專利名稱：光學讀取方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對印刷到信息記錄介質或管理對象物上的條形碼或QR碼等信息圖案進行讀取的光學讀取方法。
背景技術：
近年來，在各種物品、各種預付卡或通行卡等的管理中，通過印刷條形碼或QR碼等信息圖案、并使用光學讀取裝置進行讀取，從而進行管理及認證檢查。提出了如下的多種安全系統(tǒng)，即對這些信息圖案實施防偽措施并通過光學讀取系統(tǒng)對其進行讀取、來判別信息圖案是否為偽造品的安全系統(tǒng)。例如，實行了如下的安全系統(tǒng)，S卩，該安全系統(tǒng)中，利用含有熒光體的非可見油墨 (ink)來印刷條形碼等非可見信息圖案，對該信息圖案照射半導體激光而激發(fā)熒光體，并接受從熒光體發(fā)出的熒光，利用光學讀取裝置從非可見的信息圖案讀取信息。這種情況下，在讀取時以外的情況下，信息圖案由于非可見而不會被發(fā)現(xiàn)其存在。在讀取時，相對于半導體激光二極管的發(fā)光光譜的波長，信息圖案的熒光體的發(fā)光光譜的波長遷移到長波長側。半導體激光二極管的發(fā)光光譜由于波長寬度較窄，因此半導體激光二極管的發(fā)光光譜與熒光體的發(fā)光光譜的波長的峰值相偏離，只能夠讀取熒光體的發(fā)光光譜。因此，若在受光元件前使用特殊的光學濾波器，則能夠一邊通過激光對熒光體標記(信息圖案)進行照射、一邊利用受光元件只接受熒光而讀取熒光體標記的信息。在該安全系統(tǒng)中，由于難以偽造熒光體標記及難以偽造讀取熒光體標記的技術，從而能夠保證安全性。但是，在上述安全系統(tǒng)中，由于使用半導體激光二極管作為光源，因此具有光學讀取裝置的光源的驅動電路復雜且大型、成本較高等缺點。因此，在需要小型且低價格的光學讀取裝置的情況下，正在研究作為光源而使用與半導體激光二極管相比、部件價格便宜且驅動電路規(guī)模小的通常的發(fā)光二極管。但是，當代替激光而一邊以通過發(fā)光二極管發(fā)出的激發(fā)光的光譜來照射熒光體標記(信息圖案)、一邊利用受光元件接受熒光而讀取熒光體標記的信息時，由于發(fā)光二極管發(fā)出的激發(fā)光與激光不同而光譜的寬度較寬，因此與熒光體的發(fā)光光譜的一部分重疊。因此，難以通過光學濾波器分離兩種光，光學讀取裝置可能產(chǎn)生誤判斷。為了避免這樣的發(fā)光光譜的重復，不得不選擇所使用的熒光體及發(fā)光二極管的種類，但是存在由此而限制了光源的選擇范圍這樣的缺點。因此，提出了能夠實現(xiàn)小型化且成本低的光學讀取系統(tǒng)(專利文獻1)。該光學讀取系統(tǒng)對由非可見油墨所印刷的印刷層進行光學讀取，熒光體由將釹作為激活元素而添加的無機氧化物構成。激發(fā)熒光體的發(fā)光元件的發(fā)光中心波長與接受來自印刷層的熒光的受光元件的可受光波長區(qū)域重疊的問題得到消除，從而不會產(chǎn)生誤判斷。另外，在專利文獻2中公開了如下情況在含有金屬粒子的光數(shù)據(jù)載體中，由作為照射的吸收結果的熱膨脹而引起的數(shù)據(jù)載體的體積增加成為向吸收的光的長波長轉移的原因。
現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平6-274677號公報專利文獻2 日本特開2008-512807號公報發(fā)明的公開發(fā)明所要解決的技術問題但是，本發(fā)明者對專利文獻1的利用熒光體非可見油墨的印刷層(信息圖案)的信息進行光學讀取并測試，發(fā)生不能讀取的情況較多。其原因被認為是，在專利文獻1的技術中，在對使用了非可見油墨的信息進行讀取時，由激發(fā)光發(fā)光的波長區(qū)域偏離且不能得到光的較強發(fā)光。因此，本發(fā)明者對如下印刷層及光學讀取方法進行了深入研究，該印刷層及光學讀取方法，與專利文獻1同樣地，能夠構成可將發(fā)光二極管的光作為激發(fā)光而采用、且可實現(xiàn)小型化及低成本的光學讀取系統(tǒng)，并且，能夠通過與專利文獻1不同的方法接受被激發(fā)光所激發(fā)的印刷層(信息圖案)發(fā)出的光、且能夠避免激發(fā)光的受光。