專利名稱：等離子體處理的光伏器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光伏電池。
背景技術(shù)：
在光伏器件的制造過程中，由半導(dǎo)體材料制成的層包括吸收層，在吸收層中光能 被轉(zhuǎn)化為電能。一些光伏器件可以使用同樣是電荷的導(dǎo)體的透明薄膜。導(dǎo)電薄膜可以是諸 如摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅或氧化銦錫的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。TC0可以允許光穿過而到 達活性光吸收材料，并且還起到歐姆接觸的作用來傳送光生載流子離開光吸收材料?？梢?在半導(dǎo)體層的后表面上形成背電極。背電極可以包含諸如金屬銀、鎳、銅、鋁、鈦、鈀或它們 的任一實際組合的導(dǎo)電材料，以提供與半導(dǎo)體層的電連接。背電極也可以是半導(dǎo)體材料或 透明導(dǎo)電氧化物。摻雜半導(dǎo)體層可以提高光伏器件的效率。

發(fā)明內(nèi)容
一種制造薄膜光伏器件的方法可以包括在基底上沉積第一化合物半導(dǎo)體層；使 所述器件暴露于等離子體，等離子體處理所述層。制造薄膜光伏器件的方法還可以包括將 諸如背金屬接觸的背接觸涂敷于所述化合物半導(dǎo)體層。在一些情況下，可以在涂敷背金屬接觸之前進行等離子體處理。在其他情況下，可 以在涂敷背接觸之后進行等離子體處理。制造薄膜光伏器件的方法還可以包括在基底之上涂敷透明導(dǎo)電層。制造薄膜光伏 器件的方法還可以包括在第一化合物半導(dǎo)體層之上涂敷第二化合物半導(dǎo)體層。制造薄膜 光伏器件的方法還可以包括設(shè)置連接到光伏器件的電連接，用來采集由光伏器件產(chǎn)生的電 能。在一些情況下，制造薄膜光伏器件的方法可以包括在等離子體處理之前使所述化 合物半導(dǎo)體層暴露于氯化鎘處理。例如，等離子體處理可以進行大約5分鐘、大約10分鐘、 大約15分鐘、大約20分鐘、大約25分鐘或大約30分鐘。等離子體處理可以包括活性離子 蝕刻?？梢栽谡婵罩羞M行等離子體處理。可以在大氣壓力下進行等離子體處理。一種化合物半導(dǎo)體基光伏器件可以包括基底；等離子體處理的化合物半導(dǎo)體 層，位于基底上。等離子體可以包括氫等離子體、氮等離子體、氬等離子體、氦等離子體或氧 等離子體混合物?；衔锇雽?dǎo)體可以是碲化鎘。化合物半導(dǎo)體可以是銅銦硫化物、銅銦鎵二硒化物 或銅銦鎵二硒硫化物?；衔锇雽?dǎo)體可以是硫化鎘?；卓梢允遣Ａ?。化合物半導(dǎo)體基光伏器件還可以包括在半導(dǎo)體層之上的背金屬接觸?；衔锇雽?dǎo) 體基光伏器件還可以包括在基底之上的透明導(dǎo)電層?；衔锇雽?dǎo)體基光伏器件還可以包括在第一化合物半導(dǎo)體層之上的第二化合物半導(dǎo)體層。一種用來產(chǎn)生電能的系統(tǒng)可以包括多層光伏器件，所述光伏器件包括基底和位 于基底上的等離子體處理的第一化合物半導(dǎo)體層；電連接，連接到光伏器件，用來采集由光 伏器件產(chǎn)生的電能。


