專利名稱：掩膜劑及帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種掩膜劑及帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法。
背景技術(shù)：
以In -1V族氮化鎵為代表的寬禁帶氮化物半導(dǎo)體，在紫外-藍(lán)光-綠光發(fā)光二級(jí)管、激光器、太陽光盲紫外光電探測(cè)器，以及高頻、高溫大功率電子器件等方面有廣泛的應(yīng)用。氮化物為主要異質(zhì)外延生長在藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氧化鋅、砷化鎵襯底或同質(zhì)外延生長在自支撐氮化鎵襯底上。異質(zhì)外延生長時(shí)，襯底和氮化物間存在很大的晶格常數(shù)失配合熱膨脹系數(shù)差異。因此，利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、氫化物氣相外延(HVPE)或分子束外延(MBE)等外延技術(shù)生長的氮化物外延層中，因應(yīng)力和晶體缺陷等因素的影響，導(dǎo)致材料晶體質(zhì)量不佳，進(jìn)而劣化了器件性能。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)采用圖形化襯底技術(shù)可以緩解襯底和氮化物外延層異質(zhì)外延生長中由于晶格失配引起的應(yīng)力，使之得到有效的弛豫，避免裂紋的產(chǎn)生。同時(shí)，也能大大降低外延生長的氮化物材料中的位錯(cuò)密度，提高晶體質(zhì)量。但是，目前制備的圖形化襯底大多采用傳統(tǒng)的光刻法制備。受設(shè)備精度等條件限制，傳統(tǒng)光刻技術(shù)制成的圖形尺寸都在微米級(jí)2-3um之間。與微米級(jí)圖形襯底相比，納米級(jí)圖形襯底可以更有效的弛豫異質(zhì)結(jié)界面生長過程的應(yīng)力，進(jìn)一步降低氮化物外延層中的位錯(cuò)密度，提高晶體質(zhì)量和相應(yīng)的器件性能。半導(dǎo)體納米級(jí)圖形的實(shí)現(xiàn)則通常采用電子束光刻技術(shù)或X射線光刻技術(shù)，但這些光刻技術(shù)都涉及昂貴的設(shè)備、復(fù)雜的工藝過程以及較高的成本，并且不能大面積、規(guī)?；谱鳌Ｒ虼?，發(fā)展低成本，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；痛竺娣e制作的納米級(jí)圖形化襯底技術(shù)，可以更有效的應(yīng)用于氮化物異質(zhì)外延生長，是目前急需解決的問題
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種掩膜劑及帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，以降低納米級(jí)圖形化基底的生成成本。為此，在本發(fā)明中提供了一種掩膜劑，該掩膜劑按體積份包括以下原料1(Γ30份的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒、2(Γ60份的溶劑，以及O. 06、. 2份的活化劑。進(jìn)一步地，上述納米級(jí)顆粒為球形納米級(jí)顆粒，優(yōu)選地，納米級(jí)顆粒為直徑
O.2μηι O. 8μηι的納米有機(jī)顆粒、納米二氧化娃顆?；蚣{米金屬顆粒。進(jìn)一步地，上述活化劑為TritonX-1OO表面離子活性劑、聚丙二醇的環(huán)氧乙烷加成物或高碳脂肪醇聚氧乙烯醚。進(jìn)一步地，上述溶劑為甲醇或乙醇。同時(shí)，在本發(fā)明中，還提供了一種帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，其包括如下步驟S1、按比例配置上述的掩膜劑；S2、在襯底上涂布掩膜劑，形成納米顆粒掩膜層；S3、依據(jù)納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕襯底，將納米顆粒掩膜層中納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底上；S4、清除經(jīng)步驟S3刻蝕后獲取的襯底的表面雜質(zhì)得到具有納米圖形結(jié)構(gòu)的襯底。進(jìn)一步地，上述步驟S2中涂布掩膜劑的過程采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式，旋轉(zhuǎn)涂布過程中旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為IOOrmp 5000rmp。進(jìn)一步地，上述步驟S3中刻蝕納米顆粒掩膜層的步驟采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)進(jìn)行干法刻蝕，所使用的刻蝕氣體為BC13、C12和/或Ar ;進(jìn)一步地，上述步驟S3中采用超聲狀態(tài)的溶液清洗襯底。進(jìn)一步地,上述步驟SI中納米顆粒掩膜層的厚度為O. 2μηι Ιμπι ;步驟S2刻蝕后在襯底上形成厚度為O. 2μηι Ιμπι的納米圖形層。進(jìn)一步地，上述襯底為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氧化鋅或氮化鎵中的一種或幾種的復(fù)合襯底。本發(fā)明具有以下有益效果

