專利名稱：包覆金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光材料，尤其涉及一種用于場發(fā)射的包覆金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料。本發(fā)明還包括及一種用于場發(fā)射的包覆金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料的制備方法。
背景技術(shù)：
場發(fā)射器件由于其具備較低的工作電壓O00-5000V)，功耗小，亮度高等優(yōu)良特性而備受關(guān)注。目前大部分FED(場發(fā)射顯示器)用熒光粉是借鑒傳統(tǒng)的CRT(陰極射線管) 用熒光粉類型，并對其加以改進(jìn)。稀土氧化物紅色發(fā)光材料Ln2O3 = Eu3+具有較高的穩(wěn)定性和較好的發(fā)光性能，然而由于此稀土氧化物紅色發(fā)光Ln2O3 = Eu3+價格相對較高，限制了其應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種可用于場發(fā)射的包覆有金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料。本發(fā)明的另一目的在于提供一種包覆有金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料的制備方法。本發(fā)明目的之一的技術(shù)方案如下一種可用于場發(fā)射的包覆有金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料，其化學(xué)通式為 nMiBaS04iLn2_xEux03 ；其中，M 是銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銅(Cu)等納米粒子中的一種，Ln為釓(Gd)、釔(Y)、鑭(La)、镥(Lu)中的一種；χ的取值范圍為0 < χ彡1. 5， η為M的納米粒子與Ln2^xEuxO3的摩爾之比，η的取值為0 < η < IX 1(Γ3 ；M是中心核，BaSO4 為內(nèi)層核，@是包覆，LrvxEuxO3是殼。所述發(fā)光材料的制備方法，包括如下步驟Si、將M的納米粒子加入到聚乙烯吡咯烷酮的溶液中，對金屬納米粒子進(jìn)行表面處理后，并采用沉淀方法包覆BaSO4納米球，制得含MOBaSO4的溶液；S2、將所述MOBaSO4溶液的ρΗ值調(diào)節(jié)至2 3后，再加入Ln和銪(Eu)的化合物原料溶液，接著加入草酸沉淀劑，并采用堿液調(diào)節(jié)溶液的PH值至8-9，洗滌干燥，得到ηΜΟ BaSO4OLrvxEuxO3前驅(qū)體；其中，所述Ln的化合物原料溶液中，所述Ln的化合物為Ln的氧化物和/或Ln的硝酸鹽；所述Eu的化合物原料溶液中，所述Eu的化合物為氧化銪和/或硝酸銪；S3、將所述前驅(qū)體于600-900°C預(yù)燒3-5h，再于1000-1400°C煅燒l_12h，冷卻至室溫，研磨得到nM@BaS04@Ln2_xEux03發(fā)光材料。步驟Sl中，所述M的納米粒子是采用如下方法制得的提供M的化合物原料，如，硝酸銀、氯金酸、氯鉬酸、氯化鈀、硝酸銅中的至少一種， 溶解到水和/或乙醇溶劑中，配制成摩爾濃度為2X 10_4 1 X 10_3mol/L的溶液；
攪拌的狀態(tài)下，向上述溶液中添加起分散作用的助劑，如，聚乙烯吡咯烷酮、檸檬酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉中的至少一種，且所述助劑的摩爾濃度為1. 5 X IO"4 2. IX 10_3g/mL ；按還原劑與M離子的摩爾比為1.2 1 4.8 1，將還原劑，如，水合胼、抗壞血酸、檸檬酸鈉、硼氫化鈉中的至少一種，加入到含助劑的M化合物溶液中，攪拌反應(yīng)10 45min,制得所述M的納米粒子。步驟S2中，所述BaSO4納米球是采用如下方法制得的按化學(xué)計量比，提供BaCl2溶液、乙二胺四乙酸二鈉(EDTA_2Na，下同)溶液，攪拌混合均勻，并采用氨水調(diào)節(jié)PH值至8-9 ；往上述溶液中按化學(xué)計量比緩慢加入Na2SO4溶液，攪拌混合均勻，得包含BaSO4納米球溶液。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點1)本發(fā)明制備的場發(fā)射熒光粉穩(wěn)定性好，形貌可控，納米粒子尺寸均勻；2)本發(fā)明的制備方法，具有操作簡單、無污染、工藝條件易控制、制備溫度低等優(yōu)點，節(jié)約能源，利于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖1是實施例3制備的發(fā)光材料與對比實施例1制備的發(fā)光材料在加速電壓為 0. 5kV下的陰極射線激發(fā)下的發(fā)射光譜對比圖，其中，曲線1所示的是未包覆有^Vg納米粒子的BaSO4OY1. 9Eu0. ^3發(fā)光材料的發(fā)射光譜，曲線2所示的是包覆有Ag納米粒子的2 X IO^4Agi BaSO4OYuEuaiO3發(fā)光材料的發(fā)射光譜；圖2為本方面氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料的制備工藝流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供的一種可用于場發(fā)射的包覆有金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料，其化學(xué)通式為nMiBaS04iLn2_xEux03 ；其中，M是銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銅 (Cu)等納米粒子中的一種，Ln為釓(Gd)、釔(Y)、鑭(La)、镥(Lu)中的一種；χ的取值范圍為0<χ彡1.5，η為M的納米粒子與Ln2_xEux03的摩爾之比，η的取值為0 < r!彡1 X 10_3 ； M是中心核，BaSO4為內(nèi)層核，@是包覆，LrvxEuxO3是殼。