專利名稱：高阻隔尼龍薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及尼龍薄膜包裝領(lǐng)域，尤其涉及一種具有氧氣阻隔性能的雙向拉伸尼龍薄膜及其制備方法。技術(shù)背景
MXD6 (一種由間苯二甲胺和已二酸縮聚而成的尼龍)與其他的阻隔性材料相比，在煮沸處理或蒸餾處理時(shí)具有阻氣性下降少、阻氣性恢復(fù)快的特點(diǎn)。利用此特點(diǎn)，可以制作成具有高阻隔性能的薄膜。但其與PA6 (尼龍6)薄膜相比，MXD6存在柔軟性差的特點(diǎn)，如單獨(dú)使用則薄膜脆性較大。綜合兩種材料的特點(diǎn)，在不影響阻隔性能的前提下，將兩種材料熔融共混，擠出鑄片后再雙向拉伸，可制作成高阻隔薄膜。但是兩種材料的加工特性差異較大，其中PA6的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為55°C，而MXD6的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為85°C，如按照通常的雙向拉 伸尼龍薄膜(ΒΟΡΑ薄膜)生產(chǎn)工藝很難實(shí)現(xiàn)正常生產(chǎn)，其在MD拉伸(縱向拉伸)階段存在以下矛盾拉伸溫度設(shè)置在MXD6的TG溫度(玻璃化溫度)以上，則遠(yuǎn)超ΡΑ6的正常加工溫度，此時(shí)薄膜與拉伸輥出現(xiàn)粘連現(xiàn)象，造成薄膜表面損傷，嚴(yán)重影響生產(chǎn)過程和薄膜品質(zhì)；若溫度太低，由于含有MXD6，薄膜無法進(jìn)行拉伸，使生產(chǎn)無法正常進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的范圍只由后附權(quán)利要求書所規(guī)定，在任何程度上都不受這一節(jié)發(fā)明內(nèi)容的陳述所限。本發(fā)明的目的是提供一種高阻隔尼龍薄膜，包括第一表層、芯層、第二表層，其中在所述第一表層中MXD6 (—種由間苯二甲胺和已二酸縮聚而成的尼龍)質(zhì)量百分比含量為10 30%，PA6 (尼龍6)質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4% ；在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為10 30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4%。其中，在所述自制母料中，尼龍6質(zhì)量百分比含量為88% 95%，開口劑質(zhì)量百分比含量為2 5%，爽滑劑質(zhì)量百分比含量為3 7%。其中，所述的開口劑是氣相法二氧化硅、沉淀法二氧化硅中的一種或者它們的組合，所述爽滑劑為聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一種或它們的混合物。其中，所述第一表層厚度為3-5 μ m,所述芯層厚度為5-9 μ m,所述第二表層厚度為 3-5 μ m。其中，在所述芯層中MXD6質(zhì)量百分比含量為100%。優(yōu)選的，在所述第一表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ;在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ;其中，所述第一表層、芯層、第二表層的厚度均為5 μ m。本發(fā)明的目的是還提供一種高阻隔尼龍薄膜的制備方法，包括以下步驟將含有質(zhì)量百分比含量為10 30%的MXD6，質(zhì)量百分比含量為66 88%的PA6，質(zhì)量百分比含量為2 4%的自制母料通過熔融擠出獲得第一表層熔體；將含有質(zhì)量百分比含量為100%的MXD6通過熔融擠出獲得芯層熔體；將含有質(zhì)量百分比含量為10 30%的MXD6，質(zhì)量百分比含量為66 88%的PA6，質(zhì)量百分比含量為2 4%的自制母料通過熔融擠出獲得第二表層熔體；對所述第一表層熔體、芯層熔體和第二表層熔體進(jìn)行共擠出；對共擠出獲得的鑄片進(jìn)行縱向拉伸和橫向拉伸形成由第一表層、芯層和第二表層構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)薄膜。其中，在進(jìn)行所述縱向拉伸時(shí)，采用的是兩點(diǎn)拉伸及其拉伸倍率為2-4倍。其中，還包括收卷步驟，在所述收卷步驟中對所述第一表層和第二表層中的至少一者進(jìn)行電暈處理。


