專利名稱：從半導(dǎo)體晶片上移除不必要物質(zhì)的方法及使用其的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用一分離帶從一半導(dǎo)體晶片的一表面移除諸如一保護(hù)帶或保護(hù)膜等不必要物質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片的制造過程中(以下簡(jiǎn)稱“晶片”)，當(dāng)事先形成圖案的晶片背面被磨削時(shí)(背面磨削)，一較寬保護(hù)帶被預(yù)先連接到晶片表面上。從晶片外周凸出的保護(hù)帶沿晶片的外徑被切掉。其整個(gè)表面被保護(hù)帶覆蓋著的晶片被吸管從表面吸住，然后再經(jīng)過磨削工序。此后，不再需要的保護(hù)帶從晶片表面移除。
一種分離保護(hù)帶的方法是用一分離帶。根據(jù)此方法，通過使用在其上滾動(dòng)的一滾筒而使具有比保護(hù)帶更強(qiáng)附著力的分離帶被接合到晶片表面上的保護(hù)帶(不必要物質(zhì))。此后，分離帶被卷去，致使保護(hù)帶連同分離帶一起被分離。在背面磨削的工序中，在通過分離帶將不必要的保護(hù)帶從在背面磨削工序中變細(xì)的晶片分離和移除的時(shí)候，分離帶不能被連接到保護(hù)帶的末端，保護(hù)帶不能以穩(wěn)定方式被分離。有鑒于此，提出了一種用邊緣構(gòu)件來分離和移除保護(hù)帶的方法(JP-A2002-124494)。
然而近幾年來，半導(dǎo)體芯片表面上形成凸起的趨勢(shì)正以更快的速率出現(xiàn)。在用JP-A2002-124494中所述方法從在其表面上形成有凸起的晶片上分離的情況下，晶片表面可能會(huì)損壞。而且，在邊緣構(gòu)件和分離帶之間的摩擦力會(huì)產(chǎn)生雜物。有鑒于此，本發(fā)明人經(jīng)不懈努力通過用向上移動(dòng)的邊緣構(gòu)件來分離保護(hù)帶解決了此問題，并且明白了新問題在于就在離開晶片末端之前保護(hù)帶在側(cè)向滑動(dòng)，以及保護(hù)帶的粘性表面摩擦晶片表面而導(dǎo)致晶片被污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的提出是鑒于上述情況，所以本發(fā)明的目的在于提供一種不必要物質(zhì)的移除方法，該方法能夠從晶片上可靠地分離和移除不必要物質(zhì)而不對(duì)晶片造成損壞，甚至在通過分離帶從晶片上分離不必要物質(zhì)的情況下也不會(huì)對(duì)晶片造成損壞。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用如下配置一種方法將一分離帶接合到一半導(dǎo)體晶片上，接著，再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片上分離，從而將該半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離，該方法包括以下步驟通過使一邊緣構(gòu)件與接合到該半導(dǎo)體晶片的分離帶的一表面相接觸的方法來分離該分離帶，然后，在使該邊緣構(gòu)件的一末端壓到該半導(dǎo)體晶片的分離完成端部，在該分離完成端部不必要物質(zhì)從該半導(dǎo)體晶片分離。
根據(jù)本發(fā)明的方法，將邊緣構(gòu)件與分離帶表面相接觸，然后使邊緣構(gòu)件壓于晶片的分離完成端部，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，從而能防止在不必要物質(zhì)從晶片分離的時(shí)候不必要物質(zhì)在側(cè)向滑動(dòng)。
另外，使邊緣構(gòu)件壓于晶片的分離完成端部，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，當(dāng)分離帶從晶片分離時(shí)，就能減小邊緣構(gòu)件和分離帶之間的摩擦力。因此，就有可能防止晶片表面被污染，并且抑制雜物產(chǎn)生于分離帶。
由于使邊緣構(gòu)件壓于晶片上，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，因此即使當(dāng)晶片表面形成凸起時(shí)，凸起也不會(huì)在分離帶從晶片分離時(shí)遭受損壞。這里，分離完成端部包括在不必要物質(zhì)從晶片完全分離的部份的稍許前側(cè)上的一部分。分離完成端部的范圍變化取決于不必要物質(zhì)等的尺寸。例如，在不必要物質(zhì)是接合到晶片表面上的表面保護(hù)帶的情況下，從保護(hù)帶完全從晶片分離的晶片末端部分，分離完成端部較佳地具有晶片直徑的10％范圍或更小。
