專利名稱：一種電吸附設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電吸附設(shè)備。
另一問題是，制備一個能夠通過適當(dāng)?shù)牧砦礁鞣N各樣物品的吸附設(shè)備是很困難的。這就是本發(fā)明一個主要、但不唯一想要解決的問題。
電極可以放置在基底的一側(cè)，以便使相鄰的電極形成一個電極對。使用過程中，當(dāng)電極對通電以使其反相極化時，在物體與電極對相鄰的部分內(nèi)就會產(chǎn)生電荷分布差異，這反過來就會使物體吸附到電吸附表面。
當(dāng)基底是由具有較高介電常數(shù)(Epsilon)、較典型的是至少為5的物質(zhì)制成時，電極也可以放置在基底的相對的側(cè)面上。電極對的電極可以放置在基底的相對的側(cè)面上，在使用過程中，當(dāng)電極對通電以使其在相對側(cè)面極化時，使得物體與電極對相鄰的部分內(nèi)產(chǎn)生電荷分布差異，反過來就會使得物體被吸附到電吸附表面。在基底同一面的電極與基底另一面的電極作相對側(cè)面的極化，從而增加了電極間的最大耐受電壓。
每一個電極都有一個面向離開基底的方向的外表面，該外表面構(gòu)成了電吸附表面的至少一部分，而且該外表面在任一方向上的尺寸都要大于該外表面到基底的距離，該距離也就是電極的厚度。電極通常很薄，以便限制相鄰電極間的電荷積累。典型的電極厚度低于5μm。
電極可以是絲網(wǎng)印刷電極，可以是蒸汽沉積電極。
電吸附設(shè)備可以這樣構(gòu)造，以使相鄰電極間存留盡量少的空氣。
電極可以是延長的電極，實質(zhì)上平行地放置在基底的一個側(cè)面上。
相鄰的電極可以以盡量小的間隙相互分離放置，該最小間隙與電極在產(chǎn)生電火花之前的最大耐受電壓有關(guān)。由于電吸附力與電極對之間的電壓成正比，因此選取最小的間隙要使得電極對之間產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾妷?，從而在不產(chǎn)生電火花的前提下提供足夠的電吸附力。相鄰電極間以固定的或者改變的相互間距放置，該間距大于或等于最小間隙。
電極要做成盡量減少其拐角處銳度的形狀，以降低產(chǎn)生電火花的可能性。
電極外表面的形狀的選擇依賴于所要吸附的物體的材料組成。
至少一個電極對的電極外表面具有大的表面積，以用于吸附金屬。典型的、用于吸附金屬的電吸附設(shè)備僅包含兩個反相極化的電極，其間通過單個的分割間距相互分開。
至少一個電極對的電極外表面具有小的表面積，以用于吸附非金屬。
電極的外表面可以做成具有變化的外表面積的形狀，以便在使用時能夠吸附包括金屬及非金屬在內(nèi)的一系列材料中的任何一種。這樣，物體就可以通過適當(dāng)?shù)碾娢搅M(jìn)行吸附而不必考慮其材料。這種電極外表面積的變化沿電極長度上可以重復(fù)。至少兩個電極的外表面積在一側(cè)有線性邊界，且在相對的一側(cè)有一個正弦曲線型邊界，這樣每一個電極的寬度沿著電極長度方向上呈正弦變化。相應(yīng)地，電極的形狀要這樣構(gòu)造，以使得一個電極的正弦邊界與相鄰電極的正弦邊相鄰，且使得一個電極的直線邊界與相鄰電極的直線邊界相鄰，以使相鄰電極間的最小距離保持相當(dāng)恒定。
通常，電極對的電極通過具有較高電壓的低電流來反相極化。電極可以通過直流電壓來進(jìn)行極化。所說低電流較典型的為低于5μA的直流電，所說的高電壓為大于1500V的直流電。
所說基底代表性地由選自于使電吸附設(shè)備具有最小泄露的材料、比如具有至少為106Ω/m的高體電阻材料。
電吸附設(shè)備可以含有至少一個由電極形成的層和一個由基底形成的層。相應(yīng)地基底可以很薄，以便定義出一電吸附設(shè)備層。
用于放置電極的基底的形狀通常決定了電吸附表面的形狀。相應(yīng)地，放置電極的基底的形狀可以相應(yīng)地制成與所要吸附的物體的某一部分相同的形狀，所說的某一部分就是放置在臨近吸附表面的部分。這種設(shè)計是為了在使用過程中減少電吸附表面與所吸附物體之間的空氣間隙。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，放置電極的基底的形狀是平面的。但在其它情況下，基底也可以是任何形狀。
放置電極的基底通常是光滑的。其光滑度可以定義為其表面變化低于0.01μm。
在電吸附設(shè)備上可以含有位于電極之上的一個絕緣蓋，以使絕緣蓋的一個外側(cè)面就形成了電吸附表面。由于電吸附力與電極和所吸附物體之間的距離成反比，因此該絕緣蓋要盡可能地薄，可以薄于100μm。
該絕緣蓋可以是以薄膜的形式存在，所說薄膜可以是薄片制品。
