一種晶片清潔室的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種晶片清潔室。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，對(duì)于例如是通過(guò)化學(xué)干法蝕刻工藝處理的晶片進(jìn)行缺陷檢測(cè)時(shí)，經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)有顆粒物質(zhì)附著在晶片表面，影響產(chǎn)品品質(zhì)。目前缺乏有效的手段來(lái)解決上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種晶片清潔室，通過(guò)輸送清潔的空氣到晶片表面將晶片上面附著的顆粒物質(zhì)吹走，從而提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種晶片清潔室，其包含:
設(shè)置在該晶片清潔室頂部的一個(gè)或多個(gè)靜壓箱，通過(guò)對(duì)應(yīng)的管道將壓縮空氣引入各靜壓箱中；
每個(gè)靜壓箱下部對(duì)應(yīng)設(shè)置有腔室，經(jīng)由各靜壓箱底部的出風(fēng)面，將空氣吹送至置于對(duì)應(yīng)腔室內(nèi)的晶片表面進(jìn)行清潔。
[0005]進(jìn)一步地，所述靜壓箱內(nèi)連通對(duì)應(yīng)腔室的位置設(shè)有過(guò)濾器，在空氣從靜壓箱輸送至對(duì)應(yīng)腔室之前進(jìn)行過(guò)濾。
[0006]進(jìn)一步地，在所述過(guò)濾器的出風(fēng)面還設(shè)置有使清潔空氣穩(wěn)定均勻輸送至腔室的均流膜。
[0007]進(jìn)一步地，所述晶片清潔室設(shè)置有總進(jìn)氣管，以及與所述總進(jìn)氣管連通的多個(gè)導(dǎo)氣管，通過(guò)各導(dǎo)氣管將所述總進(jìn)氣管引入的壓縮空氣分配至各靜壓箱。
[0008]進(jìn)一步地，所述靜壓箱設(shè)置有以下裝置中的一個(gè)或其任意組合:
對(duì)輸入的壓縮空氣進(jìn)行監(jiān)控的風(fēng)壓傳感器，顯示風(fēng)壓監(jiān)控值的數(shù)顯壓力表，對(duì)壓縮空氣進(jìn)行輸入控制的調(diào)節(jié)閥，以及對(duì)壓縮空氣的氣壓進(jìn)行監(jiān)控的壓力報(bào)警輸出裝置。
[0009]進(jìn)一步地，每個(gè)腔室至少在前側(cè)或后側(cè)的其中一個(gè)側(cè)板上設(shè)有開口，使得由外部通過(guò)該開口伸入腔室的機(jī)械手，能夠?qū)⒕胖糜谇皇覂?nèi)或從腔室內(nèi)取走晶片。
[0010]進(jìn)一步地，所述晶片通過(guò)機(jī)械手，在腔室和收納晶片的片匣之間，或者在腔室和處理晶片的機(jī)臺(tái)之間進(jìn)行取放。
[0011]進(jìn)一步地，各腔室內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置有承載晶片的支座，連接并驅(qū)動(dòng)該支座升降或旋轉(zhuǎn)的支撐桿；
各腔室的底板上設(shè)有圍繞在支座周邊布置的若干開孔，與排氣泵連通，將清潔過(guò)晶片之后的空氣抽走。
[0012]進(jìn)一步地，所述腔室由防靜電板制成。
[0013]進(jìn)一步地，在所述腔室外的底部設(shè)有若干個(gè)L型的固定座，使各固定座的一側(cè)固定連接腔室的側(cè)板，另一側(cè)固定連接放置該晶片清潔室的臺(tái)面。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的晶片清潔室，將引入的壓縮空氣過(guò)濾處理后吹送至晶片表面，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單制造方便，可以快速有效地清潔晶片表面的附著物。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明所述晶片清潔室的整體結(jié)構(gòu)軸側(cè)視圖；