同樣在不必要物質(zhì)是以保護(hù)膜的情況下，與保護(hù)帶的情況相類似，從保護(hù)膜完全從晶片分離的晶片末端部分，分離完成端部較佳地是晶片直徑的10％范圍或更小。
此外，由于邊緣構(gòu)件被用作分離帶的分離，當(dāng)分離帶從晶片分離時(shí)分離帶能在固定方向被拉，從而減小分離阻力。有了這種結(jié)構(gòu)，甚至當(dāng)晶片很薄或甚至當(dāng)不必要物質(zhì)例如是接合到晶片表面的一表面保護(hù)帶或是形成于晶片表面上的一保護(hù)膜時(shí)，不必要物質(zhì)能夠可靠地從晶片移除而不對(duì)晶片造成損壞。
較佳地，是使分離帶的供應(yīng)速度等于邊緣構(gòu)件的移動(dòng)速度，或者分離帶以被施加其上的一預(yù)定張力被供應(yīng)。換句話說，分離帶能接合到晶片以便不使其彎曲。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還采用如下配置如上所述的方法，還包括以下步驟通過使該邊緣構(gòu)件的末端壓到該分離帶的一表面上的方法，將該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片的分離起始端部，該分離帶在該分離起始端被接合到半導(dǎo)體晶片上，接著再從該半導(dǎo)體晶片分離；在前一步驟中將該分離帶接合完成后，將該邊緣構(gòu)件的的末端從該分離帶的該表面釋放；以及在將該邊緣構(gòu)件的末端從該半導(dǎo)體晶片的該表面釋放的狀態(tài)下，分離該分離帶至分離完成端部，同時(shí)移動(dòng)該邊緣構(gòu)件以便使該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片上。
根據(jù)本發(fā)明的方法，將邊緣構(gòu)件壓于不必要物質(zhì)和晶片的分離阻力最大處的分離起始部分。因此，即使在晶片很薄的情況下，分離帶也能從晶片分離，從而使晶片無負(fù)載。
另外，使邊緣構(gòu)件與分離帶表面相接觸，然后被壓于晶片的分離完成端部，在該分離完成端部不必要物質(zhì)從晶片分離，從而當(dāng)不必要物質(zhì)從晶片分離時(shí)能防止不必要物質(zhì)在側(cè)向滑動(dòng)，并能防止分離帶被彎曲。
另外，使邊緣構(gòu)件被壓于晶片的分離完成端部上，在該分離完成端部不必要物質(zhì)從晶片分離，當(dāng)分離帶從晶片分離時(shí)能減小邊緣構(gòu)件和分離帶之間的摩擦力。因此，就有可能防止晶片表面被污染，并抑制從分離帶產(chǎn)生雜物。
由于邊緣構(gòu)件被壓于晶片分離完成端部，在該分離完成端部不必要物質(zhì)從晶片分離，因此甚至當(dāng)晶片表面形狀凸起時(shí)，凸起也不會(huì)在分離帶從晶片分離時(shí)遭受損壞。這里，分離起始端部包括從晶片的末端部分的一預(yù)定距離，邊緣構(gòu)件在移動(dòng)方向上與晶片的該端部相接觸。分離起始端部的范圍變化取決于不必要物質(zhì)等的尺寸。
在從晶片釋放邊緣構(gòu)件的末端的步驟中，較佳地，在邊緣構(gòu)件的末端相對(duì)于該分離帶具有一預(yù)定角度狀態(tài)下，分離帶從邊緣構(gòu)件的末端被釋放。此結(jié)構(gòu)有效地將在除了分離起始端部和分離完成端部之外的一部分與分離帶的摩擦抑制到最小。
較佳地，是使邊緣構(gòu)件的移動(dòng)速度在分離起始端部變慢。此結(jié)構(gòu)有可能使得從晶片的一末端部分接合分離帶，并提高了不必要物質(zhì)的移除效率。