專利名稱：半導(dǎo)體密封用片及其制法和使用該片的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種用于半導(dǎo)體裝置的密封材料，能抑制密封樹(shù)脂部分發(fā)生內(nèi)部空隙的半導(dǎo)體密封用片的制造方法和用該法得到的半導(dǎo)體密封用片以及使用該片得到的高可靠性半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
迄今為止，對(duì)于IC、LSI等半導(dǎo)體器件，使用配合環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和無(wú)機(jī)物填充劑等熔融混煉以后，軋制冷卻后粉碎成粉末狀物作為密封材料。而且，有時(shí)也把這樣得到的粉末狀物直接供給封裝密封用成型機(jī)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的樹(shù)脂密封，然而一般地說(shuō)是，預(yù)先在要求形狀的金屬模具內(nèi)，對(duì)于密封所需要的量加壓打片而制作成片，將其供給封裝密封用成型機(jī)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置樹(shù)脂密封的方法。
這樣，之所以使用通過(guò)預(yù)先加壓成型法打片的片作為密封材料，是因?yàn)榧訅撼尚秃蟮钠?jīng)壓縮減小了密封材料中的粉碎后的粒子之間的空隙，所謂片內(nèi)含有的空氣量減少了的緣故。因而，通過(guò)采用這樣的片作為密封材料，密封后的封裝內(nèi)和表面上難以殘留空隙，則將顯著提高密封的可靠性和密封工序中的成品率。
但是，最近，隨著半導(dǎo)體裝置的薄型化進(jìn)展，在這種薄型封裝方面，當(dāng)然，密封樹(shù)脂層的厚度也將變薄，即使是以往不成為問(wèn)題的空隙，對(duì)薄型封裝而言也將成了重大缺陷的原因，因此以降低空隙發(fā)生率為目的，則要求片高密度化。例如，對(duì)于片的高密度化，提出了通過(guò)限定打片前的粉碎制品的粒度分布，調(diào)整粒子填充結(jié)構(gòu)，得到高密度片的方案(參照專利文獻(xiàn)1)?；蛘?，提出指定從混煉機(jī)吐出來(lái)的吐出物的溫度，限定冷卻粉碎該吐出物而獲得成型材料特性的環(huán)氧樹(shù)脂成型材料的制造方法(參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1

特開(kāi)平8-39549號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-220475號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容但是，在最近的高密度片的技術(shù)領(lǐng)域中，幾乎沒(méi)有得到其效果，歸根到底，實(shí)際情況可能是依賴于壓制成片時(shí)外加壓力的高壓化。其結(jié)果是，片密度比以真比重計(jì)已經(jīng)達(dá)到94％的水平，現(xiàn)在壓力以上的高壓化，既導(dǎo)致成型設(shè)備發(fā)生變形和損壞，而且又發(fā)生片制造時(shí)的成品率降低等問(wèn)題，現(xiàn)狀是對(duì)于片的制造設(shè)備本身求得其解決來(lái)說(shuō)已經(jīng)到了極限。
本發(fā)明正是鑒于這些情況而研發(fā)的，其目的在于提供一種通過(guò)使片高密度化而能夠減少封裝內(nèi)部發(fā)生空隙的半導(dǎo)體密封用片的制造方法，和用該法得到的半導(dǎo)體密封用片以及使用該片得到的高可靠性半導(dǎo)體裝置。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第1要點(diǎn)是具有下列工序的半導(dǎo)體密封用片的制造方法制備以下述的(A)～(C)成分作為必要成分的環(huán)氧樹(shù)脂組合物的混煉物的工序；將所述混煉物壓延成型為薄片密度比為98％或98％以上的薄片狀的工序；以及粉碎所述薄片狀成型體以后，把該粉碎物打片成型為片密度比為94％或94％以上且不足98％的片狀的工序。而且，本發(fā)明的第2要點(diǎn)是通過(guò)上述半導(dǎo)體密封用片的制造方法獲得的片密度比為94％或94％以上且不足98％的半導(dǎo)體密封用片。
