本發(fā)明屬于電器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種微波爐加熱控制方法，以及微波爐。

背景技術(shù)：

微波爐通過磁控管發(fā)射微波來對負(fù)載進(jìn)行加熱，但是，不管負(fù)載量多少，都采用預(yù)先設(shè)定的功率加熱，往往會更加容易損壞系統(tǒng)，尤其對于輕負(fù)載，例如100毫升水或爆米花，當(dāng)加熱過火時，微波爐無法快速感知，只有等到反射微波將腔體和磁控管加熱到很高溫度時，才會通過溫控器關(guān)斷電源進(jìn)行保護(hù)，因而對系統(tǒng)造成一定損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

為此，本發(fā)明需要提出一種微波爐加熱控制方法，該微波爐加熱控制方法，可以根據(jù)負(fù)載量進(jìn)行加熱控制，更好地保護(hù)微波爐。

本發(fā)明還提出一種微波爐。

為了解決上述問題，本發(fā)明提出的微波爐加熱控制方法，包括以下步驟：控制微波爐的微波源分別輸出不同頻率和相位組合的微波；分別檢測所述微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的入射功率和反射功率；根據(jù)所述入射功率和所述反射功率分別計(jì)算所述每種頻率和相位組合的微波的回波損耗；根據(jù)所述每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級；以及根據(jù)所述負(fù)載等級調(diào)節(jié)所述微波源的輸出。

本發(fā)明實(shí)施例的微波爐加熱控制方法，通過每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，即判斷負(fù)載量，繼而根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源的輸出，避免過度加熱，提高安全性，更好地保護(hù)微波爐。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，根據(jù)所述每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，進(jìn)一步包括：在等于或大于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定所述被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述微波源包括一個或多個，根據(jù)所述每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，進(jìn)一步包括：當(dāng)設(shè)定數(shù)量的微波源在大于或等于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定所述被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，根據(jù)所述負(fù)載等級調(diào)節(jié)所述微波源的輸出，進(jìn)一步包括：判斷所述輕負(fù)載是否為設(shè)定輕負(fù)載；如果所述輕負(fù)載為所述設(shè)定輕負(fù)載，則控制所述微波源以所述不同的頻率和相位組合中回波損耗最優(yōu)的頻率和相位組合輸出微波以進(jìn)行加熱，滿足設(shè)定輕負(fù)載的加熱需求。

如果所述輕負(fù)載不屬于所述設(shè)定輕負(fù)載，則控制所述微波源降低功率至預(yù)設(shè)功率或者控制所述微波源關(guān)斷微波輸出?？梢员苊饧訜徇^度，保護(hù)負(fù)載和系統(tǒng)。

其中，所述微波源包括一個或多個，分別檢測所述微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的入射功率和反射功率，進(jìn)一步包括：分別檢測每個微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的獨(dú)立入射功率和獨(dú)立反射功率；將在輸出每種頻率和相位組合的微波時的每個微波源的獨(dú)立入射功率的和值以及獨(dú)立反射功率的和值作為對應(yīng)頻率和相位組合的所述入射功率和所述反射功率。

具體地，所述微波爐包括半導(dǎo)體微波爐。

為了解決上述問題，本發(fā)明另一方面提出的微波爐，包括：微波源，在加熱時，所述微波源分別輸出不同頻率和相位組合的微波；第一功率檢測裝置和第二功率檢測裝置，所述第一功率檢測裝置用于檢測所述微波源的入射功率，所述第二功率檢測裝置用于檢測所述微波源的反射功率；控制裝置，所述控制裝置根據(jù)所述微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的入射功率和反射功率分別計(jì)算在每種頻率和相位組合下的微波的回波損耗，并根據(jù)每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，以及根據(jù)所述負(fù)載等級調(diào)節(jié)所述微波源的輸出。

本發(fā)明實(shí)施例的微波爐，通過每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，即判斷負(fù)載量，繼而根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源的輸出，避免過度加熱，提高安全性。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述控制裝置還用于，在等于或大于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回饋閾值時，確定所述被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述微波源包括多個，所述控制裝置還用于，在設(shè)定數(shù)量的微波源在大于或等于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定所述被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

