專利名稱：一種帶有鹵素原子涂層的oled材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種OLED (有機(jī)光半導(dǎo)體)材料。
背景技術(shù)：
OLED(有機(jī)光半導(dǎo)體)由于具有優(yōu)良的光電性能，在顯示和普通照明領(lǐng)域已得到了初步應(yīng)用，并具有良好的發(fā)展前景。最近幾年，基于OLED技術(shù)的顯示器已經(jīng)商品化，但在發(fā)光效率、使用壽命等問題仍有待改善。目前已經(jīng)商品化的OLED顯示器，可分為小分子OLED (SM-OLED)搭配熒光體與被動式矩陣(PassiveMatrix)基板、高分子(polymer) +被動式矩陣基板以及主動式小分子OLED構(gòu)成的小型OLED顯示器等等。上述OLED顯示器主要是應(yīng)用在移動電話與數(shù)字相機(jī)、PDA等領(lǐng)域。由于OLED顯示器的發(fā)光效率(即每瓦特功率所發(fā)出的光通量)，甚至比IXD背光模塊更低，尤其是試量產(chǎn)階段的主動式矩陣OLED顯示器，由于產(chǎn)量性與良品率偏低，成本無法控制，嚴(yán)重制約了 OLE的應(yīng)用。在普通照明領(lǐng)域，OLED的應(yīng)用則還處于試驗階段，只有大幅提高發(fā)光效率，OLED才能真正走向市場。為促進(jìn)OLED在顯示甚至在普通照明領(lǐng)域的應(yīng)用，必須提高OLED的發(fā)光效率。在OLED材料內(nèi)部，發(fā)光層或是各堆棧層保持電子和空穴的平衡，可使載流子的平衡系數(shù)接近于1，但長期處于激發(fā)狀態(tài)，將會形成無輻射性的衰減現(xiàn)象，需要提高工作電壓來保證輸出光通量的穩(wěn)定。目前的OLED材料常用超薄載電荷子傳輸膜層，雖然這樣的結(jié)構(gòu)可以降低操作電壓提高帶來的負(fù)面效應(yīng)，但卻容易擊穿。在摻錫氧化銦電極表面，通過沉積方式形成鹵素原子的膜層，可以促進(jìn)電 子躍遷，在提高亮度后可以避免光效下降，在發(fā)光亮度非常高的情況下，工作效率可提高40%以上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種提升發(fā)光效率的OLED (有機(jī)光半導(dǎo)體)材料。為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種帶有鹵素原子涂層的OLED材料，其特征在于=OLED材料的電極采用摻錫氧化銦材料，在OLED材料的電極表面有一層鹵素原子的涂層，所述涂層厚度為30 50nm。本發(fā)明可以增加OLED電極材料的電子躍遷，提高OLED的發(fā)光效率，以氯原子為例，膜層35-50nm時OLED的發(fā)光效率提高40%以上。
具體實施例方式一種帶有鹵素原子涂層的OLED材料，在OLED材料的電極采用摻錫氧化銦材料，在OLED材料的電極表面有一層鹵素原子的涂層，所述涂層厚度為30 50nm。采用原子沉積方法的步驟如下:第一步是制作掩膜層，該掩模層具有一個或多個形成于其內(nèi)的孔；第二步是將掩模層貼附到電極表面上；第三步是將表面貼附掩膜層的電極深入包含鹵素離子的溶液，以形成吸附和沉積；第四步是待沉積物穩(wěn)定。也可以采用其它方法，在摻錫氧化銦電極表面沉積鹵素原子的涂層。本發(fā)明提高OLED的發(fā)光效率，涂層采用氯原子，膜層35nm時OLED的發(fā)光效率提|pf] 41 % O涂層采用氟原子，膜層50nm時OLED的發(fā)光效率提高44%以上。涂層采用溴原子，膜層45nm時OLED的發(fā)光效率提高40%以上。涂層采用碘原·子，膜層38nm時OLED的發(fā)光效率提高42%以上。涂層采用砹原子，膜層47nm時OLED的發(fā)光效率提高46%以上。上述實施例不以任何方式限制本發(fā)明，凡是采用等同替換或等效變換的方式獲得的技術(shù)方案均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶有鹵素原子涂層的OLED材料，其特征在于:0LED材料的電極采用摻錫氧化銦材料，在OLED材料的電 極表面有一層鹵素原子的涂層，所述涂層厚度為30 50nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種表面涂覆鹵素原子的OLFD材料，OLED材料的電極材料使用摻錫氧化銦，在OLED材料的電極材料表面有一層鹵素原子的涂層，涂層厚度為30～50nm，所述涂層可以促進(jìn)電荷從低級向高級躍遷，發(fā)光效率可以得到顯著提升，發(fā)光效率可以提高40％以上。
文檔編號C09K11/66GK103173215SQ20111042778
公開日2013年6月26日 申請日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者楊耀武, 蘇曉燕, 蘇怡 申請人:常熟卓輝光電科技有限公司