用的固化劑，已知的可以用作環(huán)氧樹脂組合物的固化劑的都可以使用，較佳的具體例有酸酐、胺系固化劑及酚醛清漆系固化劑等。
作為本發(fā)明中所使用的固化促進劑，已知的可以用作環(huán)氧樹脂組合物的固化促進劑的都可以使用，較佳的具體例有胺系、磷系、及咪唑系的促進劑。
本發(fā)明的電子器件封裝用樹脂組合物，必要時可以調配已知的可以在成型用樹脂中調配的物質。作為該成分可以舉出無機填料、阻燃劑、無機填料用偶合劑、著色劑、及脫模劑等。這些成分都可以使用已知的可以在成型用環(huán)氧樹脂中調配的成分。無機填料的較佳具體例，可以舉出的有結晶性二氧化硅粉、石英玻璃粉、熔融二氧化硅粉、氧化鋁粉及滑石等，其中以結晶性二氧化硅粉、石英玻璃粉、及熔融二氧化硅粉因為廉價而較佳。阻燃劑的例子有氧化銻、鹵化環(huán)氧樹脂、氫氧化鎂、氫氧化鋁、紅磷系化合物、磷酸酯系化合物等，偶合劑的例子有硅烷系及鈦系等，脫模劑的例子有脂肪族石蠟、高級脂肪族醇等蠟。
上述成分以外，也可以含有反應性稀釋劑、溶劑、及搖變性賦予劑等。具體可以例示的反應性稀釋劑有丁基苯基縮水甘油醚，溶劑有甲基乙基酮，搖變性賦予劑有有機改性膨潤土。
本發(fā)明的陰離子交換體的較佳配合比例，相對于每100重量份電子器件封裝用樹脂組合物為0.1～10重量份，以1～5重量份為較佳。小于0.1重量份時，陰離子去除性、耐濕可靠性等的提升效果較差，另一方面，大于10重量份時，其效果不會更提高，反而會增加成本而不佳。
通過將無機陽離子交換體與本發(fā)明的陰離子交換體并用，可以增加本發(fā)明的陰離子交換體的陰離子捕捉能力，而且有望獲得陽離子性離子的捕捉效果。無機陽離子交換體是具有陽離子交換性的無機物。
本發(fā)明的陰離子交換體和無機陽離子交換體的調配比沒有特別限定，重量比以100∶0～20∶80為佳。本發(fā)明的陰離子交換體和無機陽離子交換體的調配，可以在制備電子器件封裝用樹脂組合物時分別調配，也可以預先將它們均勻混合之后進行。以使用混合物為較佳。因為藉此可以進一步發(fā)揮并用這些成分的效果。
作為無機陽離子交換體的具體例，可以舉出銻酸(五氧化銻水合物)、鈮酸(五氧化鈮水合物)、錳氧化物、磷酸鋯、磷酸鈦、磷酸錫、磷酸鈰、沸石、及粘上礦物等。以銻酸(五氧化銻水合物)、磷酸鋯、及磷酸鈦為佳。
本發(fā)明的電子器件封裝用樹脂組合物，可以通過利用公知方法混合上述原料而容易地得到，例如，適當?shù)卣{配上述各原料并將該調配物置于混練機中在加熱狀態(tài)下進行混練，制成半固化狀樹脂組合物，在室溫下將其冷卻后，使用眾所周知的方法粉碎，必要時進行壓錠而得到。
本發(fā)明的陰離子交換體可以使用于電子器件或是電氣部件的封裝、被覆、及絕緣等各種用途。
進而，氯乙烯等樹脂的穩(wěn)定劑、防銹劑等中也可以使用本發(fā)明的陰離子交換體。
調配有本發(fā)明的陰離子交換體的電子器件用樹脂組合物，可以使用于在引導框、已布線的帶式運輸器(tape carrier)、布線板、玻璃、硅晶片等支撐構件上裝載有半導體芯片、晶體管、二極管、晶閘管等有源元件、電容器、電阻元件、線圈等無源元件等元件的構件等中。另外，印刷電路板上也可以有效地使用本發(fā)明的電子器件封裝用樹脂組合物。調配有本發(fā)明的陰離子交換體的電子器件封裝用環(huán)氧樹脂組合物也同樣可以使用。
作為使用本發(fā)明的電子器件封裝用樹脂組合物或是電子器件封裝用環(huán)氧樹脂組合物對元件進行封裝的方法，最通常的是低壓傳遞成型法，也可以使用注射成型法、壓縮成型法等。
○布線板上的應用通常，利用環(huán)氧樹脂等的熱固化性作成印刷布線基板之后，在其上面粘著銅箔，對其進行蝕刻加工等來制造電路，由此制造布線板。但是，近年來由于電路的高密度化、電路的層疊化及絕緣層的薄膜化等，腐蝕、絕緣不良等成為了問題。在制造布線板時，可通過添加本發(fā)明的陰離子交換體來防止這種腐蝕。另外，布線板用的絕緣層中也可以通過添加本發(fā)明的陰離子交換體來防止布線板的腐蝕等。因為如此，含有本發(fā)明的陰離子交換體的布線板可以抑制由腐蝕等所引起的不良品的發(fā)生。相對于該布線板或布線板用的絕緣層中的樹脂固體成分100重量份，其以添加0.1～5重量份本發(fā)明的陰離子交換體為佳。在此，也可以含有無機陽離子交換體。
○于粘接劑中的調配通常，使用粘接劑在布線板等基板上組裝電子器件等。通過在此時所使用的粘接劑中添加本發(fā)明的陰離子交換體，可以抑制起因于腐蝕等的不良品的產(chǎn)生。相對于該粘接劑中的樹脂固體成分100重量份，以添加0.1～5重量份本發(fā)明的陰離子交換體為佳。在此，也可以含有無機陽離子交換體。
在布線板上連接電子器件或是布線時所使用的導電性粘接劑中添加本發(fā)明的陰離子交換體，可以抑制起因于腐蝕等的不良品的產(chǎn)生。作為該導電性粘接劑，可以列舉含銀等導電性金屬的粘接劑。相對于該導電性粘接劑中的樹脂固體成分100重量份，以添加0.1～5重量份本發(fā)明的陰離子交換體為佳。在此，也可以含有無機陽離子交換體。
○于清漆中的調配可以使用含有本發(fā)明的陰離子交換體的清漆來制造電器制品、印刷布線板、或電子器件等。作為該清漆可以舉出以環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂作為主成分的物質。相對于該樹脂固體成分100重量份，以添加0.1～5重量份本發(fā)明的陰離子交換體為佳。在此，也可以含有無機陽離子交換體。
○于膏料中的調配可以在含有銀粉等的膏中添加本發(fā)明的陰離子交換體。膏料是作為錫焊等的補助劑使用的、用于改良連續(xù)金屬之間的粘接的物質。藉此，可以抑制由膏料生成的腐蝕性物質的產(chǎn)生。相對于該膏料中樹脂固體成分100重量份，以添加0.1～5重量份本發(fā)明的陰離子交換體為佳。在此，也可以含有無機陽離子交換體。
<實施例>
下面用實施例更具體地說明本發(fā)明。本發(fā)明當然不受到下述實施例的限制，在能夠符合前述、后述的范圍的情況下，可以適當?shù)刈兏?，這些變更都包含在本發(fā)明的技術范圍中，另外，0.1M的M表示摩爾濃度，％表示重量％，份表示重量份。
<合成例1>
將由組成式Mg4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O所表示的水滑石化合物(稱為MAH1)，在550℃煅燒2小時，得到由Mg0.7Al0.3O1.15組成所表示的水滑石煅燒物(稱為tMAH1)。