所述發(fā)光材料的制備方法，如圖2所示，包括如下步驟Si、將M的納米粒子加入到聚乙烯吡咯烷酮的溶液中，對金屬納米粒子進(jìn)行表面處理后，并采用沉淀方法包覆BaSO4納米球，制得含MOBaSO4的溶液；S2、采用堿液，本發(fā)明為氨水，將所述MOBaSO4溶液的pH值調(diào)節(jié)至2 3后，再加入Ln和銪(Eu)的化合物原料溶液，接著加入草酸沉淀劑，并采用氨水調(diào)節(jié)溶液的pH值至 8-9，洗滌干燥，得到nM@BaS04@Ln2_xEux03前驅(qū)體；其中，Ln的化合物原料溶液是由Ln的氧化物、Ln的硝酸鹽溶解于硝酸或鹽酸中制得；Eu的化合物原料溶液是由氧化銪、硝酸銪溶解于硝酸或鹽酸中制得；S3、將上述前驅(qū)體于600-900°C預(yù)燒3_5h，再于1000-1400°C煅燒l_12h，冷卻至室溫，研磨得到nM@BaS04@Ln2_xEux03發(fā)光材料。
步驟S 1中，所述M的納米粒子是采用如下方法制得的提供含M的化合物原料，如，硝酸銀、氯金酸、氯鉬酸、氯化鈀、硝酸銅中的至少一種，溶解到水和/或乙醇溶劑中，配制成摩爾濃度為2 X10-4 IX 10_3mol/L的溶液；攪拌的狀態(tài)下，向上述溶液中添加起分散作用的助劑，如，聚乙烯吡咯烷酮、檸檬酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉中的至少一種，且所述助劑的摩爾濃度為1. 5 X IO"4 2. IX 10_3g/mL ；按還原劑與M離子的摩爾比為1.2 1 4.8 1，將還原劑，如，水合胼、抗壞血酸、檸檬酸鈉、硼氫化鈉中的至少一種，加入到含助劑的M化合物溶液中，攪拌反應(yīng)10 45min,制得所述M的納米粒子。步驟S2中，所述BaSO4納米球是采用如下方法制得的按化學(xué)計量比，提供BaC12溶液、EDTA_2Na溶液，攪拌混合均勻，并采用氨水調(diào)節(jié) PH值至8-9 ；往上述溶液中按化學(xué)計量比緩慢加入Na2SO4溶液，攪拌混合均勻，得包含BaSO4納米球溶液。下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實施例1制備5 X Kr5AuOBaSO4IgGd1.99Eu0.0103 發(fā)光材料稱取Ig聚乙烯吡咯烷酮(PVP，下同)溶解于5mL去離子水中，配置成PVP溶液，再向其中加入0. 25ml濃度為IX 10_3mOl/L的Au的納米粒子，磁力攪拌Mi ；往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌池；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的Gd3+離子19. 9ml, 0. 5mol/L的Eu3+離子0. 1ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為 lmol/L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20% )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至 8-9，繼續(xù)攪拌池，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于600°C預(yù)燒池，研磨，再于1000°C煅燒池，冷卻至室溫，研磨得到 5 X Kr5AuOBaSO4IgGd1.99Eu。.。從發(fā)光材料。實施例2制備1 X IO-4AgOBaSO4OGd1.95Eu0.。503 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入0. 5ml濃度為lX10_3mol/L的Ag 的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌證；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加 Λ 0. 5mol/L的Gd3+離子19. 5ml, 0. 5mol/L的Eu3+離子0. 5ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為 lmol/L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20% )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至 8-9，繼續(xù)攪拌池，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于700°C預(yù)燒池，研磨，再于1200°C煅燒證，冷卻至室溫，研磨得到 1 X 10"4AgiBaS04iGdL95Eu0.0503 發(fā)光材料。
實施例3制備2 X KT4AgOBaSO4IgY1.9Eu0. ^3 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入Iml濃度為lX10_3mol/L的Ag 的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌Ih ；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的Y3+離子19ml，0. 5mol/L的Eu3+離子1ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為lmol/ L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20% )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值8_9，繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于800°C預(yù)燒池，研磨，再于1200°C煅燒證，冷卻至室溫，研磨得到 2 X KT4AgOBaSO4IgY1.9Eu0. ^3 發(fā)光材料。