專利名稱：一種陶瓷器皿的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種陶瓷器皿，具體地涉及一種具有發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子
功能的陶瓷器皿。
背景技術(shù)：
電氣石含有鎂、鋁、鐵、硼等10多種對人體有利的微量元素，因其具有產(chǎn)生負(fù) 離子、發(fā)射遠(yuǎn)紅外線、細(xì)菌抑制作用和改善水質(zhì)的特點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于陶瓷器皿中。如 CN101195537A中就公開了一種將含有電氣石和激發(fā)材料的陶土應(yīng)用于制造各種所需要的 陶瓷用品坯體的方法。但是，上述產(chǎn)品將電氣石和激發(fā)材料分散于整個(gè)陶瓷坯體中，其電氣 石和激發(fā)材料的使用量過大，造成資源浪費(fèi)，難以符合建設(shè)節(jié)約型社會的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型陶瓷器皿，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問 題。該陶瓷器皿僅在本體表面的釉層單元中分散設(shè)置電氣石和激發(fā)材料，而不再將其分散 于整個(gè)陶瓷坯體中，因而可減少用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的電氣石和激發(fā)材料的使 用量，降低生產(chǎn)成本。 本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是 —種陶瓷器皿，其特征在于，它至少包括 —本體，其具有一用于盛裝食品的內(nèi)側(cè)表面和一供使用者觀賞的外側(cè)表面； 和一與所述的盛裝食品直接接觸的、用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的釉層單 元，該釉層單元固設(shè)于所述本體的內(nèi)側(cè)表面。 本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例中，所述的釉層單元為一普通釉層，該普通釉層中分 散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒。 本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例中，所述的釉層單元為一結(jié)晶釉層，該結(jié)晶釉層中分 散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒。 本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例中，所述的釉層單元涂設(shè)在所述本體的內(nèi)側(cè)表面上。 涂設(shè)釉層單元的具體步驟如下將3 20重量％的電氣石細(xì)粉(100 1000目)、0. 5 5 重量％的激發(fā)微粒和余量的普通陶瓷釉料或結(jié)晶陶瓷釉料均勻混合后，獲得可用于發(fā)射遠(yuǎn) 紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的功能釉料；將上述功能釉料刷涂或噴涂在本體表面，陰干后送入窯 內(nèi)，在1100 130(TC的溫度下燒結(jié)獲得。所述的激發(fā)微粒為電氣石激發(fā)材料粉碎后形成 的微粒，所述的電氣石激發(fā)材料可以從市場上直接購得， 一般可選擇稀土礦、稀土元素氧化 物、稀土元素鹽或稀土元素單體，如La、 Ce、 Nd、 Gd、 Re、 Eu、 Tb等。 本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例中，所述的釉層單元包括一普通釉層和一結(jié)晶釉層， 該結(jié)晶釉層中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒，所述普通釉層的一側(cè)表面與本體的內(nèi)側(cè)表 面固定連接，另 一側(cè)表面則固定連接所述的結(jié)晶釉層。 本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例中，上述的釉層單元也同樣設(shè)置在所述本體的外側(cè)表面上，以獲得更好的陶瓷器皿外觀。 由上述對本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的描述可知，和背景技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是 其一，本技術(shù)方案中提供的陶瓷器皿僅在表面的釉層單元分散設(shè)置用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的電氣石和激發(fā)材料，而不再將其分散于整個(gè)陶瓷坯體中，因此，其電氣石和激發(fā)材料的使用量大大減少，生產(chǎn)成本降低； 其二，該釉層單元中含有的電氣石在與器皿中盛放的水或其他溶液接觸后，可在激發(fā)材料的激發(fā)下，使水分子極化釋放出大量的負(fù)離子，并能產(chǎn)生對人體有益的遠(yuǎn)紅外線； 其三，陶瓷器皿外側(cè)形成的結(jié)晶釉可形成分布密度和規(guī)格各不相同的晶花，其外觀美麗、大方，機(jī)械強(qiáng)度高，提升了陶瓷器皿的產(chǎn)品檔次。