本發(fā)明提供了一種掩膜劑及帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，其中，掩膜劑中包括具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒，當(dāng)這種掩膜劑被涂布形成掩膜層時(shí)，掩膜劑中的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒分布在該掩膜層，對(duì)該掩膜層進(jìn)行刻蝕，將納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基體上，即可得到納米級(jí)圖形。本發(fā)明所提供的帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中通過使用上述掩膜劑在襯底上形成掩膜層，刻蝕后即可得到帶有納米級(jí)圖形的襯底。經(jīng)本發(fā)明帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法制備的納米級(jí)圖形襯底可用于氮化物的異質(zhì)外延生長。采用納米級(jí)圖形化襯底技術(shù)可以有效緩解異質(zhì)外延生長過程中因晶格失配引起的應(yīng)力積聚，降低氮化物外延層中的位錯(cuò)密度，避免裂紋的產(chǎn)生，提高材料的質(zhì)量和均勻性，進(jìn)而提高器件性能。另外，本發(fā)明帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，不涉及昂貴的光刻設(shè)備，有利于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。


附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中的各步驟的制備過程不意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但如下實(shí)施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。在本發(fā)明中所述的“具有掩膜功能的顆?！笔侵冈趯?duì)襯底表面進(jìn)行刻蝕的過程中，能夠?qū)σr底表面進(jìn)行遮蓋，避免刻蝕過程對(duì)被遮蓋的襯底表面產(chǎn)生影響的物質(zhì)顆粒。在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施例中，提供了一種掩膜劑，該掩膜劑中包含占其體積30% 50%的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒。優(yōu)選地，上述掩膜劑按體積份包括以下原料10^30份的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒、20-60份的溶劑，以及O. 06、. 2份的活化劑。
本發(fā)明所提供的掩膜劑中包括具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒，當(dāng)這種掩膜劑被涂布形成掩膜層時(shí)，掩膜劑中的納米級(jí)顆粒分布在該掩膜層中，對(duì)該掩膜層進(jìn)行刻蝕，將納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基體上，即可得到納米級(jí)圖形。通過采用這種掩膜劑不需要昂貴的光刻設(shè)備，就可以制備表面納米級(jí)圖形化的基體，有利于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。在上述所提供的這種掩膜劑中，溶劑的使用能夠有利于納米級(jí)顆粒的均勻分布，也有利于掩膜劑的涂布過程?；罨瘎┑氖褂糜欣诮档图{米級(jí)顆粒在涂布過程中的表面張力，使涂布后的掩膜層更均勻。優(yōu)選地，在上述掩膜劑中納米級(jí)顆粒為球形納米級(jí)顆粒，球形顆粒360度結(jié)構(gòu)相同，將其圖形轉(zhuǎn)移至基體上有利于形成結(jié)構(gòu)均一的納米級(jí)圖形。優(yōu)選地，該納米級(jí)顆粒的直徑0.2 μ m 0.8 μ m。在本發(fā)明中納米級(jí)顆粒的直徑并不限于該范圍內(nèi)，但是如果將納米級(jí)顆粒的直徑設(shè)定在該范圍內(nèi)具有在經(jīng)刻蝕后形成納米級(jí)圖形的效果。優(yōu)選地,在上述掩膜劑中納米級(jí)顆粒為納米有機(jī)顆粒、納米二氧化娃顆?；蚣{米金屬顆粒；其中有機(jī)球形顆粒包括但不限于聚苯乙烯。納米金屬顆粒包括但不限于納米銅球、納米鎳球等。優(yōu)選地，在上述掩膜劑中活化劑為表面離子活性劑或非離子型表面活性劑。表面離子活性劑包括但不限于TritonX-1OO表面離子活性劑。非離子型表面活性劑包括但不限于聚丙二醇的環(huán)氧乙烷加成物或高碳脂肪醇聚氧乙烯醚，這種活性劑只要能夠起到使納米微球掩膜層均勻涂布到襯底表面的作用即可。優(yōu)選地，溶劑為醇類溶劑，更有選地，該醇類溶劑包括但不限于甲醇或乙醇。這種溶劑只要能夠達(dá)到與溶質(zhì)均勻混合的要求即可。