一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔板層壓基板材料的粘合劑及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于電子信息技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓 基板材料的粘合劑及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著當(dāng)下先進(jìn)電子設(shè)備和技術(shù)的發(fā)展，終端客戶對(duì)云端運(yùn)算和無線網(wǎng)路的需求迅 猛增加，造成高頻通訊產(chǎn)品的需求大大提升。通訊領(lǐng)域各種電子設(shè)備需求突飛猛進(jìn)，計(jì)算 機(jī)、智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子迅速普及，據(jù)有關(guān)方面調(diào)查研宄統(tǒng)計(jì)：未來幾年全球數(shù) 據(jù)中心全球數(shù)據(jù)中心流量將增加四倍，云計(jì)算領(lǐng)域流量增加六倍。信息通信設(shè)備領(lǐng)域，近年 全球數(shù)據(jù)交換流量以每年平均210%的速度遞增，呈爆炸式增長，從2010年到2014年數(shù)據(jù) 量增加了 16倍。手機(jī)基站設(shè)備及有線通信設(shè)備為典型代表的通訊設(shè)備大幅度增加。據(jù)統(tǒng) 計(jì)，到2013年手機(jī)基站設(shè)備臺(tái)數(shù)已達(dá)到185萬套，有線通信設(shè)備（OPT)達(dá)到135萬套，往后 幾年還將以年均約110%的速度增長。數(shù)據(jù)處理設(shè)備爆炸式的增長，推動(dòng)了通訊設(shè)備用PCB 市場的擴(kuò)大及其對(duì)高速傳輸、低損耗性能要求的提高。上游材料決定PCB最終產(chǎn)品的性能。 生產(chǎn)高速PCB極仰賴于低損耗基材的開發(fā)。為滿足近年全球信息技術(shù)向數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化飛 速發(fā)展所帶來的超大容量信息傳輸，超快速、超高密度信息處理的硬性需求，各類不同特色 的高速化覆銅板成為業(yè)界技術(shù)開發(fā)的熱門。
[0003] 然而無鹵化的浪潮在這類基材的開發(fā)中推波助瀾，引領(lǐng)了其中最主流的方向，這 既是因?yàn)殡娮赢a(chǎn)品環(huán)保無鹵化的理念深入人心，為免去世界環(huán)保熱情的高漲中遭人詬病的 后顧之憂；還因?yàn)檩^之高頻領(lǐng)域的高額投入與利潤回報(bào)，無鹵化的成本壓力不再十分耀眼； 更是因?yàn)榻K端電子廠商的強(qiáng)勢(shì)推動(dòng)。目前行業(yè)內(nèi)所應(yīng)用的低介電型材料基本的開發(fā)方向多 采用聚四氟乙烯樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、熱固性聚苯醚樹脂、氰酸脂樹脂、聚酰亞胺等等， 但在無鹵環(huán)保、阻燃性、吸水性、介電性能、加工性、價(jià)格等關(guān)鍵點(diǎn)上存在著各種各樣難以平 衡的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的之一在于提供一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料 的粘合劑。本發(fā)明提出的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，可涂覆 上膠于玻璃纖維布之上，用于生產(chǎn)覆銅箔板。其性能優(yōu)越，具有Tg高、吸水率低、介電常數(shù) 低、介質(zhì)損耗低、耐熱性好、流動(dòng)性佳、加工性好的特點(diǎn)。
[0005] 本發(fā)明的目的之一在于提供一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料 的粘合劑的制備方法。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：
[0007] -種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其按組分按質(zhì)量 份額計(jì)如下：
