基板液處理裝置以及基板液處理方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供基板液處理裝置以及基板液處理方法。防止因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶。在本發(fā)明中，基板液處理裝置具有：處理液流路(濃度測(cè)量流路)，其供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)；清洗流體供給部，其用于將用于對(duì)處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗的清洗流體向處理液流路供給；加熱器，其對(duì)處理液進(jìn)行加熱，控制部，其對(duì)清洗流體供給部以及加熱器進(jìn)行控制，控制部以如下方式控制：利用加熱器將處理液加熱到比因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后將加熱后的處理液向處理液流路的因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的處理液所滯留的部分供給，之后從清洗流體供給部向處理液流路供給清洗流體。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
基板液處理裝置以及基板液處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及利用清洗流體對(duì)供處理基板用的處理液流動(dòng)的處理液流路進(jìn)行清洗的基板液處理裝置以及基板液處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體零部件、平板顯示器等的制造方面，使用通過(guò)清洗液、蝕刻液等處理液對(duì)半導(dǎo)體晶圓、液晶基板等基板進(jìn)行處理的基板液處理裝置。
[0003]在以往的基板液處理裝置中，用于儲(chǔ)存處理液的處理液儲(chǔ)存槽與循環(huán)流路連接，在循環(huán)流路的中途設(shè)有栗以及加熱器。并且，驅(qū)動(dòng)栗而使處理液向循環(huán)流路流動(dòng)，利用加熱器將該處理液加熱到預(yù)定溫度并使其返回到處理液儲(chǔ)存槽。之后，將基板浸漬在儲(chǔ)存有預(yù)定溫度的處理液的處理液儲(chǔ)存槽中，利用處理液對(duì)基板進(jìn)行液處理。
[0004]在該基板液處理裝置中，在對(duì)用于測(cè)量處理液的濃度的濃度傳感器的傳感器部進(jìn)行清洗時(shí)等情況下，向供處理液流動(dòng)的流路(循環(huán)流路)供給作為清洗流體的純水(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平9一 199468號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0009]不過(guò)，在上述以往的基板液處理裝置中，在利用處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后經(jīng)過(guò)了一段時(shí)間之后，大多進(jìn)行濃度傳感器的清洗等，殘留的處理液的溫度就降低了。然后，若向溫度已降低了的處理液所滯留的循環(huán)流路供給常溫的清洗流體，則存在處理液和清洗流體發(fā)生反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的情況。
[0010]若在循環(huán)流路中產(chǎn)生結(jié)晶，則不僅不能良好地進(jìn)行清洗，而且產(chǎn)生結(jié)晶成為顆粒而附著于基板或堵塞流路等不良情況，有可能無(wú)法良好地對(duì)基板進(jìn)行處理。
[0011]用于解決問(wèn)題的方案
[0012]因此，在本發(fā)明中，基板液處理裝置具有:處理液流路，其供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng);清洗流體供給部，其用于將用于對(duì)所述處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗的清洗流體向所述處理液流路供給;加熱器，其用于對(duì)所述處理液進(jìn)行加熱；控制部，其用于對(duì)所述清洗流體供給部以及所述加熱器進(jìn)行控制，所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述處理液加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將加熱后的所述處理液向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給，之后，從所述清洗流體供給部向所述處理液流路供給所述清洗流體。
