一種正負(fù)混合液晶組合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于液晶材料技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種正負(fù)混合液晶組合物，W及其在液 晶顯不器中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 顯示是把W電信號為傳播媒介的數(shù)據(jù)信息轉(zhuǎn)變成W可視光為傳播媒介的視覺信 息的過程，完成顯示的設(shè)備即人機(jī)界面（Man-MachineInte計(jì)ace,MMI)。平板顯示器（Flat panelDisplay,FPD)是目前最為流行的一類顯示設(shè)備。液晶顯示器化iquid化ystal Display,LCD)是FTO中最早被開發(fā)出來，并被商品化的產(chǎn)品。目前，薄膜晶體管液晶顯示器 (ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)已經(jīng)成為LCD應(yīng)用中的主流 產(chǎn)品。
[0003] 從工作原理講，LCD運(yùn)種顯示器件是將背光源發(fā)出的光，藉由偏光片及液晶盒（液 晶分子）等，產(chǎn)生相應(yīng)于要顯示圖像的光的明暗，從而使顏色變化，由此實(shí)現(xiàn)人們可辨識的 圖像顯示。也就是說，LCD的亮度決定于透過液晶盒的光的相對量（稱其為液晶盒的透射 率）、透過彩色濾光片的光的相對量（CF的透射率）W及背光源的亮度等諸多因素。
[0004] 不同顯示模式的引入使得液晶顯示器化CDs)的性能有了明顯的提高，并且被更 加廣泛地應(yīng)用于智能手機(jī)，顯示器，便攜平板電腦，電視等不同方面。運(yùn)些應(yīng)用對液晶顯示 器提出了更高的顯示要求，比如高對比度，寬視角，快速響應(yīng)和高穿透率。其中，在超高分辨 率下由于像素尺寸的縮小導(dǎo)致開口率降低，所W高穿透率的顯示顯得尤為重要。
[0005] 液晶的介電性質(zhì)用介電常數(shù)e來表示。與液晶指向矢平行的電場介電常數(shù)用 表示，與液晶指向矢垂直的電場介電常數(shù)用e^表示，介電各向異性常數(shù)為Ae= e-e^。若液晶分子極性基團(tuán)永久偶極距的方向與分子長軸方向一致，液晶分子長軸 方向的電子偏移度最大，運(yùn)樣，與分子長軸平行的方向上具有大的偶極距，介電各向異性為 正，Ae>0,運(yùn)樣的液晶叫做正性液晶。若液晶分子極性基團(tuán)永久偶極距的方向與分子長 軸方向垂直，液晶分子短軸方向的電子偏移度最大，運(yùn)樣，與分子長軸垂直的方向上具有小 的偶極距，介電各向異性為負(fù)，Ae<0運(yùn)樣的液晶叫做負(fù)性液晶。
[0006] 目前在液晶顯示市場，具有競爭力的顯示模式主要有，面內(nèi)切換（in-plane switching,IPS),邊緣場切換（fringe-fieldswitching,FF巧，和垂直排列（vertical alignment,VA)等顯示模式。在運(yùn)些顯示模式中，面內(nèi)切換（IP巧和邊緣場切換（FF巧都 具有寬視角的特點(diǎn)。當(dāng)正性液晶用于IPS/FK顯示模式時(shí)可W獲得快速響應(yīng)，并且有良好 的可靠性；而負(fù)性液晶用于IPS/FK顯示模式時(shí)可W獲得更高的透過率，但是由于負(fù)性液 晶粘度較大，所W響應(yīng)時(shí)間較慢。
[0007] 在LCD器件的生產(chǎn)和使用中，液晶將不可避免地受到紫外線0JV)福射的影響，為 了降低LCD器件的功耗要求液晶的穿透率應(yīng)該盡量高，因此在正性液晶中添加負(fù)性組分W 提升穿透率，但是負(fù)性組分的加入往往導(dǎo)致混晶的UV性能降低，紫外線0JV)福射能夠破壞 液晶介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)，對其物理參數(shù)產(chǎn)生影響，最終造成顯示不良現(xiàn)象，所W在LCD的實(shí)際 應(yīng)用中必須要考慮液晶的紫外穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一種正負(fù)混合液晶組合物，W解決現(xiàn)有液晶混 合物存在的透過率低、響應(yīng)速度慢W及抗UV性能差的問題。
[0009] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：
[0010] 一種正負(fù)混合液晶組合物，所述液晶組合物包含一種或多種選自通式S-1、通式 S-2、結(jié)構(gòu)式S-3、結(jié)構(gòu)式S-4所示化合物組成的添加劑組分A，包含一種或多種通式I所示 負(fù)性化合物組成的組分B，還包含一種或多種通式II所示正性化合物組成的組分C，
[001引其中，
[0013] Ri、R3各自獨(dú)立地表示
、碳原子數(shù)為1~10的直 鏈烷基、碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈締基中的任一基團(tuán)；
[0014] (O)Rz表示碳原子數(shù)為I~5的直鏈烷基或者氧原子與苯環(huán)相連接的、碳原子數(shù)為 1~5的直鏈烷基酸中的任一基團(tuán)；
[001引 Rg、RiD各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷基中的任一基團(tuán)；
[001引 Xi、X2、X3、X4各自獨(dú)立地表示H或者F中的一種；
[0017]Yi表示F，或碳原子數(shù)為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~6的直 鏈締基中的任一基團(tuán)，其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代；