進而，本發(fā)明者著眼于專利文獻2的由熱膨脹所引發(fā)的波長向長波長側的轉移而反復進行了如下思考通過利用于在讀取時的避免激發(fā)光的受光，從而得到進一步的高安全性。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種光學讀取方法，該光學讀取方法，將條形碼或QR碼等非可見的信息圖案印刷到信息記錄介質或管理對象物，對無法肉眼識別信息圖案的操作(取D極0)進行補償，并且，能夠實現(xiàn)即使發(fā)現(xiàn)信息圖案的存在、對信息圖案的信息進行解讀的光學讀取裝置的惡意開發(fā)也極為困難的高安全系統(tǒng)，或者能夠實現(xiàn)帶來高品質保證的非可見的可追溯性(卜X寸e U〒·^ traceability)。解決技術問題所采用的方法為了解決上述技術問題，本發(fā)明的光學讀取方法的特征在于，通過含有核/殼型的半導體量子點的非可見油墨，在信息記錄介質或管理對象物上印刷非可見的信息圖案， 對該信息圖案照射能量比所述半導體量子點的帶隙寬度高的激發(fā)光線并使所述半導體量子點熱膨脹或熱收縮，并且從該熱膨脹或熱收縮后的該半導體量子點發(fā)出具有遷移到長波長側的波長或具有遷移到短波長側的波長的光，利用對該遷移后的波長之中的長波長側部分或短波長側部分具有靈敏度的光傳感器來接受發(fā)出的所述光，讀取所述信息圖案。根據(jù)該構成，對信息記錄介質(或管理對象物)印刷非可見的信息圖案，在讀取時，使核/殼型的半導體量子點熱膨脹或熱收縮而被激發(fā)，此時接受發(fā)出的波長向長波長側或短波長側遷移的光，并進行信息解讀。因此，在讀取時以外的情況下，不會注意到非可見的信息圖案的存在。在讀取時，核/殼型的半導體量子點進行較強的發(fā)光，通過熱膨脹或熱收縮，該發(fā)光的波長遷移，通過使用可解讀該波長的光學讀取裝置來解讀信息。根據(jù)需要，通過將發(fā)熱線或者高熱或制冷提供給所述半導體量子點，能夠使所述半導體量子點熱膨脹或熱收縮。核/殼型的半導體量子點優(yōu)選為(DCdk/ZnS ；或⑵將向納米粒子加入Te
4而得到的物質作為核，將ZnS納米粒子作為殼；或(3)將含有Mn離子的ZnS納米粒子作為核；或(4)將ZnS納米粒子作為核；或(5)將Si-In-Ag-S類半導體納米粒子作為核；或(6) 將硅納米粒子作為核。發(fā)明效果根據(jù)上述構成，在信息記錄介質或管理對象物上印刷非可見的信息圖案，在讀取時能夠實現(xiàn)發(fā)光波長區(qū)域遷移且實現(xiàn)光的較強發(fā)光，因此對無法肉眼識別信息圖案的操作進行補償，并且通過能夠解讀遷移后的波長的光學讀取裝置而能夠進行對信息圖案的可靠的信息解讀。除了能夠使用通常的便宜的硅類光電二極管等受光元件而靈敏度良好地進行檢測之外，由于讀取器(reader)的模仿較難，因此能夠實現(xiàn)可帶來高安全性或品質保證的系統(tǒng)的光學讀取方法，能夠防止信用卡、現(xiàn)金卡、電話卡、ID卡、學生證、印章卡(7夕力一卜·')、返點卡>卜力一卜·')等的偽造、改造、篡改，并且能夠實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、省空間化，或能夠實現(xiàn)非可見的可追溯性。


圖1是用于說明第1實施方式的光學讀取方法的概念圖。圖2是表示使室溫下的半導體量子點激發(fā)而發(fā)出的光的波長與強度的關系的圖。圖3是表示使半導體量子點熱膨脹并激發(fā)而發(fā)出的光的波長與強度的關系的圖。圖4涉及第2實施方式的光學讀取方法，是表示使半導體量子點熱收縮并激發(fā)而發(fā)出的光的波長與強度的關系的圖。符號說明10信息記錄卡11信息記錄介質12信息圖案13發(fā)光二極管14光傳感器15信息判定部
