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液晶取向劑、液晶取向膜以及液晶顯示元件的制作方法

文檔序號(hào):9702667閱讀:924來(lái)源:國(guó)知局
液晶取向劑、液晶取向膜以及液晶顯示元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種液晶取向材料及其應(yīng)用,且特別涉及一種液晶取向劑、其所形成 的液晶取向膜以及具有上述液晶取向膜的液晶顯示元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái),液晶顯示元件被廣泛應(yīng)用于如電腦、攝影機(jī)、電視等各種顯示裝置中。 已知的液晶顯示元件的動(dòng)作模式包括:扭轉(zhuǎn)向列(TwistedNematic,TN)型、超扭轉(zhuǎn)向列 (SuperTwistedNematic,STN)型、垂直取向(VerticalAlignment,VA)型、共面切換(In PlaneSwitching,IPS)型、邊緣場(chǎng)切換(FringeFieldSwitching,F(xiàn)FS)型、光學(xué)補(bǔ)償彎曲 (OpticallyCompensatedBend,0CB)型等各種液晶顯示元件,而在各種動(dòng)作模式中,為了 進(jìn)行各液晶分子的取向控制,主要為使用由有機(jī)膜所形成的液晶取向膜(專利文獻(xiàn)1~4)。
[0003] 為了因應(yīng)技術(shù)需求,上述TN型、STN型、VA型等液晶顯示元件中所使用的液晶取向 膜均需要具有預(yù)傾角特性。一般而言,可通過(guò)摩擦法、或在基板表面設(shè)置突起物的方法等來(lái) 對(duì)液晶取向膜賦予預(yù)傾角特性。然而,摩擦法中所產(chǎn)生的灰塵或靜電有時(shí)會(huì)導(dǎo)致顯示不良 或電路損壞;在基板表面設(shè)置突起物的方法有時(shí)則會(huì)對(duì)液晶顯示元件的亮度造成損害等, 故上述方法均存在問(wèn)題。
[0004] 作為替代上述方法的預(yù)傾角賦予方法,近年來(lái)提出有利用光異構(gòu)化或光二聚化、 光分解技術(shù)等的光取向法。在光取向法中,可透過(guò)對(duì)形成在基板上的感放射線性有機(jī)薄膜 照射放射線,藉此對(duì)液晶取向膜賦予異向性。例如在專利文獻(xiàn)5、6及非專利文獻(xiàn)1中均揭 示了有關(guān)光取向法的技術(shù)。與先前的摩擦法相比,使用光取向法可避免灰塵或靜電的產(chǎn)生, 因此可抑制由灰塵或靜電等所引起的顯示不良或良率的下降。
[0005] 另一方面,現(xiàn)有制備液晶取向膜的方式主要是先將聚酰胺酸或可溶性聚酰亞胺溶 解于有機(jī)溶劑中,以形成液晶取向劑溶液,再將上述溶液涂布于基板上,并通過(guò)加熱等方法 使其形成聚酰胺酸或聚酰亞胺系取向膜。然而,現(xiàn)有的聚酰胺酸或聚酰亞胺系取向膜存在 預(yù)傾角的經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性不佳等問(wèn)題。為了改善上述問(wèn)題,專利文獻(xiàn)7及專利文獻(xiàn)8中揭示了 使用聚天冬酰亞胺(polyaspartimide)作為液晶取向劑用材料的技術(shù)。
[0006] 然而,利用上述各文獻(xiàn)中記載的液晶取向劑所制作的液晶顯示元件均存在經(jīng)紫外 線照射后容易產(chǎn)生電場(chǎng)記憶效應(yīng)(electricfieldmemoryeffect)等的問(wèn)題,從而不利于 實(shí)際應(yīng)用。
[0007][先前技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)1]日本特開昭56-91277號(hào)公報(bào) [0010][專利文獻(xiàn)2]日本特開平1-120528號(hào)公報(bào)
[0011][專利文獻(xiàn)3]日本特開平11-258605號(hào)公報(bào)
[0012] [專利文獻(xiàn)4]日本特開2002-250924號(hào)公報(bào)
[0013][專利文獻(xiàn)5]日本特開2004-83810號(hào)公報(bào)
[0014] [專利文獻(xiàn)6]日本特開2005-037654號(hào)公報(bào)
[0015] [專利文獻(xiàn)7]日本特開平7-43725號(hào)公報(bào)
[0016] [專利文獻(xiàn)8]日本特開平7-110484號(hào)公報(bào)
[0017] [非專利文獻(xiàn)]
[0018] [非專利文獻(xiàn) 1]J.oftheSID11/3,2〇〇3,p579