該2X IO-4AgOBaSO4IgY1.9EuQ. A發(fā)光材料在加速電壓為0. 5kv下的陰極射線激發(fā)下的發(fā)射光譜見圖1中的曲線2。圖1是本實施例制備的發(fā)光材料與對比實施例1制備的發(fā)光材料在加速電壓為 0. 5kV下的陰極射線激發(fā)下的發(fā)射光譜對比圖，其中，曲線1所示的是未包覆有^Vg納米粒子的BaSO4OY1. 9Eu0. ^3發(fā)光材料的發(fā)射光譜，曲線2所示的是包覆有Ag納米粒子的2 X IO^4Agi BaSO4OYuEuaiO3發(fā)光材料的發(fā)射光譜。由圖1可知，與未包覆Ag納米粒子的BaSO4OYuEuaiO3發(fā)光材料的發(fā)射光譜相比， 包覆有Ag納米粒子的2X lOlgOBaSC^YuEi^A發(fā)光材料的發(fā)光強度提高了 25%左右。由此可見，金屬納米粒子的加入，即本發(fā)明實施例制備的包覆有金屬納米粒子的氧化物核殼發(fā)光材料，顯著提高了其發(fā)光強度。且此包含金屬的具有核殼結(jié)構(gòu)的氧化物發(fā)光材料，在降低紅色氧化物發(fā)光材料103:EU制備成本的同時，提高了其發(fā)光性能，從而推進(jìn)了稀土紅色氧化物發(fā)光材料的進(jìn)一步應(yīng)用。實施例4制備5 X KT4PtOBaSO4IgLa1.5Eu0.503 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入2. 5ml濃度為lXl(T3mol/L的Pt 的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌4h ；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的La3+離子15ml，0. 5mol/L的Eu3+離子5ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為lmol/ L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20 % )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至8_9， 繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于800°C預(yù)燒證，研磨，再于1400°C煅燒12h，冷卻至室溫，研磨得到 5 X KT4PtOBaSO4IgLa1. 5Eu。503 發(fā)光材料。實施例5制備1 X 10"3PdiBaS04iGdL 0EuL Q03 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入5ml濃度為lXl(T3mol/L的Pd的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌池；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的Gd3+離子10ml，0. 5mol/L的Eu3+離子10ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為Imol/ L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20 % )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至8_9， 繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于800°C預(yù)燒證，研磨，再于1300°C煅燒他，冷卻至室溫，研磨得到 1 X 10_3PdiBaS04iGdL0EuL003 發(fā)光材料。實施例6制備3 X 10"4CuiBaS04iLa0.5EuL 503 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入1.5ml濃度為lX10_3mol/L的Cu 的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌池；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的La3+離子5ml，0. 5mol/L的Eu3+離子15ml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為lmol/ L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20 % )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至8_9， 繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于700°C預(yù)燒證，研磨，再于1100°C煅燒證，冷卻至室溫，研磨得到 3 X 10_4CuiBaS04iLa0.5EuL 503 發(fā)光材料。實施例7制備2 X 10_4PdiBaS04iLuL 8Eu0.203 發(fā)光材料稱取Ig PVP溶于5mL去離子水中，再向其中加入Iml濃度為lX10_3mol/L的Pd 的納米粒子，磁力攪拌Mh;往上述溶液中，按化學(xué)計量比加入BaCl2溶液5ml，EDTA_2Na溶液5ml，磁力攪拌 15min,采用氨水調(diào)節(jié)pH值至9，往其中緩慢加入Na2SO4溶液5ml，繼續(xù)攪拌池；采用硝酸溶液將上述溶液調(diào)配pH值至2-3，再按化學(xué)計量比往上述溶液中分別加入0. 5mol/L的Lu3+離子18ml，0. 5mol/L的Eu3+離子^il，攪拌均勻，緩慢加入濃度為lmol/ L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20 % )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)pH值至8_9， 繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于800°C預(yù)燒證，研磨，再于1300°C煅燒證，冷卻至室溫，研磨得到 2X l(T4Pd@BaS04@Lu18Eu。