(A)環(huán)氧樹(shù)脂。
(B)酚醛樹(shù)脂。
(C)無(wú)機(jī)物填充劑。
并且，本發(fā)明的第3要點(diǎn)是以使用所述半導(dǎo)體密封用片進(jìn)行樹(shù)脂密封半導(dǎo)體器件構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。
也就是，本發(fā)明人等，為了使用現(xiàn)有的打片成型設(shè)備以獲得曾是極限的高密度片，所以重復(fù)一連串的研究已發(fā)現(xiàn)，像以往那樣，僅僅使用把作為半導(dǎo)體密封用樹(shù)脂組合物的粉碎物打片成為片狀時(shí)的加壓力，壓碎冷卻固化了的粉碎粒子，去除粉末內(nèi)的空氣，不可能打片成為更高密度的片。根據(jù)這一發(fā)現(xiàn)，進(jìn)一步重復(fù)研究的結(jié)果又發(fā)現(xiàn)，首先，對(duì)于打片成型為片之前的密封材料，將作為上述密封材料的配合成分熔融狀態(tài)的混煉吐出物壓延成薄片時(shí)，壓延成型成為高密度比的薄片狀，粉碎該壓延薄片并打片成片狀時(shí)，則能大幅度地除去作為粉碎物的粉末內(nèi)的空氣，而且在謀求降低打片時(shí)的加壓力的同時(shí)，也更進(jìn)一步獲得更高密度的片，于是得到了用該片密封半導(dǎo)體器件時(shí)能夠抑制封裝內(nèi)形成空隙的半導(dǎo)體密封用片，從而達(dá)到了本發(fā)明的目的。
具體實(shí)施方案下面，詳細(xì)說(shuō)明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方案。
按照本發(fā)明獲得的半導(dǎo)體密封用片，是通過(guò)使用含有以環(huán)氧樹(shù)脂(A成分)、酚醛樹(shù)脂(B成分)、和無(wú)機(jī)物填充劑(C成分)作為必要成分的環(huán)氧樹(shù)脂組合物，將其混煉并成型為指定厚度薄片狀以后進(jìn)行粉碎，把該粉碎物打片成型為片狀而獲得。
就上述環(huán)氧樹(shù)脂(A成分)來(lái)說(shuō)，并沒(méi)有特別限定，可用現(xiàn)有公知的各種環(huán)氧樹(shù)脂。可以舉出例如，甲酚酚醛清漆型、苯酚酚醛清漆型、雙酚A型、聯(lián)苯型、三苯甲烷型和萘型等各種環(huán)氧樹(shù)脂等。這些除可單獨(dú)使用外，也可以并用二種或二種以上。
與上述環(huán)氧樹(shù)脂(A成分)一起使用的酚醛樹(shù)脂(B成分)，是發(fā)揮作為所述環(huán)氧樹(shù)脂固化劑作用的成分，并沒(méi)有特別限定，可用現(xiàn)有公知的材料，例如，可以舉出苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、雙酚A型酚醛清漆、萘酚酚醛清漆、酚醛芳烷樹(shù)脂等。這些可以單獨(dú)使用或二種或二種以上并用。
上述環(huán)氧樹(shù)脂(A成分)與酚醛樹(shù)脂(B成分)的配比，按環(huán)氧樹(shù)脂中每當(dāng)量環(huán)氧基計(jì)，配合固化劑中的羥基當(dāng)量為0.5～2.0當(dāng)量是優(yōu)選的。更優(yōu)選的是0.8～1.2當(dāng)量。