[0013]另外，在本發(fā)明中，基板液處理裝置具有:處理液流路，其供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng);清洗流體供給部，其用于將用于對(duì)所述處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗的清洗流體向所述處理液流路供給;加熱器，其用于對(duì)所述清洗流體進(jìn)行加熱;控制部，其用于對(duì)所述清洗流體供給部以及所述加熱器進(jìn)行控制，所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述清洗流體加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將所述清洗流體從所述清洗流體供給部向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給。
[0014]另外，該基板液處理裝置還具有用于對(duì)所述處理液的溫度或所述清洗流體的溫度進(jìn)行測(cè)量的溫度傳感器，所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:在利用所述溫度傳感器測(cè)量出的溫度低于預(yù)定溫度的情況下，利用所述加熱器對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。
[0015]另外，該基板液處理裝置還具有用于對(duì)所述處理液在所述處理液流路中滯留的時(shí)間進(jìn)行測(cè)量的計(jì)時(shí)器，所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:在利用所述計(jì)時(shí)器測(cè)量出的時(shí)間比預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)的情況下，利用所述加熱器對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。
[0016]另外，所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述處理液加熱到所述處理液的用于對(duì)所述基板進(jìn)行處理的溫度。
[0017]另外，所述清洗流體供給部用于供給用于對(duì)設(shè)于所述處理液流路的濃度傳感器進(jìn)行清洗的清洗流體。
[0018]另外，所述處理液流路具有:循環(huán)流路，其與用于儲(chǔ)存所述處理液的處理液儲(chǔ)存部連接，用于使所述處理液循環(huán);濃度測(cè)量流路，其從循環(huán)流路分支，用于對(duì)所述處理液的濃度進(jìn)行測(cè)量，在所述循環(huán)流路上設(shè)有所述加熱器。
[0019]另外，本發(fā)明中，在基板液處理方法中，向供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)的處理液流路供給清洗流體，對(duì)處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗，其中，將所述處理液加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將加熱后的所述處理液向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給，之后，向所述處理液流路供給所述清洗流體。
[0020]另外，本發(fā)明中，在基板液處理方法中，向供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)的處理液流路供給清洗流體，對(duì)處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗，其中，將所述清洗流體加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將所述清洗流體向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給。
[0021]另外，在所述處理液的溫度或所述清洗流體的溫度比預(yù)定溫度低的情況下，對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。
[0022]另外，在所述處理液在所述處理液流路中滯留的時(shí)間比預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)的情況下，對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。
[0023]另外，將所述處理液加熱到所述處理液的用于對(duì)所述基板進(jìn)行處理的溫度。
[0024]另外，供給用于對(duì)設(shè)于所述處理液流路的濃度傳感器進(jìn)行清洗的清洗流體。
[0025]發(fā)明的效果
[0026]在本發(fā)明中，能夠防止在利用清洗流體對(duì)供處理液流動(dòng)的處理液流路進(jìn)行清洗時(shí)處理液和清洗流體發(fā)生反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶，能夠良好地對(duì)基板進(jìn)行液處理。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是表示基板液處理裝置的俯視說(shuō)明圖。
[0028]圖2是表示蝕刻處理裝置的說(shuō)明圖。
