專利名稱：一種固體硬盤硬件銷毀電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信息安全技術(shù)，具體為一種固體硬盤硬件銷毀電路。該銷毀電路適用于數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)領(lǐng)域，尤其是具備數(shù)據(jù)銷毀功能固體硬盤中。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)高速發(fā)展，傳統(tǒng)的機(jī)械磁介質(zhì)硬盤由于其固有的缺點(diǎn)(使用中避免震動(dòng)，對環(huán)境溫度適應(yīng)性差等等)在某些領(lǐng)域越來越不能滿足人們的需要。運(yùn)應(yīng)而生的采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)(Flash)的固體硬盤使用越發(fā)廣泛。這種硬盤在使用中不需要機(jī)械運(yùn)動(dòng)，環(huán)境溫度適應(yīng)性強(qiáng)，有效地解決了傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的缺點(diǎn)。但是在信息大爆炸的今天，信息安全被提升到了一個(gè)全新的高度，不論是商業(yè)系統(tǒng)還是國防安全都越來越多的關(guān)注信息安全問題。固體硬盤作為信息存儲(chǔ)的載體，有效保護(hù)硬盤的信息安全問題被廣泛討論。討論的焦點(diǎn)主要其中在三個(gè)方面第一個(gè)就是加密；在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)安裝加密軟件，對硬盤中的信息進(jìn)行加密，以防止秘密信息被非法竊取。但對于一些專業(yè)人員，尤其是從事秘密信息竊取的間諜來說，加密并不能做到真正的安全；第二個(gè)就是信息刪除；就是通過執(zhí)行特定程序，將硬盤中的所有數(shù)據(jù)全部清除。但該方法存在清除時(shí)間長等缺點(diǎn)；第三就是物理銷毀；通過啟動(dòng)硬件銷毀電路，將Flash控制器或者Flash存儲(chǔ)顆粒陣列燒毀，使硬盤處于物理損壞不可恢復(fù)的狀態(tài)。該方法數(shù)據(jù)清除徹底、執(zhí)行時(shí)間短，可有效保證固體硬盤中數(shù)據(jù)信息不被非法擴(kuò)散。從而保護(hù)信息安全。采用硬件銷毀方法可以通過對固體硬盤上的Flash顆粒分別施加反向高電壓，達(dá)到逐個(gè)燒毀存儲(chǔ)介質(zhì)的目的。中國專利“一種電子硬盤及電子設(shè)備”(申請?zhí)?00710075999. 6)公開了一種固態(tài)硬盤硬件銷毀方案。該方案中存在對于多片F(xiàn)lash顆粒的燒毀不均衡、不徹底問題。例如對A、B兩片F(xiàn)lash，使用C電壓對其進(jìn)行燒毀。眾所周知，當(dāng)C電壓同時(shí)作用于A、B芯片時(shí)，由于Flash顆粒存在細(xì)微電氣差異性，當(dāng)A芯片早于B芯片被燒成對地短路時(shí)，C電壓輸出對地短路造成C電壓輸出保護(hù)、輸出電壓低或損壞，這樣就會(huì)存在A芯片被燒毀，而B芯片完好無損情況，導(dǎo)致銷毀不完全，信息仍不安全。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明擬解決的技術(shù)問題是，提供一種固體硬盤硬件銷毀電路。該電路旨在解決執(zhí)行銷毀操作時(shí)，徹底燒毀固體硬盤上每一顆Flash存儲(chǔ)顆粒，達(dá)到對存儲(chǔ)在Flash顆粒中數(shù)據(jù)信息徹底銷毀的目的。