絕緣蓋也可是以涂覆的形式存在，所說的涂覆可以是噴涂，浸漬或其它任何適宜的方式。
絕緣蓋通常是由具有高的表面相對電阻的材料制成，其阻力通常高于106Ω。
絕緣蓋也可以由具有高的介電常數(shù)(Epsilon)的物質(zhì)制成，所說絕緣常數(shù)通常情況下至少為6。
絕緣蓋可以是光滑的，其光滑度可以、限定為其表面變化低于0.01μm。
基底也可采用上述絕緣蓋的形式。這樣，電極就夾在了兩個絕緣蓋之間，從而使得電吸附設(shè)備包含了兩個電吸附表面。
本發(fā)明并不限于說明書中所述的具體實施方案，符合本發(fā)明構(gòu)思的任何變化，如在本說明書所特別列出的一樣包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。


下面結(jié)合所附的非限定性圖表對本發(fā)明進(jìn)行描述。所附圖表包括圖1為本發(fā)明的電吸附設(shè)備的一個三維示意圖；圖2為圖1的電吸附設(shè)備的一個側(cè)視示意圖；圖3為本發(fā)明的一個基底為絕緣蓋形式的電吸附設(shè)備的三維示意圖；圖4為圖3所示電吸附設(shè)備的一個側(cè)視示意圖；圖5為本發(fā)明一個具體實施方案中，電吸附設(shè)備的電極板的示意圖。
其中電極的外表面的形狀設(shè)置成具有變化的表面積，這樣在使用過程中，被吸附物體就可以由包括金屬和非金屬在內(nèi)的各種材料制備。
對照附圖，特別是圖1、圖2，標(biāo)號10通常指本發(fā)明的電吸附設(shè)備。電吸附設(shè)備10包含一個基底12以及由薄的導(dǎo)電電極18構(gòu)成的第一電極板14和第二電極板16，第一及第二電極板相互分開地位于基底12的一側(cè)。電吸附設(shè)備10同時包含一個位于第一條板14和第二條板16之上的絕緣蓋20，這樣絕緣蓋20的外側(cè)面限定出一個電吸附表面。這樣在使用時，當(dāng)電極18通電并且待吸附物體放置在臨近絕緣蓋20處時，被吸附物體就通過適當(dāng)高的吸附力而吸附到絕緣蓋20上。
因此，電吸附設(shè)備10包含了一個由電極18構(gòu)成的層和一個由基底12所構(gòu)成的層，其中基底12很薄，以形成電吸附設(shè)備10的一個層。
第一電極板14和第二電極板16之間通過間隙22相分離，間隙22要盡可能地小，以防止電極板14和16之間的電荷積累。
基底12優(yōu)選由使電吸附設(shè)備的泄露最小的物質(zhì)制成，比如具有至少為1016Ω/m的高體電阻的物質(zhì)。
基底12的形狀決定了電吸附表面的形狀。相應(yīng)地，基底12的形狀設(shè)置成與被吸附物體的一部分的形狀相同，所說的一部分就是指與放置在臨近電吸附表面的部分。這樣的設(shè)置是為了在使用過程中減少電吸附表面和被吸附物體之間的空氣間隔。
在本發(fā)明的一個實施方案中，基底12的形狀是平面的。但是應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的其它實施方案中，基底12可以是其它任何形狀的。
基底12優(yōu)選是光滑的，表面變化低于0.01μm。
由于在眾多因素中，電吸附力與電極18和被吸附物體間的距離成反比，因此絕緣蓋20要盡可能地薄，最好薄于100μm。
絕緣蓋20由具有較高表面相對電阻的材料制成，最好其表面相對電阻大于1016Ω，而且要具有高的介電常數(shù)(Epsilon)，最好是至少為6。絕緣蓋20優(yōu)選由聚合物如尼龍6或PVC為基礎(chǔ)的材料制成。
在本發(fā)明的一些實施方案中，絕緣蓋20可以是薄膜的形式，所說薄膜可以是薄片制品。也可是瓷釉涂覆的形式，所說涂覆可以是噴涂、浸漬或其它任何適宜的方式。
絕緣蓋是光滑的，其表面變化低于0.01μm。
對照圖3和圖4，標(biāo)號10.1通常是指本發(fā)明另一個具體實施方案中的電吸附設(shè)備。該電吸附設(shè)備10.1基本上類似于電吸附設(shè)備10。相應(yīng)地，在沒有特別指出的情況下，采用類似的標(biāo)號來標(biāo)示相同或相似的特征。在本實施方案中，基底以上述的絕緣蓋20.1的形式存在。相應(yīng)地，電極板14和16夾在兩個絕緣蓋20和20.1之間，這樣電吸附設(shè)備10.1包含了兩個電吸附表面。
圖5給出了本發(fā)明一個優(yōu)選實施方案中，包含了延長電極18的相互平行的電極板14和16。相鄰的電極18形成了電極對，在使用過程中，當(dāng)電極對通電時就會相對地極化，從而在物體與電極對相鄰的部分產(chǎn)生電荷分布差異，反過來就會使物體被吸附到電吸附表面。