圖2是本發(fā)明所述晶片清潔室的主視圖；
圖3是本發(fā)明所述晶片清潔室的俯視圖；
圖4是本發(fā)明所述晶片清潔室的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1所示，本發(fā)明提供一種晶片清潔室，頂部設(shè)置有靜壓箱10，經(jīng)由對(duì)應(yīng)的管道引入其中的壓縮空氣被過(guò)濾處理后，輸送到靜壓箱10下部對(duì)應(yīng)設(shè)置的腔室40，對(duì)置于腔室40內(nèi)的晶片70表面吹氣清潔。下文中以雙靜壓箱10及雙腔室40的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0017]如圖1、圖3所示，設(shè)有一個(gè)總進(jìn)氣管21，一個(gè)三通管件，和兩個(gè)導(dǎo)氣管22 ;所述總進(jìn)氣管21的出口及兩個(gè)導(dǎo)氣管22的入口分別與該三通管件連通，兩個(gè)所述導(dǎo)氣管22的出口則分別連通至兩個(gè)靜壓箱10 ;因此，壓縮空氣從外部經(jīng)由總進(jìn)氣管21、三通管件分配至兩個(gè)導(dǎo)氣管22后，進(jìn)而對(duì)應(yīng)輸送到這兩個(gè)靜壓箱10內(nèi)。
[0018]如圖1、圖2、圖3所示，在靜壓箱10處，設(shè)置有對(duì)輸入的壓縮空氣的風(fēng)壓進(jìn)行監(jiān)控的風(fēng)壓傳感器(圖中未示出)，顯示風(fēng)壓監(jiān)控值的數(shù)顯壓力表31，及對(duì)壓縮空氣的輸入進(jìn)行控制的調(diào)節(jié)閥32 ;還設(shè)置有壓力報(bào)警輸出裝置，在壓縮空氣的氣壓小于預(yù)設(shè)值時(shí)會(huì)進(jìn)行報(bào)警提醒?？梢允窃诳傔M(jìn)氣管21處對(duì)進(jìn)氣進(jìn)行風(fēng)壓監(jiān)控及調(diào)節(jié)；也可以是對(duì)應(yīng)兩個(gè)導(dǎo)氣管22處分別設(shè)置相應(yīng)的傳感器、調(diào)節(jié)閥32等，來(lái)各自進(jìn)行風(fēng)壓監(jiān)控及調(diào)節(jié)。
[0019]如圖1、圖4所示，靜壓箱10內(nèi)的底部，即在其連通對(duì)應(yīng)腔室40的位置，設(shè)置有過(guò)濾器11 (可選擇塵粒數(shù)/m3 ^ 0.3um的過(guò)濾器)，在空氣從靜壓箱10輸送至對(duì)應(yīng)腔室40前進(jìn)行過(guò)濾。在所述過(guò)濾器11的清潔空氣出風(fēng)面還設(shè)置有均流膜12，以便保證空氣能夠穩(wěn)定、均勻地向腔室40輸送。
[0020]如圖1、圖2、圖4所示，各個(gè)腔室40的左右兩側(cè)的側(cè)板是封閉的，前側(cè)和后側(cè)的側(cè)板上分別設(shè)有開口 41 ;兩個(gè)腔室40之間以隔板42分開。各腔室40內(nèi)的頂部連通靜壓箱10的清潔空氣出風(fēng)面。各腔室40內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置有承載晶片70的支座61，通過(guò)清潔空氣將附著在晶片70表面的顆粒物質(zhì)吹走。在各腔室40的底板上設(shè)有圍繞支座61周邊布置的若干開孔，可以與排氣泵連通，將清潔過(guò)晶片70之后的空氣及顆粒物質(zhì)等一起抽走。
[0021]一些具體的應(yīng)用示例中，壓縮空氣輸入時(shí)的氣壓最大為0.1MPa，清潔晶片后排出時(shí)的氣壓最大為700Pa。