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的光學讀取方法的實施方式進行說明。(第1實施方式)首先，說明用于實施光學讀取方法的構成。圖1為用于說明該實施方式的光學讀取方式的概念圖。在圖1中，信息記錄卡10由信息記錄介質(或者可以是管理對象物)11、 和印刷到該信息記錄介質11上的非可見的條形碼或QR碼等信息圖案12構成。信息記錄介質11例如為卡主體，由分散保持有氧化鈦等白色顏料的氯乙烯類薄板等構成，具有反射紅外線、可見光線、及紫外線的性質。信息記錄介質11適用例如現(xiàn)金卡、各種預付卡、電話卡、通行卡、健康保險證等。對于信息圖案12而言，通過含有核(core)/殼(shell)型的半導體量子點的非可見油墨而使非可見的信息圖案印刷到信息記錄介質或管理對象物。這里所謂非可見是指用眼睛幾乎不能看見，包括用眼睛不能看到的不可見的情況。作為非可見的油墨及信息圖案12，存在如下等情況略透明的情況，難以反射可見光的情況，與形成信息圖案12的部分的底色、例如該信息記錄介質11顏色大致相同的情況。所謂核/殼型是指以外側的材質的殼來覆蓋內側的材質的核的類型，所謂量子點是指半導體等的納米尺寸的微細的粒子。本實施方式采用了 CdSe/a^e的核/殼型的半導體量子點。若使用Cdk/ZnS的核/殼型的半導體量子點，則能夠用甲苯等良好地進行分散而不發(fā)生凝結，作為非可見油墨而使用良好，且能夠良好地印刷信息圖案。對于信息圖案12而言，通過含有對該半導體量子點進行分散保持的透明的粘合劑(binder)的非可見油墨，使安全信息作為非可見的信息圖案12而被印刷，由隱蔽膜(未圖示)進行隱蔽，并使其不會脫落。本實施方式的光學讀取方法采用光學讀取裝置(無符號)，該光學讀取裝置具有 作為發(fā)出激發(fā)光Hl的便宜的電子部件的發(fā)光二極管13 ；作為接受由激發(fā)而發(fā)光的光線H2 的便宜的電子部件的光傳感器14 ；及信息判定部15。發(fā)光二極管13設置為向安全信息照射激發(fā)光H1，光傳感器14設置為接受信息圖案12中包含的核/殼型半導體量子點被激發(fā)而發(fā)光的光線H2。為了從信息圖案12讀取信息，需要在使發(fā)光二極管13及光傳感器14的位置關系保持固定的情況下，使具有信息圖案12的信息記錄卡10對于發(fā)光二極管13及光傳感器14相對按直線地掃描移動，該掃描移動可以是由光學讀取裝置中具備的機械機構所產(chǎn)生的，也可以是由手動操作所產(chǎn)生的。發(fā)光二極管13發(fā)出比信息圖案12所包含的核/殼型的半導體量子點的帶隙寬度 (bandgap)能量高的激發(fā)光HI。激發(fā)光Hl通過照射使信息圖案12所包含的核/殼型的半導體量子點激發(fā)，并且加熱信息圖案12而使半導體量子點還發(fā)生熱膨脹。因此構成為，按照需要而經(jīng)由聚光透鏡對發(fā)光二極管13的激發(fā)光Hl進行聚光，并照射到信息圖案12。并且，關于發(fā)光二極管13，選擇高輸出的類型，或使用多個進行照射，或合并使用發(fā)出紅外線的發(fā)光二極管與發(fā)出紫外線的發(fā)光二極管。光傳感器14例如能夠使用光電二極管，該光傳感器14需要對如下波長具有靈敏度，即包含核/殼型的半導體量子點的信息圖案12在熱膨脹狀態(tài)下向長波長側轉移而發(fā)出的光的長波長側部分的波長。具體來說，如圖2所示，若CdSe/a^e的核/殼型的半導體量子點在非熱膨脹的狀態(tài)下被激發(fā)，則按粒徑不同而發(fā)出波長不同的多條可見光線。與此相反，如圖3所示，若在熱膨脹狀態(tài)下被激發(fā)，則發(fā)出較大地遷移到長波長側的按粒徑的不同而波長不同的多條可見光線。因此，在圖3中使用了對由從圖2所示的波長區(qū)域偏離到長波長側的范圍Y所示的波長區(qū)域具有靈敏度的光傳感器14。另外，在核/殼型的半導體量子點的核粒子由單一的粒子徑構成時也為相同關系。這里，通過面向信息圖案12的放射溫度傳感器而能夠測量信息圖案12被加熱前的溫度及被加熱后的溫度，并且，能夠測量從被加熱前的溫度(例如15°C 30°C )到被加熱后的溫度(例如60°C 85°C)的時間，光傳感器14設定為，在經(jīng)過溫度上升所用時間的時刻，光傳感器14可接受發(fā)出的光的長波長側部分的波長。