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還采用如下配置一種裝置，用于將一分離帶接合到一半導(dǎo)體晶片上，接著再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片上分離，從而將半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離，該裝置包括一傳送機(jī)構(gòu)，用于將該半導(dǎo)體晶片傳送至一預(yù)定工序；一對(duì)準(zhǔn)臺(tái)，用于對(duì)準(zhǔn)該半導(dǎo)體晶片，使該分離帶被接合到該半導(dǎo)體晶片上；一吸盤臺(tái)(Chuck Table)，用于保持該被對(duì)準(zhǔn)的半導(dǎo)體晶片；一分離帶供應(yīng)單元，用于向該被保持著的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)該分離帶；分離帶分離裝置，它通過使一邊緣構(gòu)件的末端壓到該被供應(yīng)的分離帶的一表面的方法，將該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)，然后，再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片的該表面分離，從而將該不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離；一分離帶收集器，用于收集該被分離的不必要的分離帶；以及控制裝置，用于控制該分離裝置，其通過使該分離裝置的邊緣構(gòu)件的末端壓到該分離帶并在其它部分將該邊緣構(gòu)件的末端從該分離帶釋放的方法，使該分離帶接合到不必要物質(zhì)的一分離起始端部和一分離完成端部，該分離帶在該分離起始端部和分離完成端部被接合到該半導(dǎo)體晶片上，然后再從該半導(dǎo)體晶片分離。
根據(jù)本發(fā)明的裝置，邊緣構(gòu)件與分離帶表面相接觸，然后在不必要物質(zhì)從晶片分離的分離完成端部處使邊緣構(gòu)件壓于晶片上，從而能防止在不必要物質(zhì)從晶片分離的時(shí)候不必要物質(zhì)在側(cè)向滑動(dòng)。
另外，使邊緣構(gòu)件壓于晶片的分離完成端部，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，當(dāng)分離帶從晶片分離時(shí)能減小邊緣構(gòu)件和分離帶之間的摩擦力。因此，就有可能防止晶片表面被污染，并抑制從分離帶產(chǎn)生雜物。
由于邊緣構(gòu)件被壓于晶片分離完成端部，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，因此甚至當(dāng)晶片表面形成凸起時(shí)，凸起也不會(huì)在分離帶從晶片分離時(shí)遭受損壞。


為圖解說明本發(fā)明，在附圖中示出了一些當(dāng)前較佳形式，然而應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明不局限于所示的精確布置和工具。
圖1是根據(jù)本發(fā)明不必要物質(zhì)移除方法的一實(shí)施例，示出了用于分離保護(hù)帶的一保護(hù)帶分離裝置的整體立體圖；圖2是保護(hù)帶分離裝置的整體正視圖；圖3示出了保護(hù)帶分離裝置的整體平面圖；圖4示出了分離帶接合單元和分離帶分離單元的正視圖；圖5示出了一分離帶分離邊緣構(gòu)件的支承結(jié)構(gòu)的正視圖；圖6示出了在分離帶分離運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)下一主要部分的立體圖；圖7至13分別舉例示出了一分離帶分離步驟的正視圖；圖14示出的是在分離帶分離步驟中一主要部分的放大正視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例來進(jìn)行描述。
根據(jù)本發(fā)明，一不必要物質(zhì)移除的方法具有以下效果使一邊緣構(gòu)件壓于一晶體的一分離完成端部，在該分離完成端部一不必要物質(zhì)從該晶片分離，從而使得當(dāng)該不必要物質(zhì)從晶片分離的時(shí)候，防止該不必要物質(zhì)在側(cè)向滑動(dòng)。由于使邊緣構(gòu)件壓于晶片的分離完成端部，不必要物質(zhì)在該分離完成端部從晶片分離，因此當(dāng)不必要物質(zhì)從晶片分離時(shí)，在分離帶和邊緣構(gòu)件之間的摩擦力會(huì)最小。結(jié)果，可以抑制在分離帶和邊緣構(gòu)件之間由于摩擦力而產(chǎn)生的灰塵。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明用于不必要物質(zhì)移除方法的一裝置的實(shí)施例。更具體地說，圖1所示為用于從晶片移除接合到晶片表面的保護(hù)帶的一保護(hù)帶移除裝置的整體立體圖，該保護(hù)帶為不必要物質(zhì)的一實(shí)例。圖2是其正視圖，圖3是其平面圖，圖4是分離帶接合單元和分離帶分離單元的正視圖，圖5是一分離帶分離邊緣構(gòu)件的支承結(jié)構(gòu)的正視圖，以及圖6是在分離帶分離運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)下一主部件的立體圖。