進(jìn)一步地，所述微波爐還包括：設(shè)定裝置，用于接收用戶輸入指令以生成設(shè)定輕負(fù)載。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述控制裝置還用于，判斷所述輕負(fù)載是否為所述設(shè)定輕負(fù)載，并在所述輕負(fù)載為所述設(shè)定輕負(fù)載時，控制所述微波源以所述不同的頻率和相位組合中回波損耗最優(yōu)的頻率和相位組合輸出微波，滿足設(shè)定負(fù)載加熱的需求。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述控制裝置還用于，在所述輕負(fù)載不屬于所述設(shè)定輕負(fù)載時，控制所述微波源降低功率至預(yù)設(shè)功率或者控制所述微波源關(guān)斷微波輸出，避免加熱過度，保護(hù)系統(tǒng)和負(fù)載。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述微波源包括多個，所述第一功率檢測裝置，分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的獨(dú)立入射功率；所述第二功率檢測裝置，分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的獨(dú)立反射功率；所述控制裝置，將在每種頻率和相位組合下的每個微波源的獨(dú)立入射功率的和值以及獨(dú)立反射功率的和值作為對應(yīng)頻率和相位的組合的所述入射功率和所述反射功率。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述微波爐包括半導(dǎo)體微波爐。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微波爐加熱控制方法的流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的微波爐加熱控制方法的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微波爐的框圖；以及

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的微波爐的框圖。

附圖標(biāo)記：

微波爐100，

微波源10，第一功率檢測裝置20，第二功率檢測裝置30、控制裝置40和設(shè)定裝置50。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的微波爐加熱控制方法和微波爐。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的微波爐加熱控制方法的流程圖，如圖1所示，該微波爐加熱控制方法包括以下步驟：

S1，控制微波爐的微波源分別輸出不同頻率和相位組合的微波。

其中，微波源輸出微波的頻率和相位分別在允許范圍內(nèi)可調(diào)，例如，頻率可在2.4GHz-2.5GHz內(nèi)連續(xù)可調(diào)，相位可在-180°至180°內(nèi)連續(xù)可調(diào)。

具體地，每種頻率和相位組合的微波在加熱腔內(nèi)形成對應(yīng)的磁場分布，如果把加熱腔內(nèi)分成若干區(qū)域，每個區(qū)域的電磁場強(qiáng)度不一致，當(dāng)輸出微波的相位和頻率變化時，各區(qū)域的電磁場強(qiáng)度也會發(fā)生變化。對于同一種或相似的物質(zhì)，對應(yīng)地，場強(qiáng)強(qiáng)的地方放置的被加熱負(fù)載溫升更快，而場強(qiáng)較弱的地方放置的被加熱負(fù)載的溫升則較慢。

所以，在進(jìn)行加熱控制時，微波爐的控制器控制微波源輸出不同的頻率相位組合的微波以對加熱腔內(nèi)的食物進(jìn)行加熱。

S2，分別檢測微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的入射功率和反射功率。

S3，根據(jù)入射功率和反射功率分別計(jì)算每種頻率和相位組合的微波的回波損耗。

加熱腔內(nèi)的負(fù)載、加熱腔本身以及加熱腔內(nèi)的空氣都會吸收微波源輸出至加熱腔內(nèi)的微波，所以，微波在加熱腔內(nèi)存在損耗，稱之為回波損耗，回波損耗可以為入射功率與反射功率之差。

其中，微波源可以包括一個或者多個，對于采用多個微波源的微波爐，分別檢測每個微波源在輸出每種頻率和相位組合的微波時的獨(dú)立入射功率和獨(dú)立反射功率，將在輸出每種頻率和相位組合的微波時的每個微波源的獨(dú)立入射功率的和值以及獨(dú)立反射功率的和值作為對應(yīng)頻率和相位組合的入射功率和反射功率，進(jìn)而計(jì)算每種頻率和相位組合下的回波損耗。

S4，根據(jù)每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級。

在這里，負(fù)載等級根據(jù)負(fù)載對微波的吸收能力來劃分。具體地，當(dāng)加熱腔內(nèi)有重負(fù)載時，即言，負(fù)載較多也就是負(fù)載對微波的吸收能力較強(qiáng)時，入射至加熱腔內(nèi)的微波，大部分會被負(fù)載吸收，此時計(jì)算的回波損耗會很大；當(dāng)加熱腔內(nèi)存在輕負(fù)載，其中，輕負(fù)載可以理解為吸收微波能力較小的負(fù)載，可以包括諸如以下的情況：例如少量水或者含水量少的負(fù)載，或者體積小在微波場中接觸的微波少，因此吸收的微波就少，或者，負(fù)載本身吸收微波的特性差等，大量的微波會反射回微波源，此時回波損耗會很小。

