專利名稱：熒光材料和具有這種熒光材料的光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明基于根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的熒光材料和根據(jù)權(quán)利要求8所述的、裝配有這種熒光材料的光源，尤其是轉(zhuǎn)換型LED。這種轉(zhuǎn)換型LED尤其適合于普通照明。
背景技術(shù)：
從US-B 7 489 073中已知將改性的常規(guī)正硅酸鹽用作熒光材料的轉(zhuǎn)換型LED。幾乎沒有尤其具有大約520_540nm的發(fā)射最大值的、穩(wěn)定的、綠色的熒光材料。這給轉(zhuǎn)換型LED在顯示器背光照明中的應(yīng)用造成困難并且限制高顯色LED (High-CR1-LED)或者暖白色LED的優(yōu)化。迄今為止，在生產(chǎn)中對(duì)該領(lǐng)域而言主要使用正硅酸鹽作為綠色熒光材料。雖然所述綠色熒光材料部分地具有高的量子效率，然而在LED中顯示出不充分的老化特性。從US-B 7，489，073 中已知具有組分 AE2_x_aRExEuaSi04_xNx (AE=Sr, Ba、Ca、Mg ；RE=稀土元素，尤其為Y和/或La)的次氮基 -正硅酸鹽。EA或AE在此代表堿土金屬元素。通過形成YN和/或LaN實(shí)現(xiàn)光譜位置的紅移并且大多實(shí)現(xiàn)熒光材料的量子效率的改進(jìn)。所述熒光材料的LED老化特性借助于在那里描述的制造方法已經(jīng)顯著好于傳統(tǒng)的正硅酸鹽或者例如為Ba3Si6O12N2 = Eu的其他的綠色錫安(Sion)熒光材料。然而對(duì)許多應(yīng)用、例如對(duì)LCD背光照明而言，在潮濕的環(huán)境中和在較高溫度下的穩(wěn)定性仍然不是最佳的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的熒光材料，所述熒光材料允許氮化物熒光材料的特性有針對(duì)性地匹配特定的目的。所述目的通過權(quán)利要求1的特征來實(shí)現(xiàn)。尤其有利的擴(kuò)展方案在從屬權(quán)利要求中得到。根據(jù)本發(fā)明，現(xiàn)在提供一種新型的氮化物熒光材料。其中包括發(fā)射藍(lán)色或藍(lán)綠色至黃色的熒光材料，所述熒光材料尤其能夠在典型的UV和藍(lán)色LED的發(fā)射范圍內(nèi)激發(fā)并且同時(shí)在LED中具有極其高的穩(wěn)定性。熒光材料尤其能夠應(yīng)用在具有良好的色彩還原的LED中、用于IXD背光照明的LED中、按需選色的LED中或白色的OLED中。白色的LED在普通照明中越來越重要。特別地，對(duì)具有低色溫和良好的色彩還原且同時(shí)具有高效率的暖白色LED的需求增加。在即將禁止低能效的通用白熾燈的背景下，具有盡可能良好的色彩還原(CRI)的替代光源越來越重要。大量消費(fèi)者很重視具有類似白熾燈的光譜的發(fā)光機(jī)構(gòu)。熒光材料必須滿足一系列要求:相對(duì)于輻射以及相對(duì)于化學(xué)影響極其高的穩(wěn)定性，所述化學(xué)影響例如為氧氣、濕氣和與澆注材料的相互作用。此外，為了在系統(tǒng)溫度上升時(shí)確保穩(wěn)定的色坐標(biāo)，需要具有低的溫度猝滅特性的熒光材料。這種熒光材料用在白色的LED和按需選色的LED中。
對(duì)這種熒光材料的激勵(lì)優(yōu)選地借助于在UV (紫外線)和短波藍(lán)光中的、尤其在360nm至480nm的范圍內(nèi)的短波輻射來進(jìn)行。本發(fā)明以提供次氮基-正硅酸鹽族的熒光材料為基礎(chǔ)。已示出，SiO2的缺量引起更高的量子效率。因此，為得到穩(wěn)定的次氮基-正硅酸鹽的配料混合物的組分 AE2_x_aRExEuaSi^yO4I2yNx (AE=Sr, Ba、Ca、Mg ；RE=稀土元素，尤其為 Y和/或La)，其中X優(yōu)選處于0.003和0.02之間，a優(yōu)選處于0.01和0.2之間。對(duì)SiO2缺量起決定性作用的因子y處于O < y≤0.1的范圍內(nèi)，優(yōu)選處于0.002 ≤ y ≤ 0.02的范圍內(nèi)。此外，在此處描述的用于制造穩(wěn)定的次氮基-正硅酸鹽的方法中，在一個(gè)實(shí)施形式中，起始物料側(cè)(Eduktseite)優(yōu)選地以Si3N4和LaO3或Y2O3擴(kuò)展。