根據(jù)本實(shí)施例，設(shè)于一基座12上的保護(hù)帶移除裝置，包括一裝載有一盒子C1的晶片供應(yīng)單元1，該盒子C1容納有經(jīng)過背面磨削工序的一堆晶片W；具有一機(jī)械手2的一晶片傳送機(jī)構(gòu)3；一對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4，用于定位該晶片W；一分離帶供應(yīng)單元5，用于供應(yīng)分離帶T到一分離位置；一分離臺(tái)6，用于吸住晶片W；一分離帶接合單元7，用于將分離帶T接合到分離臺(tái)6上的晶片W；一分離帶分離單元8，用于分離被接合的分離帶T；一分離帶收集器，用于通過卷繞收集被分離的分離帶Ts；一晶片收集器10，具有一盒子C2，用于容納一堆被加工過的晶片W；一單元驅(qū)動(dòng)裝置11，用于彼此獨(dú)立地水平往復(fù)移動(dòng)分離帶接合單元7和分離帶分離單元8；以及等等其它裝置。晶片供應(yīng)單元1、晶片傳送機(jī)構(gòu)3、對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4、分離臺(tái)6、和晶片收集器10設(shè)置于基座12的上表面，然而分離帶供應(yīng)單元5和分離帶收集器9設(shè)置于垂直壁13的前表面上，該垂直壁13豎直立于基座12的上表面。而且，分離帶接合單元7和分離帶分離單元8設(shè)置于面向垂直壁13的下開口位置上，而單元驅(qū)動(dòng)裝置11設(shè)置于垂直壁13的背面。
晶片供應(yīng)單元1具有一結(jié)構(gòu)，其中處于水平狀態(tài)的晶片W裝載在盒臺(tái)14上，晶片W具有方向朝上的與保護(hù)帶P相接合的表面，并被插入到在其間提供有適當(dāng)?shù)拇怪笨臻g的盒子C1內(nèi)。盒臺(tái)14通過被氣缸15旋轉(zhuǎn)被設(shè)置于不同方向。晶片收集器10也有一結(jié)構(gòu)，其中晶片W裝載在盒臺(tái)16上，經(jīng)過保護(hù)帶分離工序的晶片W被插入到在其間提供有適當(dāng)垂直空間的盒子C2內(nèi)。盒臺(tái)16通過被氣缸17旋轉(zhuǎn)也可以被設(shè)置于不同方向。
晶片傳送機(jī)構(gòu)3的機(jī)械手2被構(gòu)造成在水平方向上可伸縮和可樞轉(zhuǎn)，用于從晶片供應(yīng)單元1取出晶片W，把晶片W供給對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4，從對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4將晶片W輸送到分離臺(tái)6內(nèi)，傳送來自分離臺(tái)6的加工過的晶片W并將加工過的晶片傳送到晶片收集器10內(nèi)。
如此設(shè)置分離帶供應(yīng)單元5，從而使得從最初的滾筒R供應(yīng)而來的分離帶T被引導(dǎo)至分離臺(tái)6上方的分離帶接合單元7和分離帶分離單元8。分離帶T的寬度比晶片W的直徑要小一些。
如圖3所示，帶有構(gòu)成一真空抽吸表面的其上表面的吸力墊18被可伸縮地垂直設(shè)置于分離臺(tái)6的中心。該臺(tái)子的上表面被設(shè)置為一真空抽吸表面以保持晶片W而不使其移動(dòng)。
如圖4所示，通過適于由電動(dòng)機(jī)M1在前后方向上驅(qū)動(dòng)的進(jìn)給絲桿23，沿導(dǎo)軌21被水平可移動(dòng)支撐著的可移動(dòng)臺(tái)22根據(jù)分離帶接合單元7按預(yù)定沖程水平往復(fù)。一接合滾筒25通過一搖擺臂24垂直可移動(dòng)地設(shè)置于可移動(dòng)臺(tái)22上。
同樣，如此設(shè)置分離帶分離單元8，從而使通過適于由電動(dòng)機(jī)M2在前后方向上驅(qū)動(dòng)的進(jìn)給絲桿27，沿導(dǎo)軌21被水平可移動(dòng)支撐著的可移動(dòng)臺(tái)26按預(yù)定沖程水平往復(fù)。可移動(dòng)臺(tái)26上設(shè)置有一分離帶分離邊緣構(gòu)件28、一導(dǎo)向滾筒29、適應(yīng)被旋轉(zhuǎn)的一供應(yīng)滾筒30以及與供應(yīng)滾筒30相對(duì)關(guān)系設(shè)置的一保持滾筒31。
