一種自來水的消毒處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及自來水消毒技術領域，具體為一種自來水的消毒處理裝置。
【背景技術】
[0002]自來水經(jīng)水廠消毒后由管道輸送給用戶，由于管道老化破損等問題，往往使得水再次被污染，需要經(jīng)過消毒處理才能供用戶使用。目前，市面上的自來水消毒裝置由于結(jié)構(gòu)復雜，操作繁瑣，消毒效果差工作效率低，自來水中雜質(zhì)含量多，含氧量低，難以滿足市場及人們的使用需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種自來水的消毒處理裝置。
[0004]本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn)上述目的:一種自來水的消毒處理裝置，包括殼體和儲水槽，所述殼體的正面設有控制面板，所述殼體的頂部從左至右分別設有集水箱、臭氧消毒箱、臭氧發(fā)生器、儲水槽和蓄電箱，所述集水箱的左側(cè)連接有排水管，所述集水箱的頂部連接有蓋板，所述蓋板的頂部一側(cè)連接有拉環(huán)，所述蓋板的底部中間連接有紫外線消毒燈，所述集水箱的右側(cè)通過導管連接有臭氧消毒箱，所述臭氧消毒箱的右側(cè)通過臭氧輸送管連接有臭氧發(fā)生器，所述臭氧輸送管的左側(cè)頂部設有噴嘴，所述臭氧消毒箱的頂部設有儲水槽，所述儲水槽的左側(cè)連接有注水管，所述注水管的內(nèi)腔設有柵格，所述儲水槽的內(nèi)腔從上至下分別設有過濾網(wǎng)和活性炭過濾層，所述儲水槽的內(nèi)腔底部和內(nèi)腔左側(cè)均連接有氧化銀沉積層。
[0005]優(yōu)選的，所述氧化銀沉淀層不采用平直層的形狀，所述氧化銀沉淀層的表面呈曲面狀。
[0006]優(yōu)選的，所述儲水槽、臭氧消毒箱和集水箱的內(nèi)腔底部均為同一傾斜方向的傾斜結(jié)構(gòu)設置。
[0007]優(yōu)選的，所述儲水槽的左側(cè)呈“[”狀結(jié)構(gòu)設計，所述儲水槽和臭氧消毒箱之間相互連通。
[0008]優(yōu)選的，所述柵格為螺旋狀柵格。
[0009]本發(fā)明的有益效果在于:該自來水的消毒處理裝置，結(jié)構(gòu)緊湊，使用便捷，能夠在對水進行氧化銀殺菌和臭氧殺菌雙重殺菌處理的同時，降低水中雜質(zhì)的含量，工作效率高，消毒效果好，柵格的設置能有效的減少自來水中的大量懸浮物和固體顆粒，過濾網(wǎng)的設置進一步的降低了自來水中雜質(zhì)的含量，活性炭過濾層的設置更深一步的降低了自來水中有害物質(zhì)的含量，提高自來水的水質(zhì)，氧化銀沉積層的設置有利于與水流反復接觸并充分作用發(fā)生反應，對水進行氧化銀消毒殺菌處理，在提高自來水含氧量的同時也提高了消毒效率，進而提高了工作效率，臭氧消毒箱的設置能夠進一步對水進行持續(xù)的臭氧消毒殺菌處理，提高消毒的效果，紫外線消毒燈的設置便于去除水中殘留的臭氧和余氯，不但提高了水的品質(zhì)，而且也提高了自來水使用的安全系數(shù)。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中:1殼體、2控制面板、3集水箱、4排水管、5蓋板、6拉環(huán)、7紫外線消毒燈、8導管、9臭氧消毒箱、10臭氧發(fā)生器、11臭氧輸送管、12噴嘴、13儲水槽、14注水管、15柵格、16過濾網(wǎng)、17活性炭過濾層、18氧化銀沉積層、19蓄電箱。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明:
[0013]如圖1所示，一種自來水的消毒處理裝置，包括殼體I和儲水槽13，殼體I的正面設有控制面板2，殼體I的頂部從左至右分別設有集水箱3、臭氧消毒箱9、臭氧發(fā)生器10、儲水槽13和蓄電箱19，集水箱3的左側(cè)連接有排水管4，集水箱3的頂部連接有蓋板5，蓋板5的頂部一側(cè)連接有拉環(huán)6，蓋板5的底部中間連接有紫外線消毒燈7，紫外線消毒燈7的設置便于去除水中殘留的臭氧和余氯，不但提高了水的品質(zhì)，而且也提高了自來水使用的安全系數(shù)，集水箱3的右側(cè)通過導管8連接有臭氧消毒箱9，臭氧消毒箱9的設置能夠進一步對水進行持續(xù)的臭氧消毒殺菌處理，提高消毒的效果，臭氧消毒箱9的右側(cè)通過臭氧輸送管11連接有臭氧發(fā)生器10，臭氧輸送管11的左側(cè)頂部設有噴嘴12，臭氧消毒箱9的頂部設有儲水槽13，儲水槽13的左側(cè)連接有注水管14，注水管14的內(nèi)腔設有柵格15，柵格15為螺旋狀柵格，柵格15的設置能有效的減少自來水中的大量懸浮物和固體顆粒，儲水槽13的內(nèi)腔從上至下分別設有過濾網(wǎng)16和活性炭過濾層17，過濾網(wǎng)16的設置進一步的降低了自來水中雜質(zhì)的含量，活性炭過濾層17