切片膠帶和剝離方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，且更具體地涉及切片膠帶和用于從切片膠帶剝離半導(dǎo)體裸芯的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1A是在半導(dǎo)體器件的制造工藝中在其上貼附了切片了的半導(dǎo)體裸芯的傳統(tǒng)切片膠帶的示意側(cè)面圖。如圖1A所示，將晶圓切片為多個單個的半導(dǎo)體裸芯10，該多個單個的半導(dǎo)體裸芯10經(jīng)由裸芯貼附膜(DAF)22而貼附到切片膠帶20。圖1B是在傳統(tǒng)預(yù)剝離方法中的具有類似圓頂形的變形的切片膠帶的示意側(cè)面圖。如圖1B所示，通過在切片膠帶20的相對的兩側(cè)之間施加壓力差來形成類似圓頂?shù)那衅z帶，使得向切片膠帶20和貼附到其上的半導(dǎo)體裸芯10施加基本上均勻的力。由于由聚合物制成的切片膠帶20比由硅制成的半導(dǎo)體裸芯10柔軟得多，因此在給定的壓力水平，如果向切片膠帶20施加的壓力超過切片膠帶20的基底材料的屈服強(qiáng)度，切片膠帶20經(jīng)歷大的彈性變形或甚至小的塑性變形，而半導(dǎo)體裸芯10僅經(jīng)歷小的彈性變形。當(dāng)半導(dǎo)體裸芯10相對于這種彈性變形的恢復(fù)力超過DAF 22和切片膠帶20之間的粘結(jié)強(qiáng)度時，在對應(yīng)于半導(dǎo)體裸芯10的外圍部分的最弱的粘結(jié)強(qiáng)度的部分、諸如半導(dǎo)體裸芯10的邊角處開始，將切片膠帶20從半導(dǎo)體裸芯10和DAF22拉開，由此將切片膠帶20部分地從半導(dǎo)體裸芯10剝離且將DAF 22從切片膠帶20剝離，而不拾取半導(dǎo)體裸芯10，如圖1B所示。因此，該工藝被稱為“預(yù)剝離”工藝。
[0003]圖1C是用于制造半導(dǎo)體器件的拾取工藝的示意側(cè)面圖，而圖1D是用于將半導(dǎo)體裸芯10從切片膠帶20拾取的拾取機(jī)構(gòu)的放大的示意側(cè)面圖。如圖1C和1D所示，使用諸如推力銷(thrustpin)的頂桿(ejector) 30來在背面通過切片膠帶20來按壓單片化的半導(dǎo)體裸芯10。因此，當(dāng)使用位于推力銷30反面的上部的吸力設(shè)備40來保持著半導(dǎo)體裸芯10時，將半導(dǎo)體裸芯10從切片膠帶20剝離。
[0004]在拾取工藝期間，由于單獨的半導(dǎo)體裸芯的外圍部分已經(jīng)從切片膠帶20部分地預(yù)剝離了，如圖1B所示，因此容易地將半導(dǎo)體裸芯10的外圍部分從切片膠帶20剝離，且由于DAF 22和切片膠帶20之間在半導(dǎo)體裸芯10的外圍部分處的強(qiáng)的粘結(jié)強(qiáng)度導(dǎo)致的諸如裂紋或碎裂的缺陷可以被減少到一定程度。
[0005]但是，還需要在制造半導(dǎo)體器件中的進(jìn)一步改進(jìn)、尤其是對剝離工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)本技術(shù)的一個方面，提供一種切片膠帶，其包括:基底膜；以及圖案化的分層層，布置在所述基底膜的表面中，其中，所述圖案化的分層層的粘接強(qiáng)度在加熱和光照射的至少一個之下降低。
[0007]根據(jù)本技術(shù)的另一方面，提供一種從切片膠帶剝離半導(dǎo)體裸芯的方法，所述切片膠帶經(jīng)由裸芯粘附膜與半導(dǎo)體裸芯粘附。所述方法包括:向切片膠帶施加加熱和光照射的至少一個，所述切片膠帶包括:基底膜；以及圖案化的分層層，布置在所述基底膜的表面中。所述圖案化的分層層的粘接強(qiáng)度在加熱和光照射的至少一個之下降低；以及從所述切片膠帶剝離至少一個半導(dǎo)體裸芯。
【附圖說明】
[0008]圖1A是在半導(dǎo)體器件的制造工藝中在其上貼附了切片了的半導(dǎo)體裸芯的傳統(tǒng)切片膠帶的示意側(cè)面圖。
[0009]圖1B是在傳統(tǒng)預(yù)剝離方法中的具有類似圓頂形的變形的切片膠帶的示意側(cè)面圖。
[0010]圖1C是用于制造半導(dǎo)體器件的拾取工藝的示意側(cè)面圖。
[0011]圖1D是用于將半導(dǎo)體裸芯10從切片膠帶20拾取的拾取機(jī)構(gòu)的放大的示意側(cè)面圖。
[0012]圖2A是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶的示意透視圖。
[0013]圖2B是根據(jù)圖2A所示的本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶的示意俯視圖。
[0014]圖2C是沿圖2B中的線2C-2C的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶的示意側(cè)面圖。
[0015]圖3A是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的替換實施例的切片膠帶的示意俯視圖。
[0016]圖3B是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的另一替換實施例的切片膠帶的示意俯視圖。
[0017]圖4A是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的切片膠帶的示意透視圖。
[0018]圖4B是根據(jù)圖4A所示的本發(fā)明的第二實施例的切片膠帶的示意俯視圖。
[0019]圖4C是沿圖4B中的線4C-4C的根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的切片膠帶的示意側(cè)面圖。
[0020]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的將半導(dǎo)體裸芯從切片膠帶剝離的方法的流程圖。
[0021]圖6A-6F是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的將從半導(dǎo)體裸芯從切片膠帶剝離的方法的第一例子的示意側(cè)面圖。