[0029]圖3是表示蝕刻處理裝置的液處理時(shí)的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
[0030]圖4是表示蝕刻處理裝置的濃度測(cè)量時(shí)的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
[0031 ]圖5是表示基板液處理方法的流程圖。
[0032]圖6是表示蝕刻處理裝置的加熱時(shí)的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
[0033]圖7是表示蝕刻處理裝置的清洗時(shí)的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
[0034]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0035]1、基板液處理裝置;7、控制部;8、基板;53、濃度測(cè)量流路(處理液流路)；55、濃度傳感器;57、清洗流體供給部。
【具體實(shí)施方式】
[0036]以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的基板液處理裝置、基板液處理方法以及基板液處理程序的具體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
[0037]如圖1所示，基板液處理裝置I具有承載件輸入輸出部2、批次形成部3、批次載置部
4、批次輸送部5、批次處理部6和控制部7。
[0038]承載件輸入輸出部2用于進(jìn)行承載件9的輸入以及輸出，該承載件9用于將多張(例如25張)基板(硅晶圓)8以水平姿態(tài)上下排列并收容。
[0039]在該承載件輸入輸出部2設(shè)有:用于載置多個(gè)承載件9的承載件載置臺(tái)10;用于進(jìn)行承載件9的輸送的承載件輸送機(jī)構(gòu)11;用于暫時(shí)保管承載件9的承載件庫(kù)12、13;用于載置承載件9的承載件載置臺(tái)14。在此，承載件庫(kù)12用于在利用批次處理部6對(duì)作為制品的基板8進(jìn)行處理之前暫時(shí)保管基板8。另外，承載件庫(kù)13用于在利用批次處理部6對(duì)作為制品的基板8進(jìn)行處理之后暫時(shí)保管已處理后的基板8。
[0040]并且，承載件輸入輸出部2使用承載件輸送機(jī)構(gòu)11將從外部輸入到承載件載置臺(tái)1的承載件9向承載件庫(kù)12、承載件載置臺(tái)14輸送。另外，承載件輸入輸出部2使用承載件輸送機(jī)構(gòu)11將被載置于承載件載置臺(tái)14的承載件9向承載件庫(kù)13、承載件載置臺(tái)10輸送。輸送到承載件載置臺(tái)1的承載件9被向外部輸出。
[0041]批次形成部3用于將收容到I個(gè)或多個(gè)承載件9的基板8組合而形成由同時(shí)被處理的多張(例如50張)基板8構(gòu)成的批次。
[0042]在該批次形成部3設(shè)有用于輸送多張基板8的基板輸送機(jī)構(gòu)15。此外，基板輸送機(jī)構(gòu)15在基板8的輸送中途能夠?qū)⒒?的姿態(tài)從水平姿態(tài)變更為鉛垂姿態(tài)以及從鉛垂姿態(tài)變更為水平姿態(tài)。
[0043]并且，批次形成部3使用基板輸送機(jī)構(gòu)15將基板8從載置于承載件載置臺(tái)14的承載件9向批次載置部4輸送，利用批次載置部4形成批次。另外，批次形成部3利用基板輸送機(jī)構(gòu)15將載置于批次載置部4的批次向載置于承載件載置臺(tái)14的承載件9輸送。此外，基板輸送機(jī)構(gòu)15為用于支承多張基板8的基板支承部，具有支承處理前(被批次輸送部5輸送之前)的基板8的處理前基板支承部和支承處理后(被批次輸送部5輸送之后)的基板8的處理后基板支承部這兩種。由此，可防止附著于處理前的基板8等的顆粒等轉(zhuǎn)附于處理后的基板8等。
[0044]批次載置部4使要由批次輸送部5在批次形成部3和批次處理部6之間輸送的批次暫時(shí)載置(待機(jī))在批次載置臺(tái)16。
[0045]在該批次載置部4設(shè)有:輸入側(cè)批次載置臺(tái)17，其用于載置處理前(被批次輸送部5輸送之前)的批次;輸出側(cè)批次載置臺(tái)18，其用于載置處理后(被批次輸送部5輸送之后)的批次。I個(gè)批次的量的多張基板8以鉛垂姿態(tài)沿著前后方向排列并載置于輸入側(cè)批次載置臺(tái)17以及輸出側(cè)批次載置臺(tái)18。
[0046]并且，在批次載置部4中，由批次形成部3形成了的批次被載置于輸入側(cè)批次載置臺(tái)17，該批次經(jīng)由批次輸送部5被輸入批次處理部6。另外，在批次載置部4中，從批次處理部6經(jīng)由批次輸送部5輸出的批次被載置于輸出側(cè)批次載置臺(tái)18，該批次被向批次形成部3輸送。
[0047]批次輸送部5在批次載置部4和批次處理部6之間、在批次處理部6的內(nèi)部之間進(jìn)行批次的輸送。
[0048]在該批次輸送部5設(shè)有進(jìn)行批次的輸送的批次輸送機(jī)構(gòu)19。批次輸送機(jī)構(gòu)19由沿著批次載置部4和批次處理部6配置的軌道20和一邊保持多張基板8—邊沿著軌道20移動(dòng)的移動(dòng)體21構(gòu)成。用于保持以鉛垂姿態(tài)沿著前后方向排列的多張基板8的基板保持體22進(jìn)退自如地設(shè)于移動(dòng)體21。