信息判定部15構成為對光傳感器14接受的電信號(矩形信號)進行放大、并光學地讀取信息圖案12的碼信息。本實施方式的光學讀取方法中，若具有信息圖案12的信息記錄介質11被放置到或被送到規(guī)定位置，則發(fā)光二極管13發(fā)光，對信息圖案12照射比半導體量子點的帶隙寬度能量高的激發(fā)光HI。激發(fā)光Hl使半導體量子點激發(fā)，并且加熱信息圖案12使半導體量子點熱膨脹。若與非熱膨脹時的從半導體量子點發(fā)光的波長(圖2)相比，則熱膨脹后的該半導體量子點進行具有圖3示出的向長波長側遷移的波長的發(fā)光。CdSe/a^e的核/殼型的半導體量子點得到的發(fā)光尤其較強。該發(fā)光由對長波長側部分Y具有靈敏度的光傳感器14 接受。信息判定部15使接受到的信號圖案化，通過能否讀取信息圖案12、并進一步核對信息圖案12與數(shù)據(jù)庫中所記錄的數(shù)據(jù)是否一致，從而判定信息圖案12的真?zhèn)?。根?jù)本實施方式，能夠通過通常的便宜的發(fā)光二極管13的發(fā)光而激發(fā)信息圖案 12，并且能夠實現(xiàn)從半導體量子點發(fā)出較強的光(量子尺寸效應)，因此，利用通常的便宜的硅類光電二極管等受光元件能夠靈敏度良好地進行檢測。一方面在信息記錄介質或管理對象物上印刷條形碼或QR碼等非可見的信息圖案，并對無法肉眼識別該信息圖案的操作進行補償，另一方面，假設即使萬一對IT技術熟知的具有惡意的人及組織從信息記錄介質表面的印刷膜的微小隆起而注意到信息圖案的存在，也難以模仿制造油墨，進一步來說，即使分析出信息圖案的發(fā)光源為核/殼型的半導體量子點，并基于此接受通過該半導體量子點的通常激發(fā)而發(fā)出的光，開發(fā)進行信息解讀的光學讀取裝置，也無法通過該光學讀取裝置進行信息圖案的信息解讀。光學讀取裝置由于是使用對遷移到長波長區(qū)域的發(fā)光具有靈敏度的光傳感器來進行信息解讀的結構，因此難以模仿制作光學讀取裝置，能夠實現(xiàn)具有高安全性的光學讀取方法。由于采用激發(fā)作為信息圖案的發(fā)光源的核/殼型的半導體量子點以使得伴隨有熱膨脹、并且此時利用對遷移到長波長側而發(fā)光的光之中的長波長側部分具有靈敏度的光傳感器接受該發(fā)光并進行信息解讀的結構，因此通過使用特殊的光學讀取裝置，首先能夠進行信息解讀，并能夠實現(xiàn)帶來更高安全性或品質保證的系統(tǒng)。另外，作為本實施方式的變形，可以設置用于使所述半導體量子點熱膨脹的加熱機構。例如，作為加熱機構，可以在信息記錄卡10的下部、印刷有信息圖案12的背面?zhèn)仍O置用于對信息記錄卡施加高熱、使信息圖案12的半導體量子點熱膨脹的電加熱器。并且， 作為加熱機構，也可以設置對信息圖案12照射發(fā)熱線(紅外線等)的機構。(第2實施方式)本實施方式為如下構成，S卩，使半導體量子點熱收縮，并且從該熱收縮后的該半導體量子點進行具有遷移到短波長側的波長的發(fā)光，利用對該遷移后的波長之中的短波長側部分具有靈敏度的光傳感器接受上述發(fā)光，并讀取上述信息圖案。另外，對與第1實施方式重復的部分附加同樣的符號并省略說明。本實施方式中，設有通過對所述半導體量子點進行冷卻而使半導體量子點熱收縮的冷卻機構(未圖示)。這里，冷卻機構是指對信息圖案12吹出0°C 10°C的空氣、將信息圖案12冷卻到0°C前后而使信息圖案12的半導體量子點熱收縮的機構。另外，也可以在不破壞信息圖案12及信息記錄卡11的范圍內進一步設置吹附低溫空氣及低溫氣體的機構。 光傳感器采用對如下區(qū)域具有靈敏度的傳感器，該區(qū)域是以從圖2所示的波長區(qū)域向短波長側偏離的范圍、即圖4所示的私所表示的波長區(qū)域。在本實施方式中，若具有信息圖案12的信息記錄介質10被放置到或被送到規(guī)定位置，則冷卻機構冷卻信息圖案12，使半導體量子點熱收縮。