圖1是等離子體處理的光伏器件的示意圖。圖2是等離子體處理的光伏器件的示意圖。圖3是等離子體處理的光伏器件的示意圖。圖4是等離子體處理的光伏系統(tǒng)的示意圖。圖5是用于對基底進行等離子體處理的系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式光伏電池可以包括在基底表面上的透明導(dǎo)電層、第一半導(dǎo)體層、支撐半導(dǎo)體層的 基底和與半導(dǎo)體層接觸的金屬層?？梢杂煤线m的等離子體處理來處理光伏電池。參照圖1，一種制造薄膜光伏器件的方法可以包括在基底120上沉積化合物半導(dǎo) 體層110，并使該器件暴露于等離子體100 (等離子體對該層進行處理)，從而生成在基底 220上包括等離子體處理的半導(dǎo)體層210的光伏器件。制造薄膜光伏器件的方法還可以包 括將背金屬接觸(back metal contact)涂敷于化合物半導(dǎo)體層。在一些情況下，可以在涂 敷背金屬接觸前執(zhí)行等離子體處理。在其它情況下，可以在涂敷背金屬接觸后執(zhí)行等離子 體處理。例如，可以執(zhí)行等離子體處理大約5分鐘、大約10分鐘、大約15分鐘、大約20分 鐘、大約25分鐘或者大約30分鐘。也可以執(zhí)行其它的時間設(shè)定。參照圖2，一種制造薄膜光伏器件的方法也可以包括在基底330之上涂敷透明導(dǎo) 電層320?？梢栽谕该鲗?dǎo)電層之上沉積第一化合物半導(dǎo)體層310。這種制造薄膜光伏器件 的方法還可以包括在第一化合物半導(dǎo)體層之上涂敷第二化合物半導(dǎo)體層340。可以在等離 子體處理500前使任一化合物半導(dǎo)體層經(jīng)受氯化鎘處理400。可以執(zhí)行等離子體處理大約 5至20分鐘，從而對半導(dǎo)體層進行處理。等離子體處理可以包括活性離子蝕刻?？梢栽谡?空中進行等離子體處理?？梢栽诖髿鈮毫ο逻M行等離子體處理。參照圖3，一種制造薄膜光伏器件的方法也可以包括在基底530之上涂敷透明導(dǎo) 電層520。可以在透明導(dǎo)電層之上沉積第一化合物半導(dǎo)體層510。這種制造薄膜光伏器件 的方法還可以包括在第一化合物半導(dǎo)體層之上涂敷第二化合物半導(dǎo)體層540。第一化合物 半導(dǎo)體層或第二化合物半導(dǎo)體層可以是等離子體處理的層。該方法還可以包括在等離子體 處理的層之上設(shè)置諸如背金屬接觸的背接觸550。這種制造薄膜光伏器件的方法還可以包 括設(shè)置連接到背金屬接觸的電連接560A和連接到透明導(dǎo)電層的電連接560B，電連接560A 和560B分別用來采集由光伏器件產(chǎn)生的電能。背接觸可以是等離子體處理的層。參照圖4，一種產(chǎn)生電能的系統(tǒng)可以包括多層光伏器件，該多層光伏器件包括 在基底630之上的透明導(dǎo)電層620、在透明導(dǎo)電層之上的等離子體處理的化合物半導(dǎo)體層 610、在等離子體處理的化合物半導(dǎo)體層之上的背金屬接觸650 ；分別連接到背接觸和透明 導(dǎo)電層的電連接660A和660B。背接觸可以是等離子體處理的層。
在一些情況下，系統(tǒng)還可以包括在第一化合物半導(dǎo)體層之上的第二化合物半導(dǎo)體 層640。第二化合物半導(dǎo)體層可以在背金屬接觸和第一化合物半導(dǎo)體層之間。參照圖5，可以利用沉積系統(tǒng)來制造光伏電池。沉積系統(tǒng)可以包括被構(gòu)造成在基 底上設(shè)置半導(dǎo)體涂層的分布器(distributor)、被構(gòu)造成加熱分布器的第一電源和緊挨著 分布器的等離子體源，等離子體源包括被構(gòu)造成驅(qū)動等離子體源的電極，其中，電極與第一 電源是電學(xué)獨立的。例如，分布器可以是包括套管(sheath tube) 34 (例如，陶瓷套管)的 組件。一方面，分布器可以是包括套管、加熱器和供給管的組件。