[0049]并且，批次輸送部5利用批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22接收被載置于輸入側(cè)批次載置臺(tái)17的批次，將該批次向批次處理部6交接。另外，批次輸送部5利用批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22接收經(jīng)批次處理部6處理過(guò)的批次，將該批次向輸出側(cè)批次載置臺(tái)18交接。而且，批次輸送部5使用批次輸送機(jī)構(gòu)19在批次處理部6的內(nèi)部中進(jìn)行批次的輸送。
[0050]批次處理部6將以鉛垂姿態(tài)沿著前后方向排列的多張基板8作為I批次進(jìn)行蝕刻、清洗、干燥等處理。
[0051]在該批次處理部6中排列設(shè)置有:進(jìn)行基板8的干燥處理的干燥處理裝置23;進(jìn)行基板保持體22的清洗處理的基板保持體清洗處理裝置24;進(jìn)行基板8的清洗處理的清洗處理裝置25;進(jìn)行基板8的蝕刻處理的兩臺(tái)蝕刻處理裝置26。
[0052]在干燥處理裝置23中，將基板升降機(jī)構(gòu)28升降自如地設(shè)于處理槽27。向處理槽27供給干燥用的處理氣體(IPA(異丙醇)等)。1個(gè)批次的量的多張基板8以鉛垂姿態(tài)沿著前后排列并保持于基板升降機(jī)構(gòu)28。干燥處理裝置23利用基板升降機(jī)構(gòu)28從批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22接收批次，利用基板升降機(jī)構(gòu)28使該批次升降，從而利用供給到處理槽27的干燥用的處理氣體進(jìn)行基板8的干燥處理。另外，干燥處理裝置23從基板升降機(jī)構(gòu)28向批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22交接批次。
[0053]基板保持體清洗處理裝置24能夠向處理槽29供給清洗用的處理液以及干燥氣體，在向批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22供給了清洗用的處理液之后，供給干燥氣體，從而進(jìn)行基板保持體22的清洗處理。
[0054]清洗處理裝置25具有清洗用的處理槽30和沖洗用的處理槽31，在各處理槽30、31中升降自如地設(shè)有基板升降機(jī)構(gòu)32、33。在清洗用的處理槽30中儲(chǔ)存清洗用的處理液(SC —I等)。在沖洗用的處理槽31中儲(chǔ)存沖洗用的處理液(純水等)。
[0055]蝕刻處理裝置26具有蝕刻用的處理槽34和沖洗用的處理槽35，在各處理槽34、35中升降自如地設(shè)有基板升降機(jī)構(gòu)36、37。在蝕刻用的處理槽34中儲(chǔ)存蝕刻用的處理液(磷酸水溶液)。在沖洗用的處理槽35中儲(chǔ)存沖洗用的處理液(純水等)。
[0056]這些清洗處理裝置25和蝕刻處理裝置26成為同樣的結(jié)構(gòu)。對(duì)蝕刻處理裝置26進(jìn)行說(shuō)明。I個(gè)批次的量的多張基板8以鉛垂姿態(tài)沿著前后排列并保持于基板升降機(jī)構(gòu)36、37。蝕刻處理裝置26利用基板升降機(jī)構(gòu)36從批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22接收批次，利用基板升降機(jī)構(gòu)36使該批次升降，從而使批次浸漬于處理槽34的蝕刻用的處理液而進(jìn)行基板8的蝕刻處理。之后，蝕刻處理裝置26從基板升降機(jī)構(gòu)36向批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22交接批次。另外，蝕刻處理裝置26利用基板升降機(jī)構(gòu)37從批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22接收批次，利用基板升降機(jī)構(gòu)37使該批次升降，從而使批次浸漬于處理槽35的沖洗用的處理液而進(jìn)行基板8的沖洗處理。之后，蝕刻處理裝置26從基板升降機(jī)構(gòu)37向批次輸送機(jī)構(gòu)19的基板保持體22交接批次。
[0057]在該蝕刻處理裝置26中，將預(yù)定濃度的藥劑(磷酸)的水溶液(88.3重量％的磷酸水溶液)用作處理液(蝕刻液)來(lái)對(duì)基板8進(jìn)行液處理(蝕刻處理)。
[0058]如圖2所示，蝕刻處理裝置26具有:處理液儲(chǔ)存部38，其用于對(duì)由預(yù)定濃度的磷酸水溶液(88.3重量％的磷酸水溶液)構(gòu)成的處理液進(jìn)行儲(chǔ)存并且對(duì)基板8進(jìn)行處理;處理液供給部39，其用于向處理液儲(chǔ)存部38供給處理液;處理液循環(huán)部40，其用于使儲(chǔ)存于處理液儲(chǔ)存部38的處理液循環(huán);處理液排出部41，其用于從處理液儲(chǔ)存部38排出處理液。