每一個電極具有一個面向離開基底12的方向的外表面24，該外表面24任一方向的尺寸均大于該外表面24至基底12的距離，所說的距離也就是電極18的厚度。每一電極18通常特別薄，以限制相鄰電極18間的電荷積累，每一個電極18的厚度通常低于5μm。
電極18優(yōu)選為絲網(wǎng)印刷電極或蒸汽沉積電極。
電極板14/16被構(gòu)造成這樣的形狀，以使相鄰的電極18之間存留盡可能少的空氣。
相鄰的電極18之間通過固定的最小間距26相互分開，該間距與電極18之間產(chǎn)生電火花前的最大耐受電壓有關(guān)。由于電吸附力與相鄰電極間的電壓成正比，該最小的間距26的選擇要使得電極對之間產(chǎn)生適當(dāng)電壓，以便產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾娢搅Χ鴽]有電火花發(fā)生。
電極要做成盡量減少其拐角處銳度的形狀，以降低產(chǎn)生電火花的可能性。
電極18的外表面24的形狀選擇要決于所要吸附的物體的材料組成。
為了吸附金屬，電極18應(yīng)當(dāng)具有大表面積的外表面24。典型的用于吸附金屬的電吸附設(shè)備10，10.1僅包含兩個反相極化的電極18，其間通過單個位于其間的分隔間隔22相互分離。
為了吸附非金屬，電極18應(yīng)當(dāng)具有小表面積的外表面24。
在本發(fā)明的一個實施方案中，電極18的外表面24做成具有變化的外表面積的形狀，以便在使用時能夠吸附包括金屬及非金屬在內(nèi)不同材料中的任何一種。這樣，物體就可以通過適當(dāng)?shù)碾娢搅M(jìn)行吸附而不必考慮其材料。相應(yīng)地，在每一個電極18的外表面24一側(cè)具有一個線性邊界和在相對的另一側(cè)具有一個正弦曲線型邊界，這樣每一個電極的寬度沿著電極長度方向上呈正弦變化，其中，每一個電極18表面積的變化沿其長度方向上重復(fù)。相應(yīng)地，電極18的放置方式要使得一個電極18.1的正弦邊界與相鄰電極18.2的正弦邊界相鄰，使電極18.1的線性邊界與相鄰電極18.3的線性邊界相鄰，以使得相鄰電極18間的最小距離26基本恒定。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在基底12之上的第一電極板14中的一個末端電極18的線性邊界與第二電極板14中的一個末端電極18的線性邊界相平行，從而形成間隙22。
在本發(fā)明的其它實施方案中，較好的是電極18的形狀和構(gòu)造要使得電吸附表面的某些部分僅吸附金屬，另外一些部分僅吸附非金屬，其它部分同時吸附金屬和非金屬，或者是其中任意兩部分的組合。
代表性地，一個電極對的電極18通過具有高電壓、低電流的直流電來反相極化。低電流較典型的為低于5μA的直流電，所說的高電壓為大于1500V的直流電。
還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在本發(fā)明另一個實施方案中，當(dāng)基底12由具有較高界電常數(shù)(Epsilon)、優(yōu)選至少為5的物質(zhì)制成時，電極18可以放置在基底12的相對側(cè)面。一個電極對的電極18可以放置在基底12的相對側(cè)面，在使用過程中，當(dāng)電極通電以使其反相極化時，在物體與電極對相鄰的部分會產(chǎn)生一個電荷分布差異，該電勢差反過來會將物體吸附到電吸附表面。在基底12同一側(cè)的電極18可以與基底12的相對一側(cè)的電極18相對地極化，從而增加了電極18間的最大耐受電壓，降低電吸附表面上的雜質(zhì)效應(yīng)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在本發(fā)明該實施方案中，除了電極對的一個電極18放置在基底12的相對側(cè)面以外，電極對的所有其它特征均與參照附圖所示的相同。相應(yīng)的，電極對的電極18的橫向關(guān)系是改變的，但不是參照電吸附表面所示的平面關(guān)系。
可以認(rèn)定，本發(fā)明的一個優(yōu)點是可以設(shè)計、生產(chǎn)、銷售成本低、可實用的電吸附設(shè)備。進(jìn)一步可以認(rèn)定，本發(fā)明的另一個優(yōu)點是，很多種物體可以通過適當(dāng)?shù)牧ξ降诫娢皆O(shè)備上，并保留在其電吸附表面上。
權(quán)利要求
1.一種電吸附設(shè)備，其中包括一種基底；以及至少兩個薄的導(dǎo)電電極，它們相互分開地位于基底之上，從而限定出一個電吸附表面，以便在使用時，當(dāng)電極通電且待吸附的物體放置在鄰近電吸附表面時，該物體就會被適當(dāng)高的吸附力吸附到電吸附表面。