圖I為本發(fā)明高阻隔性薄膜的三層結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍中。圖I為本發(fā)明高阻隔性薄膜的三層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖I所示，本發(fā)明的高阻隔性薄膜包括第一表層I、芯層2、第二表層3,即將第一表層I、芯層2、第二表層3的熔體通過共擠模頭流延至激冷輥鑄片，然后將上述鑄片進(jìn)行縱向和橫向拉伸而形成。在上述三層結(jié)構(gòu)中，芯層2位于第一表層I和第二表層3之間。其中,在上述第一表層I中MXD6質(zhì)量百分比(%wt)含量為10 30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4%,優(yōu)選地,上述第一表層I的厚度為3-5 μ m,更優(yōu)選地,上述第一表層I的厚度為5 μ m ;上述芯層2的成份基本上為MXD6，也就是說，MXD6在上述芯層2中所占的質(zhì)量百分比基本上為100%，優(yōu)選地，上述芯層2的厚度為5-9 μ m,更優(yōu)選地，上述芯層2的厚度為5 μ m ;在上述第二表層3中MXD6質(zhì)量百分比含量為10 30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4%，優(yōu)選地，上述第二表層3的厚度為3-5 μ m，更優(yōu)選地，上述第二表層3的厚度為5 μ m。在上述實(shí)施方式中，上述自制母料包含有尼龍6(PA6)、開口劑和爽滑劑。其中，優(yōu)選地，上述尼龍6占上述自制母料自身質(zhì)量的百分比含量為88% 95%，上述開口劑占上述自制母料自身質(zhì)量的百分比含量為2 5%，上述爽滑劑占上述自制母料自身質(zhì)量的百分比含量為3 7%。優(yōu)選地，上述爽滑劑為高性能的爽滑劑。更優(yōu)選地，上述爽滑劑為聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一種或它們的組合，所述的開口劑是氣相法二氧化硅、沉淀法二氧化硅中的一種或者它們的組合。上述自制母料有效地防止了在高阻隔尼龍薄膜加工過程中粘輥現(xiàn)象的發(fā)生。本發(fā)明的高阻隔性薄膜的制造方法如下按預(yù)定的質(zhì)量百分比進(jìn)行投料，完成熔融擠出、鑄片、拉伸工序，最后得到高阻隔性薄膜。具體工藝如下
將MXD6、PA6和自制母料按質(zhì)量百分比進(jìn)行投料，然后通過擠出機(jī)熔融擠出獲得上述第一表層I的熔體；將MXD6投料，然后通過擠出機(jī)熔融擠出獲得上述芯層2的熔體；將MXD6、PA6和自制母料按質(zhì)量百分比進(jìn)行投料，然后通過擠出機(jī)熔融擠出獲得上述第二表層3的熔體。上述第一表層I、芯層2、第二表層3的熔體共擠出時(shí)優(yōu)選的加工溫度為260-265 0C，更優(yōu)選 265 °C。將由上述步驟獲得的第一表層I、芯層2、第二表層3的熔體通過共擠模頭流延至激冷輥鑄片，并將鑄片進(jìn)行縱向拉伸和橫向拉伸得到高阻隔性薄膜。上述共擠模頭可以為三層共擠模頭。優(yōu)選地，在上述縱向拉伸時(shí)，采用的是兩點(diǎn)拉伸，更優(yōu)選地，上述拉伸倍率為2-4倍。其中，上述縱向拉伸時(shí)的溫度為70-80°C，優(yōu)選80°C ;上述橫向拉伸時(shí)的溫度為110-120°C，優(yōu)選 120。。。還可以將上述通過縱向拉伸和橫向拉伸后獲得高阻隔性薄膜進(jìn)行收卷。優(yōu)選地，在收卷過程中，對上述第一表層I和第二表層3中的至少一者進(jìn)行電暈處理。在上述實(shí)施方式中，可以將由上述步驟獲得的第一表層I、芯層2、第二表層3的熔體通過共擠模頭流延至激冷輥鑄片，并將鑄片依次進(jìn)行縱向拉伸和橫向拉伸。但不限于此。也可以將由上述步驟獲得的第一表層I、芯層2、第二表層3的熔體通過共擠模頭流延至激冷輥鑄片，并將鑄片在縱向和橫向同時(shí)進(jìn)行拉伸。也可以將鑄片依次進(jìn)行橫向拉伸和縱向拉伸。實(shí)施例(參見表I)· 表I各實(shí)施例、比較例組成和評價(jià)表
權(quán)利要求
1.一種高阻隔尼龍薄膜,包括第一表層、芯層、第二表層,其特征在于 在所述第一表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為10 30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4% ； 在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為10 30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66 88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2 4%。