[0059]處理液儲(chǔ)存部38在上部敞開(kāi)的處理槽34的上部周?chē)纬缮喜砍ㄩ_(kāi)的外槽42，將處理液儲(chǔ)存處理槽34和外槽42。在處理槽34中儲(chǔ)存利用基板升降機(jī)構(gòu)36使基板8浸漬在處理槽34中而進(jìn)行液處理的處理液。在外槽42中，對(duì)從處理槽34溢流出來(lái)的處理液進(jìn)行儲(chǔ)存，并且利用處理液循環(huán)部40向處理槽34供給處理液。
[0060]處理液供給部39由水溶液供給部43和水供給部44構(gòu)成，該水溶液供給部43用于向處理液儲(chǔ)存部38供給與處理液的濃度不同的濃度(比處理液的濃度低的濃度)的藥劑(磷酸)的水溶液(85重量％的磷酸水溶液)，該水供給部44構(gòu)成用于向處理液儲(chǔ)存部38供給水(純水)。
[0061]水溶液供給部43將用于供給預(yù)定濃度(85重量％)以及預(yù)定溫度(25°C)的磷酸水溶液的水溶液供給源45經(jīng)由流量調(diào)整器46與處理液儲(chǔ)存部38的外槽42連接。流量調(diào)整器46與控制部7連接，由控制部7進(jìn)行開(kāi)閉控制以及流量控制。
[0062]水供給部44將用于供給預(yù)定溫度(25°C)的純水的水供給源47經(jīng)由流量調(diào)整器48與處理液儲(chǔ)存部38的外槽42連接。流量調(diào)整器48與控制部7連接，由控制部7進(jìn)行開(kāi)閉控制以及流量控制。
[0063]處理液循環(huán)部40在處理液儲(chǔ)存部38的外槽42的底部和處理槽34的底部之間形成循環(huán)流路49。在循環(huán)流路49上依次設(shè)有栗50、過(guò)濾器51和加熱器52。栗50以及加熱器52與控制部7連接，由控制部7進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。并且，處理液循環(huán)部40通過(guò)驅(qū)動(dòng)栗50而使處理液從外槽42向處理槽34循環(huán)。此時(shí)，利用加熱器52將處理液加熱到預(yù)定溫度(165°C)。
[0064]另外，處理液循環(huán)部40在循環(huán)流路49的中途(比加熱器52靠下游側(cè))和外槽42之間形成濃度測(cè)量流路53。在濃度測(cè)量流路53上依次設(shè)有上游側(cè)開(kāi)閉閥54、濃度傳感器55和下游側(cè)開(kāi)閉閥56。在上游側(cè)開(kāi)閉閥54和濃度傳感器55之間連接有清洗流體供給部57，清洗流體供給部57供給用于對(duì)濃度傳感器55進(jìn)行清洗的清洗流體(這里是，常溫的純水)。該清洗流體供給部57將用于供給清洗流體的清洗流體供給源58經(jīng)由供給開(kāi)閉閥59連接于上游側(cè)開(kāi)閉閥54和濃度傳感器55之間。另外，在濃度傳感器55和下游側(cè)開(kāi)閉閥56之間連接有用于排出清洗流體的清洗流體排出部60。該清洗流體排出部60在濃度傳感器55和下游側(cè)開(kāi)閉閥56之間連接有與外部的排液管連通的排出流路61，在排出流路61上設(shè)有排出開(kāi)閉閥62。上游側(cè)開(kāi)閉閥54、下游側(cè)開(kāi)閉閥56、供給開(kāi)閉閥59、以及排出開(kāi)閉閥62與控制部7連接，由控制部7進(jìn)行開(kāi)閉控制。另外，濃度傳感器55與控制部7連接，按照來(lái)自控制部7的指示對(duì)在濃度測(cè)量流路53中流動(dòng)的處理液的濃度進(jìn)行測(cè)量并通知控制部7。此外，清洗流體排出部60主要排出清洗流體，但也排出滯留在濃度測(cè)量流路53的處理液。
[0065]處理液排出部41在處理液儲(chǔ)存部38的處理槽34的底部連接有與外部的排液管連通的排液流路63，在排液流路63上設(shè)有開(kāi)閉閥64。開(kāi)閉閥64與控制部7連接，由控制部7開(kāi)閉控制。
[0066]控制部7對(duì)基板液處理裝置I的各部(承載件輸入輸出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次輸送部5、批次處理部6等)的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0067]該控制部7例如是計(jì)算機(jī)，具有計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)65。在存儲(chǔ)介質(zhì)65中存儲(chǔ)對(duì)基板液處理裝置I中執(zhí)行的各種處理進(jìn)行控制的程序?？刂撇?通過(guò)讀出被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)65中的程序并執(zhí)行來(lái)控制基板液處理裝置I的動(dòng)作。此外，程序被存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)65，也可以從其他存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到控制部7的存儲(chǔ)介質(zhì)65中。作為計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)65，存在例如硬盤(pán)(HD)、軟盤(pán)(FD)、光盤(pán)(⑶)、磁光盤(pán)(MO)、存儲(chǔ)卡等。