○煅燒試驗測定加熱所引起的MAH1的質量變化(熱質量分析測定·TG-DTA、測定溫度范圍30～530℃、升溫速度20℃/分中、在大氣中測定)。此結果如圖1所示。
由圖1可以知道在比240℃更低的溫度煅燒水滑石化合物，無法得到煅燒效果。
<合成例2>
將由組成式Ni4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O所表示的水滑石化合物(稱為NAH)，在550℃煅燒2小時，得到由Ni0.7Al0.3O1.15的組成所表示的水滑石煅燒物(稱為tNAH)。
<合成例3>
將由組成式Zn4.5Al2(OH)13CO3·3. 5H2O所表示的水滑石化合物(稱為ZAH)，在550℃煅燒2小時，得到由Zn0.7Al0.3O1.15的組成所表示的水滑石煅燒物(稱為tZAH)。
<實施例1>
在2000ml的0.1M偏硅酸鈉水溶液中添加100克的tMAH1，在90℃攪拌4小時后，過濾、水洗。將其干燥后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體1)。
<實施例2>
在160克的10％四異丙氧化鈦異丙醇溶液中添加100克的tMAH1。在該溶液中添加水10ml、攪拌一整夜，過濾、水洗。經(jīng)3日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體2)。
<實施例3>
在四甲氧基硅烷10％甲醇溶液160克中添加100克的tMAH1，攪拌一整夜，經(jīng)1日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體3)。
<實施例4>
邊使用攪拌器攪拌100克的tMAH1，邊添加16克的四甲氧基硅烷。再次攪拌，經(jīng)1日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體4)。
<實施例5>
在0.1M氯氧化鋯水溶液2000ml中添加100克的tNAH，使用0.1M氨水溶液調整為pH8，攪拌該溶液一整夜，過濾、水洗。將其干燥后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體5)。
<實施例6>
在四乙氧基硅烷10％乙醇溶液160克中添加100克的tZAH，攪拌一整夜，經(jīng)1日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體6)。
<實施例7>
在0.1M偏硅酸鈉水溶液2000ml中添加100克的MAH1，在90℃攪拌4小時后，過濾、水洗。將其干燥后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體7)。
<實施例8>
在10％異丙氧化鈦異丙醇溶液160克中添加100克的MAH1。在該溶液中添加水10ml，攪拌一整夜，過濾、水洗。經(jīng)3日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體8)。
<實施例9>
邊用攪拌器攪拌100克的ZAH，邊添加16克的四甲氧基硅烷，再次攪拌，經(jīng)1日風干后，在550℃煅燒2小時來得到陰離子交換體(陰離子交換體9)。
○吸濕性和氯化物離子交換性的測定將下述表1的陰離子交換體在150℃加熱4小時后，將其放置在大氣中，測定重量隨時間的變化來調查吸濕性。
在50ml的0.1M鹽酸中，分別添加1克下述表1的陰離子交換體，在40℃攪拌24小時。隨后，過濾，使用離子色層分析法測定濾液中氯化物離子濃度，得出每1克試樣的氯化物離子交換量。其結果如表1所示。


由表1可以知道雖然本發(fā)明的陰離子交換體的陰離子交換量比水滑石煅燒物低一些，但是吸濕性低，且陰離子交換性能較水滑石化合物優(yōu)良，為適合使用于電子器件封裝用環(huán)氧樹脂組合物等的優(yōu)良陰離子交換體。
<實施例10>
在80份甲酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量235)、20份溴化苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量275)、50份苯酚-酚醛清漆樹脂(分子量700～1000)、2份三苯基膦、1份巴西棕櫚蠟、1份碳黑、以及370份熔融二氧化硅中，調配5份陰離子交換體2，將其以80℃～90℃的熱輥混練3～5分鐘后冷卻、粉碎，得到粉末狀環(huán)氧樹脂組合物。將其以100目的篩處理，使用通過的試樣，設定成型條件為170℃、3分鐘，來封裝連接有鋁布線的耐濕可靠性評價用元件。
對該已封裝的元件，在125℃實施壓力鍋試驗，測定斷線發(fā)生的時間。另外，該試驗的中使用50個試樣，求其平均值。另外，使用最高溫度245℃的IR回流爐來加熱處理該已封裝的元件，觀察其外觀。表2中示出了其結果。
<實施例11>
使用陰離子交換體3來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<實施例12>
使用陰離子交換體4來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<實施例13>
使用陰離子交換體5來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<實施例14>
使用陰離子交換體6來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<實施例15>
使用陰離子交換體4以及屬于無機陽離子交換體的銻酸(重量比為5∶5)來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<實施例16>
使用陰離子交換體5以及屬于無機陽離子交換體的磷酸鋯(重量比為7∶3)來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<比較例1>
使用MAH1來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<比較例2>
使用tMAH1來替代實施例10的陰離子交換體2，其余進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。
<比較例3>
除了未使用陰離子交換體2以外，其余與實施例10進行同樣的操作來制造評價試樣。接著，進行同樣的評價，其結果如表2。


<實施例17>