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題的技術(shù)解決方案是設(shè)計(jì)一種固體硬盤硬件銷毀電路，其特征在于該銷毀電路包括銷毀觸發(fā)開關(guān)、高壓電源、銷毀控制器、切換裝置陣列、Flash存儲(chǔ)陣列和可編程控制器；所述銷毀觸發(fā)開關(guān)經(jīng)可編程控制器與銷毀控制器電連接；所述切換裝置陣列與Flash存儲(chǔ)陣列電連接，并受控連接于銷毀控制器；高壓電源與切換裝置陣列電連接；硬盤正常工作時(shí)，切換裝置陣列將Flash存儲(chǔ)陣列中的Flash芯片供電負(fù)極與系統(tǒng)供電負(fù)極導(dǎo)通；當(dāng)銷毀控制器接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)的銷毀指令信號(hào)后，由銷毀控制器控制切換裝置陣列逐一將高壓電源的正極切換連接到Flash芯片的供電負(fù)極上，對Flash芯片施加反向高電壓，將所述的Flash芯片逐一燒毀。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明固體硬盤銷毀電路可逐一對Flash顆粒施加反向高電壓，達(dá)到對存儲(chǔ)介質(zhì)逐個(gè)徹底燒毀的目的，確保全部銷毀所有數(shù)據(jù)信息，克服了現(xiàn)有技術(shù)在銷毀毀過程中燒毀不完全、不徹底的不足，并具有結(jié)構(gòu)簡單，工作可靠，適用性強(qiáng)等特點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明固體硬盤硬件銷毀電路一種實(shí)施例的電氣原理方框圖。圖2是本發(fā)明固體硬盤硬件銷毀電路一種實(shí)施例的銷毀控制器和可編程控制器工作的邏輯方框圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明設(shè)計(jì)的固體硬盤硬件銷毀電路(簡稱銷毀電路，參見圖1、2)，其特征在于該銷毀電路包括銷毀觸發(fā)開關(guān)I、高壓電源2、銷毀控制器3、切換裝置陣列4、Flash存儲(chǔ)陣列5和可編程控制器6 ;所述銷毀觸發(fā)開關(guān)I經(jīng)可編程控制器6與銷毀控制器3電連接；所述切換裝置陣列4與Flash存儲(chǔ)陣列5電連接，并受控連接于銷毀控制器3 ;高壓電源2與切換裝置陣列4電連接；硬盤正常工作時(shí)，切換裝置陣列4將Flash存儲(chǔ)陣列5中的Flash芯片供電負(fù)極與系統(tǒng)供電負(fù)極導(dǎo)通；當(dāng)銷毀控制器3接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)I的銷毀指令信號(hào)后，由銷毀控制器3控制切換裝置陣列4逐一將高壓電源2的正極切換連接到Flash芯片的供電負(fù)極上，對Flash芯片施加反向高電壓,將所述的Flash芯片逐一燒毀。本發(fā)明銷毀電路所述的銷毀觸發(fā)開關(guān)I用于啟動(dòng)銷毀命令。實(shí)施例的銷毀觸發(fā)開關(guān)I采用常規(guī)按鈕開關(guān)。在銷毀電路工作過程中，銷毀觸發(fā)開關(guān)I可以采用手動(dòng)觸發(fā)方式，發(fā)送銷毀電路命令，也可以采用與固體硬盤物理位置信息或工作狀態(tài)信息相關(guān)的電子觸發(fā)信號(hào)，發(fā)送銷毀電路命令，還可以用遠(yuǎn)距離無線遙控方式發(fā)送銷毀電路命令等。本發(fā)明銷毀電路所述的高壓電源2用于給Flash存儲(chǔ)陣列5施加反向高電壓，通過逐一對Flash顆粒施加反向高電壓，達(dá)到對存儲(chǔ)介質(zhì)逐個(gè)徹底燒毀的目的，確保全部銷毀所有數(shù)據(jù)信息。在電路連接上，保持高壓電源2的負(fù)極與Flash存儲(chǔ)陣列5中Flash芯片的電源正極導(dǎo)通。高壓電源2可以采用與固體硬盤系統(tǒng)隔離的高壓升壓電路，也可以采用離線的電池供電電路。在具體實(shí)施中，可以改變高壓電源2的產(chǎn)生方式，使銷毀電路具備在系統(tǒng)銷毀功能，所述的改變高壓電源2的產(chǎn)生方式包括電池、系統(tǒng)高壓電源等。