作為與上述環(huán)氧樹(shù)脂(A成分)和酚醛樹(shù)脂(B成分)一起使用的無(wú)機(jī)物填充劑(C成分)，并沒(méi)有特別限定，可以舉出現(xiàn)有公知的各種填充劑，例如，可以舉出石英玻璃粉末、滑石粉、二氧化硅粉末(熔融二氧化硅粉末和結(jié)晶性二氧化硅粉末等)、氧化鋁粉末、氮化鋁粉末、氮化硅粉末等。這些可以單獨(dú)使用或二種或二種以上并用。其中，從可降低所得到的固化物線膨脹系數(shù)這一點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選采用上述二氧化硅粉末，而在上述二氧化硅粉末中，從高填充、高流動(dòng)性這一點(diǎn)來(lái)看，采用上述熔融二氧化硅粉末是特別令人滿意的。就上述熔融二氧化硅粉末來(lái)說(shuō)，可以舉出球狀熔融二氧化硅粉末、粉碎熔融二氧化硅粉末，然而從流動(dòng)性角度出發(fā)，優(yōu)選使用球狀熔融二氧化硅粉末。其中，優(yōu)選使用平均粒徑為10～60μm范圍的，最好采用1 5～45μm范圍的。還有，上述平均粒徑，例如，可用激光衍射散射式粒度分布測(cè)定儀來(lái)測(cè)定。
上述無(wú)機(jī)物填充劑(C成分)的含有量設(shè)定在環(huán)氧樹(shù)脂組合物全體的50～95重量％的范圍內(nèi)是令人滿意的，最好是70～90重量％。
本發(fā)明中，除上述A～C成分外，根據(jù)需要，還可以適當(dāng)使用固化促進(jìn)劑、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等鹵素系阻燃劑或三氧化銻等阻燃劑、碳黑等顏料、β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷和γ-縮水甘油醚丙基三甲氧基硅烷等的硅烷偶合劑、巴西棕櫚蠟(カルナバワツクス)等的脫模劑等其他的添加劑。
就上述固化促進(jìn)劑來(lái)說(shuō)，并沒(méi)有特別限定，可以舉出2-甲基咪唑等的咪唑類、三乙醇胺、四苯基鏻·四苯基硼酸酯、和三苯基膦等的有機(jī)磷系化合物，1，8-二氮雜二環(huán)[5.4.0]十一碳烯-7和1，5-二氮雜二環(huán)[4.3.0]壬烯-5等的二氮雜二環(huán)鏈烯系化合物等。這些化合物可以單獨(dú)使用或二種或二種以上并用。而且，該固化促進(jìn)劑的配比設(shè)定為環(huán)氧樹(shù)脂組合物總量的0.1～1.0重量％的比率是令人滿意的。
本發(fā)明的半導(dǎo)體密封用片采用上述各成分，例如，可如下地進(jìn)行制造。即，以規(guī)定比例配合上述各成分，使用混合機(jī)等干式混料以后，采用雙軸混煉機(jī)在樹(shù)脂溫度90～130℃進(jìn)行混煉。接著，以壓延輥等，把上述混煉機(jī)吐出的混煉物壓延成型為薄片密度比98％或98％以上的薄片狀以后，空氣冷卻后粉碎上述薄片。接著，通過(guò)以打片機(jī)把所得到的粉碎物壓縮到所要求的片密度比那樣的規(guī)定片高度并打片成型為片狀，則制造出作為目的的半導(dǎo)體密封用片。
上述壓延成型后的薄片，如前面所述那樣，成型成為薄片密度比為98％或98％以上。而且，此時(shí)，優(yōu)選壓延制片成厚度為1.0mm或1.0mm以下。詳細(xì)地說(shuō)，由壓延成型的現(xiàn)有的薄片，一般是厚度為2mm或2mm以上，這時(shí)，雖然薄片密度比為93～97％左右，但是對(duì)本發(fā)明而言，薄片厚度為1.0mm時(shí)，則可成型成薄片密度比為98～99％，而薄片厚度為0.7～0.5mm時(shí)，則可成型成薄片密度比為99～100％。因此，從薄片密度比的關(guān)系上看設(shè)定成薄片厚度為0.7mm或0.7mm以下是特別優(yōu)選的。另外，所述薄片厚度的下限，一般是0.2mm。因此，通過(guò)壓延成薄片厚度為1.0mm或1.0mm以下的辦法則能夠成型為薄片密度比為98％或98％以上和高密度，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)在熔融狀態(tài)壓延成薄片狀，則對(duì)于用混煉機(jī)吐出的混煉物內(nèi)點(diǎn)滴存在的空洞和到壓輥的移送中卷入的氣泡引起的空洞等能夠更有效地進(jìn)一步被除去的緣故。