混合60份雙酚A型環(huán)氧樹脂(旭汽巴(株)制、商品名ARARUDAITAER-2502)作為環(huán)氧樹脂、30份丁基苯基縮水甘油醚作為反應性稀釋劑、20份環(huán)氧·胺加成反應物(環(huán)氧·胺加成化合物)(旭化成工業(yè)(株)制、商品名NOBAKYUA HX-3721)作為固化劑、1份有機改性膨潤土作為搖變性賦予劑、30份滑石作為無機填料、8份合成沸石、0.5份紅色顏料、以及3份陰離子交換體9，使用三輥混合機使固體粒子均勻地分散于樹脂中，得到表面組裝用粘接劑組合物。評估如此調制而成的組合物的絕緣可靠性、牽絲性、涂布形狀、粘接性、以及膠凝時間等各項目，結果如表3。
<比較例4>
在實施例17的表面組裝用粘接劑組合物中除了未添加陰離子交換體9以外，其余與實施例17進行同樣的操作來制造。接著，進行同樣的評估，其結果如表3。
○絕緣可靠性依據(jù)JIS-Z-3197測定實施例17及比較例4所調制的表面組裝用粘接劑組合物的固化物的表面絕緣電阻值。
也即，在II型梳形基板上，使用絲網(wǎng)印刷法涂布膜厚為100～150μm的所述組合物，在150℃加熱10分鐘來使其固化。使用微小電流測定器測定所得未處理基板的絕緣電阻值(A值)。接著，在水中將該基板煮沸2小時后，在25℃、60％RH的環(huán)境下放置約1小時，再次測定絕緣電阻值(B值)。該評價標準為A/B≤102為“○”、102＜A/B≤103為“△”、103＜A/B為“×”。
其結果如表3。
○牽絲性使用分配器，在全面印刷并固化有阻焊劑的玻璃環(huán)氧基板(FR-4)上，以每1點0.15毫克、涂布速度為每1點50msec的條件，對實施例17及比較例4制造的粘接劑組合物進行連續(xù)1000點的涂布試驗，即使因牽絲性所引起的基板污染只發(fā)生1部位也評價為“×”，1部位都沒有發(fā)生時評價為“○”。
○涂布形狀在上述牽絲性的評價中所涂布的粘接劑組合物的形狀為圓錐形，使用顯微鏡觀察并測定該圓錐的底面直徑D和圓錐的高度H，高度和直徑的比H/D在0.5以下的為“×”、0.5～1.5范圍的為“○”、1.5以上的為“△”。
○粘接性和評價牽絲性一樣，在全面印刷并固化有阻焊劑的玻璃環(huán)氧基板上粘接2125電阻芯片，通過推-拉計量器來測定將1個芯片拉開所需要的力量。也即，使用了下述的元件，即，每1個芯片上涂布0.3毫克實施例17及比較例4所制造的粘接劑組合物，在150℃的烘箱中加熱3分鐘來使其固化的元件。
○膠粘時間使用150℃的熱板加熱0.3±0.05克的實施例17及比較例4所制造的粘接劑，測定流動狀態(tài)消失而達到膠凝化所需要的時間(秒)。


<實施例18>
使用如下組成和工序來調制液晶密封材。將100份雙酚A型環(huán)氧樹脂(旭汽巴(株)制、商品名ARARUDAIT AER-2502)作為環(huán)氧樹脂、40份環(huán)氧·胺加成化合物(旭化成工業(yè)(株)制、商品名NOBAKYUA HX-3721)作為固化劑、60份氧化鈦(石原產(chǎn)業(yè)(株)制、商品名DAIBEK R-630)作為填料、5份膠體二氧化硅(日本阿葉洛吉魯工業(yè)(株)制、商品名AEROSILR-974)、1份銻酸作為無機陽離子交換體、以及2份陰離子交換體6，以道爾頓攪拌器在40℃加熱、攪拌30分鐘進行混合。隨后，使用三輥混合機來進行研磨5次，使用研磨針來確認內(nèi)容物的粒徑在5μm以下，加1.5份粒徑5μm的二氧化硅隔離子并使其均勻分散，得到作為液晶密封材的組合物。
通過絲網(wǎng)印刷，將在此所得到的液晶密封材以保留有液晶封入口的形式印刷在形成有ITO(透明電極)的玻璃基板的密封部。接著在80℃加熱、保持3分鐘，進行預備干燥及對基板的熔融粘著后，回復到室溫。接著與對極側的玻璃基板合并在一起，使用加熱至130℃的熱壓機壓接10分鐘，使密封材固化。將在此所得到的空面板抽真空后，將液晶(梅魯克社制、ZL11636)注入，使用密封材將封入口密封，使其固化而得到液晶面板。
評價該液晶面板的液晶取向性、以及存儲性(相對于剛施加脈沖電壓后的強度，能夠長久保持透過光強度的比率，有雜質存在時會下降)。評價液晶電取向性時，在不施加電壓的條件下將該液晶板加熱至80℃，通過觀察透過偏光板觀察時發(fā)生在密封材附近的黑帶的寬度來評價。寬度為0.5mm以下時為“○”、0.5～1mm為“△”、大于1mm為“×”。結果如表4所示。
<比較例5>
在實施例18的組合物中不添加銻酸及陰離子交換體6，其余同樣地制造液密封材組合物。并且和實施例18同樣地進行評價。結果如表4。


<實施例19>
對100份環(huán)氧當量為450～500的雙酚A型環(huán)氧樹脂(旭汽巴(株)制、商品名ARARUDAIT AER-2502)添加5份陰離子交換體9，再添加4份雙氰胺作為環(huán)氧固化劑、0.4份芐二甲胺作為固化促進劑、60份溶劑(甲基乙基酮)，攪拌混合制造成含浸用樹脂清漆。接著使厚度0.2mm的低堿電氣用玻璃布含浸剛才制造的樹脂清漆。隨后，在160℃干燥5分鐘來制造預浸片。將該預浸片裁切成50mm×50mm的尺寸、6片重疊在一起，以初期條件為30kg/cm2、160℃、15分鐘，隨后為70kg/cm2、165℃、1小時加熱、加壓的條件，得到樹脂和玻璃布基材的體積分率為50∶50、厚度約為1.6mm的層疊板。
使用絲網(wǎng)印刷法在層疊板上涂布銀膏(藤倉化成株式會社制DODAITXA208)，通過在130℃加熱固化1小時，形成2個呈相向的梳形的印刷布線導體(電極)。該電極間的最短距離都為1mm，厚度約為20μm。為了評價防止電遷移現(xiàn)象發(fā)生的效果，對該2梳形電極間施加100V的直流電壓，同時保持在40℃、95％RH，測定電極間的絕緣電阻值成為106Ω以下的時間作為形成短路的時間。
結果，形成短路時間為3000小時以上。
<比較例6>
在實施例19的樹脂清漆中未添加陰離子交換體9，其余進行同樣的操作來制造樹脂清漆，并制造層疊板。對該層疊板與實施例19同樣地進行評價結果，形成短路時間為160小時。
<實施例20>
以1∶2的重量比例充分地混合tMAH1和氧化鎂(巖谷化學工業(yè)制、MTK-30、以下的氧化鎂使用相同的物質)，作為陰離子交換組合物1-0。
<實施例21>
以1∶1的重量比例充分地混合tMAH1和氧化鎂，作為陰離子交換組合物1-1。
<實施例22>
以3∶2的重量比例充分地混合tMAH1和氧化鎂，作為陰離子交換組合物1-2。
<實施例23>
以2∶1的重量比例充分地混合tMAH1和氧化鎂，作為陰離子交換組合物1-3。
<實施例24>