在進(jìn)行加熱控制時，控制器控制微波源輸出不同頻率和相位組合的微波，當(dāng)加熱腔內(nèi)有重負(fù)載時，根據(jù)各種頻率和相位組合的入射功率和反射功率的檢測，可以計(jì)算出在大多數(shù)的頻率相位組合下的微波的回波損耗都會很大，隨著不斷的加熱，能夠吸收微波的負(fù)載變少，例如水慢慢蒸發(fā)，或者負(fù)載溫度高能以吸收微波，甚至，負(fù)載碳化而不再吸收微波，認(rèn)為負(fù)載量越來越少，則越來越多的頻率相位組合下的回波損耗會慢慢變小。

所以，根據(jù)回波損耗可以判斷負(fù)載量的多少，了解負(fù)載的加熱狀態(tài)。

S5，根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源的輸出。

例如，對于重負(fù)載可以繼續(xù)進(jìn)行大功率加熱，而當(dāng)出現(xiàn)輕負(fù)載加熱時，為了避免加熱過度，造成對負(fù)載以及微波系統(tǒng)的損壞，可以降低功率或者關(guān)斷微波輸出，以保護(hù)系統(tǒng)。

可以看出，本發(fā)明實(shí)施例的微波爐加熱控制方法，通過每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，即判斷負(fù)載量，繼而根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源的輸出，避免過度加熱，提高安全性，更好地保護(hù)微波爐。

具體來說，在等于或大于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。例如，當(dāng)計(jì)算的大多數(shù)例如95％的頻率和相位組合下的回波損耗小于預(yù)設(shè)回?fù)p閾值時，則確定當(dāng)前加熱腔內(nèi)的負(fù)載為輕負(fù)載。

對于多個微波源來說，如果其中一部分微波源的反射很小或者幾乎沒有，可以通過分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的入射功率和反射功率，并分別計(jì)算每個微波源在每種頻率和相位組合下的回波損耗，當(dāng)設(shè)定數(shù)量的微波源在大于或等于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

下面，以雙微波源的半導(dǎo)體微波爐為例，對上述特殊情況下的加熱控制過程進(jìn)行說明。例如，在加熱腔內(nèi)加入1升水，然后滿功率開始加熱，開始加熱階段，由于負(fù)載量大，入射的微波大部分被水吸收，檢測到兩個微波源輸出微波的回波損耗分別為16dB(分貝)和20dB左右，隨著水慢慢加熱蒸發(fā)，直到剩余100毫升水時，當(dāng)采用不同頻率相位組合進(jìn)行加熱時，檢測到兩個微波源的回波損耗分別為5dB和9dB左右，因此如果設(shè)定的回?fù)p閾值為5dB，具體地可以根據(jù)不同的匹配進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)檢測到任何一個微波源，在大多數(shù)例如95％以上的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，或者兩個微波源的回波損耗均小于5dB時，即確定被加熱負(fù)載為輕負(fù)載，較優(yōu)地，只要存在回波損耗小于5dB的情況即進(jìn)行保護(hù)動作。

進(jìn)一步地，有時需要加熱特定的負(fù)載例如一杯咖啡或者牛奶(100-200ml)，或者一份爆米花，此類負(fù)載屬于輕負(fù)載，但又需要采用大功率加熱，例如爆米花需要大功率才能爆開，因此，在本發(fā)明的實(shí)施例，微波爐加熱控制時還包括：判斷輕負(fù)載是否為設(shè)定輕負(fù)載，設(shè)定輕負(fù)載理解為吸收微波能力小但需要高功率加熱的負(fù)載；如果輕負(fù)載為設(shè)定輕負(fù)載，則控制微波源以不同的頻率和相位組合中回波損耗最優(yōu)的頻率和相位組合輸出微波以進(jìn)行加熱。如果輕負(fù)載不屬于設(shè)定輕負(fù)載，則控制微波源降低功率至預(yù)設(shè)功率或者控制微波源關(guān)斷微波輸出，以避免對負(fù)載以及系統(tǒng)的損壞。