圖1是陶瓷器皿的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型的一種陶瓷器皿的剖視圖； 圖3是本實(shí)用新型的另一種陶瓷器皿的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。[0021] 實(shí)施例1 如圖1和圖2中所示，一種陶瓷器皿，包括一本體1和一普通釉層2，本體1具有一
用于盛裝食品的內(nèi)側(cè)表面和一供使用者觀賞的外側(cè)表面，普通釉層2涂設(shè)在本體1的內(nèi)側(cè)
表面和外側(cè)表面上，其中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)有效量的氧化鑭微粒。 在本體1上涂設(shè)普通釉層2的具體步驟如下將10重量％的電氣石細(xì)粉(1000
目)、2重量％的氧化鑭微粒(500目)和余量的普通陶瓷釉料均勻混合后，獲得可用于發(fā)射
遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的功能釉料；將上述功能釉料刷涂或噴涂在本體表面，陰干后送入
窯內(nèi)，在110(TC的溫度下燒結(jié)獲得。 本實(shí)用新型的變化實(shí)施例中，所述的普通釉層2被結(jié)晶釉層代替。[0025] 實(shí)施例2 如圖3中所示，一種陶瓷器皿，包括一本體1、一普通釉層2'和一結(jié)晶釉層3，本體1具有一用于盛裝食品的內(nèi)側(cè)表面和一供使用者觀賞的外側(cè)表面，普通釉層2'涂設(shè)在本體1的內(nèi)側(cè)表面和外側(cè)表面上，其外側(cè)則涂設(shè)有結(jié)晶釉層3，結(jié)晶釉層3中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)有效量的氧化鑭微粒。 在本體1上涂設(shè)普通釉層2'和一結(jié)晶釉層3的具體步驟如下取普通釉料，將其刷涂或噴涂在本體表面，得到帶有普通釉層2'的陶瓷器皿，陰干；而后將10重量％的電氣石細(xì)粉(1000目)、2重量％的氧化鑭微粒(500目)和余量的結(jié)晶陶瓷釉料均勻混合后，獲得可用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的結(jié)晶釉料；將上述功能釉料刷涂或噴涂在陶瓷器皿的普通釉層2'表面，陰干后送入窯內(nèi)，在130(TC的溫度下燒結(jié)獲得。 上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種陶瓷器皿，其特征在于，它至少包括一本體，其具有一用于盛裝食品的內(nèi)側(cè)表面和一供使用者觀賞的外側(cè)表面；和一與所述的盛裝食品直接接觸的、用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的釉層單元，該釉層單元固設(shè)于所述本體的內(nèi)側(cè)表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述的釉層單元為一普通釉 層，該普通釉層中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述的釉層單元為一結(jié)晶釉 層，該結(jié)晶釉層中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述的釉層單元包括一普通 釉層和一結(jié)晶釉層，該結(jié)晶釉層中分散設(shè)有電氣石微粒和激發(fā)微粒，所述普通釉層的一側(cè) 表面與本體的內(nèi)側(cè)表面固定連接，另一側(cè)表面則固定連接所述的結(jié)晶釉層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述的釉層單 元涂設(shè)在所述本體的內(nèi)側(cè)表面上。
6 . 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述本體的外側(cè)表面上也固定設(shè)置一所述的釉層單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5中所述的一種陶瓷器皿，其特征在于所述本體的外側(cè)表面上也固定設(shè)置一所述的釉層單元。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陶瓷器皿，該陶瓷器皿至少包括一本體，其具有一用于盛裝食品的內(nèi)側(cè)表面和一供使用者觀賞的外側(cè)表面；和一與所述的盛裝食品直接接觸的、用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的釉層單元，該釉層單元固設(shè)于所述本體的內(nèi)側(cè)表面。該陶瓷器皿僅在本體表面的釉層單元中分散設(shè)置電氣石和激發(fā)材料，而不再將其分散于整個(gè)陶瓷坯體中，因而可減少用于發(fā)射遠(yuǎn)紅外線和產(chǎn)生負(fù)離子的電氣石和激發(fā)材料的使用量，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號B65D81/00GK201472837SQ20092030696
公開日2010年5月19日 申請日期2009年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
發(fā)明者林淳 申請人:林淳