以700℃、2小時煅燒MAH1，作為陰離子交換體A-1，測定該陰離子交換體A-1的組成時，其為組成為Mg0.7Al0.3O1.15的物質。
<實施例25>
在實施例24中除了使煅燒溫度為800℃以外，進行相同的操作得到陰離子交換體A-2。測定該陰離子交換體A-2的X線衍射，結果如圖2所示。另外，也測定tMAH1和MAH1的X線衍射，結果如圖4、5所示。
<實施例26>
在實施例24中除了使煅燒溫度為900℃以外，進行相同的操作得到陰離子交換體A-3。
<實施例27>
在實施例24中除了使煅燒溫度為1000℃以外，進行相同的操作得到陰離子交換體A-4。測定該陰離子交換體A-4的X線衍射，結果如圖3所示。
在圖2～4中，衍射角42.9度的尖鋒表示MgO。圖5(MAH1)中無法確認2價金屬氧化物(MgO)的尖鋒，但是將A-2(圖2)及A-4(圖3)與tMAH1(圖4)比較時可以確認生成了較多的2價金屬氧化物。另外，在1000℃煅燒MAH1而成的A-4，在衍射角19.0度、31.3度、36.85度、44.8度出現(xiàn)尖鋒。這些可以認為是MgAl2O4的尖鋒。該MgAl2O4為煅燒物的陰離子交換性能下降的原因。
<實施例28>
以550℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為2.5∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-1，測定該陰離子交換體B-1的組成時，其組成為Mg2.5AlO4。
<實施例29>
以550℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為2.75∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-2，測定該陰離子交換體B-2的組成時，其組成為Mg2.75AlO4.25。
<實施例30>
以550℃、2小時煅燒Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O所表示的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-3，測定該陰離子交換體B-3的組成時，其組成為Mg3AlO4.5。
<實施例31>
以550℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為4∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-4，測定該陰離子交換體B-4的組成時，其組成為Mg4AlO5.5。
<實施例32>
以550℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為5∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-5，測定該陰離子交換體B-5的組成時，其組成為Mg5AlO6.5。
<實施例33>
以800℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為3∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-6，測定該陰離子交換體B-6的組成時，其組成為Mg3AlO4.5。
<實施例34>
以800℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為4∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-7，測定該陰離子交換體B-7的組成時，其組成為Mg4AlO5.5。
<實施例35>
以800℃、2小時煅燒鎂離子和鋁離子之比為5∶1的水滑石化合物，作為陰離子交換體B-8，測定該陰離子交換體B-8的組成時，其組成為Mg5AlO6.5。
<實施例36>
○離子交換率測定試驗分別將1.0克下述表5的陰離子交換體及陰離子交換組合物放入100ml的聚乙烯瓶中，再加入50ml的0.02M的氯化鈉水溶液并密拴，在40℃振蕩24小時。隨后，使用孔大小為0.1μm的膜濾器過濾溶液，使用離子色層分析法測定濾液的氯離子濃度。與沒有加入任何試樣而進行同樣操作、并測定氯離子濃度的物質比較，來求得離子交換率。這些結果如表5所示。另外，使用了陰離子交換組合物及陰離子交換體的濾液的pH值為堿性。



<實施例37>
如下述調配電子器件用封裝材所使用的樹脂等和陰離子交換組合物1-2，使用80℃～90℃熱輥將其混練3～5分鐘。
甲酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量235) 80份溴化苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量275) 20份苯酚-酚醛清漆樹脂(分子量700～1000)50份三苯基膦 2份巴西棕櫚蠟1份碳黑 1份熔融二氧化硅 370份陰離子交換組合物1-2 2份隨后，冷卻、粉碎，得到粉末狀環(huán)氧樹脂組合物A-1-2。隨后，將此組合物A-1-2以100目篩進行篩分，來制造通過了100目的試樣。
使用該通過了100目的試樣，在170℃使其固化來制造樹脂混練體A-1-2。將該樹脂混練體A-1-2粉碎成2～3mm大小。使用該粉碎試樣進行氯離子溶出試驗。
<實施例38>
除了使用陰離子交換體A-2替代實施例37的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造樹脂混練體A-2-2。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<實施例39>
除了使用陰離子交換體B-3替代實施例37的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造樹脂混練體A-3-3。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例7>
除了使用MAH1替代實施例37的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體A-1。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例8>