2.按照權(quán)利要求1所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述電極放置在基底的一側(cè)，這樣相鄰的電極形成一個電極對，在使用過程中，當(dāng)電極對通電以使其反相極化時，在物體中與電極相鄰的部分內(nèi)就會產(chǎn)生電荷分布差異，由此使物體被吸附到電吸附表面。
3.按照權(quán)利要求1所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，當(dāng)基底是由具有較高介電常數(shù)(Epsilon)的物質(zhì)構(gòu)成時，電極放置在基底的相對側(cè)面上。
4.按照權(quán)利要求3所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，基底是由具有至少為5的較高介電常數(shù)(Epsilon)的物質(zhì)構(gòu)成。
5.按照權(quán)利要求3或4中任意一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，一個電極對的電極放置在基底的相對的側(cè)面上，在使用過程中，使電極對通電以使其反相極化，從而使得物體中與電極相鄰的部分內(nèi)產(chǎn)生電荷分布差異，由此使得物體被吸附到電吸附表面。
6.按照權(quán)利要求3至5中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，基底同一面上的電極與基底相對側(cè)面上的電極反相極化，從而增加了電極間的最大耐受電壓。
7.按照權(quán)利要求1至6中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，每一個電極都有一個朝向離開基底方向的外表面，該外表面構(gòu)成了電吸附表面的至少一部分，而且該外表面在任一方向上的尺寸都大于該外表面到基底的距離，該距離就是電極的厚度。
8.按照權(quán)利要求7所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，每一個電極都很薄，以便限定相鄰電極間的電荷積累。
9.按照權(quán)利要求8所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，每一個電極都低于5μm厚度。
10.按照權(quán)利要求1至9任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述電極是絲網(wǎng)印刷電極。
11.按照權(quán)利要求1至9任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述電極是蒸汽沉積電極。
12.按照權(quán)利要求1至11任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述電吸附設(shè)備這樣構(gòu)造，以使相鄰電極間存留盡量少的空氣。
13.按照權(quán)利要求1至12任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述電極是延長的電極，實質(zhì)上相互平行地放置在基底的一個側(cè)面上。
14.按照權(quán)利要求1至13任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，相鄰的電極以盡量小的間隙相互分離放置，該間隙與電極在產(chǎn)生電火花之前的最大耐受電壓有關(guān)。
15.按照權(quán)利要求14所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，最小的間隙這樣選取，以使得在一個電極對之間產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾妷?，從而在不產(chǎn)生電火花的前提下提供足夠的電吸附力。
16.按照權(quán)利要求1至15任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，相鄰電極間以固定的或者變化的相互間距放置，該間距大于或等于最小間隙。
17.按照權(quán)利要求1至16任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極要做成盡量減少其拐角處銳度的形狀，以降低產(chǎn)生電火花的可能性。