[0019] 基于上述,為了改善液晶顯示元件在經(jīng)紫外線照射后容易產(chǎn)生電場(chǎng)記憶效應(yīng)等的 問(wèn)題,有必要進(jìn)一步進(jìn)行研究,以提供能夠符合業(yè)界需求的液晶顯示元件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020] 有鑒于此,本發(fā)明提供一種液晶取向劑、其所形成的液晶取向膜以及液晶顯示元 件,能夠改善上述液晶顯示元件在經(jīng)紫外線照射后產(chǎn)生電場(chǎng)記憶效應(yīng)等的問(wèn)題。
[0021] 本發(fā)明提供一種液晶取向劑,包括:(A)聚天冬酰亞胺(polyaspartimide)以 及(B)溶劑;其中上述(A)聚天冬酰亞胺為由(a)雙馬來(lái)酰亞胺化合物(bismaleimide compound)與(b)二胺(diaminecompound)化合物進(jìn)行反應(yīng)而得;上述(b)二胺化合物至 少包括一種含下述式(1-1)所示的光反應(yīng)性結(jié)構(gòu)的二胺(b-Ι):
[0023] 于上述式(1-1)中,R1及R2各自獨(dú)立表示碳數(shù)為1至6的烷基、碳數(shù)為1至6的 烷氧基、鹵素原子或氰基;a及b各自獨(dú)立表示0至4的整數(shù);c表示0或1 ; 一*各自獨(dú)立 表示連接鍵;上述(a)雙馬來(lái)酰亞胺化合物包含下述式(1-2)所示之結(jié)構(gòu):
[0025] 于上述式(1-2)中,Q表示包含亞烷基(alkylenegroup)或亞芳基(arylene group)中的至少一個(gè)的二價(jià)有機(jī)基。
[0026] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述(b-Ι)二胺包括由下述式(II-1)表示的結(jié)構(gòu)、由式 (II-2)表示的結(jié)構(gòu)或上述兩者的組合:
[0027]
[0029] 于上述式(II-1)及式(II-2)中,R3、R4、R6及R7各自獨(dú)立表示碳數(shù)為1至6的 烷基、碳數(shù)為1至6的烷氧基、鹵素原子或氰基;R5及R8各自獨(dú)立表示碳數(shù)為1至40的烷 基或經(jīng)氟原子取代的碳數(shù)為1至40的烷基;Y1、Y2及Y3各自獨(dú)立表示-0-、-C0-、-C0-0-、 -0-C0-、-NR9-、-NR9-C0-、-C0-NR9-、-NR9-C0-0-、-0-C0-NR9-、-NR9-C0-NR9-或 0-C0-0-,其中 R9表示氫原子或碳數(shù)為1至4的烷基;Z1及Z2各自獨(dú)立表示亞甲基、亞芳基、二價(jià)的脂環(huán) 基、-Si(CH3)2-、-CH=CH-、-C=C-、具有取代基的亞甲基、具有取代基的亞芳基、具有取代 基的二價(jià)脂環(huán)基、具有取代基的-Si(CH3) 2_、具有取代基的-CH=CH-,其中上述取代基為氰 基、鹵素原子或碳數(shù)為1至4的烷基;d、e、j及k各自獨(dú)立表示0至4的整數(shù);f及m表示 〇或1 ;g及η各自獨(dú)立表示1至6的整數(shù);h及p各自獨(dú)立表示0至2的整數(shù);i表示0或 1的整數(shù);一*各自獨(dú)立表示連接鍵。
[0030] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述式(1-1)所示的光反應(yīng)性結(jié)構(gòu)位于上述(A)聚天冬 酰亞胺的側(cè)鏈上。
[0031] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述(b)二胺化合物可進(jìn)一步包含下述式(1-3)的二胺 (b_2):
[0033]式(1-3)中,B1 表示

B2表示碳數(shù)為2至30的烷基的一價(jià)基團(tuán)。
[0034] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述(b)二胺化合物可進(jìn)一步包含下述式(1-4)的二胺 (b_3):
[0036]式(1-4)中,B3表示

B4表示含甾(steroid)基團(tuán)的一價(jià)基團(tuán)。
[0037] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述(b)二胺化合物可進(jìn)一步包含下述式(1-5)的二胺 (b-4):
[0039]式(1-5)中,B5表示

[0040] B6表示由下述式(1-5-1)所示的有機(jī)基團(tuán);
[0041]
[0042] 式(1-5-1)中,R1(:表示氫、氟或甲基;Rn、R12或R13各自表示單鍵、
(^至C3的亞烷基;R14表不
[0043] 其中,R16及R17各自表示氫、氟或甲基;R15表示氫、氟、C1至C12的烷基、C1至C12的 氟烷基、(^至(:12的烷氧基、-0〇1$、-0(:冊(cè) 2或-(^訓(xùn)表示1或2江、8及七各自表示0至4 的整數(shù);u、v及w各自表示0至3的整數(shù),且u+v+w蘭3 ;x及y各自表示1或2 ;當(dāng)R1Q、Rn、 R12、R13、R14、R15或R16為復(fù)數(shù)個(gè)時(shí),各自可為相同或不同。
