太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，在制成太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的內(nèi)表面形成一層石墨烯納米薄膜；所述的石墨烯納米薄膜的厚度為0.05μm～2μm；所述的石墨烯納米薄膜通過機(jī)械方法、化學(xué)方法和表面噴涂的方法形成。本發(fā)明增加了儲(chǔ)熱裝置的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高了儲(chǔ)熱裝置的耐磨性、耐蝕性，降低材料成本及加工成本，提高儲(chǔ)熱裝置的使用壽命。
【專利說明】太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能系統(tǒng)中儲(chǔ)熱介質(zhì)多為高溫介質(zhì)，儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的需用應(yīng)力隨介質(zhì)溫度的升高而降低，嚴(yán)重影響到儲(chǔ)熱裝置及整個(gè)光熱發(fā)電系統(tǒng)的安全；
[0003]傳統(tǒng)解決辦法多采用加厚儲(chǔ)熱裝置結(jié)構(gòu)厚度的方法進(jìn)行強(qiáng)度補(bǔ)償，這種方法不僅增加了材料成本，同時(shí)還增加了加工制造難度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提出一種太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，解決太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能裝置選材的難題。
[0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，在制成太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的內(nèi)表面形成一層石墨烯納米薄膜；所述的石墨烯納米薄膜的厚度為0.05 μ m?2 μ m ;所述的石墨烯納米薄膜通過機(jī)械方法、化學(xué)方法和表面噴涂的方法形成。所述的機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和表面生長(zhǎng)法。所述的化學(xué)方法包括氧化減薄片法、化學(xué)氣相沉積法和肼還原法。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:增加了儲(chǔ)熱裝置的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高了儲(chǔ)熱裝置的耐磨性、耐蝕性，降低材料成本及加工成本，提高儲(chǔ)熱裝置的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0008]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖中:1、儲(chǔ)熱裝置結(jié)構(gòu)材料；2、石墨烯納米薄膜。

【具體實(shí)施方式】
[0010]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0011]實(shí)施例一
[0012]如圖1所示，在制成太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的內(nèi)表面形成一層石墨烯納米薄膜；所述的石墨烯納米薄膜的厚度為0.05 μ m ;石墨烯納米薄膜通過機(jī)械方法、化學(xué)方法和表面噴涂的方法形成。機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和表面生長(zhǎng)法?；瘜W(xué)方法包括氧化減薄片法、化學(xué)氣相沉積法和肼還原法。
[0013]實(shí)施例二
[0014]在制成太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的內(nèi)表面形成一層石墨烯納米薄膜；所述的石墨烯納米薄膜的厚度為2 μ m ;石墨烯納米薄膜通過機(jī)械方法、化學(xué)方法和表面噴涂的方法形成。機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和表面生長(zhǎng)法?；瘜W(xué)方法包括氧化減薄片法、化學(xué)氣相沉積法和肼還原法。
[0015]通過對(duì)太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能裝置結(jié)構(gòu)材料內(nèi)表面的處理，在材料內(nèi)表面形成石墨烯納米薄膜層，能極大的增強(qiáng)太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能裝置結(jié)構(gòu)材料的機(jī)械強(qiáng)度、抗腐蝕強(qiáng)度，調(diào)高太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)能裝置的使用壽命。
[0016]以上說明書中描述的只是本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，各種舉例說明不對(duì)本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對(duì)以前所述的【具體實(shí)施方式】做修改或變形，而不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，其特征在于:在制成太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置的結(jié)構(gòu)材料的內(nèi)表面形成一層石墨烯納米薄膜；所述的石墨烯納米薄膜的厚度為0.05μπ--2μ-- ;所述的石墨烯納米薄膜通過機(jī)械方法、化學(xué)方法和表面噴涂的方法形成。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，其特征在于:所述的機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和表面生長(zhǎng)法。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能光熱發(fā)電儲(chǔ)熱裝置內(nèi)表面處理方法，其特征在于:所述的化學(xué)方法包括氧化減薄片法、化學(xué)氣相沉積法和肼還原法。
【文檔編號(hào)】F24J2/34GK104315734SQ201410529681
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月9日
【發(fā)明者】張雷, 李華, 郭曉明, 劉平心, 郭廷偉, 殷建平, 田洪增 申請(qǐng)人:江蘇太陽(yáng)寶新能源有限公司