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一種強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池及其運(yùn)行方法

文檔序號(hào):9465120閱讀:419來源:國知局
一種強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池及其運(yùn)行方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于處理工業(yè)、生活等污水的生物接觸氧化池及其運(yùn)行方法,屬于污水處理技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]生物接觸氧化池是生物接觸氧化法所用裝置的中心處理構(gòu)筑物。生物接觸氧化法是指在曝氣池中設(shè)置軟體填料(作為生物膜的載體),當(dāng)經(jīng)過充氧的廢水以一定的流速流過填料與生物膜接觸,利用生物膜和懸浮活性污泥中微生物的聯(lián)合作用凈化污水的方法。生物接觸氧化法可應(yīng)用于的處理,均取得良好效益。同時(shí),由于該工藝具有構(gòu)筑物簡單、維護(hù)管理方便、不需要污泥回流、不產(chǎn)生污泥膨脹、運(yùn)轉(zhuǎn)操作比較靈活等一系列優(yōu)點(diǎn),因而被廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)的污水處理系統(tǒng)。生物接觸氧化池分為分流式和直流式兩種池型。
[0003]分流式生物接觸氧化池中,廢水充氧與污水與填料接觸是分別在不同的隔間里進(jìn)行。在充氧隔間進(jìn)行劇烈曝氣充氧;在裝填料的接觸隔間,污水向下流經(jīng)填料,利于生物的生長。但在這種池型中,污水在填料間流動(dòng)慢,生物膜更新慢,易堵塞。
[0004]直流式生物接觸氧化池中,直接在填料底部鼓風(fēng)曝氣,從而在填料區(qū)產(chǎn)生向上的升流,生物膜受上升水流和氣流沖刷,脫落更新快,活性好。但是傳統(tǒng)的直流式生物接觸氧化池存在設(shè)備相對(duì)復(fù)雜、占地空間大、處理能力低、出水渾濁等弊端。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有生物接觸氧化池存在的處理能力低、出水渾濁、滯留時(shí)間長等不足,本發(fā)明提供一種能顯著提高凈水效率、有效避免出水渾濁的強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,同時(shí)提供一種該氧化池的運(yùn)行方法。
[0006]本發(fā)明的強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,采用下述技術(shù)方案:
[0007]該氧化池,包括池體,池體的橫截面呈矩形,長寬比為I池體內(nèi)由下至上依次為曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層,曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層的高度之比為1:4:1.2;池體的外側(cè)在曝氣區(qū)處設(shè)置有進(jìn)水管,在穩(wěn)水層處設(shè)置有排水管,池體的底部設(shè)置有排污管;曝氣區(qū)內(nèi)設(shè)置有曝氣器;填料層內(nèi)設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的填料架,填料架上懸掛有填料;穩(wěn)水層中設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的植物生長架。
[0008]所述植物生長架是由繩索編結(jié)成的繩索型支架,或者是種植盤型支架。
[0009]上述強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池的運(yùn)行方法,是:
[0010]在穩(wěn)水層的植物生長架上種植水生植物,形成植物強(qiáng)化;污水由池體底部的進(jìn)水管進(jìn)入曝氣區(qū),通過曝氣器充氧后,由下至上流至填料層;由填料上所掛生物膜進(jìn)行凈化處理,污水繼續(xù)向上流至穩(wěn)水層,并在穩(wěn)水層的水生植物的作用下進(jìn)一步吸附凈化;得到充分凈化后,經(jīng)排水管流出;凈化過程中產(chǎn)生的污泥由排污管排出。
[0011]本發(fā)明具有以下特點(diǎn):
[0012]1.進(jìn)行了植物強(qiáng)化,增強(qiáng)污水凈化效果。
[0013]2.由于頂部植物的吸附凈化,可以顯著減少出水SS,避免出水渾濁。
[0014]3.采用纖維束組合填料,克服傳統(tǒng)填料易結(jié)團(tuán)等缺點(diǎn),具有比表面大、易掛膜、不易結(jié)團(tuán)、氣泡切割性能好等優(yōu)點(diǎn)。
[0015]4.減少污水滯留時(shí)間,提高凈化效率。
[0016]5.有效減少接觸氧化池級(jí)數(shù),其中強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池中可省去沉淀池。從而占地空間小,運(yùn)行維護(hù)方便,投資及運(yùn)行費(fèi)用低。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2是圖1的俯視圖。
[0019]圖3是本發(fā)明中的繩索型支架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖4是本發(fā)明中水生植床所用的種植盤型支架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021 ] 圖中:1、池體,2、曝氣器,3、水生植物,4、植物生長架,5、填料架,6、進(jìn)水管,7、排水管,8、排污管。
【具體實(shí)施方式】
[0022]實(shí)施例1