為了制備 AE2_x_aRExEuaSLyO4T2yNx,需要 AEC03、SiO2, (La, Y) N 和 Eu2O3 或者需要AECO3> SiO2, Si3N4, (La, Y) 203和Eu2O3作為初始物質(zhì)。此外，尤其能夠?qū)⒎锖吐然镆约捌浣M合用作助熔劑，所述氟化物和氯化物例如是AEC12、AEF2以及NH4C1/NH4F、H3BO3> LiF和冰晶石。以編號(hào)的形式列舉本發(fā)明的主要特征:1.正硅酸鹽類的發(fā)射藍(lán)色至黃色的熒光材料，所述熒光材料基本上具有結(jié)構(gòu)EA2SiO4:D，其特征在于，所述熒光材料的成分EA是元素EA=Sr、Ba、Ca或Mg中的至少一種的單獨(dú)形式或組合的形式，其中活化摻雜物D由Eu組成并且代替EA份額，并且其中引入缺量的SiO2,使得存在已改性的亞化學(xué)計(jì)量的正硅酸鹽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，所述正硅酸鹽是借助RE和N穩(wěn)定的正硅酸鹽，其中SE=稀土金屬，使得化學(xué)計(jì)量符合EA2IaRExEuaSihO4I2yNp3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，RE僅是La或Y，或者是其組合。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熒光材料，其特征在于，Eu的份額a在a=0.01和0.20之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，EA包含摩爾百分比為至少66%的Sr和/或Ba，尤其具有摩爾百分比為最高5%的Ca的份額，并且尤其具有摩爾百分比為最高30%的Mg的份額。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，份額X在0.003和0.02之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，對(duì)缺量而言決定性的因子y處于O < y≤0.1的范圍內(nèi)，尤其處于0.002 ≤ y ≤ 0.02之間。8.具有初級(jí)輻射源的光源，所述初級(jí)輻射源發(fā)射在140nm至480nm波長范圍中的、在光譜范圍的短波范圍內(nèi)的輻射，其中所述輻射借助于根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的第一熒光材料完全地或部分地轉(zhuǎn)換成可見光譜范圍中的較長波的次級(jí)輻射。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光源，其特征在于，使用基于InGaN或InGaAlP的發(fā)光二極管或者是基于高壓或低壓的尤其具有含銦填充物的放電燈或者電致發(fā)光燈作為所述初級(jí)輻射源。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光源，其特征在于，所述初級(jí)輻射的一部分還借助于其他的熒光材料轉(zhuǎn)換成較長波的輻射，其中所述熒光材料被特別合適地選擇并混合以便產(chǎn)生白色光。11.用于制造高效率的熒光材料的方法，其特征在于以下方法步驟:
a)單獨(dú)地或與Si3N4組合地提供初始材料SiO2作為Si組分；以及提供選自REN或RE203中的至少一種RE前驅(qū)體；以及提供至少一種EA前驅(qū)體，優(yōu)選為EAC03，尤其選自SrCO3> BaC03、CaCO3和MgO中的至少一種前驅(qū)體；以及提供Eu前驅(qū)體，尤其為Eu203，其中以亞化學(xué)計(jì)量的份額提供所述Si組分；b)混合所述初始材料，并且在1000°C至1500°C的溫度下，在降低的大氣壓下退火至少一個(gè)小時(shí)；c)必要時(shí)，對(duì)在步驟b)中制備的所述熒光材料在800°C至1400°C下進(jìn)行隨后的第