[0068]基板液處理裝置I如以上說(shuō)明那樣構(gòu)成，按照被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)介質(zhì)65的基板液處理程序等利用控制部7對(duì)各部(承載件輸入輸出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次輸送部
5、批次處理部6等)的動(dòng)作進(jìn)行控制，從而對(duì)基板8進(jìn)行處理。
[0069]在利用該基板液處理裝置I對(duì)基板8進(jìn)行蝕刻處理的情況下，利用蝕刻處理裝置26的水溶液供給部43將預(yù)定濃度(85重量％ )以及預(yù)定溫度(25°C )的磷酸水溶液向處理液儲(chǔ)存部38供給，利用處理液循環(huán)部40以成為預(yù)定濃度(88.3重量％)以及預(yù)定溫度(165°C)的方式進(jìn)行加熱而生成處理液，將處理液儲(chǔ)存于處理液儲(chǔ)存部38。此時(shí)，利用水供給部44將與因加熱而蒸發(fā)的水的量相應(yīng)的量的純水向處理液儲(chǔ)存部38供給。之后，利用基板升降機(jī)構(gòu)36使基板8浸漬于儲(chǔ)存有預(yù)定濃度(88.3重量％ )以及預(yù)定溫度(165 °C )的處理液的處理槽34，從而利用處理液對(duì)基板8進(jìn)行蝕刻處理(液處理)。
[0070]在基板液處理裝置I中，利用處理液對(duì)基板8進(jìn)行液處理，并且，根據(jù)需要利用濃度傳感器55對(duì)處理液的濃度進(jìn)行測(cè)量。另外，定期地利用清洗流體對(duì)濃度傳感器55進(jìn)行清洗。[0071 ] 在液處理時(shí)，如圖3所示，控制部7驅(qū)動(dòng)栗50而使處理液在循環(huán)流路49中循環(huán)，并且，驅(qū)動(dòng)加熱器52而使處理液的溫度維持在預(yù)定溫度(165°C)。
[0072]在濃度測(cè)量時(shí)，如圖4所示，控制部7與在液處理時(shí)同樣地驅(qū)動(dòng)栗50而使處理液在循環(huán)流路49中循環(huán)，并且，驅(qū)動(dòng)加熱器52而將處理液的溫度維持在預(yù)定溫度(165°C)。而且，形成為打開(kāi)了上游側(cè)開(kāi)閉閥54和下游側(cè)開(kāi)閉閥56的狀態(tài)，使在循環(huán)流路49流動(dòng)的處理液的一部分向濃度測(cè)量流路53流動(dòng)，利用濃度傳感器55測(cè)量處理液的濃度。
[0073 ] 在濃度傳感器55的清洗時(shí)，控制部7按照?qǐng)D5所示的基板液處理程序進(jìn)行濃度傳感器55的清洗動(dòng)作。
[0074]首先，控制部7對(duì)清洗動(dòng)作時(shí)的條件進(jìn)行確認(rèn)(條件確認(rèn)步驟SI)。在此，清洗動(dòng)作時(shí)的條件是指，用于判定是否在加熱處理液之后再向濃度傳感器55供給清洗流體而進(jìn)行清洗的條件。作為清洗動(dòng)作時(shí)的條件，既可以例如以使用設(shè)于濃度測(cè)量流路53的溫度傳感器66(參照?qǐng)D2ο)對(duì)在濃度測(cè)量流路53中滯留的處理液的溫度進(jìn)行測(cè)量、處理液的溫度為預(yù)定溫度(例如1(TC)以下為條件，另外，也可以以由內(nèi)置于控制部7的計(jì)時(shí)器對(duì)設(shè)于濃度測(cè)量流路53的上游側(cè)開(kāi)閉閥54、下游側(cè)開(kāi)閉閥56連續(xù)地成為關(guān)閉的狀態(tài)的時(shí)間進(jìn)行測(cè)量、因上游側(cè)開(kāi)閉閥54、下游側(cè)開(kāi)閉閥56的關(guān)閉而處理液滯留于濃度測(cè)量流路53的時(shí)間為預(yù)定時(shí)間(例如30分鐘)以上為條件。而且，也可以是，不特別設(shè)置清洗動(dòng)作時(shí)的條件，而始終對(duì)處理液進(jìn)行加熱，之后再向濃度傳感器55供給清洗流體而進(jìn)行清洗。
[0075]接著，控制部7基于在條件確認(rèn)步驟SI確認(rèn)了的條件(例如處理液的溫度、滯留時(shí)間等)對(duì)是否加熱處理液進(jìn)行判斷(加熱判斷步驟S2)。在判斷為加熱處理液的情況下，執(zhí)行下一個(gè)加熱步驟S3，在判斷為不加熱處理液的情況下，不執(zhí)行加熱步驟S3而執(zhí)行清洗步驟S4。此外，在無(wú)條件加熱處理液的情況下，能夠省略條件確認(rèn)步驟SI以及加熱判斷步驟S2。
[0076]在加熱步驟S3中，如圖6所示，控制部7與在液處理時(shí)同樣地驅(qū)動(dòng)栗50而使處理液在循環(huán)流路49中循環(huán)，并且，驅(qū)動(dòng)加熱器52而將處理液的溫度加熱到預(yù)定溫度(165°C)。而且，使上游側(cè)開(kāi)閉閥54和排出開(kāi)閉閥62形成為打開(kāi)了的狀態(tài)，并且使下游側(cè)開(kāi)閉閥56形成為關(guān)閉了的狀態(tài)，使在循環(huán)流路49中流動(dòng)的被加熱到預(yù)定溫度的處理液的一部分向濃度測(cè)量流路53流動(dòng)，使其在通過(guò)了濃度傳感器55之后從排出流路61排出。該加熱步驟S3持續(xù)進(jìn)行預(yù)先確定的時(shí)間(例如12秒)。