還有，如上所述除把薄片密度比設(shè)定為98％或98％以上，薄片厚度設(shè)定為1.0mm或1.0mm以下外，例如可以舉出，在通過(guò)提高混煉性的高溫下吐出之類的方法。具體地說(shuō)，可以舉出在混煉機(jī)中的減壓或脫氣處理、延長(zhǎng)混煉時(shí)間或提高混煉溫度等方法。并且，上述薄片密度比，可如下這樣加以測(cè)定和算出。即，采用由所得的薄片在空氣中的質(zhì)量和水中的質(zhì)量求出的比重測(cè)定方法(遵照J(rèn)IS K6911)求出薄片的比重，同樣地根據(jù)與求出的密封材料成型物(樹(shù)脂組合物的固化物)的真比重值之比算出薄片密度比。更詳細(xì)地說(shuō)，采用上述比重測(cè)定方法求出薄片的比重。另一方面，按成型條件溫度為175℃×2分鐘、6.865MPa、后固化175℃×5小時(shí)，成型上述樹(shù)脂組合物的固化物，與上述同樣地，用比重測(cè)定方法求出密封材料成型物的真比重。而且，根據(jù)這些測(cè)定值，以下式，薄片密度比(％)＝[(薄片比重)/(密封材料成型物的真比重)]×100算出薄片密度比。
片的粉碎，可以使用具有所配合的填充劑以上的硬度的通常的機(jī)械式粉碎機(jī)，例如可以使用錘擊式的粉碎機(jī)等。
粉碎了的樹(shù)脂組合物的粒度，使用JIS標(biāo)準(zhǔn)篩確認(rèn)其粒度分布。
在本發(fā)明中，優(yōu)選殘留在1.0mm篩上的粉碎粒子的比例為50重量％或50重量％以下。在該值以上時(shí)，即使片密度比高，粒子之間也殘留空隙，相反成型時(shí)的空隙呈增加的傾向。
另外，通過(guò)0.125mm篩的粒子的比例優(yōu)選的是10～40重量％，特別優(yōu)選的是10～25重量％。微細(xì)粒子埋在大的粒子之間的空間，在成型片時(shí)使包入片中的氣泡量減少。但是，該量超過(guò)40重量％時(shí)，密度反而下降，包入的氣泡增多，片的成型變難。因此，從片的密度的波動(dòng)方面的關(guān)系考慮時(shí)，壓縮壓力優(yōu)選控制在能使0.125mm或0.125mm以下的粒子為25重量％或25重量％以下。
上述打片成型后的片密度比設(shè)定為94％或94％以上且不足98％。特別優(yōu)選的是96％或96％以上且不足98％。之所以把上述打片成型后的片密度比設(shè)定為不足98％，這是因?yàn)槿缦吕碛?。即?1)即使將薄片密度設(shè)定為99～100％，為使片密度成為98％或98％以上，就必須有非常大的外加壓力，則設(shè)備上成為不可能或不好，(2)在從混煉機(jī)吐出的混煉物之中殘存著揮發(fā)成分，并且由于因粉碎而使表面積增大，保管過(guò)程中吸濕等，打片時(shí)刻樹(shù)脂組合物中存在揮發(fā)成分。這是因?yàn)槿鐚⑦@種樹(shù)脂組合物在98％或98％以上的高密度下打片時(shí)，以后就難以脫氣脫濕，而且對(duì)成型時(shí)的樹(shù)脂流動(dòng)中難以從高密度層分離揮發(fā)成分等，而容易作為空隙殘存的緣故。并且，上述片密度比，可如下地進(jìn)行測(cè)定·算出。即，因?yàn)槠菆A柱狀的，所以可由片的直徑、高度和重量求出片的堆積比重，根據(jù)與密封材料成型物(樹(shù)脂組合物的固化物)的真比重值之比，算出片的密度比。更詳細(xì)地說(shuō)，如上述一樣求出片的堆積比重，同時(shí)根據(jù)前面說(shuō)過(guò)的方法通過(guò)所求出的密封材料成型物的真比重，以下式，片密度比(％)＝[(片的堆積比重)/(密封材料成型物的真比重)]×100算出片密度比。
進(jìn)行上述壓縮并打片成型為片狀時(shí)的壓力，并沒(méi)有特別限定，然而例如，設(shè)定在245～784MPa的范圍是優(yōu)選的。
這樣，在本發(fā)明中，由于薄片密度比和片密度比的各個(gè)值全都滿足上述范圍，則能夠有效地抑制采用片成型的半導(dǎo)體裝置內(nèi)部空隙的形成。因此，如果上述各個(gè)值任何一個(gè)值脫離該設(shè)定范圍，就不可能獲得本發(fā)明的效果。例如，最終得到的片密度比即使是比如97％，粉碎前的薄片密度比是不足98％，也難以抑制半導(dǎo)體裝置內(nèi)部空隙的形成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體密封用片只要大體上是圓柱狀，其大小等就沒(méi)有特別限定，然而通常，直徑為7～30mm、高度為10～45mm范圍是優(yōu)選的。