本發(fā)明銷毀電路所述的Flash存儲(chǔ)陣列5中的每顆Flash芯片供電負(fù)極分別受切換裝置陣列4的切換開關(guān)控制。正常工作時(shí)，由切換裝置陣列4將Flash芯片供電負(fù)極與系統(tǒng)供電負(fù)極導(dǎo)通，保證正常工作。當(dāng)銷毀控制器3接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)I的銷毀指令信號(hào)后，由銷毀控制器3控制切換裝置陣列4逐一將高壓電源正極切換連接到Flash芯片的供電負(fù)極上，對Flash芯片施加反向高電壓，將Flash存儲(chǔ)陣列5中的Flash芯片逐一燒毀，從而將存儲(chǔ)在Flash芯片上的數(shù)據(jù)徹底銷毀。本發(fā)明銷毀電路所述的銷毀控制器3采用可編程控制器6的邏輯芯片實(shí)現(xiàn)控制。可編程控制器6的供電可以通過高壓電源2降壓產(chǎn)生，由此可以確保本發(fā)明銷毀電路具備上述描述的多種銷毀方式。當(dāng)固體硬盤正常上電工作時(shí)，銷毀控制器3由固體硬盤的系統(tǒng)工作電壓供電。銷毀控制器3接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)I發(fā)出的銷毀信號(hào)后，啟動(dòng)Flash芯片燒毀電路，銷毀控制器3對切換裝置陣列4發(fā)出控制信號(hào)，利用切換裝置陣列4控制高壓電源2分別對Flash存儲(chǔ)陣列5中的Flash芯片施加反向高電壓，達(dá)到逐一燒毀Flash芯片的目的。
本發(fā)明銷毀電路所述的切換裝置陣列4實(shí)施例采用單刀雙擲電磁繼電器，繼電器的數(shù)量與Flash存儲(chǔ)陣列5中Flash芯片的數(shù)量一致，并接受銷毀控制器3的控制。在固體硬盤正常工作下，銷毀控制器3控制繼電器保持Flash芯片的電源負(fù)極與固體硬盤系統(tǒng)電源負(fù)極導(dǎo)通，保證硬盤正常工作。一旦銷毀控制器3接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)I發(fā)出的銷毀命令時(shí)，銷毀控制器3自動(dòng)控制切換裝置陣列4逐一改變陣列的切換狀態(tài)，分別銷毀Flash存儲(chǔ)陣列5中的每顆Flash芯片?？删幊炭刂破?具體工作流程參見圖2邏輯方框圖?，F(xiàn)以第一路繼電器(用繼電器A表不)控制對應(yīng)的一顆Flash芯片(用Flash芯片A表不)燒毀為例，具體說明控制邏輯和燒毀細(xì)節(jié)。首先，將繼電器A的兩個(gè)狀態(tài)分別描述為OPEN狀態(tài)和CLOSE狀態(tài)，OPEN狀態(tài)定義為Flash芯片A供電負(fù)極與固體硬盤供電負(fù)極導(dǎo)通；CL0SE狀態(tài)定義為Flash芯片A供電負(fù)極與高壓電源2正極導(dǎo)通。第一步，銷毀控制邏輯判斷是否收到自毀開關(guān)啟動(dòng)信號(hào)。如果“否”繼續(xù)等待，該狀態(tài)為硬盤正常操作狀態(tài)，所有繼電器均處于“OPEN”狀態(tài)。如果“是”轉(zhuǎn)移到下一步開始銷毀控制；第二步，切換裝置陣列4控制繼電器A由OPEN狀態(tài)轉(zhuǎn)換為CLOSE狀態(tài)，將高壓電源2正極與Flash芯片A的供電負(fù)極導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)將高壓電源