[0077]在清洗步驟S4中，如圖7所示，控制部7使上游側(cè)開(kāi)閉閥54和下游側(cè)開(kāi)閉閥56形成為關(guān)閉的狀態(tài)，并且使供給開(kāi)閉閥59和排出開(kāi)閉閥62形成為打開(kāi)的狀態(tài)，從清洗流體供給源58供給清洗流體，使該清洗流體通過(guò)了濃度傳感器55之后從排出流路61排出。由此，濃度傳感器55的液體接觸部分被清洗流體清洗。
[0078]在該清洗步驟S4中，最初處理液被清洗流體沖走。此時(shí)，清洗流體與處理液接觸。在處理液的溫度為預(yù)先確定的溫度(例如S(TC)以下的情況下，有時(shí)因處理液和清洗流體之間的接觸而產(chǎn)生反應(yīng)，從而生成結(jié)晶。然而，在加熱步驟S3中，通過(guò)將處理液加熱到比因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，即使在清洗步驟S4中處理液和清洗流體接觸，也不產(chǎn)生反應(yīng)，從而能夠防止結(jié)晶的生成。
[0079]這樣，在基板液處理程序中，執(zhí)行清洗步驟S4之前執(zhí)行加熱步驟S3而將處理液加熱到比因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度。在加熱步驟S3中，只要將處理液加熱到比因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度(例如80°C)即可，但通過(guò)將處理液加熱到與對(duì)基板8進(jìn)行處理時(shí)的處理液的溫度(例如165°C)相同的溫度，從而能夠容易控制加熱器52等。另外，在加熱步驟S3中，對(duì)要在清洗步驟S4中供清洗流體流動(dòng)的流路中滯留的處理液進(jìn)行了加熱，但并不限于此，也可以加熱清洗流體，另夕卜，也可以通過(guò)對(duì)供清洗流體流動(dòng)的流路(配管)自身進(jìn)行加熱而對(duì)處理液、清洗流體進(jìn)行加熱。在使加熱后的處理液流動(dòng)的情況下，能夠使用為了處理基板8而加熱處理液的已有的加熱器52，因此，不需要另外設(shè)置專(zhuān)用的加熱器。
[0080]如以上說(shuō)明那樣，在上述基板液處理裝置I以及在基板液處理裝置I中使用的基板液處理方法(基板液處理程序)中，在從清洗流體供給部57向供處理液流動(dòng)的處理液流路(這里是，濃度測(cè)量流路53)供給清洗流體之前，利用加熱器52將處理液加熱到比因處理液和清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生的結(jié)晶的溫度高的溫度。由此，在利用清洗流體對(duì)供處理液流動(dòng)的處理液流路(這里是，濃度測(cè)量流路53)進(jìn)行清洗時(shí)能夠防止處理液和清洗流體反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶。因此，能夠防止因結(jié)晶引起的配管等的堵塞等故障、濃度傳感器55的誤工作、結(jié)晶向基板8的附著等，能夠良好地對(duì)基板8進(jìn)彳丁液處理。
[0081]此外，在上述基板液處理裝置I中，將本發(fā)明應(yīng)用于作為供處理液流動(dòng)的處理液流路的濃度測(cè)量流路53，但并不限于此，在循環(huán)流路49、排液流路63等供處理液流動(dòng)的流路上設(shè)置清洗流體供給部57的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板液處理裝置，其特征在于， 該基板液處理裝置具有: 處理液流路，其供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)； 清洗流體供給部，其用于將用于對(duì)所述處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗的清洗流體向所述處理液流路供給； 加熱器，其用于對(duì)所述處理液進(jìn)行加熱； 控制部，其用于對(duì)所述清洗流體供給部以及所述加熱器進(jìn)行控制， 所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述處理液加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將加熱后的所述處理液向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給，之后，從所述清洗流體供給部向所述處理液流路供給所述清洗流體。2.