[0023]本實(shí)施例的強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,其結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示,包括由混凝土筑成的池體1,池體I的橫截面呈矩形,長寬比為I根據(jù)實(shí)際情況確定,有效水深為4.4m-4.9m。池體I內(nèi)由下至上依次為曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層,曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層的高度之比約為1:4:1.2,經(jīng)過大量試驗(yàn)證實(shí),該比例能夠使本發(fā)明得到最佳的凈化處理效果。池體I的外側(cè)在曝氣區(qū)處設(shè)置有進(jìn)水管6,池體I的外側(cè)在穩(wěn)水層處設(shè)置有排水管7,池體I的底部設(shè)置有排污管8。
[0024]池體I底部為曝氣區(qū),高為0.6m-0.8m,曝氣區(qū)內(nèi)設(shè)置有曝氣器2。池體I的中間部分為填料層,填料層內(nèi)設(shè)置有填料架5,填料架5固定在池體I的內(nèi)壁上,填料架5上懸掛有軟體填料,填料層的高度為2.4m-3.2m。填料區(qū)上部為穩(wěn)水層,穩(wěn)水層的高度為0.7m_l.0m,在穩(wěn)水層中設(shè)置有固定在池體I內(nèi)壁上的植物生長架4,植物生長架4的結(jié)構(gòu)為是圖3所示的由繩索編結(jié)成的繩索型支架。
[0025]上述強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池的運(yùn)行方法,如下:
[0026]在穩(wěn)水層的植物生長架4上種植蘆葦、莕菜等水生植物3,形成植物強(qiáng)化。污水由池體I側(cè)面底部的進(jìn)水管6進(jìn)入曝氣區(qū),充氧后,由下至上流至填料層進(jìn)行處理。經(jīng)過填料上所掛生物膜的凈化作用,污水繼續(xù)向上流至穩(wěn)水層,并在穩(wěn)水層的水生植物3的作用下進(jìn)一步吸附凈化。得到充分凈化后,經(jīng)排水管7流出。凈化過程中產(chǎn)生的污泥可由排污管8排出。
[0027]實(shí)施例2
[0028]本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處是,池體I由PVC(聚氯乙烯)構(gòu)成,池體I的有效水深為1.3m-1.8m,曝氣區(qū)高為0.2m-0.3m,填料層的高度為0.8m-1.2m,穩(wěn)水層的高度為
0.24m-0.36m。穩(wěn)水層中的植物生長架4采用圖4所示的種植盤型支架,支架上種植小香蒲、水鱉等植物。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,包括池體,其特征是,池體的橫截面呈矩形,長寬比為I池體內(nèi)由下至上依次為曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層,曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層的高度之比為1:4:1.2 ;池體的外側(cè)在曝氣區(qū)處設(shè)置有進(jìn)水管,在穩(wěn)水層處設(shè)置有排水管,池體的底部設(shè)置有排污管;曝氣區(qū)內(nèi)設(shè)置有曝氣器;填料層內(nèi)設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的填料架,填料架上懸掛有填料;穩(wěn)水層中設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的植物生長架。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,其特征是,所述植物生長架是由繩索編結(jié)成的繩索型支架。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池,其特征是,所述植物生長架是種植盤型支架。4.一種權(quán)利要求1所述強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池的運(yùn)行方法,其特征是,在穩(wěn)水層的植物生長架上種植水生植物,形成植物強(qiáng)化;污水由池體底部的進(jìn)水管進(jìn)入曝氣區(qū),通過曝氣器充氧后,由下至上流至填料層;由填料上所掛生物膜進(jìn)行凈化處理,污水繼續(xù)向上流至穩(wěn)水層,并在穩(wěn)水層的水生植物的作用下進(jìn)一步吸附凈化;得到充分凈化后,經(jīng)排水管流出;凈化過程中產(chǎn)生的污泥由排污管排出。
【專利摘要】一種強(qiáng)化型直流式生物接觸氧化池及其運(yùn)行方法,該氧化池包括池體,池體的橫截面呈矩形,長寬比為1:1-2:1,池體內(nèi)由下至上依次為曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層,曝氣區(qū)、填料層和穩(wěn)水層的高度之比為1:4:1.2;池體的外側(cè)在曝氣區(qū)處設(shè)置有進(jìn)水管,在穩(wěn)水層處設(shè)置有排水管,池體的底部設(shè)置有排污管;曝氣區(qū)內(nèi)設(shè)置有曝氣器;填料層內(nèi)設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的填料架,填料架上懸掛有填料;穩(wěn)水層中設(shè)置有固定在池體內(nèi)壁上的植物生長架。該氧化池運(yùn)行時(shí),在穩(wěn)水層的植物生長架上種植水生植物,形成植物強(qiáng)化,增強(qiáng)污水凈化效果,可以顯著減少出水SS,避免出水渾濁,減少了污水滯留時(shí)間,提高凈化效率,占地空間小,運(yùn)行維護(hù)方便,投資及運(yùn)行費(fèi)用低。
【IPC分類】C02F9/14, C02F3/02
【公開號(hào)】CN105217896
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510733232
【發(fā)明人】張建, 董上上, 張成祿, 王希, 王正德, 孟啟煒, 呂晟元
【申請(qǐng)人】山東大學(xué)
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月31日
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