使用這樣制得的半導(dǎo)體密封用片的半導(dǎo)體器件的密封，并沒(méi)有特別限制，可用通常的移模壓鑄成型法等公知模塑方法來(lái)進(jìn)行。
下面，和比較例合并說(shuō)明實(shí)施例。
準(zhǔn)備好下述所示的各成分。
環(huán)氧當(dāng)量173、融點(diǎn)100℃[苯酚酚醛清漆樹(shù)脂]羥基當(dāng)量107、融點(diǎn)60℃[固化促進(jìn)劑]三苯基膦 [無(wú)機(jī)物填充劑]熔融球狀二氧化硅粉末(平均粒徑20μm)[炭黑][硅烷偶合劑]γ-縮水甘油醚丙基三甲氧基硅烷實(shí)施例1～6、比較例1～6以下列表1中所示的比率把同表中所示的各成分投入混合機(jī)，干式混料以后，將上述混合物供給雙軸混煉機(jī)并在樹(shù)脂溫度為110℃下進(jìn)行熔融混煉。接著，把從該混煉機(jī)吐出的混煉物用直徑為150mm的壓延機(jī)輥筒進(jìn)行壓延，由此成型加工成薄片狀。這時(shí)，調(diào)整輥筒間距和擠壓力等以使之成為后述表2中所示厚度的薄片。接著，使成型成為上述薄片狀的熔融混煉物進(jìn)行空氣冷卻以后，用錘擊式磨機(jī)粉碎，進(jìn)而打片成型為片狀。該打片成型是使用一邊轉(zhuǎn)動(dòng)配置多個(gè)成對(duì)設(shè)置的研缽和搗杵的轉(zhuǎn)盤一邊連續(xù)地進(jìn)行片的打片成型的旋轉(zhuǎn)式打片機(jī)(菊水制作所社制，33連動(dòng)式)。而且，通過(guò)壓縮使其成為所要求的片密度比，制成半導(dǎo)體密封用片。
表1


對(duì)于這樣得到的各半導(dǎo)體密封用片，按照前面說(shuō)過(guò)的方法測(cè)定并算出片密度比。并且，對(duì)于壓延成型成上述各薄片狀時(shí)的薄片密度比也按照前面說(shuō)過(guò)的方法進(jìn)行測(cè)定并算出薄片密度比。還有，使加工成型成了薄片狀的薄片被空氣冷卻以后，用游標(biāo)卡尺測(cè)量上述薄片厚度。在下列的表2和表3中合并示出這些結(jié)果。
使用這樣得到的各半導(dǎo)體密封用片，按下列條件制造半導(dǎo)體裝置(試樣數(shù)20個(gè))。而且，用X射線設(shè)備觀察所得的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部，對(duì)100μm或100μm以上大小的內(nèi)部空隙進(jìn)行計(jì)數(shù)，算出20個(gè)半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部空隙數(shù)的平均值。在下列的表2和表3中示出該結(jié)果。
半導(dǎo)體裝置尺寸144針?lè)叫伪馄椒庋b(144針QFP)·20mm×20mm芯片尺寸7.5mm×7.5mm移模壓鑄成型法條件175℃×90秒鐘熱固化成型壓力6.865MPa成型機(jī)TOWA社制多路模沖壓系統(tǒng)稱量片成型的50個(gè)(14mmφ、目標(biāo)6g)中的每1個(gè)片的重量，用下列標(biāo)準(zhǔn)考察重量波動(dòng)，結(jié)果一并示于表2和表3中。
◎(最大值-最小值)/平均值＜0.3％○0.3％≤(最大值-最小值)/平均值＜0.5％△0.5％≤(最大值-最小值)/平均值＜2.0％×2.0％＜(最大值-最小值)/平均值用實(shí)施例和比較例制品測(cè)定片成型時(shí)所必須的壓力，在表2和表3中一并示出以比較例的值為1時(shí)的比率。
表2


表3


從上述結(jié)果可知，使用將薄片密度比為98％或98％以上的壓延薄片形成的粉碎物打片成型構(gòu)成的片密度比為94％或94％以上且不足98％的片制成的半導(dǎo)體裝置，或是沒(méi)有形成內(nèi)部空隙或即便形成也是極其少的。
