半導(dǎo)體封裝所用錫球的清洗的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電子行業(yè)，特別涉及半導(dǎo)體封裝所用錫球的清洗。
【背景技術(shù)】
[0002]錫球被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝。錫球的制作方法是，先將錫絲切成均勻的小段，讓其浸入熱油中，使之熔化，再凝固成球形顆粒，也就是錫球，這種錫球雖經(jīng)傳統(tǒng)方法清洗，但錫球表面仍含有微量的油潰污物，也就是有機污物。經(jīng)大量實驗研究發(fā)現(xiàn)，就是這微量的油潰污物，導(dǎo)致封裝植球過程中錫球的掉落，盡管掉球率只有萬分之一，但只要出現(xiàn)掉球，哪怕只有一粒，則意味著該焊點的脫焊，導(dǎo)致整個線路板不能正常工作，返修時，要在成百上千個焊點中查出脫焊點，工作量很大，極大地影響了生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就是要清除錫球表面的會導(dǎo)致錫球掉落的有機污物。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的是低溫等離子體處理技術(shù)，先將錫球放入等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的旋轉(zhuǎn)筒中，開啟真空泵抽真空，當(dāng)真空度抽到5帕?xí)r，通入氬氣，調(diào)節(jié)閥門使真空度保持在20帕。
[0005]再打開并調(diào)節(jié)氧氣閥，使真空度保持在40帕。
[0006]給反應(yīng)腔內(nèi)的陰陽電極間加上高頻高壓，陰陽電極間即發(fā)生輝光放電，生成氬等離子體和氧等離子體，兩種高能等離子體轟擊錫球表面，使錫球表面的有機污物脫落、氧化、分解，持續(xù)3分鐘即能徹底清除錫球表面的有機污物。
【附圖說明】
[0007]附圖為本發(fā)明的示意圖。
[0008]其中:1、真空泵；2、反應(yīng)腔；3、旋轉(zhuǎn)筒；4、陰極；5、陽極；6、氬氣閥；7、氧氣閥；8、錫球。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
[0010]實施例一:
[0011]如圖1所示，將錫球放入旋轉(zhuǎn)筒3，旋轉(zhuǎn)筒3四周有許多網(wǎng)眼，以利氣體流動，網(wǎng)眼大小由錫球的大小決定，以錫球不漏為準(zhǔn)。
[0012]開啟真空泵1，當(dāng)反應(yīng)腔2內(nèi)真空度到達(dá)5帕?xí)r，打開并調(diào)節(jié)氬氣閥6，使反應(yīng)腔2內(nèi)真空度保持在20帕。
[0013]再打開并調(diào)節(jié)氧氣閥7，使反應(yīng)腔2內(nèi)真空度保持在40帕。
[0014]給陰極4、陽極5兩電極上加上高頻高壓，頻率可以是:I O-1OOKHZ，13.56MHZ，27.12MHZ，2.45GHZ。
[0015]此時，在陰極4、陽極5兩電極間即發(fā)生輝光放電，生成氬等離子體和氧等離子體，兩種高能等離子體轟擊錫球表面，使錫球表面的有機污物脫落、氧化、分解。持續(xù)3分鐘后，先關(guān)閉高頻高壓電源，再關(guān)閉氬氣閥6和氧氣閥7。
[0016]在放電過程中，旋轉(zhuǎn)筒3 —直在旋轉(zhuǎn)，以使錫球的各個部位都得到清洗。
[0017]這樣即能徹底清除錫球表面的有機污物。經(jīng)生產(chǎn)實踐發(fā)現(xiàn)，經(jīng)此方法清洗過的錫球，掉球率不到百萬分之一，極大地提高了產(chǎn)品的合格率，也極大地提高了勞動生產(chǎn)率。
【主權(quán)項】
1.一種低溫等離子體對錫球表面進(jìn)行清洗，在反應(yīng)腔中先通入氬氣再通入氧氣，在陰、陽電極上加上高頻高壓后，即發(fā)生輝光放電，產(chǎn)生氬等離子體和氧等離子體，氬等離子體和氧等離子體共同作用于旋轉(zhuǎn)筒內(nèi)的錫球表面，將錫球表面的有機污物氧化、分解。2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的方法，其特征在于:用氬等離子體和氧等離子體共同作用。3.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的方法，其特征在于:旋轉(zhuǎn)筒壁有許多網(wǎng)眼，以利氣體流動，網(wǎng)眼大小隨錫球大小而異。4.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的方法，其特征在于:錫球在旋轉(zhuǎn)筒內(nèi)翻滾。
【專利摘要】半導(dǎo)體封裝所用錫球的清洗，具體方法是：將錫球放入等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的旋轉(zhuǎn)筒，抽真空后通入氬氣和氧氣，給反應(yīng)腔內(nèi)的陰、陽電極加上高頻高壓，發(fā)生輝光放電，產(chǎn)生氬、氧等離子體，對錫球表面進(jìn)行轟擊，使錫球表面的有機污物脫落、被氧化、分解，并被真空泵抽走，以得到絕對清潔的錫球。
【IPC分類】B08B7/00, H01L21/02
【公開號】CN105013766
【申請?zhí)枴緾N201410171119
【發(fā)明人】田永靜
【申請人】蘇州科技學(xué)院相城研究院
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2014年4月25日