2反向施加在Flash芯片A供電電源兩端，燒毀Flash芯片A ;第三步，銷毀延時(shí)是否到(具體延時(shí)時(shí)間依據(jù)高壓電源電壓值和Flash的銷毀效果而定)，如果“否”繼續(xù)等待，如果“是”轉(zhuǎn)移到下一步；第四步，切換裝置陣列4控制繼電器A由CLOSE狀態(tài)恢復(fù)為OPEN狀態(tài)，切斷對Flash芯片A施加的反向高壓電源，完成Flash芯片A燒毀；第五步，判斷所有Flash是否全銷毀完成，如果“否”進(jìn)行下一路Flash芯片燒毀，并依次持續(xù)循環(huán)進(jìn)行，直至Flash存儲(chǔ)陣列5的所有Flash芯片全部燒毀殆盡，如果“是”表示所Flash全部銷毀殆盡，銷毀控制邏輯完成。本發(fā)明銷毀電路可用于制備具有硬件自毀功能的固體硬盤。所述的Flash存儲(chǔ)陣列5為通用的Flash存儲(chǔ)顆粒，配合Flash控制器可實(shí)現(xiàn)固體硬盤的輸出存儲(chǔ)功能。本發(fā)明銷毀電路通過逐一對Flash顆粒施加反向高電壓，可達(dá)到對存儲(chǔ)介質(zhì)全部徹底燒毀的目的，保證數(shù)據(jù)信息不被非法擴(kuò)撒。以上實(shí)施例僅是本發(fā)明銷毀電路的具體應(yīng)用例子，并不限制本申請權(quán)利要求的保護(hù)范圍。凡是在本申請權(quán)利要求技術(shù)方案上進(jìn)行的修改和非本質(zhì)改進(jìn)的，均在本申請權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。 本發(fā)明未述及之處適用于現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種固體硬盤硬件銷毀電路，其特征在于該銷毀電路包括銷毀觸發(fā)開關(guān)、高壓電源、銷毀控制器、切換裝置陣列、Flash存儲(chǔ)陣列和可編程控制器；所述銷毀觸發(fā)開關(guān)經(jīng)可編程控制器與銷毀控制器電連接；所述切換裝置陣列與Flash存儲(chǔ)陣列電連接，并受控連接于銷毀控制器；高壓電源與切換裝置陣列電連接；硬盤正常工作時(shí)，切換裝置陣列將Flash存儲(chǔ)陣列中的Flash芯片供電負(fù)極與系統(tǒng)供電負(fù)極導(dǎo)通；當(dāng)銷毀控制器接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)的銷毀指令信號(hào)后，由銷毀控制器控制切換裝置陣列逐一將高壓電源的正極切換連接到Flash芯片的供電負(fù)極上,對Flash芯片施加反向高電壓,將所述的Flash芯片逐一燒毀。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述固體硬盤硬件銷毀電路，其特征在于所述高壓電源采用與固體硬盤系統(tǒng)隔離的高壓升壓電路，或者采用離線的電池供電電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述固體硬盤硬件銷毀電路，其特征在于所述的切換裝置陣列采用單刀雙擲電磁繼電器，繼電器的數(shù)量與Flash存儲(chǔ)陣列中Flash芯片的數(shù)量一致，并接受銷毀控制器的控制。
全文摘要
本發(fā)明公開一種固體硬盤硬件銷毀電路，其特征在于該銷毀電路包括銷毀觸發(fā)開關(guān)、高壓電源、銷毀控制器、切換裝置陣列、Flash存儲(chǔ)陣列和可編程控制器；所述銷毀觸發(fā)開關(guān)經(jīng)可編程控制器與銷毀控制器電連接；所述切換裝置陣列與Flash存儲(chǔ)陣列電連接，并受控連接于銷毀控制器；高壓電源與切換裝置陣列電連接；硬盤正常工作時(shí)，切換裝置陣列將Flash存儲(chǔ)陣列中的Flash芯片供電負(fù)極與系統(tǒng)供電負(fù)極導(dǎo)通；當(dāng)銷毀控制器接收到銷毀觸發(fā)開關(guān)的銷毀指令信號(hào)后，由銷毀控制器控制切換裝置陣列逐一將高壓電源的正極切換連接到Flash芯片的供電負(fù)極上，對Flash芯片施加反向高電壓，將所述的Flash芯片逐一燒毀。
文檔編號(hào)B09B1/00GK102615084SQ20121010942
公開日2012年8月1日 申請日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月16日
發(fā)明者劉炳坤, 寧立革, 張凱, 蔡勇, 賀海英 申請人:天津市英貝特航天科技有限公司