如圖5、6所示，分離帶分離邊緣構(gòu)件28具有一銳利的末端。邊緣構(gòu)件28由平面構(gòu)件構(gòu)成，它比晶片的直徑寬，并通過裂縫33和螺栓34可伸縮地被固定連接到在可移動(dòng)臺(tái)26的前表面上被突出和可轉(zhuǎn)動(dòng)支撐的一轉(zhuǎn)動(dòng)軸32上。一操作桿35被固定和連接在旋轉(zhuǎn)軸32的基部上。可樞轉(zhuǎn)地連接于操作桿35自由端的一連接桿連接于安裝在可移動(dòng)臺(tái)26前表面的氣缸36的一活塞桿36a上。更具體地說，旋轉(zhuǎn)軸32是通過由于活塞桿的伸縮動(dòng)作而帶動(dòng)操作桿35的搖擺運(yùn)動(dòng)來轉(zhuǎn)動(dòng)的。由于此結(jié)構(gòu)，邊緣構(gòu)件28的末端被垂直移動(dòng)。
從操作桿35的自由端延伸而來的連接桿37被擰入氣缸36的活塞桿36a內(nèi)。更具體地說，通過調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)連接桿37的量，操作臂35與活塞桿36a凸伸至行程終端的搖擺角度，也就是說，在最低位置的邊緣構(gòu)件28的角度能按需要被調(diào)整。
如上所述，配置根據(jù)本實(shí)施例的保護(hù)帶分離裝置的各部件。接合到晶片W表面上的分離保護(hù)帶P的基本過程將參照?qǐng)D7至14進(jìn)行敘述。
首先，機(jī)械臂2從晶片供應(yīng)單元1的盒子C1中吸住并取出晶片W，并放置于對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4上?；诰琖的方位平直部分和槽口的檢測(cè)，晶片W被定位。如此設(shè)置的晶片W通過被支撐于機(jī)械臂2上被傳送和被供應(yīng)到分離臺(tái)6上。
由從分離臺(tái)突出得吸力墊18接收被傳送到分離臺(tái)6上的晶片W，隨著吸力墊18的向下運(yùn)動(dòng)呈一預(yù)定狀態(tài)被放置于分離臺(tái)6的上表面。晶片W如此與保護(hù)帶P相接合的方向朝上的表面被抽吸和保持住。在此工序中，如圖7所示，分離帶接合單元7和分離帶分離單元8設(shè)置在分離臺(tái)6后面一定距離處的待用位置上。
如圖8所示，當(dāng)晶片W放置于分離臺(tái)上時(shí)，分離帶接合單元7的接合滾筒25向下移動(dòng)至一預(yù)定接合的水平面，在那里整個(gè)單元向前移動(dòng)和接合滾筒25在晶片W上面滾動(dòng)。這樣，分離帶T被接合到保護(hù)帶P的表面上。
如圖9所示，當(dāng)分離帶T的接合完成時(shí)，分離帶分離單元8的氣缸36就凸出到行程終端，并且邊緣構(gòu)件28通過操作臂35的搖擺運(yùn)動(dòng)向下運(yùn)動(dòng)至下限。
接著，如圖10所示，分離帶分離單元8向前移動(dòng)。同時(shí)，分離帶T通過供應(yīng)滾筒30被供應(yīng)，供應(yīng)滾筒30的圓周速度與分離帶分離單元8的移動(dòng)速度相同步。在邊緣構(gòu)件28的尖端處以一預(yù)定角度被折回和導(dǎo)向的分離帶T通過導(dǎo)向滾筒29被導(dǎo)入供應(yīng)滾筒30和保持滾筒31之間。一旦邊緣構(gòu)件28的末端到達(dá)晶片W的末端，即，不必要物質(zhì)的保護(hù)帶P的分離起始端部，邊緣構(gòu)件28的末端就向上移動(dòng)而保持相同角度。這樣，保護(hù)帶P和晶片W在分離阻力最大處的分離起始端部被邊緣構(gòu)件28保持住。即使在晶片W很薄的情況下，分離帶T也能被分離而不施加任何負(fù)載于晶片W上。
如圖11所示，帶有向上移動(dòng)的邊緣構(gòu)件28的分離帶分離單元8與在那兒相接合的保護(hù)帶P整體向前移動(dòng)，從而使保護(hù)帶P從晶片W的表面被分離。這樣，在移動(dòng)期間晶片表面就不受壓于邊緣構(gòu)件28的末端；所以，在分離帶T和邊緣構(gòu)件28之間的摩擦力就減小了。結(jié)果，由于在分離帶T和邊緣構(gòu)件28之間的摩擦力而另外導(dǎo)致的灰塵就不會(huì)產(chǎn)生。同樣，即使在諸如晶片W的表面形成凸起等不規(guī)律的情況下，分離帶T也能被分離而不對(duì)晶片W造成損壞。