的設置更深一步的降低了自來水中有害物質(zhì)的含量，提高自來水的水質(zhì)，儲水槽13、臭氧消毒箱9和集水箱3的內(nèi)腔底部均為同一傾斜方向的傾斜結(jié)構(gòu)設置，儲水槽13的左側(cè)呈“[”狀結(jié)構(gòu)設計，儲水槽13和臭氧消毒箱9之間相互連通，儲水槽13的內(nèi)腔底部和內(nèi)腔左側(cè)均連接有氧化銀沉積層18，氧化銀沉淀層18不采用平直層的形狀，氧化銀沉淀層18的表面呈曲面狀，氧化銀沉積層18的設置有利于與水流反復接觸并充分作用發(fā)生反應，對水進行氧化銀消毒殺菌處理，在提高自來水含氧量的同時也提高了消毒效率，進而提高了工作效率，首先接通電源或在停電時使用蓄電箱19充當備用電源，通過控制面板2啟動臭氧發(fā)生器10和紫外線消毒燈7，利用注水管14連接自來水管往儲水槽13內(nèi)注水，自來水在重力作用下經(jīng)過柵格15、過濾網(wǎng)16和活性炭過濾層17的三次過濾，減少自來水中的懸浮顆粒和有害物質(zhì)的含量，再經(jīng)過氧化銀沉積層18的殺菌處理后的自來水在重力的作用下流入臭氧消毒箱9內(nèi)繼續(xù)經(jīng)過臭氧進行殺菌處理，最后消毒后的自來水在重力下流入集水箱3內(nèi)經(jīng)過紫外線消毒燈7的高溫照射處理，在消毒殺菌的同時也除去了殘留的臭氧和余氯，提高水的品質(zhì)，完成對自來水的消毒處理操作。
[0014]上述實施例只是本發(fā)明的較佳實施例，并不是對本發(fā)明技術方案的限制，比如:…還可以為…，只要是不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動即可在上述實施例的基礎上實現(xiàn)的技術方案，均應視為落入本發(fā)明專利的權利保護范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種自來水的消毒處理裝置，包括殼體(I)和儲水槽(13)，其特征在于:所述殼體(I)的正面設有控制面板(2)，所述殼體(I)的頂部從左至右分別設有集水箱(3)、臭氧消毒箱(9)、臭氧發(fā)生器(10)、儲水槽(13)和蓄電箱(19)，所述集水箱(3)的左側(cè)連接有排水管(4)，所述集水箱(3)的頂部連接有蓋板(5)，所述蓋板(5)的頂部一側(cè)連接有拉環(huán)(6)，所述蓋板(5)的底部中間連接有紫外線消毒燈(7)，所述集水箱(3)的右側(cè)通過導管(8)連接有臭氧消毒箱(9)，所述臭氧消毒箱(9)的右側(cè)通過臭氧輸送管(11)連接有臭氧發(fā)生器(10)，所述臭氧輸送管(11)的左側(cè)頂部設有噴嘴(12)，所述臭氧消毒箱(9)的頂部設有儲水槽(13)，所述儲水槽(13)的左側(cè)連接有注水管(14)，所述注水管(14)的內(nèi)腔設有柵格(15)，所述儲水槽(13)的內(nèi)腔從上至下分別設有過濾網(wǎng)(16)和活性炭過濾層(17)，所述儲水槽(13)的內(nèi)腔底部和內(nèi)腔左側(cè)均連接有氧化銀沉積層(18)。2.根據(jù)權利要求1所述的一種自來水的消毒處理裝置，其特征在于:所述氧化銀沉淀層(18)不采用平直層的形狀，所述氧化銀沉淀層(18)的表面呈曲面狀。3.根據(jù)權利要求1所述的一種自來水的消毒處理裝置，其特征在于:所述儲水槽(13)、臭氧消毒箱(9)和集水箱(3)的內(nèi)腔底部均為同一傾斜方向的傾斜結(jié)構(gòu)設置。4.根據(jù)權利要求3所述的一種自來水的消毒處理裝置，其特征在于:所述儲水槽(13)的左側(cè)呈“[”狀結(jié)構(gòu)設計，所述儲水槽(13)和臭氧消毒箱(9)之間相互連通。5.根據(jù)權利要求1所述的一種自來水的消毒處理裝置，其特征在于:所述柵格(15)為螺旋狀柵格。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種自來水的消毒處理裝置，包括殼體和儲水槽，所述殼體的頂部從左至右分別設有集水箱、臭氧消毒箱、臭氧發(fā)生器、儲水槽和蓄電箱，所述集水箱的頂部連接有蓋板，所述蓋板的底部中間連接有紫外線消毒燈，所述集水箱的右側(cè)通過導管連接有臭氧消毒箱，所述臭氧消毒箱的頂部設有儲水槽，所述儲水槽的內(nèi)腔從上至下分別設有過濾網(wǎng)和活性炭過濾層，所述儲水槽的內(nèi)腔底部和內(nèi)腔左側(cè)均連接有氧化銀沉積層，該自來水的消毒處理裝置，結(jié)構(gòu)緊湊，使用便捷，能夠在對水進行氧化銀殺菌和臭氧殺菌雙重殺菌處理的同時，降低水中雜質(zhì)的含量，工作效率高，消毒效果好。
【IPC分類】C02F9/08
【公開號】CN104961283
【申請?zhí)枴緾N201510401360
【發(fā)明人】張偉飛
【申請人】張偉飛
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年7月8日