203 發(fā)光材料。比較例1制備BaSO4OY1.9Eu0. A按化學(xué)計量比分別稱取0. 5mol/L的Y3+離子19ml, 0. 5mol/L的Eu3+離子lml，攪拌均勻，緩慢加入濃度為lmol/L的草酸溶液18ml (按摩爾比過量20% )，逐漸生成白色沉淀，采用氨水調(diào)節(jié)PH值至8-9，繼續(xù)攪拌3h，陳化、過濾、清洗，干燥得到前軀體。將前軀體于800°C預(yù)燒池，研磨，再于1200°C煅燒證，冷卻至室溫，研磨得到BaSO4OY1.9Eu。. A 發(fā)光材料。 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種包覆金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料，其特征在于，該發(fā)光材料的化學(xué)通式為:n勵BaS04@Ln2_xEux03 ；其中，M 為 Ag、Au、Pt、Pd、Cu 中的一種，Ln 為 Gd、Y、La、 Lu中的一種；χ的取值范圍為0<x彡1.5，n為M與Ln2_xEux03的摩爾之比，η的取值為0 < η彡1 X 10_3 ；M是中心核，BaSO4為內(nèi)層核，i是包覆，Ln2^xEuxO3是殼。
2.—種權(quán)利要求1所述發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟51、將M的納米粒子加入到聚乙烯吡咯烷酮的溶液中，對金屬納米粒子進(jìn)行表面處理后，并采用沉淀方法包覆BaSO4納米球，制得含MOBaSO4的溶液；52、將所述MOBaSO4溶液的pH值調(diào)節(jié)至2 3后，再加入Ln和Eu的化合物原料溶液， 接著加入沉淀劑，并采用堿液調(diào)節(jié)溶液的PH值至8-9，洗滌干燥，得到nM@BaS04@Ln2_xEux03 前驅(qū)體；53、將所述前驅(qū)體于600-900°C預(yù)燒3-5h，再于1000-140(TC煅燒l_12h，冷卻至室溫， 研磨得到nM@BaS04@Ln2_xEux03發(fā)光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述M的納米粒子是采用如下方法制得的提供含M的化合物原料溶解到溶劑中，配制成摩爾濃度為2 X 10_4 1 X 10_3mol/L的溶液；攪拌的狀態(tài)下，向上述溶液中添加起分散作用的助劑；按還原劑與M離子的摩爾比為1.2 1 4.8 1，將還原劑加入到含助劑的M化合物溶液中，攪拌反應(yīng)，制得所述M的納米粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述M化合物溶液制備步驟中，所述 M化合物為硝酸銀、氯金酸、氯鉬酸、氯化鈀、硝酸銅中的至少一種；所述的溶劑為水和/或乙醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述助劑添加步驟中，在所述M化合物的溶液中，所述助劑的摩爾濃度為1.5X10_4 2. lX10_3g/mL;所述助劑為聚乙烯吡咯烷酮、檸檬酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述M的還原步驟中，還原反應(yīng)持續(xù)時間為10 45min ；所述還原劑為水合胼、抗壞血酸、檸檬酸鈉、硼氫化鈉中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述BaSO4納米球是采用如下方法制得的按化學(xué)計量比，提供BaCl2溶液、乙二胺四乙酸二鈉溶液，攪拌混合均勻，并采用氨水調(diào)節(jié)pH值至8 9 ；往上述溶液中按化學(xué)計量比緩慢加入Na2S04溶液，攪拌混合均勻，得包含BaSO4納米球溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述沉淀劑為草酸；所述堿液為氨水。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述Ln的化合物原料溶液中，所述Ln的化合物為Ln的氧化物和/或Ln的硝酸鹽；所述Eu的化合物原料溶液中， 所述Eu的化合物為氧化銪和/或硝酸銪。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的制備方法，其特征在于，所述Ln的化合物原料溶液和所述Eu的化合物原料溶液中，溶劑為硝酸或鹽酸。
全文摘要
本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域，其公開了一種包覆金屬納米粒子的氧化物核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光材料，其化學(xué)通式為nM@BaSO4@Ln2-xEuxO3；其中，M為Ag、Au、Pt、Pd、Cu等中的一種，Ln為Gd、Y、La、Lu中的一種；x的取值范圍為0＜x≤1.5，n為M與Ln2-xEuxO3的摩爾之比，取值為0＜n≤1×10-3；M是中心核，BaSO4為內(nèi)層核，@是包覆，Ln2-xEuxO3是殼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具的優(yōu)點1)本發(fā)明制備的場發(fā)射熒光粉穩(wěn)定性好，形貌可控，納米粒子尺寸均勻；2)本發(fā)明的制備方法，具有操作簡單、無污染、工藝條件易控制、制備溫度低等優(yōu)點，節(jié)約能源，利于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號C09K11/87GK102337116SQ20101022711
公開日2012年2月1日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月14日
發(fā)明者周明杰, 梁小芳, 馬文波 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司