涂覆的電氣組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種具有保形涂層的電氣組件，其中所述保形涂層通過(guò)以下方法可得到，該方法包括式(I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物的沉積以及氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物的沉積：(I)其中：R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基；R2代表氫、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R3代表氫、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R4代表氫、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R5代表氫、C1-C3烷基或C2-C3烯基；且R6代表氫、C1-C3烷基或C2-C3烯基。
【專利說(shuō)明】涂覆的電氣組件 發(fā)明領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種涂覆的電氣組件和制備涂覆的電氣組件的方法。
[0002] 發(fā)明背景
[0003] 保形涂層在電子行業(yè)已經(jīng)被使用很多年，以保護(hù)電氣組件在操作過(guò)程中免受環(huán)境 暴露。保形涂層是薄的、柔性的保護(hù)漆層，該保護(hù)漆層符合電氣組件的輪廓，如印刷電路板 和它的元件。
[0004] 根據(jù)IPC定義，有5種主要種類的保形涂層：AR(丙烯酸樹脂）、ER(環(huán)氧樹脂）、 SR(硅酮）、UR(氨基甲酸酯）和XY(對(duì)二甲苯）。這5種類型中，對(duì)二甲苯（或聚對(duì)二甲 苯）被普遍接受用來(lái)提供最好的化學(xué)、電氣和物理保護(hù)。然而，沉積過(guò)程是耗時(shí)且昂貴的， 且起始原料是昂貴的。
[0005] 聚對(duì)二甲苯是具有以下結(jié)構(gòu)的聚合物：
[0006]
【權(quán)利要求】
1. 一種電氣組件，所述電氣組件具有保形涂層，其中所述保形涂層通過(guò)包括以下步驟 的方法可得到： (a) 式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至少一 個(gè)表面上：
其中： 札代表烷基或c2-c3烯基； R2代表氫、烷基或c2-c3烯基； R3代表氫、烷基或c2-c3烯基； R4代表氫、Ci-Q烷基或c2-c3烯基； r5代表氫、c「c3烷基或c2-c3烯基；且 r6代表氫、c「c3烷基或c2-c3烯基，和 (b) 氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（a)中形成的聚合物上。
2. -種電氣組件，所述電氣組件具有保形涂層，其中所述保形涂層通過(guò)包括以下步驟 的方法可得到： (i) 氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至少一個(gè)表面 上，和 (ii) 權(quán)利要求1中定義的式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在 步驟（i)中形成的聚合物上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣組件，其中所述保形涂層通過(guò)包括以下步驟的方法可得 到： (a) 式（I)的第一化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至 少一個(gè)表面上， (b) 第一氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（a)中形成的聚合物 上， (c) 式（I)的第二化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（b)中形成 的聚合物上，和 (d) 第二氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（c)中形成的聚合物 上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電氣組件，其中所述保形涂層通過(guò)包括以下步驟的方法可得 到： (i) 第一氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至少一個(gè)表 面上， (ii) 式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（i)中形成的聚 合物上，和 (iii) 第二氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（ii)中形成的聚 合物上。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電氣組件，其中所述式（I)的化合物或每種式 ⑴的化合物是1，4_二甲苯、1，3_二甲苯、1，2_二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙 烯、2-甲基苯乙烯、1，4-二乙烯基苯、1，3-二乙烯基苯或1，2-二乙烯基苯。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電氣組件，其中所述氟代烴或每種氟代烴是CF4、 c2f4、c2f6、c3f 6、c3f8*c4f8。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電氣組件，其中所述式（I)的化合物或每種式 ⑴的化合物是1，4_二甲苯并且所述氟代烴或每種氟代烴是C 3F6。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電氣組件，所述電氣組件包括基材、多個(gè)導(dǎo)電軌 跡和至少一個(gè)電氣元件，所述基材包括絕緣材料，所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡存在于所述基材的至 少一個(gè)表面上，所述至少一個(gè)電氣元件連接到至少一個(gè)導(dǎo)電軌跡。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電氣組件，其中所述保形涂層覆蓋所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡、所述 至少一個(gè)電氣元件和所述基材的所述表面，所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡和所述至少一個(gè)電氣元件位 于所述基材的所述表面上。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電氣組件，其中所述保形涂層包括通過(guò)氟代烴 或式（I)的化合物的等離子體聚合和沉積可得到的第一層以及通過(guò)氟代烴或式（I)的化合 物的等離子體聚合和沉積可得到的第二層，并且其中（a)在所述第一層和所述第二層之間 的折射率的差是至少0.01，和（b)所述第一層和/或所述第二層的厚度為從195z/y nm到 375z/y nm，其中z是整數(shù)且y是所述層的折射率。
11. 一種用于保形地涂覆電氣組件的方法，所述方法包括： (a) 權(quán)利要求1中定義的式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所 述電氣組件的至少一個(gè)表面上，和 (b) 氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（a)中形成的聚合物上。
12. -種用于保形地涂覆電氣組件的方法，所述方法包括： (i) 氟代烴的等離子聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至少一個(gè)表面上， 和 (ii) 權(quán)利要求1中定義的式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在 步驟（i)中形成的聚合物上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法包括： (a) 式（I)的第一化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至 少一個(gè)表面上， (b) 第一氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（a)中形成的聚合物 上， (C)式（I)的第二化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（b)中形成 的聚合物上，和 (d)第二氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（c)中形成的聚合物 上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法包括： (i) 第一氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到所述電氣組件的至少一個(gè)表 面上， (ii) 式（I)的化合物的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（i)中形成的聚 合物上，和 (iii) 第二氟代烴的等離子體聚合和所得到的聚合物沉積到在步驟（ii)中形成的聚 合物上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11到14中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述電氣組件包括基材、多個(gè)導(dǎo) 電軌跡和至少一個(gè)電氣元件，所述基材包括絕緣材料，所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡存在于所述基材 的至少一個(gè)表面上，所述至少一個(gè)電氣元件連接到至少一個(gè)導(dǎo)電軌跡。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法包括式（I)的化合物的等離子體聚合和 所得到的化合物沉積到所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡、所述至少一個(gè)電氣元件和所述基材的所述表面 上，所述多個(gè)導(dǎo)電軌跡和所述至少一個(gè)電氣元件位于所述基材的所述表面上。
【文檔編號(hào)】B05D1/00GK104302412SQ201380012311
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月6日
【發(fā)明者】安德魯·布魯克斯, 蒂莫西·馮韋爾訥 申請(qǐng)人:賽姆布蘭特有限公司