并且，發(fā)光二極管13發(fā)光，對信息圖案12照射比半導體量子點的帶隙寬度能量高的激發(fā)光HI。與從非熱收縮時的半導體量子點發(fā)出的波長(圖幻相比，熱收縮后的該半導體量子點進行具有圖4示出的遷移到短波長側的波長的發(fā)光。利用對長波長側部分私具有靈敏度的光傳感器接受該發(fā)光。信息判定部15對接受到的信號進行圖案化，通過能否讀取信息圖案12、并進一步核對信息圖案12與記錄在數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)是否一致，來判斷信息圖案12的真?zhèn)?。根?jù)本實施方式，由于采用激發(fā)作為信息圖案12的發(fā)光源的核/殼型的半導體量子點以使得伴隨有熱收縮、并且此時利用對遷移到短波長側而發(fā)光的光之中的短波長側部分具有靈敏度的光傳感器來接受該發(fā)光并進行信息解讀的結構，因此通過使用特殊的光學讀取裝置，首先能夠進行信息解讀，并能夠實現(xiàn)帶來更高安全性或品質保證的系統(tǒng)。(其他實施方式)本發(fā)明不限于上述實施方式，在不脫離技術方案所記載的發(fā)明的主旨的范圍內的各種設計變更后的形態(tài)包含在技術范圍內。在上述實施方式中，使用了 CdSe/a^e的核/ 殼型的半導體量子點，但也可以通過使用了以下那樣的核/殼型的半導體量子點的非可見油墨來印刷安全性信息。(1)可以使用將在納米粒子中加有Te的物質作為核、而將ZnS納米粒子作為殼的核/殼型的半導體量子點。(2)核/殼型的半導體量子點可以使用將含有Mn離子的SiS納米粒子作為核的核 /殼型的半導體量子點。(3)可以使用通過對含有ai2+、h3+、Ag+的硫醇合成物(thiol complex)進行熱分解而摻雜有h3+、Ag+的ZnS納米粒子(Zn(Hx)InxA^iS)的核/殼型的半導體量子點。(4)可以使用核為包含Mn離子的ZnS納米粒子的核/殼型的半導體量子點。(5)并且，可以使用將Si-In-Ag-S類半導體納米粒子作為核的核/殼型的半導體
量子點。(6)鉺的熱膨脹率在20 0C為7. 6X ΙΟ—6/ °C，這相當于在20 °C條件下為 2.5X10_6/°C的硅的熱膨脹率的約3倍。因此，采用鉺實現(xiàn)由膨脹引起的波長的轉移是最優(yōu)選的。此時，優(yōu)選設為與硅納米粒子進行了組合的核/殼型的半導體量子點。對此，包含將硅納米粒子作為核而將鉺納米粒子作為殼、以及將鉺作為核而將硅納米粒子作為殼這兩種方式。在將硅納米粒子作為核而將鉺納米粒子作為殼的情況下，優(yōu)選將硅納米粒子設為 1. 9nm 4. 3nm,將鉺納米粒子設為1. 9nm 4. 3nm。另外，對于將硅納米粒子作為核而將鉺納米粒子作為殼的半導體量子點，若使該半導體量子點在水中分散，在22°C 90°C的范圍內對水進行加溫，然后照射波長325nm的激發(fā)光，則能夠確認出從半導體量子點得到波長720 740nm的發(fā)光。并且，在將鉺納米粒子作為核而將硅納米粒子作為殼的情況下，優(yōu)選將鉺納米粒子設為1. 9nm 4. 3nm，將硅納米粒子設為1. 9nm 4. 3nm。另外，對于將鉺納米粒子作為核而將硅納米粒子作為殼的半導體量子點，若使該半導體量子點在水中分散，在22°C 90°C的范圍內對水進行加溫，然后照射波長325nm的激發(fā)光，則能夠確認出從半導體量子點得到波長720 740nm的較強發(fā)光。
并且，若采用對核或殼使用了在表面摻雜有氧的硅納米粒子、或內部氧化了的氧化硅納米粒子、且對殼或核使用了鉺的核/殼型的半導體量子點，則放射更強的光，因此為優(yōu)選的。進而，將硅納米粒子作為核的核/殼型的半導體量子點可以使用通過使多個烴基與硅納米粒子內的各個Si原子結合并由烴基覆蓋Si原子表面而得到的結構。該半導體量子點能夠防止發(fā)光波長及發(fā)光效率的降低，并能夠通過紫外線激發(fā)而發(fā)出可見光。并且，由于能夠通過Mg2Si與SiCl4 (四氯化硅)的反應條件來調整粒徑，因此為優(yōu)選的。