一種基板液處理裝置，其特征在于， 該基板液處理裝置具有: 處理液流路，其供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)； 清洗流體供給部，其用于將用于對(duì)所述處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗的清洗流體向所述處理液流路供給； 加熱器，其用于對(duì)所述清洗流體進(jìn)行加熱； 控制部，其用于對(duì)所述清洗流體供給部以及所述加熱器進(jìn)行控制， 所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述清洗流體加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將所述清洗流體從所述清洗流體供給部向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板液處理裝置，其特征在于， 該基板液處理裝置還具有用于對(duì)所述處理液的溫度或所述清洗流體的溫度進(jìn)行測(cè)量的溫度傳感器， 所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:在利用所述溫度傳感器測(cè)量出的溫度低于預(yù)定溫度的情況下，利用所述加熱器對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板液處理裝置，其特征在于， 該基板液處理裝置還具有用于對(duì)所述處理液在所述處理液流路中滯留的時(shí)間進(jìn)行測(cè)量的計(jì)時(shí)器， 所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:在利用所述計(jì)時(shí)器測(cè)量出的時(shí)間比預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)的情況下，利用所述加熱器對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述控制部以如下方式進(jìn)行控制:利用所述加熱器將所述處理液加熱到所述處理液的用于對(duì)所述基板進(jìn)行處理的溫度。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述清洗流體供給部用于供給用于對(duì)設(shè)于所述處理液流路的濃度傳感器進(jìn)行清洗的清洗流體。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述處理液流路具有:循環(huán)流路，其與用于儲(chǔ)存所述處理液的處理液儲(chǔ)存部連接，用于使所述處理液循環(huán)；濃度測(cè)量流路，其從循環(huán)流路分支，用于對(duì)所述處理液的濃度進(jìn)行測(cè)量，在所述循環(huán)流路上設(shè)有所述加熱器。8.—種基板液處理方法，在該基板液處理方法中，向供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)的處理液流路供給清洗流體，對(duì)處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗，其特征在于， 將所述處理液加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將加熱后的所述處理液向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給，之后，向所述處理液流路供給所述清洗流體。9.一種基板液處理方法，在該基板液處理方法中，向供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的處理液流動(dòng)的處理液流路供給清洗流體，對(duì)處理液流路的至少一部分進(jìn)行清洗，其特征在于， 將所述清洗流體加熱到比因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度高的溫度，之后，將所述清洗流體向所述處理液流路的因所述處理液和所述清洗流體之間的反應(yīng)而產(chǎn)生結(jié)晶的溫度的所述處理液所滯留的部分供給。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的基板液處理方法，其特征在于， 在所述處理液的溫度或所述清洗流體的溫度比預(yù)定溫度低的情況下，對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的基板液處理方法，其特征在于， 在所述處理液在所述處理液流路中滯留的時(shí)間比預(yù)定時(shí)間長(zhǎng)的情況下，對(duì)所述處理液或所述清洗流體進(jìn)行加熱。12.根據(jù)權(quán)利要求8?11中任一項(xiàng)所述的基板液處理方法，其特征在于， 將所述處理液加熱到所述處理液的用于對(duì)所述基板進(jìn)行處理的溫度。13.根據(jù)權(quán)利要求8?12中任一項(xiàng)所述的基板液處理方法，其特征在于， 供給用于對(duì)設(shè)于所述處理液流路的濃度傳感器進(jìn)行清洗的清洗流體。
【文檔編號(hào)】B08B3/10GK105983549SQ201610156601
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年3月18日
【發(fā)明人】佐藤秀明
【申請(qǐng)人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社