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高阻隔尼龍薄膜，其特征在于 在所述自制母料中，PA6質(zhì)量百分比含量為88% 95%，開口劑質(zhì)量百分比含量為2 5%，爽滑劑質(zhì)量百分比含量為4 8%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高阻隔尼龍薄膜，其特征在于所述的開口劑為氣相法二氧化硅和沉淀法二氧化硅中的一種或者它們的組合； 所述爽滑劑為聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一種或它們的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3任一所述的高阻隔尼龍薄膜，其特征在于所述第一表層厚度為3-5 μ m,所述芯層厚度為5-9 μ m,所述第二表層厚度為3-5 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高阻隔尼龍薄膜，其特征在于在所述芯層中MXD6質(zhì)量百分比含量為100%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高阻隔尼龍薄膜，其特征在于 在所述第一表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ； 在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ； 在所述芯層中MXD6質(zhì)量百分比含量為100% ； 其中，所述第一表層、芯層、第二表層的厚度均為5μηι。
7.一種高阻隔尼龍薄膜的制備方法，包括以下步驟 將含有質(zhì)量百分比含量為10 30%的MXD6，質(zhì)量百分比含量為66 88%的ΡΑ6，質(zhì)量百分比含量為2 4%的自制母料通過熔融擠出獲得第一表層熔體； 將含有質(zhì)量百分比含量為100%的MXD6通過熔融擠出獲得芯層熔體； 將含有質(zhì)量百分比含量為10 30%的MXD6，質(zhì)量百分比含量為66 88%的ΡΑ6，質(zhì)量百分比含量為2 4%的自制母料通過熔融擠出獲得第二表層熔體； 對所述第一表層熔體、芯層熔體和第二表層熔體進(jìn)行共擠出； 對共擠出獲得的鑄片進(jìn)行縱向拉伸和橫向拉伸形成由第一表層、芯層和第二表層構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于在所述自制母料中，ΡΑ6質(zhì)量百分比含量為88% 95%，開口劑質(zhì)量百分比含量為2 5%，爽滑劑質(zhì)量百分比含量為3 7%。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述的開口劑為氣相法二氧化硅、沉淀法二氧化硅中的一種或者它們的組合； 所述爽滑劑為聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一種或它們的混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7 9任一所述的方法，其特征在于所述第一表層厚度為3-5μ m,所述芯層厚度為5-9 μ m,所述第二表層厚度為3-5 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求7 9任一所述的方法，其特征在于在進(jìn)行所述縱向拉伸時(shí)，采用的是兩點(diǎn)拉伸及其拉伸倍率為2-4倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求7 9任一所述的方法,其特征在于 在所述第一表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ； 在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為20%，PA6質(zhì)量百分比含量為78%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2% ； 在所述芯層中MXD6質(zhì)量百分比含量為100% 其中，所述第一表層、芯層、第二表層的厚度均為5μηι。
13.根據(jù)權(quán)利要求7 9任一所述的方法，其特征在于還包括收卷步驟，在所述收卷步驟中對所述第一表層和第二表層中的至少一者進(jìn)行電暈處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高阻隔尼龍薄膜，包括第一表層、芯層、第二表層，其特征在于在所述第一表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為10～30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66～88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2～4%；在所述第二表層中MXD6質(zhì)量百分比含量為10～30%，PA6質(zhì)量百分比含量為66～88%，自制母料質(zhì)量百分比含量為2～4%。本發(fā)明還提供一種高阻隔尼龍薄膜的制備方法。
文檔編號B29C69/00GK102896849SQ20121025020
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月19日
發(fā)明者林鳳龍, 趙黎 申請人:廈門長塑實(shí)業(yè)有限公司