本發(fā)明除了能夠應用于各種卡的真?zhèn)闻卸?，還能夠應用于讀取用于追蹤產(chǎn)品項目的可追溯性的非可見信息。另外，本發(fā)明不排除將半導體激光二極管作為激發(fā)光的光源。并且，以下情況也包含在本發(fā)明中，即通過通常的可見油墨，在非可見的信息圖案的印刷之上或一側附近排列地印刷條形碼及QR碼等可見的信息圖案，光學讀取裝置不僅對非可見的信息圖案進行光學讀取，對可見的信息圖案進行光學讀取。工業(yè)實用性本發(fā)明能夠防止卡或證書的偽造、改造、篡改，并且能夠實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、省空間化，或能夠實現(xiàn)非可見的可追溯性，能夠對需要信息保持的領域做出廣泛貢獻。
9
權利要求
1.一種光學讀取方法，其特征在于，通過含有核/殼型的半導體量子點的非可見油墨，在信息記錄介質或管理對象物上印刷非可見的信息圖案；對該信息圖案照射能量比所述半導體量子點的帶隙寬度高的激發(fā)光線并使所述半導體量子點熱膨脹或熱收縮，并且從該熱膨脹或熱收縮后的該半導體量子點發(fā)出具有向長波長側遷移的波長或具有向短波長側遷移的波長的光；利用對該遷移后的波長之中的長波長側部分或短波長側部分具有靈敏度的光傳感器來接受發(fā)出的所述光，讀出所述信息圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的光學讀取方法，其特征在于，通過向所述半導體量子點提供發(fā)熱線或者高熱或制冷，使所述半導體量子點熱膨脹或熱收縮。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點為 CdSe/SiS。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將向納米粒子加入Te而得到的物質作為核，將ZnS納米粒子作為殼。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將含有Mn離子的ZnS納米粒子作為核。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將ZnS納米粒子作為核。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將Si-In-Ag-S類半導體納米粒子作為核。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將硅納米粒子作為核。
9.根據(jù)權利要求8所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將鉺作為殼。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的光學讀取方法，其特征在于，所述核/殼型的半導體量子點將鉺作為核，將硅納米粒子作為殼。
全文摘要
一種光學讀取方法，在信息記錄介質或管理對象物上印刷條形碼或QR碼等非可見的信息圖案，對無法肉眼識別信息圖案的操作進行補償，并且能夠實現(xiàn)帶來較高的安全性或品質保證的系統(tǒng)。若具有信息圖案(12)的信息記錄介質(11)被放置到或送到規(guī)定位置，則使從發(fā)光二極管(13)發(fā)出的、比半導體量子點的帶隙寬度能量高的激發(fā)光(H1)照射到信息圖案(12)，并使半導體量子點熱膨脹。然后，從熱膨脹后的半導體量子點產(chǎn)生具有與從熱膨脹前的該半導體量子點發(fā)光的波長相比向長波長側遷移的波長的發(fā)光，該光線通過對遷移到長波長側而發(fā)光的光的波長之中的長波長側部分具有靈敏度的光傳感器(14)而被接受，并通過信息判定部(15)讀取信息圖案(12)。
文檔編號C09K11/08GK102257508SQ200980150569
公開日2011年11月23日 申請日期2009年12月15日 優(yōu)先權日2008年12月16日
發(fā)明者中西干育 申請人:都市電氣株式會社