在實(shí)際中，可以在微波爐的控制器中預(yù)設(shè)一個特定負(fù)載持續(xù)大功率加熱的功能，并且在加熱之前，進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)置，預(yù)設(shè)特定的負(fù)載例如咖啡、牛奶或爆米花為設(shè)定輕負(fù)載。在加熱過程中，當(dāng)檢測到微波源在達(dá)到預(yù)設(shè)量例如95％的頻率和相位組合下的回波損耗小于預(yù)設(shè)的回?fù)p閾值時，則確定為輕負(fù)載，進(jìn)而判斷當(dāng)前負(fù)載是否為設(shè)定輕負(fù)載，如果是，則在頻率和相位組合中選擇回波損耗較好的組合輸出微波以繼續(xù)進(jìn)行大功率加熱，以滿足設(shè)定輕負(fù)載的加熱需求。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例的微波爐加熱控制方法的流程圖，如圖2所示，包括：

S110，預(yù)設(shè)回?fù)p閾值，進(jìn)行加熱。

S120，檢測在不同的頻率相位組合下的入射功率和反射功率，并計(jì)算回波損耗。

S130，判斷是否達(dá)到預(yù)設(shè)量的頻率相位組合的回波損耗都小于回?fù)p閾值，如果是，則進(jìn)入步驟S140，否則，返回步驟S120。

S140，判斷當(dāng)前負(fù)載是否為設(shè)定輕負(fù)載，如果是，則進(jìn)入步驟S150，否則，進(jìn)入步驟S160。

S150，在頻率和相位組合中選擇回波損耗相對較好的組合輸出微波以繼續(xù)進(jìn)行大功率加熱。

S160，降低入射功率或者停止微波輸出。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，微波爐可以包括半導(dǎo)體微波爐，半導(dǎo)體微波爐具備如下的功能：1、能夠2.4GHz至2.5GHz內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)頻率，能在-180°至+180°內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)相位；2.有一個或多個微波源，各個微波源能夠工作在相同頻率下，例如，由同一微波信號產(chǎn)生模塊產(chǎn)生以使頻率完全相同；3.能檢測反射功率與入射功率；4.能連續(xù)調(diào)節(jié)所有微波源的輸出功率；5.能分析、計(jì)算、儲存、調(diào)用上述數(shù)據(jù)(輸出功率、頻率、相位、入射、反射功率等)；6.能根據(jù)反射功率、入射功率值來調(diào)節(jié)微波加熱狀態(tài)，例如，調(diào)節(jié)微波的工作頻率、相位、功率、通斷等。半導(dǎo)體微波爐采用上述加熱控制方法，可以判斷負(fù)載量的多少，了解負(fù)載加熱狀態(tài)，當(dāng)出現(xiàn)異常負(fù)載時，可以停止系統(tǒng)工作，有效避免過度加熱，節(jié)省電能，提高系統(tǒng)安全性。

下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明另一方面實(shí)施例的微波爐。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微波爐的框圖，如圖3所示，該微波爐100包括微波源10、第一功率檢測裝置20、第二功率檢測裝置30和控制裝置40。

其中，在加熱時，微波源10分別輸出不同頻率和相位組合的微波；第一功率檢測裝置20用于檢測微波源10的入射功率，第二功率檢測裝置30用于檢測微波源10的反射功率。

其中，微波源10可以包括一個或多個，在微波源包括多個時，第一功率檢測裝置20分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的獨(dú)立入射功率；第二功率檢測裝置30分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的獨(dú)立反射功率；控制裝置40將在每種頻率和相位組合下的每個微波源的獨(dú)立入射功率的和值以及獨(dú)立反射功率的和值作為對應(yīng)頻率和相位的組合的所述入射功率和反射功率。

控制裝置40根據(jù)微波源10在輸出每種頻率和相位組合的微波時的入射功率和反射功率分別計(jì)算在每種頻率和相位組合下的微波的回波損耗，回波損耗可以為入射功率與反射功率之差。