18.按照權(quán)利要求1至17任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極外表面形狀的選擇要依賴于所要吸附的物體的材料組成。
19.按照權(quán)利要求1至18任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，至少一個電極對可以有具有大表面積的電極外表面，以用于吸附金屬。
20.按照權(quán)利要求19所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，用于吸附金屬的電吸附設(shè)備包含兩個反相極化的電極，其間通過單個分離間隔相互分開。
21.按照權(quán)利要求1至19任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，至少一個電極對的電極外表面具有小的表面積，以用于吸附非金屬。
22.按照權(quán)利要求1至21任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，至少一個電極對的電極的外表面做成具有變化的外表面積的形狀，以便在使用時能夠吸附包括金屬及非金屬在內(nèi)的一系列材料中的任何一種，這樣，物體就可以通過適當(dāng)?shù)碾娢搅M(jìn)行吸附而不必考慮其材料。
23.按照權(quán)利要求22所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極表面積的變化沿電極長度上重復(fù)。
24.按照權(quán)利要求22或23中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極的外表面積在一個側(cè)面具有線性邊界，在一個相對側(cè)面具有正弦曲線型邊界，這樣每一個電極的寬度沿著電極長度方向上呈正弦曲線變化。
25.按照權(quán)利要求24所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極的形狀要使得一個電極的正弦曲線邊界能與相鄰電極的正弦曲線邊界相鄰排列，且要使得一個電極的線性邊界與相鄰電極的線性邊界相鄰排列，以使相鄰電極間的最小間隙實質(zhì)上保持恒定。
26.按照權(quán)利要求1至25中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，一個電極對的電極通過具有較高電壓的低電流來反相極化。
27.按照權(quán)利要求26所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，電極通過直流電的方式來進(jìn)行極化。
28.按照權(quán)利要求26或27中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說低電流為低于5μA，所說的高電壓為大于1500V。
29.按照權(quán)利要求1至28中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說基底由選自通過具有高的體積電阻而使得電吸附設(shè)備具有最小泄露的材料制得。
30.按照權(quán)利要求29所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說材料的高體積電阻為至少106Ω/m。
31.按照權(quán)利要求1至30中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，其中含有至少一個由電極形成的層和一個由基底形成的層。
32.按照權(quán)利要求31所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說的基底較薄，以便限定出電吸附設(shè)備的一個層。
33.按照權(quán)利要求1至32中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，放置電極的基底的形狀這樣確定，以便相應(yīng)于所要吸附的物體的某一部分的形狀，所說的某一部分就是放置在臨近吸附表面的那部分。
34.按照權(quán)利要求33所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說的放置電極的基底形狀是平面的。
35.按照權(quán)利要求1至34中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，放置電極的基底是光滑的。