二次退火。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟a)和/或在步驟c)中，將氟化物或氯化物單獨(dú)地或組合地用作為助熔劑，所述氟化物或氯化物尤其是選自EAF2、EACl2、RECl2或REF2、或銨的氟化物或氯化物、或H3BO3的氟化物或氯化物、或LiF或者冰晶石中的至少一種。13.轉(zhuǎn)換型LED，所述轉(zhuǎn)換型LED具有發(fā)射初級(jí)輻射的芯片以及包含置于所述芯片前面的熒光材料的層，所述層將所述芯片的所述初級(jí)輻射的至少一部分轉(zhuǎn)換成次級(jí)輻射，其中使用根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的熒光材料。14.根據(jù)權(quán)利要求13 所述的轉(zhuǎn)換型LED，其特征在于，將(Lu，Y，Gd) 3 (Al, Ga) 5012: Ce用作另外的熒光材料以產(chǎn)生白色光。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的轉(zhuǎn)換型LED，其特征在于，使用通過Cu改性的CaAlSiN3IEu作為另外的熒光材料。


以下應(yīng)根據(jù)多個(gè)實(shí)施例詳細(xì)闡明本發(fā)明。附圖示出:圖1示出轉(zhuǎn)換型LED;圖2示出具有布置在遠(yuǎn)端的熒光材料混合物的LED模塊；圖3示出IXD背光照明LED的發(fā)射光譜，所述IXD背光照明LED具有由(Sr，Ba, La) Eu2+類型的綠色突光材料和招氮娃酸鹽(alumonitridosilicate)CaAlSiN3IEu2+類型的紅色熒光材料組成的混合物；圖4示出具有(Sr，Ba，類型的熒光材料的LED在不同的熒光材料濃度下的發(fā)射的對(duì)比；圖5示出在45°C的環(huán)境溫度和95%的空氣濕度下大約6小時(shí)的在前LED運(yùn)行持續(xù)時(shí)間之后每小時(shí)的轉(zhuǎn)換比(綠色/藍(lán)色發(fā)射)的變化的比較(LED在沒有附加冷卻的情況下安裝在電路板上；LED電流密度為500mA/mm2)。
具體實(shí)施例方式圖1示出自身已知的基于RGB的白光轉(zhuǎn)換型LED的結(jié)構(gòu)。光源是具有峰值發(fā)射波長為435nm至455nm、例如445nm峰值波長的InGaN類型的發(fā)射藍(lán)色的芯片I的半導(dǎo)體器件，將所述半導(dǎo)體器件在凹部9的區(qū)域中嵌入到透光的基本殼體8中。芯片I經(jīng)由接合線14與第一端子3連接并且直接與第二電端子2連接。凹部9用澆注料5填充，所述澆注料包含硅樹脂(60%-90%的重量百分比)和熒光材料6 (大約15%至40%的重量百分比)作為主要組成部分。第一熒光材料是發(fā)射綠色的鋁氮硅酸鹽熒光材料AEhiRExEi^SihCVdy^，其中AE是Ba并且RE是Y。其他實(shí)施例使用下述元素中的至少一種:AE=Ba、Sr、Ca、Mg并且RE=La、Y。此外，使用發(fā)射紅色的熒光材料作為第二熒光材料，例如鋁氮硅酸鹽或可速寧(Calsin)0凹部具有壁17，所述壁用作為用于芯片I或熒光材料6的初級(jí)和次級(jí)輻射的反射器。其他熒光材料的具體實(shí)施例是用于產(chǎn)生白光的(Lu，Y，GcO3(Al，Ga)5012:Ce或通過Cu改性的 CaAlSiN3:Eu。原則上，可以將熒光材料混合物作為彌散體、作為薄膜等直接應(yīng)用在LED上或者也如自身已知地應(yīng)用在單獨(dú)的、置于LED上游的載體上。圖2示出在基板21上具有相異的LED 24的這種模塊20。此外，殼體安裝有側(cè)壁22和蓋板12。熒光材料混合物在此作為層25不僅施加在側(cè)壁上，而且還主要施加在透明的蓋板23上。其他合適的光源是熒光燈或高壓放電燈，其中能夠單獨(dú)地或結(jié)合其他熒光材料考慮用于轉(zhuǎn)換初級(jí)輻射的新型的熒光材料。圖3示出基于兩種熒光材料的IXD背光照明LED的光譜。在橫坐標(biāo)上是以nm為單位的波長，在縱坐標(biāo)上記錄相對(duì)發(fā)射強(qiáng)度。引入的第一熒光材料是CaAlSiN3:Eu類型的紅色熒光材料，第二熒光材料是具有配料化學(xué)計(jì)量(Ba，Sr) SiaLaxEuaSihO4I2yNx的根據(jù)本發(fā)明的綠色熒光材料，其中x=0.005、a=0.08并且y=0.0075。圖4示出所引入的熒光材料濃度為9%、13%和20%重量百分比的LED的發(fā)射光譜的對(duì)比。熒光材料是具有配料化學(xué)計(jì)量(Ba，Sr)2TaLaxEuaSi1_y04T2yNx的根據(jù)本發(fā)明的綠色熒光材料，其中x=0.005、a=0.08并且y=0.0075。在橫坐標(biāo)上是nm為單位的波長，在縱坐標(biāo)上記錄相對(duì)發(fā)射強(qiáng)度。以下述方式實(shí)現(xiàn)新型的亞化學(xué)計(jì)量的熒光材料的制造:
優(yōu)選將類似于配料混合物I至4的起始物料連同適當(dāng)?shù)闹蹌┮黄鸱Q量以及均質(zhì)化。隨后，起始物料混合物在1000°C和1500°C之間的溫度下，在降低的大氣壓下(尤其在隊(duì)或Ar或者由N2/H2或Ar/H2組成的混合物中)退火幾個(gè)小時(shí)。然后，同樣也能夠在800°C和1400 V之間的溫度下，在降低的大氣壓下(尤其在N2或Ar或者由N2/H2或Ar/H2組成的混合物的情況下)進(jìn)行第二退火。所述合成在例如為管式爐或箱式爐的適當(dāng)?shù)臓t中執(zhí)行。a)對(duì)照例/配料混合物I (現(xiàn)有技術(shù)):73.5g SrCO3,98.1g BaCO3, 31.1g SiO2 和 7.2g Eu2O3 ；b)對(duì)照例/配料混合物2 (現(xiàn)有技術(shù)):73.3g SrCO3,97.9g BaCO3, 31.1g SiO2,0.4g LaN 和 7.2g Eu2O3 ；c)實(shí)施例/配料混合物3:73.4g SrCO3,98.0g BaCO3, 30.8g Si02、0.lgSi3N4、0.4g La2O3 和 7.2gEu203 ；d)實(shí)施例/配料混合物4:73.3g SrCO3,98.0g BaCO3, 30.9g SiO2,0.4g LaN 和 7.2g Eu2O3 ；通過如在對(duì)照例2中鑭和氮的形成，已經(jīng)能在較高的溫度下和潮濕的環(huán)境中識(shí)別出LED的穩(wěn)定性的明顯改進(jìn)。然而對(duì)許多應(yīng)用而言，例如對(duì)LCD背光照明而言所述穩(wěn)定性仍然不是最佳的。具有相應(yīng)的SiO2缺量的、根據(jù)實(shí)施例3或4的、在此描述的新的配料化學(xué)計(jì)量可證明地首先在潮濕的環(huán)境中并在較高的溫度下引起LED穩(wěn)定性的改進(jìn)。在圖5中針對(duì)四種不同的配料混合物示出在45°C的溫度和95%的空氣濕度下的LED穩(wěn)定性。相對(duì)轉(zhuǎn)換比記錄為縱坐標(biāo)，橫坐標(biāo)是以分鐘為單位的時(shí)間。其示出，實(shí)施例3和4是大約彼此等價(jià)的并且兩者都明顯優(yōu)于對(duì)照例I和2。根據(jù)實(shí)施例3和4的新型熒光材料在以460nm激勵(lì)的情況下的相對(duì)量子效率QE46tl與對(duì)照例2相比高3%。AE2TaRExEuaSihO4I2yNx形式的所示出的次氮基正硅酸鹽的制備典型地從作為初始物質(zhì)的 AEC03、SiO2、REN 和 Eu2O3 或者 AEC03、Si02、Si3N4、(RE) 203 和 Eu2O3 開始進(jìn)行。在后者中，當(dāng)優(yōu)選地形成三價(jià)氧化物時(shí)，將稀土用作(RE) 203。在稀土氧化物中優(yōu)選使用混氧化物，其中所述稀土氧化物優(yōu)選作為混氧化物存在，例如Tb通常作為III/IV族混氧化物Tb4O7存在。此外，也能夠使用In、Y或Sc作為氮化物或作為由氧化物和Si3N4組成的組合物來替代REN或RE氧化物結(jié)合Si3N4。此外，尤其能夠?qū)⒎锖吐然镆约捌浣M合用作助熔劑，所述氟化物和氯化物例如是 AECl2 或 REC12、AEF2 或 RECl2、但還有 NH4C1/NH4F、H3B03、LiF 和冰晶石。類似于配料混合物I的起始物料連同適當(dāng)?shù)闹蹌┮黄鸨环Q量以及均質(zhì)化。隨后，起始物料混合物在1000°c和1500°C之間的溫度下，在降低的大氣壓下(例如在N2或Ar或者由N2/H2或Ar/H2組成的混合物的情況下)退火幾個(gè)小時(shí)。然后，同樣也能夠在800°C和1400°C之間的溫度下，在降低的大氣壓下(例如在N2或Ar或者由N2/H2或Ar/H2組成的混合物的情況下)進(jìn)行第二次退火。所述合成在例如為管式爐或箱式爐的適當(dāng)?shù)臓t中執(zhí)行。