同時(shí)，在本發(fā)明中還提供了一種帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，如圖1所示，包括如下步驟S1、按比例配置上述的掩膜劑，該掩膜劑中包括具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒2 ;S2、在襯底I上涂布掩膜劑，形成納米顆粒掩膜層；S3、依據(jù)納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕襯底1，將納米顆粒掩膜層中納米級(jí)顆粒2結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底I上；S4、清除經(jīng)步驟S3刻蝕后獲取的襯底I的表面雜質(zhì)，清洗后得到具有納米顆粒結(jié)構(gòu)的襯底。本發(fā)明所提供的這種方法通過使用上述含有納米級(jí)顆粒的掩膜劑在襯底上形成掩膜層，對(duì)該掩膜層進(jìn)行刻蝕，將納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到襯底上，即可得到帶有納米級(jí)圖形的襯底。經(jīng)本發(fā)明帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法制備的納米級(jí)圖形襯底可用于氮化物的異質(zhì)外延生長。目前襯底無與其晶格相匹配的襯底，采用本發(fā)明所提供的方法制備的納米級(jí)圖形化襯底可以有效緩解異質(zhì)外延生長過程中因晶格失配引起的應(yīng)力積聚，降低外延生長過程中，外延部與襯底之間平面異質(zhì)生長會(huì)出現(xiàn)的晶體缺陷，增加了側(cè)向生長的比例，從而達(dá)到了減少外延層晶體缺陷的目的，改善了晶體質(zhì)量。進(jìn)一步地降低了氮化物外延層中的位錯(cuò)密度，提高材料的質(zhì)量和均勻性，進(jìn)而提高器件性能。另外，本發(fā)明帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，不涉及昂貴的光刻設(shè)備，有利于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。優(yōu)選地，在上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中步驟S2中涂布掩膜劑的過程采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式，旋轉(zhuǎn)涂布過程中旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為IOOrmp 5000rmp。一種可選的方式中，該旋轉(zhuǎn)涂布的方式可以通過將襯底 放置在可旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)要求，另一種可選的方式中，也可以將襯底固定設(shè)置，通過采用可旋轉(zhuǎn)的涂布刷在襯底上旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)涂布的要求。這種旋轉(zhuǎn)涂布的方式有利于將掩膜劑中納米級(jí)顆粒均勻地涂布在襯底的表面上。在本發(fā)明旋轉(zhuǎn)涂布的過程中旋轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速并沒有特定的要求，只是將旋轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速設(shè)定為IOOrmp 5000rmp具有使納米微球掩膜層均勻分布的效果。優(yōu)選地，在上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中步驟S3中刻蝕納米顆粒掩膜層的步驟采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)進(jìn)行干法刻蝕。反應(yīng)離子刻蝕機(jī)或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)都是現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)設(shè)備，對(duì)于該干法刻蝕的具體步驟在此不進(jìn)行詳細(xì)描述，其中優(yōu)選地，在干法刻蝕的過程中所使用的刻蝕氣體為BCl3、CljP/或Ar。優(yōu)選地，在上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中步驟S4中清除經(jīng)步驟S2刻蝕后獲取的襯底的表面雜質(zhì)的步驟主要是去除掩膜劑中殘留在襯底上的溶質(zhì)和溶劑，避免殘留物影響襯底的后續(xù)生長過程。另外，清洗的步驟采用超聲狀態(tài)的溶液清洗襯底。采用超聲狀態(tài)的溶液清洗襯底具有將細(xì)小顆粒和污染物振蕩洗脫的效果。其中，所使用的溶液包括但不限于硫酸、甲苯等溶液。優(yōu)選地，在上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中步驟SI中納米顆粒掩膜層的厚度為O. 2 μ m I μ m ;在本發(fā)明中所形成的掩膜層的厚度不限于此，而將掩膜層的厚度設(shè)定為O. 2 μ m I μ m的具有便于納米級(jí)圖形形成的效果。步驟S2刻蝕后在襯底上形成厚度為O. 2μηι Ιμπι的納米圖形層。