除了使用tMAH1替代實施例37的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體A-2。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例9>
除了使用組成式為Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O的水滑石化合物替代實施例37的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體A-3。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例10>
除了未使用陰離子交換組合物1-2以外，和實施例37進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體A。隨后，和實施例37同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。也即，比較樹脂混練體A中未含有煅燒組合物。
<實施例40>
如下述調配電子器件用封裝材所使用的樹脂等和陰離子交換組合物1-2，使用80℃～90℃熱輥將其混練3～5分鐘。
甲酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量235) 80份溴化苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量275) 20份苯酚-酚醛清漆樹脂(分子量700～1000)50份DBU 3份胺系硅烷偶合劑(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)3份巴西棕櫚蠟1份碳黑 1份熔融二氧化硅 370份陰離子交換體1-22份隨后，冷卻、粉碎，得到粉末狀環(huán)氧樹脂組合物B-1-2。隨后，將此組合物B-1-2以100目篩進行篩分，來制造通過了100目的試樣。
使用該通過了100目的試樣，在170℃使其固化來制造樹脂混練體B-1-2。將該樹脂混練體B-1-2粉碎成2～3mm大小。使用該粉碎試樣進行氯離子溶出試驗。
<實施例41>
除了使用陰離子交換體A-2替代實施例40的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造樹脂混練體B-2-2。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<實施例42>
除了使用陰離子交換體B-3替代實施例40的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造樹脂混練體B-3-3。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例11>
除了使用MAH1替代實施例40的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體B-1。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例12>
除了使用tMAH1替代實施例40的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體B-2。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例13>
除了使用組成式為Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O的水滑石化合物替代實施例40的陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體B-3。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。
<比較例14>
除了未使用陰離子交換組合物1-2以外，和實施例40進行同樣的操作，來制造比較樹脂混練體B。隨后，和實施例40同樣地進行粉碎來制造粉碎試樣。也即，比較樹脂混練體B為未含有煅燒組合物的物質。
<實施例43>
○從樹脂混練體萃取氯離子的試驗在聚四氟乙烯制耐壓容器中加入上述制造的各樹脂混練體或比較樹脂混練體5克、以及純水50ml并密閉，在125℃加熱100小時。冷卻后將水取出，使用離子色層分析法測定在水中溶出的氯離子濃度。這些結果如表6所示。


從表5及表6可以知道，本發(fā)明的陰離子交換體在中性附近的離子交換率高，即使添加于封裝材樹脂，封裝材組合物萃取液的pH值即使是偏酸性或是偏中性，都具有抑制氯離子的溶出的效果。藉此，能夠在較寬范圍內(nèi)提供可靠性高的封裝材組合物。
<實施例44>
在正硅酸甲酯(methyl silicate)單體(多摩化學制)的10％甲醇溶液200克中，添加100克tMAH1，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換體10)。
<實施例45>
在正硅酸甲酯寡聚物(多摩化學制、商品名METHYLSILICATE 51，以下使用相同物)的10％甲醇溶液160克中，添加100克tMAH1，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換體11)。
<實施例46>
在正硅酸甲酯單體(多摩化學制)的10％甲醇溶液200克中，添加100克陰離子交換體B-3，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換體B-9)。
<實施例47>
在正硅酸甲酯寡聚物(多摩化學制)的10％甲醇溶液160克中，添加100克陰離子交換體B-3，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換體B-10)。
<實施例48>
通過混合60克陰離子交換體10和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物1-5)。
<實施例49>
通過混合60克陰離子交換體11和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物1-6)。
<實施例50>
通過混合60克tMAH1和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物1-4)。
<實施例51>
在正硅酸甲酯寡聚物(多摩化學制)的10％甲醇溶液200克中，添加100克陰離子交換組合物1-4，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物1-7)。
