專利名稱:一種具有止回閥的曝氣裝置的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及ー種廢水處理的裝置,尤其是ー種具有止回閥的曝氣裝置,主要用于污水處理領域。
背景技術:
曝氣裝置是指廢水活性污泥法水處理過程中向曝氣池供氧的設備。曝氣是指人為通過適當設備向生化曝氣池中通入空氣,以達到預期的目的。曝氣不僅使池內(nèi)液體與空氣接觸充氧,而且由于攪動液體,加速了空氣中氧向液體中轉(zhuǎn)移,從而完成充氧的目的;此外,曝氣還有防止池內(nèi)懸浮體下沉,加強池內(nèi)有機物與微生物與溶解氧 接觸的目的,從而保證池內(nèi)微生物在有充足溶解氧的條件下,對污水中有機物的氧化分解作用。曝氣裝置的好壞,不僅影響污水生化處理效果,而且直接影響到處理場占地,投資及運行費用。曝氣裝置有以下幾種方式(I)鼓風機曝氣裝置主要通過曝氣鼓風機,連接管道,曝氣器組成.(2)機械曝氣裝置主要由水下曝氣機及擴散裝置組成.鼓風曝氣裝置鼓風曝氣系統(tǒng)由鼓風機、空氣輸送管道以及曝氣裝置所組成。鼓風曝氣裝置可分為(微)小氣泡型、中氣泡型、大氣泡型、水力剪切型、水力沖擊型、等①(微)小氣泡型曝氣裝置由微孔透氣材料(陶土、氧化鋁、氧化硅或尼龍等)制成的擴散板、擴散盤和擴散管等;氣泡直徑在2mm以下(氣泡在200mm以下者,為微孔);氧的利用率較高,EA=15 25%,動力效率在2 kg02/kw.h以上;缺點易堵塞,空氣需經(jīng)過濾處理凈化,擴散阻カ大。②中氣泡型曝氣裝置氣泡直徑為2飛_。I)穿孔管;2)新型中氣泡型曝氣裝置;③水力剪切型空氣擴散裝置利用裝置本身的構(gòu)造特點,產(chǎn)生水力剪切作用,將大氣泡切割成小氣泡,增加氣液接觸面積,達到提高效率的目的。如定螺旋曝氣器等。④水力沖擊型曝氣器射流曝氣分為自吸式和供氣式——自吸式射流曝氣器由壓カ管、噴嘴、吸氣管、混合室和出水管等組成;EA = 20%;噪音小,無需鼓風機房;一般適用于小規(guī)模污水廠。機械曝氣裝置又稱表面曝氣裝置①曝氣的原理I)水躍——曝氣機轉(zhuǎn)動時,表面的混合液不斷地從周邊被拋向四周,形成水躍,液面被強烈攪動而卷入空氣; 2)提升——曝氣機具有提升作用,使混合液連續(xù)地上下循環(huán)流動,不斷更新氣液接觸界面,強化氣、液接觸;3)負壓吸氣——曝氣器的轉(zhuǎn)動,使其在一定部位形成負壓區(qū),而吸入空氣。分類按轉(zhuǎn)動軸的安裝形式,可分為豎軸式和橫軸式兩大類。②豎軸式機械曝氣裝置泵型葉輪曝氣器、K型葉輪曝氣器、倒傘型葉輪曝氣器和平板型葉輪曝氣器等。③橫軸式機械曝氣裝置曝氣轉(zhuǎn)刷、曝氣轉(zhuǎn)盤等。I)泵型葉輪曝氣器由葉片、進氣孔、引氣孔、上壓罩、下壓罩和進水口等部分組成;2) K型葉輪曝氣器 呈雙曲線形;浸沒深度為(TlOmm ;線速度為4 5m/s。3)倒傘型葉輪曝氣器由圓錐形殼體及連接在外表面的葉片所組成;轉(zhuǎn)速在3(T60r/min ;動力效率為2 2. 54)平板型葉輪曝氣器由葉片與平板等部件組成;葉片與平板半徑的角度在(Γ25之間;線速度一般在