優(yōu)選地，在上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中可采用的襯底包括但不限于藍(lán)寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氧化鋅或氮化鎵的一種或幾種的復(fù)合襯底。經(jīng)上述帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法所制備的帶有納米級(jí)圖形的襯底可用于氮化物的異質(zhì)外延生長，在該襯底上氮化物外延生長采用的生長方法可以是金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積M0CVD、氫化物氣相外延HVPE或分子束外延MBE中的任意一種，或任意兩種或三種的組合，所生長的氮化物外延層為GaN、AlN、InN, AlGaN, InGaN或AlGaInN中的任意一種，或由任意多種組合而成的層結(jié)構(gòu)材料。以下將結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明所提供的掩膜劑在制備帶有納米級(jí)圖形的襯底的有益效果。 基于圖1的帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中的各步驟的制備過程示意圖，以下結(jié)合具體的實(shí)施例1-4對(duì)本發(fā)明制作的納米級(jí)圖形襯底的方法進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例1掩膜劑原料10體積份O. 2μπι的銅球、60體積份的甲醇，以及O. 06體積份的Triton X-100表面離子活性劑(陶氏化學(xué)公司生產(chǎn))。襯底原料藍(lán)寶石襯底。制備方法S1、按比例配置上述的掩膜劑；S2、在藍(lán)寶石襯底上涂布掩膜劑，形成納米顆粒掩膜層。S3、依據(jù)納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕襯底，將納米顆粒掩膜層中納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底上；刻蝕步驟采用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備，采用BC13作為刻蝕氣體。S4、將刻蝕完成的襯底經(jīng)硫酸溶解后去除殘留的銅，再經(jīng)硫酸雙氧水清洗、去離子水沖洗再旋干，得到氮化物外延生長用納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底。經(jīng)觀察所形成的納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底上形成納米級(jí)圖案。實(shí)施例2
掩膜劑原料30體積份的直徑為O. 8 μ m的聚苯乙烯微球、20體積份的乙醇，以及
O.2體積份的TritonX-1OO表面離子活性劑(陶氏化學(xué)生產(chǎn))。襯底原料藍(lán)寶石襯底。制備方法S1、按比例配置上述的掩膜劑；S2、將上述掩膜劑經(jīng)旋轉(zhuǎn)涂布的方式均勻涂布到藍(lán)寶石襯底上，形成納米顆粒掩膜層，旋轉(zhuǎn)涂布的過程中旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速選擇為IOOrmp。S3、依據(jù)納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕襯底，將納米顆粒掩膜層中納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底上；刻蝕步驟采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕設(shè)備，采用C12作為刻蝕氣體。S4、將刻蝕完成的襯底經(jīng)甲苯溶解后去除殘留的聚苯乙烯，再分別經(jīng)超聲狀態(tài)下的硫酸雙氧水、BOE溶液、去離子水沖洗再旋干，得到氮化物外延生長用納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底。經(jīng)觀察所形成的納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底上形成納米級(jí)圖案。實(shí)施例3掩膜劑原料20體積份的直徑為O. 6 μ m的二氧化硅球顆粒、35體積份的甲醇，以及O. 12體積份的Triton X-100表面離子活性劑(陶氏化學(xué)生產(chǎn))。襯底原料藍(lán)寶石襯底。制備方法

S1、按比例配置上述的掩膜劑；S2、將上述掩膜劑經(jīng)旋轉(zhuǎn)涂布的方式均勻涂布到藍(lán)寶石襯底上，形成納米顆粒掩膜層，旋轉(zhuǎn)涂布的過程中旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速選擇為5000rmp。S3、依據(jù)納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕襯底，將納米顆粒掩膜層中納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底上；刻蝕步驟采用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備，采用Ar作為刻蝕氣體。S4、將刻蝕完成的襯底經(jīng)甲苯.