配料混合物1:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.lgSi3N4、0.5g La2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物2:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g SiO2,0.1g Si3N4、0.4g Pr6O11 和 7.0gEu2O3配料混合物3:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g SiO2,0.lgSi3N4、0.4g Nd2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物4:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.4g Sm2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物5:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g SiO2,0.1g Si3N4、0.4g Gd2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物6:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Tb4O7 和 7.0gEu2O3配料混合物7:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Dy2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物8:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Ho2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物9:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Er2O3 和 7.0gEu2O3配料混 合物10:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Tm2O3 和 7.0gEu2O3
配料混合物11:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g SiO2,0.1g Si3N4、0.5g Yb2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物12:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.5g Lu2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物13:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g SiO2,0.1g Si3N4、0.4g Y2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物14:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.2g Sc2O3 和 7.0gEu2O3配料混合物15:69.9g SrCO3,93.3g BaCO3, 29.3g Si02、0.1g Si3N4、0.4g In2O3 和 7.0gEu2O3在下面的表格I中，以帶有和沒有SiO2缺量的La/N摻雜物為例描述譜特性的比較。表格I
權(quán)利要求
1.硅酸鹽類的發(fā)射藍(lán)色至黃色的熒光材料，所述熒光材料基本上具有結(jié)構(gòu)EA2SiO4:D，其特征在于，所述熒光材料的成分EA是元素EA=Sr、Ba、Ca或Mg中的至少一種的單獨(dú)形式或組合的形式，其中活化摻雜物D由Eu組成并且其中引入缺量的SiO2，使得存在已改性的亞化學(xué)計(jì)量的正硅酸鹽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，所述正硅酸鹽是借助SE和N穩(wěn)定的正硅酸鹽，其中SE=稀土金屬，使得化學(xué)計(jì)量符合EAhiSExEi^Si^CVHyNx。