<實施例52>
在正硅酸甲酯寡聚物(多摩化學制)的10％甲醇溶液160克中，添加100克陰離子交換組合物1-4，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以5 50℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物1-8)。
<實施例53>
通過混合60克陰離子交換體B-3和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物2-1)。
<實施例54>
通過混合60克陰離子交換體B-9和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物2-2)。
<實施例55>
通過混合60克陰離子交換體B-10和40克屬于2價金屬氧化物的氧化鎂，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物2-3)。
<實施例56>
在正硅酸甲酯單體(多摩化學制)的10％甲醇溶液200克中，添加100克陰離子交換組合物2-1，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物2-4)。
<實施例57>
在正硅酸甲酯寡聚物(多摩化學制、METH′YLSILICATE 51)的10％甲醇溶液160克中，添加100克陰離子交換組合物2-1，攪拌1夜后，風干1日。隨后，以550℃將其煅燒2小時，得到陰離子交換體(陰離子交換組合物2-5)。
<實施例58>
○吸濕性試驗分別在150℃對下記表7的陰離子交換體及陰離子交換組合物等加熱4小時后，將這些放置在濕度90％、35℃的環(huán)境中，測定經(jīng)過不同時間后的重量來調查吸濕性(重量增加率)。它們在24小時后的重量增加率的結果如表7所示。
○離子交換率測定試驗分別將1.0克下述表7的陰離子交換體及陰離子交換組合物放入100ml的聚乙烯制瓶中，再加入50ml的0.02M的氯化鈉水溶液并密拴，在40℃振蕩24小時。隨后，使用孔大小為0.1μm的膜濾器過濾溶液，使用離子色層分析法測定濾液中的氯離子濃度。對于沒有加入陰離子交換體等而進行同樣操作的物質測定氯離子濃度。與其相比較，來求得陰離子交換體等的離子交換率。其結果如表7所示。


<實施例59>
如下調配使用于電子器件用封裝材的組成和陰離子交換組合物1-5，使用80℃～90℃的熱輥混練該調配物3～5分鐘。
甲酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂當量235) 80份溴化苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂當量275) 20份苯酚-酚醛清漆樹脂(分子量700～1000)50份三苯基膦 2份巴西棕櫚蠟1份碳黑 1份熔融二氧化硅 370份陰離子交換組合物1-5 2份隨后，冷卻、粉碎，得到粉末狀環(huán)氧樹脂組合物A-Z-1。接著，使用100目的篩對該組合物A-Z-1進行篩分，制造通過100目的試樣。
使用該通過100目的試樣，在170℃使其固化來制造樹脂混練體A-Z-1。將該樹脂混練體A-Z-1粉碎成最大徑為2～3mm大小。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例60>
除了使用陰離子交換組合物1-6來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-2。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<比較例15>
除了使用tMAH1來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造比較樹脂混練體A-H-1。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例61>
除了使用陰離子交換體10來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-3。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例62>
除了使用陰離子交換體11來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-4。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<比較例16>
除了使用MAH1來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造比較樹脂混練體A-H-3。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例63>
除了使用陰離子交換組合物1-4來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-5。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例64>
除了使用陰離子交換組合物1-7來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-6。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例65>
除了使用陰離子交換組合物1-8來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-7。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例66>
除了使用陰離子交換體B-9來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-8。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例67>
除了使用陰離子交換體B-10來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-9。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例68>