控制裝置40根據(jù)每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，在這里，負(fù)載等級根據(jù)負(fù)載對微波的吸收能力來劃分。當(dāng)加熱腔內(nèi)有重負(fù)載時，即言，負(fù)載較多也就是負(fù)載對微波的吸收能力較強(qiáng)時，入射至加熱腔內(nèi)的微波，大部分會被負(fù)載吸收，此時計(jì)算的回波損耗會很??；當(dāng)加熱腔內(nèi)存在輕負(fù)載，其中，輕負(fù)載可以理解為吸收微波能力較小的負(fù)載，可以包括諸如以下的情況：例如少量水或者含水量少的負(fù)載，或者體積小在微波場中接觸的微波少，因此吸收的微波就少，或者，負(fù)載本身吸收微波的特性差等，大量的微波會反射回微波源，此時回波損耗會很小。所以，根據(jù)回波損耗可以判斷負(fù)載量的多少，了解負(fù)載的加熱狀態(tài)。

以及，控制裝置40根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源10的輸出。例如，對于重負(fù)載可以繼續(xù)進(jìn)行大功率加熱，而當(dāng)出現(xiàn)輕負(fù)載加熱時，為了避免加熱過度，造成對負(fù)載以及微波系統(tǒng)的損壞，可以降低功率或者關(guān)斷微波輸出，以保護(hù)系統(tǒng)。

本發(fā)明實(shí)施例的微波爐100，通過每種頻率和相位組合的微波的回波損耗判斷被加熱負(fù)載的負(fù)載等級，即判斷負(fù)載量，繼而根據(jù)負(fù)載等級調(diào)節(jié)微波源的輸出，避免過度加熱，提高安全性。

具體來說，控制裝置40在等于或大于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。例如，當(dāng)計(jì)算的大多數(shù)例如95％的頻率和相位組合下的回波損耗小于預(yù)設(shè)回?fù)p閾值時，控制裝置40確定當(dāng)前加熱腔內(nèi)的負(fù)載為輕負(fù)載。

對于微波源包括多個的情況，如果其中一部分微波源的反射很小或者幾乎沒有，可以通過第一功率檢測裝置20和第二功率檢測裝置30分別檢測每個微波源在每種頻率和相位組合下的入射功率和反射功率，控制裝置40分別計(jì)算每個微波源在每種頻率和相位組合下的回波損耗，在設(shè)定數(shù)量的微波源在大于或等于預(yù)設(shè)量的頻率和相位組合下的回波損耗小于回?fù)p閾值時，確定被加熱負(fù)載為輕負(fù)載。

進(jìn)一步地，有時需要加熱特定的負(fù)載例如一杯咖啡或者牛奶(100-200ml)，或者一份爆米花，此類負(fù)載屬于輕負(fù)載，但又需要采用大功率加熱，例如爆米花需要大功率才能爆開，所以在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以設(shè)置特定輕負(fù)載，如圖4所示，該微波爐100還包括設(shè)定裝置50，設(shè)定裝置50用于接收用戶輸入指令以生成設(shè)定輕負(fù)載，設(shè)定輕負(fù)載理解為吸收微波能力小但需要高功率加熱的負(fù)載。

進(jìn)而，在判斷杯加熱負(fù)載為輕負(fù)載之后，控制裝置40還用于判斷該輕負(fù)載是否為設(shè)定輕負(fù)載，并在輕負(fù)載為設(shè)定輕負(fù)載時，控制微波源10以不同的頻率和相位組合中回波損耗最優(yōu)的頻率和相位組合輸出微波?？刂蒲b置40在輕負(fù)載不屬于設(shè)定輕負(fù)載時，控制微波源10降低功率至預(yù)設(shè)功率或者控制微波源10關(guān)斷微波輸出。

半導(dǎo)體微波爐具有實(shí)現(xiàn)上述加熱過程控制的功能，例如微波源輸出微波的頻率和相位可調(diào)，微波源包括多個或一個，可以調(diào)節(jié)輸出功率等，本發(fā)明的實(shí)施例微波爐100包括半導(dǎo)體微波爐。

總而言之，本發(fā)明實(shí)施例的微波爐100，相較于傳統(tǒng)的微波爐，通過微波檢測，可以判斷負(fù)載量，了解負(fù)載加熱狀態(tài)，微波加熱過度時，反映快速，利于保護(hù)負(fù)載和系統(tǒng)。

需要說明的是，在本說明書的描述中，流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用于實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理器的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說明書而言，"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"可以是任何可以包含、存儲、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下：具有一個或多個布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)，可擦除可編輯只讀存儲器(EPROM或閃速存儲器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲器(CDROM)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^對紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時以其他合適方式進(jìn)行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲在計(jì)算機(jī)存儲器中。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn)：具有用于對數(shù)據(jù)信號實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。

本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。