含“c^n=n”結(jié)構(gòu)異環(huán)配體磷光銥配合物及其制備的電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種含“C^N=N”結(jié)構(gòu)異環(huán)配體磷光銥配合物及其制備的電致發(fā)光器件,是以3-苯基或者6-苯基噠嗪及其衍生物為主配體,甲酸吡啶或乙酰丙酮為輔助配體絡(luò)合三價(jià)銥金屬離子形成的。本發(fā)明在含C^N=N結(jié)構(gòu)的銥配合物中引入輔助配體能改善這類銥配合物的熒光量子效率、能級(jí)、電學(xué)性能、發(fā)光效率。
【專利說明】含“0-Ν=Ν”結(jié)構(gòu)異環(huán)配體磷光銥配合物及其制備的電致發(fā)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機(jī)光電材料領(lǐng)域,尤其涉及磷光銥配合物材料在有機(jī)電致發(fā)光材料的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light-emitting Diodes,OLEDs)是一種利用新型的有機(jī)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的無機(jī)材料,在電流注入下發(fā)光的器件。它具有工作電壓低、發(fā)光亮度和發(fā)光效率高、反應(yīng)速度快、自主發(fā)光、視角廣等一系列優(yōu)點(diǎn),在信息顯示和固態(tài)照明等方向有著巨大的應(yīng)用前景。例如,OLED被喻為下一代的“明星”平板顯示技術(shù)。因此,有機(jī)電致發(fā)光材料與器件引起了科學(xué)界和國際知名公司的廣泛關(guān)注和積極參與。
[0003]由于傳統(tǒng)OLED中的電致發(fā)光來自熒光材料,所以這些器件的內(nèi)量子效率(指輻射光子數(shù)占注入載流子數(shù)的比例)一般不可能突破25%的理論極限。因?yàn)樵陔娭录ぐl(fā)條件下產(chǎn)生單線態(tài)和三線態(tài)激子的比例為1:3,根據(jù)自旋守恒,在熒光材料中,只有單線態(tài)的激子可被利用,占激子總量的25%,另外的75%的三線態(tài)激子則沒有被利用。而磷光材料的激子利用率理論上卻能達(dá)到 100%。因此,基于磷光材料的OLED比基于熒光材料的OLED有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。
[0004]在室溫固態(tài)下,一般有機(jī)材料的磷光發(fā)射很微弱,而過渡金屬如鉬、釕、鋨、銥等的配合物具有強(qiáng)的磷光發(fā)射。其中,又以金屬銥配合物的表現(xiàn)最為突出。此類材料具有熱穩(wěn)定性好、光色可調(diào)、發(fā)光效率高及磷光壽命短等優(yōu)點(diǎn),故而成為電致磷光材料的主要類型。
[0005]應(yīng)用于電致發(fā)光器件,銥配合物等磷光材料往往有熱穩(wěn)定性不夠好,發(fā)光強(qiáng)度有待于提高,易產(chǎn)生較嚴(yán)重的三線態(tài)-三線態(tài)猝滅,能級(jí)結(jié)構(gòu)不夠理想等這樣或那樣的問題。本發(fā)明給出的這類磷光銥配合物,具有發(fā)光強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。因此,這類材料有望在有機(jī)電致發(fā)光器件的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域得到應(yīng)用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]發(fā)明目的:本發(fā)明正是基于上述現(xiàn)狀所提出的一種異環(huán)配體磷光銥配合物及其制備的電致發(fā)光器件,在含“C~N=N”結(jié)構(gòu)的銥配合物中引入輔助配體可改善這類銥配合物的熒光量子效率,能級(jí),電學(xué)性能,發(fā)光效率。
[0007]技術(shù)方案:為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種異環(huán)配體磷光銥配合物,具有式(I)或式(II)所示結(jié)構(gòu):
[0008]
【權(quán)利要求】
1.一種含“C~N=N”結(jié)構(gòu)異環(huán)配體的磷光銥配合物,其特征在于,具有式(I)或式(II)所示結(jié)構(gòu):
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述含“C~N=N”結(jié)構(gòu)異環(huán)配體的磷光銥配合物,其特征在于,所述磷光銥配合物的具體結(jié)構(gòu)為:
3.一種基于權(quán)利要求1所述異環(huán)配體的磷光銥配合物制備的電致發(fā)光器件,其特征在于:包括由下至上依次設(shè)置的基片層、陽極、空穴注入層或空穴傳輸層、第一阻擋層或第一緩沖層、發(fā)光層、第二緩沖層或第二阻擋層、電子注入層或電子傳輸層、陰極;其中:空穴傳輸層、第一阻擋層或第一緩沖層、發(fā)光層、第二緩沖層或第二阻擋層、電子注入層或電子傳輸層中的一層或多層摻雜有異環(huán)配體磷光銥配合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述電致發(fā)光器件,其特征在于:所述電子注入層或電子傳輸層的材料為4,7- 二苯基1,10-菲咯啉或8-羥基喹啉鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述電致發(fā)光器件,其特征在于:所述陰極由0.1-1nm的氟化鋰層和IO-1OOnm的鋁層構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】C09K11/06GK103665049SQ201310276912
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月3日
【發(fā)明者】密保秀, 桑杰, 高志強(qiáng), 黃維 申請(qǐng)人:南京郵電大學(xué)