36.按照權(quán)利要求1至34中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，基底的光滑度定義為其表面變化低于0.01μm。
37.按照權(quán)利要求1至36中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，在電吸附設(shè)備上含有位于電極之上的絕緣蓋，以使絕緣蓋的外側(cè)面限定出電吸附表面。
38.按照權(quán)利要求37所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述絕緣蓋盡可能地薄。
39.按照權(quán)利要求38所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述絕緣蓋薄于100μm。
40.按照權(quán)利要求37至39中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，該絕緣蓋以薄膜的形式存在。
41.按照權(quán)利要求37至39中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說絕緣蓋以一個涂覆層的形式存在。
42.按照權(quán)利要求37至41中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說絕緣蓋由具有高的表面相對電阻的材料制成。
43.按照權(quán)利要求42所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述絕緣蓋的電阻高于106Ω。
44.按照權(quán)利要求37至43中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說絕緣蓋由具有高的介電常數(shù)(Epsilon)的物質(zhì)制成。
45.按照權(quán)利要求44所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說絕緣蓋由具有至少為6的高的介電常數(shù)(Epsilon)的物質(zhì)制成。
46.按照權(quán)利要求37至45中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，絕緣蓋是光滑的。
47.按照權(quán)利要求46所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所述絕緣蓋的光滑度定義為其表面變化低于0.01μm。
48.按照權(quán)利要求1至47中任一項所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，所說基底是如上述權(quán)利要求37至47中任一項所述的絕緣蓋的形式。
49.按照權(quán)利要求48所述的電吸附設(shè)備，其特征在于，至少一些電極夾在兩個絕緣蓋之間，從而使得電吸附設(shè)備包含了兩個電吸附表面。
50.一種本發(fā)明的電吸附設(shè)備，其特征如上文一般描述。
51.一種電吸附設(shè)備，其特征在于，參照或如附圖所具體描述。
52.一種電吸附設(shè)備，其特征在于，其中包括任何新的和有創(chuàng)造性的、如上已實質(zhì)性描述的整體或整體的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電吸附設(shè)備(10)，其中包括一個基底(12)以及薄的導(dǎo)電電極(18)構(gòu)成的第一(14)和第二(16)電極板，所說電極板相互分開，位于基底(12)的一個面上。在第一(14)和第二(16)電極板上該電吸附設(shè)備(10)另外包含一個絕緣蓋(20)，以便該絕緣蓋(20)的外側(cè)限定出一個電吸附表面，從而在使用中，當(dāng)電極(18)被充以電能且一個待吸附物體靠近絕緣蓋(20)時，該物體通過適當(dāng)高的吸附力而吸附到絕緣蓋(20)上。每一個電極(18)的一個外表面(24)在一側(cè)有一種線性邊界且在相反的一側(cè)有一種正弦曲線型邊界，這樣就使得沿著電極(18)的長度范圍內(nèi)電極的寬度按正弦曲線變化。
文檔編號B65H5/00GK1446395SQ01814074
公開日2003年10月1日 申請日期2001年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月14日
發(fā)明者赫爾曼·阿莉森, 羅納德·凱文·弗里克, 馬蒂納斯·克里斯托弗爾·斯米特 申請人:赫爾曼·阿莉森, 羅納德·凱文·弗里克, 馬蒂納斯·克里斯托弗爾·斯米特