除了使用陰離子交換組合物2-2來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-10。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例69>
除了使用陰離子交換組合物2-3來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-11。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例70>
除了使用陰離子交換組合物2-4來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-12。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例71>
除了使用陰離于交換組合物2-5來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-13。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例72>
除了使用陰離子交換體B-3來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-14。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例73>
除了使用陰離子交換組合物2-1來替代在制造樹脂混練體A-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造樹脂混練體A-Z-15。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<比較例17>
除了未使用陰離子交換組合物1-5以外，和實施例59進行同樣的操作，制造比較樹脂混練體A。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例74>
如下調配使用于電子器件用封裝材的組成和陰離子交換組合物1-5，使用80℃～90℃的熱輥混練該調配物3～5分鐘。
甲酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂當量235) 80份溴化苯酚-酚醛清漆樹脂型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂當量275) 20份苯酚-酚醛清漆樹脂(分子量700～1000)50份DBU 3份胺系硅烷偶合劑(3-氨基丙基三甲氧基硅烷)3份巴西棕櫚蠟1份碳黑 1份熔融二氧化370份陰離子交換組合物1-5 2份隨后，冷卻、粉碎，得到粉末狀環(huán)氧樹脂組合物B-Z-1。接著，使用100目的篩對該組合物B-Z-1進行篩分，制造通過100目的試樣。
使用該通過100目的試樣，在170℃使其固化來制造樹脂混練體B-Z-1。將該樹脂混練體B-Z-1粉碎成最大徑為2～3mm大小。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例75>
除了使用陰離子交換組合物1-6來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-2。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<比較例18>
除了使用tMAH1來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-H-1。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例76>
除了使用陰離子交換體10來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-3。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例77>
除了使用陰離子交換體11來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-4。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例78>
除了使用陰離子交換組合物1-4來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-5。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例79>
除了使用陰離子交換組合物1-7來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-6。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例80>
除了使用陰離子交換組合物1-8來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-7。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<比較例19>
除了使用MAH1來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-H-3。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例81>
除了使用陰離子交換體B-9來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-8。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例82>
除了使用陰離子交換體B-10來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-9。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例83>
除了使用陰離子交換組合物2-2來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-10。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例84>