[0022]所述的靜壓箱10可以由聚丙烯(PP)板焊接成型，板的優(yōu)選厚度為10mm。總進(jìn)氣管21和導(dǎo)氣管22可以由聚氯乙烯(PVC)材料制成。所述腔室40由防靜電板制成，板的優(yōu)選厚度為5mm。所述腔室40四周的側(cè)板及隔板42都可以設(shè)置成透明的。
[0023]在所述腔室40外的底部位置設(shè)有若干個(gè)L型的固定座50，在腔室40設(shè)置于臺(tái)面上時(shí)，使固定座50的一側(cè)連接腔室40的側(cè)板，另一側(cè)連接臺(tái)面(圖中未示出)，從而將腔室40和臺(tái)面兩者固定連接，使該晶片清潔室能夠穩(wěn)固放置。
[0024]有支撐桿62從腔室40的底板穿出后從下方連接承載晶片70的支座61，可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)支撐桿62，來(lái)帶動(dòng)所述支座61及該支座61上的晶片70在豎直方向進(jìn)行升降，或在水平方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，等等。支撐桿62的驅(qū)動(dòng)裝置可以設(shè)置在臺(tái)面下方的柜子中(未在圖中示出)。
[0025]一些不同的應(yīng)用示例中，可以將收納晶片70的片匣放置于腔室40的后側(cè)(或前側(cè))，機(jī)械手將晶片70從片匣取出后從腔室40側(cè)板的開口 41進(jìn)入腔室40，將晶片70放置于支座61上進(jìn)行吹氣清潔，或者通過(guò)機(jī)械手將晶片70從支座61上取下后放回片匣?；蛘撸梢詫⑵渌に囂幚?例如是刻蝕等)的機(jī)臺(tái)放置于腔室40的前側(cè)(或后側(cè))，通過(guò)這一側(cè)的機(jī)械手將晶片70從支座61取下放到機(jī)臺(tái)中進(jìn)行后續(xù)處理，或者將機(jī)臺(tái)處理完畢的晶片70放到支座61上進(jìn)行吹氣清潔?；蛘撸€可以是將片匣、機(jī)臺(tái)分別置于腔室40的前側(cè)和后側(cè)，將上述從片匣取片、在腔室40內(nèi)吹氣清潔、送至后續(xù)機(jī)臺(tái)處理的過(guò)程及其反向的操作步驟都連貫起來(lái)。
[0026]承載晶片70的支座61，在經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)和/或升降調(diào)整后，可以與前側(cè)或后側(cè)的機(jī)械手的位置相匹配，方便機(jī)械手取放晶片70。腔室40前側(cè)或后側(cè)側(cè)板上的開口 41，在進(jìn)行吹氣清潔時(shí)可以是敞開的，也可以是由另外設(shè)置的擋板或類似裝置在吹氣時(shí)對(duì)開口 41進(jìn)行遮蔽或密閉。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，通過(guò)控制，可以使壓縮空氣向靜壓箱10的輸入或清潔空氣向腔室40的輸入，僅僅在支座61上有晶片70時(shí)才進(jìn)行，也可以是無(wú)論支座61上是否有晶片70時(shí)都持續(xù)進(jìn)氣。
[0027]綜上所述，本發(fā)明的晶片清潔室，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單制造方便，通過(guò)吹送空氣可以快速有效地清潔晶片表面的附著物。
[0028]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片清潔室，其特征在于，包含: 設(shè)置在該晶片清潔室頂部的一個(gè)或多個(gè)靜壓箱(10)，通過(guò)對(duì)應(yīng)的管道將壓縮空氣引入各靜壓箱(10)中； 每個(gè)靜壓箱(10)下部對(duì)應(yīng)設(shè)置有腔室(40)，經(jīng)由各靜壓箱(10)底部的出風(fēng)面，將空氣吹送至置于對(duì)應(yīng)腔室(40 )內(nèi)的晶片(70 )表面進(jìn)行清潔。