在此情況下，隨著邊緣構(gòu)件28越過晶片W的末端保護(hù)帶P開始被分離時(shí)，邊緣構(gòu)件28以低速前行，并接著以高速運(yùn)動(dòng)來提高加工效率。同樣，供應(yīng)滾筒30通過適于在一預(yù)訂或更高轉(zhuǎn)矩下滑動(dòng)的滑動(dòng)離合器由一驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)而被旋轉(zhuǎn)，從而分離帶T以施加其上的一預(yù)定張力被供應(yīng)。
如圖12所示，邊緣構(gòu)件28，隨著到達(dá)保護(hù)帶P從晶片W分離的分離完成端部，再次向下移動(dòng)并在其末端將分離帶T壓于晶片W上。結(jié)果，當(dāng)保護(hù)帶P從晶片W分離的時(shí)候，能防止其向側(cè)方滑動(dòng)。因而，當(dāng)保護(hù)帶P分離時(shí)，能防止保護(hù)帶P的粘合劑與晶片W的表面相接觸。
如圖13所示，當(dāng)用經(jīng)過晶片上方的分離帶分離單元8完成了保護(hù)帶P的分離時(shí)，晶片W通過機(jī)械臂2從分離臺(tái)6被傳送并且通過插入被容納于晶片收集器10的盒子C2內(nèi)。此后，分離帶接合單元7和分離帶分離單元8被移動(dòng)并恢復(fù)至最初的待用位置，被分離的分離帶Ts被卷繞和收集。同樣，接合滾筒25和邊緣構(gòu)件28向上移動(dòng)至最初的待用位置。
保護(hù)帶分離工序的一個(gè)過程就這樣完成了，接著就進(jìn)入下一步晶片接收階段。向上和向下移動(dòng)的操作以及邊緣構(gòu)件28的移動(dòng)速度被一控制單元(未圖示)集中控制。
圖14以放大形式示出了上述的一系列步驟。如圖14中所示，當(dāng)分離帶T被分離時(shí)，邊緣構(gòu)件28從晶片W向上移動(dòng)。在諸如保護(hù)帶P不必要物質(zhì)從晶片W分離的分離完成端部L處，使邊緣構(gòu)件28的末端壓于晶片W上，從而當(dāng)從晶片完全分離時(shí)能防止諸如保護(hù)帶P不必要物質(zhì)在側(cè)向滑動(dòng)。在不必要物質(zhì)是用于保護(hù)晶片W表面的保護(hù)帶P的情況下，分離完成端L較佳地是在晶片W直徑的10％范圍內(nèi)或更小。結(jié)果，可以可靠地防止在分離時(shí)保護(hù)帶P在側(cè)向的滑動(dòng)。同樣，減小了分離時(shí)在邊緣構(gòu)件28的末端和分離帶T之間的摩擦力。因此，能夠防止由于摩擦力而從分離帶T產(chǎn)生的構(gòu)成雜物的灰塵。如上所述的實(shí)施例論及了作為不必要物質(zhì)的接合到晶片表面的保護(hù)帶。然而，根據(jù)本發(fā)明被移除的不必要物質(zhì)也可以包括被用來在晶片表面上形成圖案的一保護(hù)膜。
在不必要物質(zhì)是一保護(hù)膜的情況下，分離帶在被直接接合到保護(hù)膜上后，可以通過相類似的方法被分離。這樣，保護(hù)膜能夠從晶片表面連同分離帶一起被可靠地移除。
本發(fā)明在不脫離其精神和本質(zhì)屬性的情況下還可以用其他特殊形式來具體描述，因此，應(yīng)當(dāng)指出本發(fā)明保護(hù)范圍時(shí)應(yīng)涉及所附權(quán)利要求書，而不是以上的說明。
權(quán)利要求
1.一種方法將一分離帶接合到一半導(dǎo)體晶片上，接著，再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片上分離，從而將該半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離，該方法包括以下步驟通過使一邊緣構(gòu)件與接合到該半導(dǎo)體晶片的分離帶的一表面相接觸的方法來分離該分離帶，然后，在使該邊緣構(gòu)件的一末端壓到該半導(dǎo)體晶片的分離完成端部，在該分離完成端部不必要物質(zhì)從該半導(dǎo)體晶片分離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包括以下步驟通過使該邊緣構(gòu)件的末端壓到該分離帶的一表面上的方法，將該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片的分離起始端部，