4.05 4. 85之間。目前,市面上無針對高濃度制藥廢水處理的曝氣裝置,一般采用常用的曝氣裝置,由于制藥廢水中含有糖類、苷類、蒽醌、鞣質(zhì)體、生物堿、酸、堿、鹽等,這些物質(zhì)往往具有不同程度的腐蝕性以及體積比較大等特點很容易造成曝氣器孔徑的變形。常規(guī)的解決方法是采用孔徑比較大的曝氣器,這樣ー來會導致氣體分散性差,能耗高;也有一些產(chǎn)品具有一定的防腐性,但很難解決堵塞的問題,這就導致曝氣器頻繁的更換,一般一年需要更換一次,有的一年需要更換兩次甚至更多,不但造成經(jīng)濟上的損失,而且給設備的維護工作帶來麻煩。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于公開ー種具有止回閥的曝氣裝置,尤其是一種適用于高濃度制藥廢水處理的曝氣裝置,使其具有耐腐蝕、不易堵塞的特點。主要采用如下技術方案ー種具有止回閥的曝氣裝置;所述曝氣裝置包括上層曝氣盤片、下層曝氣盤片、曝氣盤片支撐托盤、固定螺紋接ロ、曝氣管道、止回閥;具體連接關系如下曝氣盤片支撐托盤,其一面設置有下層曝氣盤片,在下層曝氣盤片的上面設置有上層曝氣盤片,其中,下層曝氣盤片孔徑為dl,剛玉材質(zhì);上層曝氣盤片為ー層或多層,該上層曝氣盤片孔徑為d2,曝氣盤片支撐托盤的另外一面以氣體連通的方式與固定螺紋接ロ相耦接,固定螺紋接ロ與曝氣管道相連通。所述曝氣裝置還包括有止回閥,止回閥設置于固定螺紋接口中,其用于確保曝氣裝置內(nèi)經(jīng)常充滿空氣,使得污泥和污水不易進入腔內(nèi)堵塞曝氣孔。該曝氣裝置應用水體需滿足條件所適用的水體中的曝氣總阻力不應超過由達西方程求出的阻力J= Δ P/μ RJ一曝氣通量;[0040]Δ P—曝氣盤面內(nèi)外兩側(cè)壓差; μ —空氣粘質(zhì)系數(shù);R一總阻力。下層曝氣盤片孔徑dl和上曝氣盤片孔徑d2滿足2. 8>dl/d2>2. 5。下層曝氣盤片孔徑dl和上曝氣盤片孔徑d2滿足3 >dl2/d2>0. 8。其中下層曝氣盤片孔徑dl在10-50微米范圍內(nèi)取值,具有高效低耗、阻力小、氣體分散性好等特點,上曝氣盤片孔徑d2在100-150微米范圍內(nèi)取值,上曝氣盤片采用市面上可以買到的具有耐腐蝕、耐高壓特性的材料制成,其具有耐腐蝕、耐高壓、不易堵塞、密封性好等特 點。通過上述兩種不同盤片有機的結(jié)合能夠很好的解決曝氣器易堵塞和氣體分散性差的問題,上層的曝氣盤片能很好的保護下層曝氣盤片堵塞。
圖I是本實用新型所述的曝氣裝置的連接示意圖。I、上層曝氣盤片;2、下層曝氣盤片;3、曝氣盤片支撐托盤;4、固定螺紋接ロ ;5、曝氣管道;6、止回閥
具體實施方式
以下結(jié)合附圖并通過具體實施方式
來進ー步說明本實用新型的技術方案。曝氣裝置包括曝氣盤片支撐托盤3,其一面設置有下層曝氣盤片2,在下層曝氣盤片的上面設置有上層曝氣盤片1,其中,上層曝氣盤片,孔徑dl在10-50微米,剛玉材質(zhì),上層曝氣盤片可以為ー層或多層,其采用我公司単獨研發(fā)的曝氣盤片,該曝氣盤片孔徑d2在100-150微米,采用市面上可以買到的具有耐腐蝕、耐高壓特性的材料制成,曝氣盤片支撐托盤的另外一面以氣體連通的方式與固定螺紋接ロ 4相耦接,固定螺紋接ロ 4與曝氣管道5相連通,止回閥6設置于固定螺紋接口中,其用于確保曝氣裝置內(nèi)經(jīng)常充滿空氣,污泥和污水不易進入腔內(nèi)堵塞曝氣孔。該曝氣裝置應用水體需滿足條件所適用的水體中的曝氣總阻力不應超過由達西方程求出的阻力J= Δ P/μ RJ一曝氣通量;Δ P—曝氣盤面內(nèi)外兩側(cè)壓差;μ —空氣粘質(zhì)系數(shù);R —總阻カ該曝氣裝置的主要技術參數(shù)