陶瓷套管可以包住加熱器 24 (例如，可滲透加熱器)，加熱器反過來可以包住供給管。套管可以包括一個或多個被構(gòu) 造成在基底8上提供半導(dǎo)體涂層的分布孔36。等離子體源可以包括被構(gòu)造成驅(qū)動等離子體 源的電極。系統(tǒng)還可以包括被構(gòu)造成使等離子體源相對于基底偏壓的附加電極。在特定情 況下，分布器可以包括一對套管。在一個實施例中，電極可以是第一套管和第二套管之間的 隔離物。隔離物可以包括石墨橫桿電極(graphite cross-rod electrode) 0隔離物可以包 含諸如碳的非金屬材料或者其它耐腐蝕的材料。在一個實施例中，隔離物可以是石墨隔離 物。附加電極可以是套管之上的背帽(backcap)4。背帽可以是石墨背帽。絕緣件可以位于 隔離物和石墨背帽之間。在一些情況下，該系統(tǒng)或方法可以包括被構(gòu)造成使等離子體源相對于基底偏壓的 附加電極。電極可以是分布器之上的背帽。例如，電極可以包含諸如碳的非金屬材料。在 一個實施例中，電極可以包含石墨。電極可以是隔離物。電極可以是背帽。隔離物可以是 石墨隔離物。背帽可以是石墨背帽。在其它情況下，分布器可以包括一對套管，這對套管包括第一套管和第二套管。電 極可以是第一套管和第二套管之間的隔離物。電極可以是第一套管和第二套管之上的背 帽。前面的方法已經(jīng)包括在多晶硅基太陽能電池裝置和具有氮化硅柵極電介質(zhì)/非 晶硅半導(dǎo)體界面的薄膜晶體管中的氫等離子體處理。例如參見美國專利5，273，920; 美國專禾1J 5，281，546 ；M. J. Keeves, A. Turner, U. Schubert, P. A. Basore, M. A. Green, 20th EU Photovoltaic Solar Energy Conf (第 20 屆歐洲光伏太陽能會議)，Barcelona(巴 塞羅那)(2005)，p 1305-1308 ；P. A. Basore, 4th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (第4屆世界光伏能量轉(zhuǎn)換大會)，Hawaii (夏威夷)(2006)，p 2089-2093，上述 文獻通過引用包含于此。然而，等離子體處理沒有應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體(即，碲化鎘或銅銦 鎵二硒硫化物)基光伏電池?；衔锇雽?dǎo)體基光伏器件可以包括基底和基底上的等離子體處理的化合物半導(dǎo) 體層。等離子體可以包括氫等離子體、氮等離子體、氬等離子體、氦等離子體或氧等離子體 混合物?；衔锇雽?dǎo)體可以是碲化鎘?；衔锇雽?dǎo)體可以是銅銦硫化物、銅銦鎵二硒化物 或銅銦鎵二硒硫化物。化合物半導(dǎo)體可以是硫化鎘?；卓梢允遣ＡА；衔锇雽?dǎo)體基光 伏器件還可以包括在半導(dǎo)體層之上的背接觸(例如，背金屬接觸)?；衔锇雽?dǎo)體基光伏器 件還可以包括在基底之上的透明導(dǎo)電層。化合物半導(dǎo)體基光伏器件還可以包括在第一化合 物半導(dǎo)體層之上的第二化合物半導(dǎo)體層?？梢栽谡婵罩谢虼髿鈮毫ο聦衔锇雽?dǎo)體膜執(zhí)行等離子體處理。等離子體處理 可以作為蝕刻工藝的一部分。等離子體處理也可以用作表面、界面或中間間隙狀態(tài)鈍化工藝的一部分，以改善電傳輸特性、粘附特性和接觸特性。等離子體處理可以用來提高在操作 條件下的長期器件性能?？梢栽诨瘜W(xué)處理前后或者在接觸涂敷之前將半導(dǎo)體層暴露于等離子體。