除了使用陰離子交換組合物2-3來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-11。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例85>
除了使用陰離子交換組合物2-4來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-12。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例86>
除了使用陰離子交換組合物2-5來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-13。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例87>
除了使用陰離子交換組合物B-3來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-14。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<實施例88>
除了使用陰離子交換組合物2-1來替代在制造樹脂混練體B-Z-1時所使用的陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造樹脂混練體B-Z-15。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。
<比較例20>
除了未使用陰離子交換組合物1-5以外，和實施例74進行同樣的操作，制造比較樹脂混練體B。將其同樣地進行粉碎，制造粉碎試樣。使用該粉碎試樣來進行氯離子的溶出試驗。
<實施例89>
○從樹脂混練體萃取氯離子的試驗在聚四氟乙烯制耐壓容器中分別加入下述表8及表9的樹脂混練體5克、以及純水50ml并密閉，在125℃加熱100小時。冷卻后將水取出，測定水的pH的同時使用離子色層分析法測定在水中溶出的氯離子濃度。這些結果如表8及表9所示。



從表7、表8以及表9可以知道這些陰離子交換體，在中性附近的離子交換率高。而且，也是吸濕性低的物質。另外，在電子器件等的封裝材樹脂中添加本發(fā)明的陰離子交換體時，無論封裝樹脂萃取液的pH值在偏酸性或是偏中性都具有抑制氯離子從封裝樹脂溶出的效果。藉此，能夠在較寬范圍內(nèi)提供可靠性高的封裝材組合物。
工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的陰離子交換體吸濕性低及/或具有優(yōu)良的耐熱性，而且在中性附近的離子交換率高。另外，在樹脂中調配本發(fā)明的陰離子交換體，也具有抑制陰離子溶出的效果。因此，本發(fā)明的陰離子交換體可以大范圍地使用于可靠性高的電子器件或電氣部件的封裝、被覆、及絕緣等各種用途。另外，本發(fā)明的陰離子交換體可以使用于氯乙烯等樹脂的穩(wěn)定劑、防銹劑等中。
權利要求
1.一種陰離子交換體，其是通過使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理下式(1)所示的水滑石煅燒物及/或下式(2)所示的水滑石化合物而得到的，M2+xM3+yOz(1)式(1)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，x、y、z為0.1以上的正數(shù)，2x+3y＝2z，而且x＞y，x/y的值為9以下；M2+1-XM3+X(OH-)2(An-)d·mH2O(2)式(2)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，X為0.1以上0.33以下的正數(shù)，m為0或正數(shù)，d為X/n。
2.如權利要求1所述的陰離子交換體，其中所述金屬鹽溶液或金屬醇鹽溶液的金屬為從硅、鈦、鋯、錫、及鋁中選出的至少1種以上。
3.如權利要求1所述的陰離子交換體，其中還調配有2價金屬氧化物。
4.如權利要求2所述的陰離子交換體，其中還調配有2價金屬氧化物。
5.一種陰離子交換體，其中含有式(2)所示的水滑石化合物的煅燒物和2價金屬氧化物，M2+1-XM3+X(OH-)2(An-)d·mH2O(2)式(2)的M2+為Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+或Zn2+，M3+為Al3+、Fe3+、Cr3+、Co3+、或In3+，An-為OH-、F-、Cl-、Br-、NO3-、CO32-、SO42-、Fe(CN)63-、CH3COO-、草酸離子、或水楊酸離子的n價的陰離子，X為0.1以上0.33以下的正數(shù)，m為0或正數(shù)，d為X/n。
6.一種陰離子交換體，其特征為使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理權利要求5所述的陰離子交換體而成。
7.一種電子器件封裝用樹脂組合物，其中含有權利要求1至6中任一項所述的陰離子交換體，還可以含有無機陽離子交換體。
8.一種電子器件封裝用樹脂，其是使權利要求7所述的電子器件封裝用樹脂組合物固化而成的。
9.一種電子器件，其是使用權利要求7所述的電子器件封裝用樹脂組合物封裝元件而成的。
10.一種清漆、粘接劑、或膏，其中含有權利要求1至6中任一項所述的陰離子交換體，還可以含有無機陽離子交換體。
11.含有權利要求10所述的清漆、粘接劑、或膏的制品。
全文摘要
本發(fā)明的目的提供一種吸濕性少及/或耐熱性優(yōu)良且在中性附近的陰離子交換性優(yōu)良的陰離子交換體及使用它的電子器件用或電子部件用樹脂組合物。另外，還提供使用該樹脂組合物的電子器件及電氣部件及使用這些的制品。本發(fā)明涉及一種陰離子交換體，該陰離子交換體是通過使用金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理特定的水滑石煅燒物及/或水滑石化合物而成的。另外，本發(fā)明還涉及含有特定的水滑石化合物的煅燒物和2價金屬氧化物的陰離子交換體、以及經(jīng)金屬鹽溶液及/或金屬醇鹽溶液處理的陰離子交換體。
文檔編號B01J41/00GK101084066SQ20048004464
公開日2007年12月5日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權日2004年12月16日
發(fā)明者大野康晴, 山本則幸 申請人:東亞合成株式會社