規(guī)格(直徑X高)I工作氣量I工作氣量典型值 I氧轉(zhuǎn)移率(6m) I動カ效率I充氧能力(6ιη)
mmNm3/h Nm3/h%kg02/kwh kg02/h
300X200@ 18 [l0± IΓ> 38[> 7. 8 [> 0. 5①動カ效率(Ep):每消耗I度電轉(zhuǎn)移到混合液中的氧量(kg02/kw. h);[0061]②氧轉(zhuǎn)移效率,是指通過鼓風曝氣系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到混合液中的氧量占總供氧量的百分比(%);③充氧能力(RO):通過表面機械曝氣裝置在單位時間內(nèi)轉(zhuǎn)移到混合液中的氧量(kg02/h)。申請人:研究發(fā)現(xiàn)上層曝氣盤片孔徑dl和下層曝氣盤片孔徑d2滿足不同關系時所述曝氣裝置的動カ效率、氧轉(zhuǎn)移效率、充氧能力分別表現(xiàn)出不同的特性,具體如下2. 8>dl/d2>2. 5 (I)滿足公式(I)時的主要技術參數(shù)
權(quán)利要求1.ー種具有止回閥的曝氣裝置,所述曝氣裝置包括上層曝氣盤片、下層曝氣盤片、曝氣盤片支撐托盤、固定螺紋接ロ、曝氣管道;具體連接關系如下曝氣盤片支撐托盤,其一面設置有下層曝氣盤片,在下層曝氣盤片的上面設置有上層曝氣盤片,其中,下層曝氣盤片孔徑為dl,剛玉材質(zhì);上層曝氣盤片為ー層,該上層曝氣盤片孔徑為d2,曝氣盤片支撐托盤的另外一面以氣體連通的方式與固定螺紋接ロ相耦接,固定螺紋接ロ與曝氣管道相連通,所述曝氣裝置還包括有止回閥,止回閥設置于固定螺紋接口中,其用于確保曝氣裝置內(nèi)經(jīng)常充滿空氣,使得污泥和污水不易進入腔內(nèi)堵塞曝氣孔,下層曝氣盤片孔徑dl和上曝氣盤片孔徑d2滿足3 >dl2/d2>0. 8,其中dl在10-50微米范圍內(nèi)取值,d2在100-150微米范圍內(nèi)取值。
2.如權(quán)利要求I所述的曝氣裝置,下層曝氣盤片孔徑dl和上曝氣盤片孔徑d2滿足2. 8>dl/d2>2. 5。
3.如權(quán)利要求I所述的曝氣裝置,上層曝氣盤片采用耐腐蝕,耐高壓材料制成。
專利摘要一種具有止回閥的曝氣裝置,所述曝氣裝置包括上層曝氣盤片、下層曝氣盤片、曝氣盤片支撐托盤、固定螺紋接口、曝氣管道;具體連接關系如下曝氣盤片支撐托盤,其一面設置有下層曝氣盤片,在下層曝氣盤片的上面設置有上層曝氣盤片,其中,下層曝氣盤片孔徑為d1,剛玉材質(zhì);上層曝氣盤片為一層,該上層曝氣盤片孔徑為d2,曝氣盤片支撐托盤的另外一面以氣體連通的方式與固定螺紋接口相耦接,固定螺紋接口與曝氣管道相連通,所述曝氣裝置還包括有止回閥,止回閥設置于固定螺紋接口中,其用于確保曝氣裝置內(nèi)經(jīng)常充滿空氣,使得污泥和污水不易進入腔內(nèi)堵塞曝氣孔,下層曝氣盤片孔徑d1和上曝氣盤片孔徑d2滿足3>d12/d2>0.8,其中d1在10-50微米范圍內(nèi)取值,d2在100-150微米范圍內(nèi)取值。
文檔編號C02F3/12GK202594850SQ20122012997
公開日2012年12月12日 申請日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月30日
發(fā)明者苗育瑞, 苗棟楨, 賀裕鵬 申請人:山西萬源達科技有限公司