該分離帶在該分離起始端被接合到半導(dǎo)體晶片上，接著再從該半導(dǎo)體晶片分離；在前一步驟中將該分離帶接合完成后，將該邊緣構(gòu)件的的末端從該分離帶的該表面釋放；以及在將該邊緣構(gòu)件的末端從該半導(dǎo)體晶片的該表面釋放的狀態(tài)下，分離該分離帶至分離完成端部，同時(shí)移動(dòng)該邊緣構(gòu)件以便使該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于在將該邊緣構(gòu)件的末端從該半導(dǎo)體晶片釋放的步驟中，在該邊緣構(gòu)件的末端相對(duì)于該分離帶的表面具有一預(yù)定角度狀態(tài)下，該邊緣構(gòu)件的末端從該分離帶的該表面釋放。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于在該分離起始端部，該邊緣構(gòu)件的移動(dòng)速度變慢。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于分離帶的供應(yīng)速度等于該邊緣構(gòu)件的移動(dòng)速度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該分離帶具有一被施加其上的預(yù)定張力。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在該分離完成端部的該分離帶的接合長(zhǎng)度等于或小于該半導(dǎo)體晶片的直徑的10％。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該不必要物質(zhì)是被接合到該半導(dǎo)體晶片表面上的一表面保護(hù)帶。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該不必要物質(zhì)是形成在該半導(dǎo)體晶片表面上的一保護(hù)膜。
10.一種裝置，用于將一分離帶接合到一半導(dǎo)體晶片上，接著再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片上分離，從而將半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離，該裝置包括一傳送機(jī)構(gòu)，用于將該半導(dǎo)體晶片傳送至一預(yù)定工序；一對(duì)準(zhǔn)臺(tái)，用于對(duì)準(zhǔn)該半導(dǎo)體晶片，使該分離帶被接合到該半導(dǎo)體晶片上；一吸盤臺(tái)，用于保持該被對(duì)準(zhǔn)的半導(dǎo)體晶片；一分離帶供應(yīng)單元，用于向該被夾持著的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)該分離帶；分離帶分離裝置，它通過使一邊緣構(gòu)件的末端壓到該被供應(yīng)的分離帶的一表面的方法，將該分離帶接合到該半導(dǎo)體晶片上的不必要物質(zhì)，然后，再將該分離帶從該半導(dǎo)體晶片的該表面分離，從而將該不必要物質(zhì)連同該分離帶一起分離；一分離帶收集器，用于收集該被分離的不必要的分離帶；以及控制裝置，用于控制該分離裝置，其通過使該分離裝置的邊緣構(gòu)件的末端壓到該分離帶并在其它部分將該邊緣構(gòu)件的末端從該分離帶釋放的方法，使該分離帶接合到不必要物質(zhì)的一分離起始端部和一分離完成端部，該分離帶在該分離起始端部和分離完成端部被接合到該半導(dǎo)體晶片上，然后再從該半導(dǎo)體晶片分離。
全文摘要
本發(fā)明的不必要物質(zhì)移除方法是，通過使邊緣構(gòu)件與接合到半導(dǎo)體晶片上的分離帶相接觸的方法，將分離帶接合到半導(dǎo)體晶片上，然后分離從半導(dǎo)體晶片上的分離帶，因此在半導(dǎo)體晶片上連同分離帶一起分離不必要物質(zhì)，從而分離帶從半導(dǎo)體晶片上被分離，并且使邊緣構(gòu)件的末端壓于半導(dǎo)體晶片的分離完成端部，不必要物質(zhì)在該完成端部從晶片分離。
文檔編號(hào)B29C63/00GK1638054SQ20051000408
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月7日
發(fā)明者山本雅之 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社