2.如權(quán)利要求1所述的晶片清潔室，其特征在于， 所述靜壓箱(10)內(nèi)連通對(duì)應(yīng)腔室(40)的位置設(shè)有過(guò)濾器(11)，在空氣從靜壓箱(10)輸送至對(duì)應(yīng)腔室(40)之前進(jìn)行過(guò)濾。3.如權(quán)利要求2所述的晶片清潔室，其特征在于， 在所述過(guò)濾器(11)的出風(fēng)面還設(shè)置有使清潔空氣穩(wěn)定均勻輸送至腔室(40)的均流膜(12)。4.如權(quán)利要求1所述的晶片清潔室，其特征在于， 所述晶片清潔室設(shè)置有總進(jìn)氣管(21)，以及與所述總進(jìn)氣管(21)連通的多個(gè)導(dǎo)氣管(22)，通過(guò)各導(dǎo)氣管(22)將所述總進(jìn)氣管(21)引入的壓縮空氣分配至各靜壓箱(10)。5.如權(quán)利要求1或4所述的晶片清潔室，其特征在于， 所述靜壓箱(10)設(shè)置有以下裝置中的一個(gè)或其任意組合: 對(duì)輸入的壓縮空氣進(jìn)行監(jiān)控的風(fēng)壓傳感器，顯示風(fēng)壓監(jiān)控值的數(shù)顯壓力表(31)，對(duì)壓縮空氣進(jìn)行輸入控制的調(diào)節(jié)閥(32)，以及對(duì)壓縮空氣的氣壓進(jìn)行監(jiān)控的壓力報(bào)警輸出裝置。6.如權(quán)利要求1所述的晶片清潔室，其特征在于， 每個(gè)腔室(40)至少在前側(cè)或后側(cè)的其中一個(gè)側(cè)板上設(shè)有開口(41)，使得由外部通過(guò)該開口(41)伸入腔室(40)的機(jī)械手，能夠?qū)⒕?70)放置于腔室(40)內(nèi)或從腔室(40)內(nèi)取走晶片(70)。7.如權(quán)利要求6所述的晶片清潔室，其特征在于， 所述晶片(70)通過(guò)機(jī)械手，在腔室(40)和收納晶片(70)的片匣之間，或者在腔室(40)和處理晶片(70)的機(jī)臺(tái)之間進(jìn)行取放。8.如權(quán)利要求1或7所述的晶片清潔室，其特征在于， 各腔室(40)內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置有承載晶片(70)的支座(61)，連接并驅(qū)動(dòng)該支座(61)升降或旋轉(zhuǎn)的支撐桿(62)； 各腔室(40)的底板上設(shè)有圍繞在支座(61)周邊布置的若干開孔，與排氣泵連通，將清潔過(guò)晶片(70)之后的空氣抽走。9.如權(quán)利要求6所述的晶片清潔室，其特征在于， 所述腔室(40)由防靜電板制成。10.如權(quán)利要求1所述的晶片清潔室，其特征在于， 在所述腔室(40)外的底部設(shè)有若干個(gè)L型的固定座(50)，使各固定座(50)的一側(cè)固定連接腔室(40)的側(cè)板，另一側(cè)固定連接放置該晶片清潔室的臺(tái)面。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片清潔室，其包含：設(shè)置在該晶片清潔室頂部的一個(gè)或多個(gè)靜壓箱，通過(guò)對(duì)應(yīng)的管道將壓縮空氣引入各靜壓箱中；每個(gè)靜壓箱下部對(duì)應(yīng)設(shè)置有腔室，由各靜壓箱底部的出風(fēng)面輸送清潔空氣至對(duì)應(yīng)腔室，將腔室內(nèi)晶片上面附著的顆粒物質(zhì)吹走，從而提升產(chǎn)品品質(zhì)。
【IPC分類】H01L21/67, B08B13/00, B08B5/02, B01D46/00
【公開號(hào)】CN104907283
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410087235
【發(fā)明人】吳紅帥, 張程
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請(qǐng)日】2014年3月11日