[0044] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,基于上述(b)二胺化合物的總摩爾數(shù)為100摩爾,上述 (b-Ι)二胺的使用量為10至80摩爾。
[0045] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,基于上述(b)二胺化合物的總摩爾數(shù)為100摩爾,上述 (b-2)二胺的使用量為0· 5至50摩爾。
[0046] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,基于上述(b)二胺化合物的總摩爾數(shù)為100摩爾,上述 (b-3)二胺的使用量為0· 5至50摩爾。
[0047] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,基于上述(b)二胺化合物的總摩爾數(shù)為100摩爾,上述 (b-4)二胺的使用量為0· 5至50摩爾。
[0048] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中,基于上述(A)聚天冬酰亞胺100重量份,上述(B)溶劑的 含量為1000重量份~2000重量份。
[0049] 本發(fā)明又提供一種液晶取向膜,其由上述液晶取向劑所形成。
[0050] 本發(fā)明更提供一種液晶顯示元件,其包括上述液晶取向膜。
[0051] 基于上述,將本發(fā)明的液晶取向劑用于制作液晶顯示元件時(shí),可以改善經(jīng)紫外線 照射后產(chǎn)生電場(chǎng)記憶效應(yīng)等的問(wèn)題,從而適用于制作液晶取向膜以及液晶顯示元件。
[0052] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附圖式 作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0053] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示元件的側(cè)視圖。
[0054] 符號(hào)說(shuō)明
[0055] 100 :液晶顯示元件
[0056] 110:第一單元
[0057] 112:第一基板
[0058] 114:第一導(dǎo)電膜
[0059] 116:第一液晶取向膜
[0060] 120 :第二單元
[0061] 122 :第二基板
[0062] 124:第二導(dǎo)電膜
[0063] 126 :第二液晶取向膜
[0064] 130 :液晶單元
【具體實(shí)施方式】[0065]液晶取向劑
[0066] 本發(fā)明提供一種液晶取向劑,其包括(A)聚天冬酰亞胺以及(B)溶劑。此外,本發(fā) 明的液晶取向劑還可視需要而包括添加劑(C)。以下,將分別對(duì)上述(A)聚天冬酰亞胺、(B) 溶劑及添加劑(C)等成分進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。
[0067] 應(yīng)注意的是,下文中所提及的烷基等基團(tuán)可能有經(jīng)取代基進(jìn)一步取代的情形,所 謂烷基等基團(tuán)的「碳數(shù)」為表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)整體所具有的碳數(shù)。此外,若未特 別說(shuō)明某基團(tuán)為經(jīng)取代或未經(jīng)取代,則表示涵蓋該基團(tuán)經(jīng)取代與未經(jīng)取代的態(tài)樣。
[0068] (A)聚天冬酰亞胺
[0069]上述(A)聚天冬酰亞胺為由(a)雙馬來(lái)酰亞胺化合物與(b)二胺化合物進(jìn)行反應(yīng) 而得。
[0070] (a)雙馬來(lái)酰亞胺化合物
[0071] 上述(a)雙馬來(lái)酰亞胺化合物包含下述式(1-2)所示之結(jié)構(gòu):
[0072]
[0073] 于所述式(1-2)中,Q表示包含亞烷基或亞芳基中的至少一個(gè)的二價(jià)有機(jī)基。
[0074] 作為上述亞烷基,可為包含直鏈狀或分支狀環(huán)結(jié)構(gòu)的亞烷基,較佳為碳數(shù)1~12 的亞烷基。作為上述亞烷基,可列舉亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚 基、亞辛基、亞壬基、亞癸基、亞十一烷基、亞十二烷基以及該些的結(jié)構(gòu)異構(gòu)物。
[0075] 作為上述亞芳基,例如可列舉亞苯基、聯(lián)亞苯基(biphenylenegroup)、二亞苯醚 基(diphenyleneethergroup)、二亞苯硫基(diphenylenesulfidegroup)等。
[0076] 作為上述包含亞烷基或亞芳基中的至少
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