[0018]
各自獨(dú)立地表示下述基團(tuán)中的任意一種或多種，
[0019] ①反式1,4-亞環(huán)己基、1,4-環(huán)己締基，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的-CHz-基團(tuán) 被-0-或-S-取代或未取代，
[0020] ②1，4-亞苯基基團(tuán)，其中一個(gè)或兩個(gè)-CH-被N取代或未取代，一個(gè)或兩個(gè)H被F 取代或未取代；
[0021] 21、22各自獨(dú)立地表示單鍵、-邸2-、-邸2-邸2-、-邸=邸-、-(：三(：-、-〇)0-、-00(：-、-CFzO-、-0邸2-、-邸2〇-、-OCFz-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-C2F4-或-CF=CF-中的任一基團(tuán)；
[0022] a、b各自獨(dú)立地表示0、1或2,并且當(dāng)a= 2時(shí)，
可W相同或不同，當(dāng)b= 2 時(shí)，
'可W相同或者不同。
[0023] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述液晶組合物還包含一種或多種通式III、 通式IV和/或通式V所示化合物組成的組分D，
[0024]
[002引 其中，
[002引 R4、Rs、Re、R?、Rs各自獨(dú)立地表示
，碳原子數(shù)為 1~10的直鏈烷基、碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈締基中 的任一基團(tuán)；
[0027]Xs、Xe各自獨(dú)立地表示H或者F中的一種；
[0028]Yz表示F，或碳原子數(shù)為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~6的直 鏈締基中的任一基團(tuán)，其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代；
[0029]
各自獨(dú)立地表示下述基團(tuán)中的任意一種或多 種，
[0030] (1)反式1,4-亞環(huán)己基、1,4-環(huán)己締基，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的-邸2-基團(tuán) 被-0-或-S-取代或未取代，
[0031] 似1，4-亞苯基基團(tuán)，其中一個(gè)或兩個(gè)-CH-被N取代或未取代，一個(gè)或兩個(gè)H被F 取代或未取代；
[0032]Zs各自獨(dú)立地表示單鍵、-CH廠、-邸2-邸2-、-邸=CH-、-C三C-、-C00-、-00C-、-CF2 0-、-OCH2-、-邸2〇-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-C2F4-或-CF=CF-中的任一基團(tuán)；
[0033] C、d、e各自獨(dú)立地表示0或1。
[0034] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述添加劑組分A在液晶組合物中的濃度范 圍為1~3000ppm，所述液晶組合物中，組分B的重量百分含量為5~20%，組分C的重量 百分含量為10~60%。
[0035] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述液晶組合物中，組分D的重量百分含量 為20~70 %，所述組分B、組分C、組分D的重量百分含量之和為100 %。
[0036] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式I所示的負(fù)性化合物具體為下列式 I-a至式I-e所示的化合物，

[0039]其中，
[0040] R康示 .碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷基、碳原子 數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈締基中的任一基團(tuán)；
[0041] (0)Rz表示碳原子數(shù)為1~5的直鏈烷基或者氧原子與苯環(huán)相連接的、碳原子數(shù)為 I~5的直鏈烷基酸中的任一基團(tuán)。
[0042] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式II所示的正性化合物具體為下列式 II-a至式II-rl所示的化合物，




[004引其中，
[0049] Rs表示碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù) 為2~10的直鏈締基中的任一基團(tuán)；
[0050] Yi表示F，或碳原子數(shù)為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~6的直 鏈締基中的任一基團(tuán)，其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代，
[0051] (巧表示H或F中的任意一種。
[0052] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式III所示的化合物具體為下列式 III-a至式III-j所示的化合物，

[0054]其中，
[00財(cái) R4、Rs各自獨(dú)立地表示 、碳原子數(shù)為1~10的 直鏈烷基、碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2