溶解后去除殘留的聚苯乙烯，再分別經(jīng)超聲狀態(tài)下的硫酸雙氧水、BOE溶液、去離子水沖洗再旋干，得到氮化物外延生長用納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底。經(jīng)觀察所形成的納米級(jí)藍(lán)寶石圖形襯底上形成納米級(jí)圖案。測(cè)試將由上述方法所形成的樣品1-3中襯底表面圖形進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表I所示采用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)襯底剖面和上表面進(jìn)行觀察，適當(dāng)調(diào)整放大倍率，觀察到圖形顆粒，確認(rèn)襯底表面圖形尺寸。表I
權(quán)利要求
1.一種掩膜劑，其特征在于，所述掩膜劑按體積份包括以下原料1(Γ30份的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒、2(Γ60份的溶劑，以及O. 06、. 2份的活化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜劑，其特征在于，所述納米級(jí)顆粒為球形納米級(jí)顆粒，優(yōu)選的，所述納米級(jí)顆粒為直徑O. 2μηι O. 8μηι的納米有機(jī)顆粒、納米二氧化娃顆粒或納米金屬顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜劑，其特征在于，所述活化劑為TritonX-100表面離子活性劑、聚丙二醇的環(huán)氧乙烷加成物或高碳脂肪醇聚氧乙烯醚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜劑，其特征在于，所述溶劑為甲醇或乙醇。
5.一種帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 51、按比例配置權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的掩膜劑； 52、在襯底上涂布所述掩膜劑，形成納米顆粒掩膜層； 53、依據(jù)所述納米顆粒掩膜層的圖案刻蝕所述襯底，將所述納米顆粒掩膜層中納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至所述襯底上； 54、清除經(jīng)步驟S3刻蝕后獲取的所述襯底的表面雜質(zhì)得到具有納米顆粒結(jié)構(gòu)的襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中涂布掩膜劑的過程采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式，旋轉(zhuǎn)涂布過程中旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為IOOrmp 5000rmp。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中刻蝕所述納米顆粒掩膜層的步驟采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)進(jìn)行干法刻蝕，所使用的刻蝕氣體為此13、(12和/或Ar。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中采用超聲狀態(tài)的溶液清洗所述襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述步驟SI中所述納米顆粒掩膜層的厚度為O. 2 μ m I μ m ;所述步驟S2刻蝕后在襯底上形成厚度為O. 2 μ m I μ m的納米圖形層。
10.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氧化鋅或氮化鎵中一種或幾種的復(fù)合襯底。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種掩膜劑及帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法。該掩膜劑按體積份包括以下原料10~30份的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒、20~60份的溶劑，以及0.06~0.2份的活化劑。掩膜劑中包括具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒，當(dāng)這種掩膜劑被涂布形成掩膜層時(shí)，掩膜劑中的具有掩膜功能的納米級(jí)顆粒分布在該掩膜層，對(duì)該掩膜層進(jìn)行刻蝕，將納米顆粒結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基體上，即可得到納米級(jí)圖形。本發(fā)明所提供的帶有納米級(jí)圖形的襯底的制備方法中通過使用上述掩膜劑在襯底上形成掩膜層，刻蝕后即可得到帶有納米級(jí)圖形的襯底。
文檔編號(hào)C09D7/12GK103059610SQ201210516448
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者夏璽華, 趙勝能, 牛鳳娟, 張慶, 李隨萌 申請(qǐng)人:湘能華磊光電股份有限公司