與此相反，使用薄片密度比不足98％、或片密度比為94％不足98％或98％以上的任一種的片制成的半導(dǎo)體裝置，其內(nèi)部形成的空隙都比實(shí)施例多。
發(fā)明的效果如上所述，本發(fā)明通過(guò)把環(huán)氧樹(shù)脂組合物的混煉物壓延成型為薄片密度比為98％或98％以上的薄片狀，粉碎上述薄片狀成型體以后，再將該粉碎物打片成型成薄片密度比為94％或94％以上且不足98％的片狀，由此制造半導(dǎo)體密封用片。由此，通過(guò)如上述那樣設(shè)定薄片密度比，則在使用該粉碎物時(shí)，使用現(xiàn)有的片的打片技術(shù)和打片設(shè)備，就能夠獲得以往難以實(shí)現(xiàn)的高密度片。因此，使用按照本發(fā)明制造方法得到的片進(jìn)行樹(shù)脂密封制成的半導(dǎo)體裝置，就能降低空隙的發(fā)生，從而獲得了高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
而且，通過(guò)設(shè)定上述壓延成型的薄片厚度為1.0mm或1.0mm以下，能很容易地制成薄片密度比為98％或98％以上高密度比。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體密封用片的制造方法，其特征在于，該方法包括以下工序制備以下述的(A)～(C)成分作為必要成分的環(huán)氧樹(shù)脂組合物的混煉物的工序；將所述混煉物壓延成型為薄片密度比為98％或98％以上的薄片狀的工序；以及粉碎所述薄片狀成型體以后，把該粉碎物打片成型為片密度比為94％或94％以上且不足98％的片狀的工序，(A)環(huán)氧樹(shù)脂；(B)酚醛樹(shù)脂；(C)無(wú)機(jī)物填充劑。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體密封用片的制造方法，其中所述薄片狀成型體的厚度為1.0mm或1.0mm以下。
3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體密封用片的制造方法，其中所述粉碎物的粒度超過(guò)1.0mm的粒子是50重量％或50重量％以下，粒度為0.125mm或0.125mm以下的粒子是10～40重量％。
4.一種半導(dǎo)體密封用片，該片是由權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體密封用片的制造方法得到的、片密度比為94％或94％以上且不足98％的半導(dǎo)體密封用片。
5.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置是由使用權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體密封用片進(jìn)行樹(shù)脂密封半導(dǎo)體器件構(gòu)成的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過(guò)提高片的密度可減少封裝內(nèi)部發(fā)生空隙的半導(dǎo)體密封用片的制造方法。該半導(dǎo)體密封用片的制造方法是制作以下述的(A)～(C)成分為必要成分的環(huán)氧樹(shù)脂組合物的混煉物以后；將所述混煉物成型為薄片密度比為98％或98％以上的薄片狀；粉碎所述薄片狀成型體以后，把該粉碎物打片成型為片密度比為94％或94％以上且不足98％的片狀。其中(A)環(huán)氧樹(shù)脂；(B)酚醛樹(shù)脂；(C)無(wú)機(jī)物填充劑。
文檔編號(hào)B29B9/12GK1576344SQ20041007131
公開(kāi)日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月17日
發(fā)明者大野博文, 山根實(shí), 伊奈康信, 梅野正一 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社