[0022]圖7A-7D是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的將從半導(dǎo)體裸芯從切片膠帶剝離的方法的第二例子的示意側(cè)面圖。
【具體實施方式】
[0023]現(xiàn)在將參考圖2A到4D來描述涉及切片膠帶、將半導(dǎo)體裸芯從切片膠帶剝離的方法的實施例。理解本發(fā)明可以被體現(xiàn)為不同形式，且應(yīng)該不被解釋為對在此闡述的實施例的限制。而是，提供這些實施例，以便本公開將是徹底和完整的，且將完全將本發(fā)明傳授給本領(lǐng)域技術(shù)人員。確實，本系統(tǒng)意圖覆蓋這些實施例的替換、修改和等同，這些都被包括在由所附權(quán)利要求限定的本系統(tǒng)的范圍和精神內(nèi)。另外，在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，闡述多個具體的細(xì)節(jié)以便提供本發(fā)明的徹底的理解。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實踐本發(fā)明。
[0024]在此使用術(shù)語“頂部，” “底部，” “上，” “下，” “垂直”和/或“水平”僅為了方便和例示目的，但這不意味著限制本發(fā)明的描述，因為所引用的項目可以在位置上改變。而且，如在此使用的，術(shù)語“實質(zhì)上”、“近似地”和/或“大約”意思是指定的尺度或參數(shù)可以為了給定應(yīng)用而在可接受的制造容忍度中變化。在一個實施例中，可接受制造容忍度是±0.25%ο
[0025]圖2Α是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶20的示意透視圖。
[0026]如圖2Α所示的切片膠帶200包括基底膜202和布置在基底膜202的表面中的圖案化的分層層204。基底膜202可以由例如聚合物制成。切片膠帶200的分層層204和基底膜202兩者具有粘接強(qiáng)度。該圖案化的分層層204具有在加熱和光照射的至少一個之下降低的粘接強(qiáng)度。切片膠帶200可以具有如圖2Α所示的圓形形狀。
[0027]在一個實施方式中，分層層204可以包括發(fā)泡劑。發(fā)泡劑可以包括例如選自碳酸鈉、碳酸氫鈉、偶氮化合物、磺酰肼類化合物、或亞硝基化合物。但是，分層層不限于這些列舉的例子，其他類型的發(fā)泡劑也可以被添加到分層層204。在加熱之下，分層層204可以在分層層204的內(nèi)部和分層層204的表面上生成氣泡，以便膨脹分層層204，并減少分層層204的表面上的粘接強(qiáng)度。分層層204可以被膨脹例如1% -20%。
[0028]在另一實施方式中，分層層204可以包括可紫外線固化樹脂?？蒛V固化樹脂可以包括被添加了光引發(fā)劑的預(yù)聚物。該預(yù)聚物可以選自環(huán)氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、氨酯丙烯酸酯、或丙烯酸樹脂，且所述光引發(fā)劑選自苯甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-甲基-2- (4-嗎啉基)-1- [4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-1-丙酮、2，4，6-三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦。但是，分層層不限于這些列舉的例子，其他類型的可UV固化樹脂也可以被添加到分層層204。在UV照射之下，分層層204的可UV固化樹脂可以被固化為固態(tài)，或甚至在尺寸上收縮該分層層，以便減少分層層204的粘接強(qiáng)度。分層層204可以收縮例如1% -10%。
[0029]注意，分層層204可以僅由發(fā)泡劑制成，或僅由可UV固化樹脂制成，或也可以由發(fā)泡劑和可UV固化樹脂兩者制成。
[0030]在該實施例中，分層層204的圖案具有格子的形狀。
[0031]分層層204的圖案可以對應(yīng)于經(jīng)由裸芯貼附膜(DAF)(未示出)而貼附在分層層204上的半導(dǎo)體裸芯(未示出)的至少部分的外圍區(qū)域。分層層204相對于裸芯貼附膜(未示出)的粘接強(qiáng)度可以小于分層層相對于基底膜202的粘接強(qiáng)度。
[0032]圖2Β是根據(jù)圖2Α所示的本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶200的示意俯視圖。如圖2Β所示，分層層204具有格子形狀，由此暴露在格子之間的基底膜202的具有矩形形狀的各個區(qū)域。且在一個例子中，該基底膜202的每個矩形區(qū)域?qū)?yīng)于貼附在其上的半導(dǎo)體裸芯(未示出)?；啄?02的矩形區(qū)域的中心與對應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的中心對應(yīng)，且基底膜202的每個矩形區(qū)域具有小于對應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的長度和寬度，以便分層層204的格子可以對應(yīng)于經(jīng)由裸芯貼附膜(DAF)貼附在分層層204上的半導(dǎo)體裸芯的至少部分的外圍區(qū)域。
[0033]圖2C是沿圖2Β中的線2C-2C的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的切片膠帶的示意側(cè)面圖。在該例子中，分層層204被布置在基底膜202的上表面中，且分層層204的厚度不大于基底膜202的厚度。在另一例子中，分層層204可以直接粘附在基底膜202的上表面上，且可以具有比基底膜202小得多的厚度。分層層204和基底膜202的配置不限于上述討論的例子，且可以以本領(lǐng)域技術(shù)人員容易構(gòu)思的各種方式來實現(xiàn)。
[0034]圖3Α是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的替換實施例的切片膠帶的示意俯視圖。如圖3Α所示，切片膠帶300a包括基底膜302a和布置在基底膜302a的表面中的圖案化的分層層304a。切片