[0008]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其組分按質(zhì)量份額 計(jì)如下： (A) 苯乙烯-甲基納迪克酸酐 10-60份； (B) 低介電環(huán)氧樹脂 10?60份； (C) 苯并噁嗪樹脂 10?45份； (D) 含磷阻燃劑 2?15份； (E) 高成球型二氧化桂 10?55份; (F) 咪唑類促進(jìn)劑 0 05?5.0份; (G) 硅烷 0.05?5.0份; (H) 有機(jī)溶劑 5?50份。
2. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述苯乙烯-甲基納迪克酸酐的重均分子量在2000?50000。
3. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述苯乙烯-甲基納迪克酸酐的重均分子量在2000-15000。
4. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述低介電環(huán)氧樹脂為聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、奈環(huán)型環(huán)氧樹脂、聚苯醚型環(huán)氧樹脂、雙 環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂中的一種或多種混合。
5. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述改性苯并噁嗪樹脂為雙環(huán)戊二烯型苯并惡嗪、聚苯醚型苯并惡嗪、4, 4' -二氨 基二苯基甲烷型苯并惡嗪中的一種或多種混合。
6. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述含磷阻燃劑為一種磷含量15% -20%為磷酸基銨鹽與苯氧基磷腈的混合物。
7. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述高成球型二氧化娃為一種微細(xì)球形二氧化娃，其平均粒徑為0. 5 μ m，最大粒徑 不超過24 μ m，純度在99. 0 %以上。
8. 如權(quán)利要求1所述的適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其特 征在于，所述有機(jī)溶劑選自酮類溶劑或醚類溶劑。
9. 權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓 基板材料的粘合劑的制備方法，其包括如下步驟： (1) 按配方量在攪拌槽內(nèi)加入有機(jī)溶劑，開啟攪拌器，轉(zhuǎn)速500-1500轉(zhuǎn)/分，保持持續(xù) 攪拌并控制槽體溫度在20-50°C，加入磷系阻燃劑，添加完畢后持續(xù)攪拌10-60分鐘，再加 入硅烷及高成球型二氧化硅，添加完畢后持續(xù)攪拌10-60分鐘； (2) 在攪拌槽內(nèi)按配方量依次加入苯乙烯-甲基納迪克酸酐、改性苯并噁嗪樹脂、改性 無鹵環(huán)氧樹脂，加料過程中保持以1000-1500轉(zhuǎn)/分轉(zhuǎn)速攪拌，添加完畢后開啟高效剪切及 乳化1-6小時(shí)，同時(shí)進(jìn)行冷卻水循環(huán)以保持控制槽體溫度在20-50°C ; (3) 按配方量稱取咪唑類促進(jìn)劑，用適量有機(jī)溶劑完全溶解后，將該溶液加入攪拌槽 內(nèi)，并持續(xù)保持1000-1500轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢?-13小時(shí)，即制得粘合劑。
【專利摘要】本發(fā)明公開的一種適用于高Tg無鹵低介電型覆銅箔層壓基板材料的粘合劑，其組分按質(zhì)量份額計(jì)如下：(A)苯乙烯-甲基納迪克酸酐10-60份；(B)低介電環(huán)氧樹脂10-60份；(C)苯并噁嗪樹脂10-45份；(D)含磷阻燃劑2-15份；(E)高成球型二氧化硅10-55份；(F)咪唑類促進(jìn)劑0.05-5.0份；(G)硅烷0.05-5.0份；(H)有機(jī)溶劑5-50份。本發(fā)明還公開了該粘合劑的制備方法。使用本發(fā)明的粘合劑制得的覆銅箔板TG≥170℃，具有優(yōu)異的介電性能和耐熱性能，無鹵環(huán)保，阻燃達(dá)到UL94 V-0級(jí)別，且具有較低的吸水率和熱膨脹系數(shù)以及良好的加工性能。
【IPC分類】C09J125-08, C09J11-04, C09J179-04, C09J11-06, C09J163-00
【公開號(hào)】CN104531008
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410835417
【發(fā)明人】粟俊華, 況小軍, 席奎東, 包秀銀, 張東, 包欣洋
【申請(qǐng)人】上海南亞覆銅箔板有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月23日