一種有機(jī)電容觸摸屏的制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)電容觸摸屏的制造方法，包括在下玻璃上形成薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層，在薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層上形成液晶層，在液晶層上形成濾光片，在濾光片上形成該電極層，在該電極層上形成上玻璃，在上玻璃上形成偏光板和保護(hù)玻璃層。電極層的材料為：摻雜銅的含有籠型結(jié)構(gòu)化合物的預(yù)聚物。
【專利說明】一種有機(jī)電容觸摸屏的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種觸摸屏，尤其涉及一種有機(jī)電容觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，電容式觸摸屏已經(jīng)成為市場上人機(jī)交互的主要部件，相比于傳統(tǒng)電阻屏、紅外線觸摸屏能提供更好的用戶體驗效果。因此越來越多的被應(yīng)用于手機(jī)、MID、平板電腦等便攜式消費類電子產(chǎn)品中，成為一個不可或缺的主要部件。
[0003]當(dāng)前使用的電極材料，觸摸時，電容變化量不夠大，觸摸靈敏度不高，不能實現(xiàn)很好的觸屏功能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]一種有機(jī)電容觸摸屏的制造方法，包括
[0005]在下玻璃上形成薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層，在薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層上形成液晶層，在液晶層上形成濾光片，在濾光片上形成該電極層，在該電極層上形成上玻璃，在上玻璃上形成偏光板和保護(hù)玻璃層。
[0006]電極層的材料為:
[0007]摻雜銅的含有籠型結(jié)構(gòu)化合物的預(yù)聚物，所述籠型結(jié)構(gòu)化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團(tuán)和以金剛烷結(jié)構(gòu)作為最小單元的籠型結(jié)構(gòu)，其中，
[0008]上述籠型結(jié)構(gòu)化合物為用下式(I)表示的化合物，
[0009]上述預(yù)聚物的通過凝膠滲透色譜法測定的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000~500000，并具有上述聚合性不飽和鍵之間反應(yīng)而生成的不飽和鍵和未反應(yīng)的上述聚合性不飽和鍵，并且上述未反應(yīng)的聚合性不飽和鍵的殘留率為20%~80%，
[0010]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電容觸摸屏的制造方法，包括 在下玻璃上形成薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層，在薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)層上形成液晶層，在液晶層上形成濾光片，在濾光片上形成該電極層，在該電極層上形成上玻璃，在上玻璃上形成偏光板和保護(hù)玻璃層。 電極層的材料為: 摻雜銅的含有籠型結(jié)構(gòu)化合物的預(yù)聚物，所述籠型結(jié)構(gòu)化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團(tuán)和以金剛烷結(jié)構(gòu)作為最小單元的籠型結(jié)構(gòu)，其中， 上述籠型結(jié)構(gòu)化合物為用下式(I)表示的化合物， 上述預(yù)聚物的通過凝膠滲透色譜法測定的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000~500000，并具有上述聚合性不飽和鍵之間反應(yīng)而生成的不飽和鍵和未反應(yīng)的上述聚合性不飽和鍵，并且上述未反應(yīng)的聚合性不飽和鍵的殘留率為20%~80%，
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電容觸摸屏，其特征在于，R1選自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基； R2選自氫，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；
R3 選自氫，鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基，氰基，二氟甲基，二氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；
R4 選自氫，鹵素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdR4, -CONRfRg, -NRhCORi, -NRjSO2Rk,疊氮基，氰基，二氟甲基，二氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ； 優(yōu)選的，所述R1選自C6-C14芳基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基； R2選自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基； R1可被一種或一種以上的以下基團(tuán)所任選取代:鹵素，硝基，-NRaRb，-S02Rc，-S02NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORi，-NRjS02Rk,疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-ORl ；R2非氫時可被一種或一種以上的以下基團(tuán)所任選取代:鹵素或-ORm ；Xl及Yl為含聚合性不飽和鍵的基團(tuán)，其中的至少一個為式(3)所示的基團(tuán)或式(4)所示的基團(tuán)， -C Ξ C-R5 (3)
【文檔編號】C09D149/00GK103744570SQ201410037007
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月26日
【發(fā)明者】曹中, 曹陽, 陳金富, 陳金根, 崔恒東, 呂娟, 朱永和, 史傳冬 申請人:南通中堯機(jī)電制造有限公司