在一個示例中，包括CdTe層的薄膜光伏器件的10X 10cm2樣品在CdCl2處理之后 暴露于氫等離子體處理。氫等離子體功率設(shè)定在50W至200W之間并且處理時間為5分鐘 至20分鐘。將室壓力保持在300毫托(mTorr)下不變。結(jié)果包括Roc值減小，典型的是，對 于等離子體處理的器件的Roc值比對于未經(jīng)處理的器件所發(fā)現(xiàn)的Roc值下降了 0. 2歐姆-8 歐姆，表明電接觸特性得以改善。器件暴露于光(1AM)和熱(110攝氏度-115攝氏度)下 的應(yīng)力測試。在經(jīng)受28天的應(yīng)力暴露之后，氫等離子體處理的器件比標準器件表現(xiàn)出更高 的最終轉(zhuǎn)換效率(達1. 5)和減小了的Roc值(典型的，下降了 0. 2歐姆-8歐姆)。普通的光伏電池可以具有多層。多層可以包括作為透明導(dǎo)電層的底層、覆蓋層 (capping layer)、窗口層、吸收層和頂層?？梢园匆笤谏a(chǎn)線的不同沉積臺沉積每一層， 其中，生產(chǎn)線在每個臺都具有單獨的沉積氣體供應(yīng)和真空密封的沉積室?？梢酝ㄟ^滾動傳 送器將基底從一個沉積臺傳送至另一個沉積臺，直到沉積了所有期望的層?？梢岳弥T如 濺射的其它技術(shù)來添加另外的層。導(dǎo)電體可以分別連接到頂層和底層，以采集在太陽能量 入射到吸收層上時產(chǎn)生的電能?？梢栽陧攲拥捻敳可喜贾庙敳炕讓?，以形成夾層結(jié)構(gòu)，從 而完成光伏電池。底層可以是透明導(dǎo)電層，并且例如可以是諸如氧化錫或摻雜有氟的氧化錫的透明 導(dǎo)電氧化物。在高溫下直接在透明導(dǎo)電氧化物層上沉積半導(dǎo)體層會導(dǎo)致對光伏器件的性能 和穩(wěn)定性產(chǎn)生負面影響的反應(yīng)。沉積化學(xué)穩(wěn)定性高的材料(例如，二氧化硅、三氧化二鋁、 二氧化鈦、三氧化二硼和其它類似物質(zhì))的覆蓋層可以明顯減小這些反應(yīng)對器件性能和穩(wěn) 定性的影響。因為使用的材料的電阻率高，所以應(yīng)當將覆蓋層的厚度最小化。否則，可能發(fā) 生與期望的電流流動反向的電阻塊(resistive block)。通過填充表面的不規(guī)則性，覆蓋層 可以降低透明導(dǎo)電氧化物層的表面粗糙程度，這會有助于窗口層的沉積并且可以使窗口層 能夠具有更薄的橫截面。降低的表面粗糙程度可以有助于改善窗口層的一致性。在光伏電 池中包括覆蓋層的其他優(yōu)點可以包括改善光學(xué)清晰度、改善帶隙的連續(xù)性、在接合點提供 更好的場強以及提供更好的由于開路電壓損失所測量的器件效率。例如，在第20050257824 號美國專利公開中描述了覆蓋層，該專利公開通過引用全部包含于此。窗口層和吸收層例如可以包含諸如II族-VI族、III族-V族或IV族半導(dǎo)體的二 元半導(dǎo)體，例如，2110、2115、21156、21^6丄(10、0(15、0(156丄(《^、]\%0、]\%5、]\%56、]\%16、1^0、1^5、 HgSe、HgTe、MnO、MnS、MnTe、A1N、A1P、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、 InSb、InS、TIN、TIP、TIAs、TISb或者它們的混合物或合金。窗口層和吸收層的示例是由 CdTe層涂覆的CdS層。頂層可以覆蓋半導(dǎo)體層。例如，頂層可以包含諸如鋁、鉬、鉻、鈷、鎳、 鈦、鎢或它們的合金的金屬。頂層也可以包含金屬氧化物或金屬氮化物或它們的合金。