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，SE僅是La或Y，或者是其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熒光材料，其特征在于，Eu的份額a在a=0.01和0.20之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，EA包含摩爾百分比為至少66%的Sr和/或Ba，尤其具有摩爾百分比為最高5%的Ca的份額，并且尤其具有摩爾百分比為最高30%的Mg的份額。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，份額X在0.003和0.02之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，對(duì)缺量而言決定性的因子y處于0<y ( 0.1的范圍內(nèi)，尤其處于0.002 ^ y ^ 0.02之間。
8.有初級(jí)輻射源的光源，所述初級(jí)輻射源發(fā)射在140nm至480nm波長范圍中的、在光譜范圍的短波范圍內(nèi)的輻射，其中所述輻射借助于根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的第一熒光材料完全地或部分地轉(zhuǎn)換成可見光譜范圍中的較長波的次級(jí)輻射。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光源，其特征在于，應(yīng)用基于InGaN或InGaAlP的發(fā)光二極管、或者是基于高壓或低壓的尤其具有含銦填充物的放電燈、或者電致發(fā)光燈作為所述初級(jí)輻射源。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光源，其特征在于，所述初級(jí)輻射的一部分還借助于其他的熒光材料轉(zhuǎn)換成較長波的輻射，其中所述熒光材料被特別合適地選擇并混合以便產(chǎn)生白色光。
11.關(guān)于制造高效率的熒光材料的方法，其特征在于以下方法步驟: a)單獨(dú)地或與Si3N4組合地提供初始材料SiO2作為Si組分；以及提供選自SEN或SE2O3中的至少一種SE前驅(qū)體；以及提供至少一種EA前驅(qū)體，優(yōu)選為EACO3，尤其選自SrC03、BaCO3XaCO3和MgO中的至少一種前驅(qū)體；以及提供Eu前驅(qū)體，尤其為Eu2O3，其中以亞化學(xué)計(jì)量的份額提供所述Si組分； b)混合所述初始材料，并且在1000°C至1500°C的溫度下，在降低的大氣壓下退火至少一個(gè)小時(shí)； c)必要時(shí)，對(duì)在步驟b)中制備的所述熒光材料在800°C至1400°C下進(jìn)行隨后的第二退火。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟a)和/或在步驟c)中，將氟化物或氯化物單獨(dú)地或組合地用作為助熔劑，所述氟化物或氯化物尤其是選自EAF2、EACl2,RECl2或REF2、或銨的氟化物或氯化物、或H3BO3的氟化物或氯化物、或LiF或者冰晶石中的至少一種。
13.換型LED，所述轉(zhuǎn)換型LED具有發(fā)射初級(jí)輻射的芯片以及包含置于所述芯片前面的熒光材料的層，所述層將所述芯片的所述初級(jí)輻射的至少一部分轉(zhuǎn)換成次級(jí)輻射，其中應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的熒光材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的轉(zhuǎn)換型LED，其特征在于，應(yīng)用(Lu，Y，Gd)3 (Al，Ga) 5012: Ce作為另外的熒光材料以產(chǎn)生白色光。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的轉(zhuǎn)換型LED，其特征在于，應(yīng)用通過Cu改性的CaAlSiN3= Eu作為另外的熒光材料 。
全文摘要
一種正硅酸鹽類的新型熒光材料，包含硅的亞化學(xué)計(jì)量份額。尤其添加SE和N以用于穩(wěn)定。
文檔編號(hào)C09K11/77GK103097491SQ201180031311
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者芭芭拉·胡肯貝克, 比安卡·波爾, 京特·胡貝爾, 弗蘭克·耶爾曼 申請(qǐng)人:歐司朗股份有限公司