例如，在第5，248，349,5, 372，646,5, 470，397,5, 536，333,5, 945，163,6, 037，241 和6，444，043號美國專利中描述了在光伏器件的制造中半導(dǎo)體層的沉積，所述美國專利通 過引用全部包含于此。沉積可以包括蒸氣從源到基底的傳輸，或者固體在密閉體系中的升 華。用于制造光伏電池的設(shè)備可以包括傳送器，例如具有輥子的滾動傳送器。其他類型的 傳送器是可用的。傳送器將基底傳送到一串的一個或多個沉積臺，所述沉積臺用來在基底
7的暴露表面上沉積材料層。在第11/692，667號美國臨時申請中描述了傳送器，該申請通過 引用包含于此?？梢约訜岢练e室以達到不低于約450°C且不高于約700°C的處理溫度，例如溫度 可以在 450°C -550°C、550°C -650°C、570°C -600°C>600°C _640°C的范圍或在其他任何高于 450°C且低于約700°C的范圍。沉積室包括連接到沉積蒸氣供應(yīng)器的沉積分布器?？梢詫?分布器連接到用于不同層的沉積的多個蒸氣供應(yīng)器，或者可以將基底移動通過具有其自身 的蒸氣分布器和供應(yīng)器的多個不同沉積臺。分布器可以是具有不同噴嘴尺寸的噴霧嘴的形 式，以有助于蒸氣供應(yīng)的均勻分布。光伏電池的底層可以是透明導(dǎo)電層。薄的覆蓋層可以在透明半導(dǎo)體層的頂部上， 并且至少部分地覆蓋透明半導(dǎo)體層。沉積的下一層是第一半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層可以用 作窗口層并且可以根據(jù)透明導(dǎo)電層和覆蓋層的用途而更薄。沉積的下一層是第二半導(dǎo)體 層，第二半導(dǎo)體層用作吸收層。其他層，例如包含摻雜劑的層，可以在整個制造過程中根據(jù) 需要而沉積或者布置在基底上。透明導(dǎo)電層可以是透明導(dǎo)電氧化物(例如像氧化錫這樣的金屬氧化物)，其可以 被例如氟摻雜。透明導(dǎo)電層可以沉積在前接觸和第一半導(dǎo)體層之間，并且可以具有足夠高 的電阻以減小第一半導(dǎo)體層中的針孔效應(yīng)。第一半導(dǎo)體層中的針孔會導(dǎo)致在第二半導(dǎo)體層 和第一接觸之間形成分流(shunt)，導(dǎo)致圍繞針孔的局部場上的漏端(drain)。該通路的電 阻的微小增加可以顯著地減少受到分流影響的區(qū)域?？梢蕴峁└采w層以供應(yīng)電阻的這種增加。覆蓋層可以是由化學(xué)穩(wěn)定性高的材料制 成的非常薄的層。覆蓋層與厚度可與之比較的具有相同厚度的半導(dǎo)體材料相比，可以具有 更高的透明度。適合用作覆蓋層的材料的示例包括二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、三氧 化二硼和其他類似物質(zhì)。覆蓋層還可以起到將透明導(dǎo)電層與第一半導(dǎo)體層電學(xué)且化學(xué)地隔 離的作用，從而防止在高溫下出現(xiàn)的會對性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生負面影響的反應(yīng)。覆蓋層還可 以提供可以更適合接受第一半導(dǎo)體層的沉積的導(dǎo)電表面。例如，覆蓋層可以提供降低了表 面粗糙程度的表面。第一半導(dǎo)體層可以用作第二半導(dǎo)體層的窗口層。第一半導(dǎo)體層可以比第二半導(dǎo)體 層薄。由于第一半導(dǎo)體層比第二半導(dǎo)體層薄，第一半導(dǎo)體層可以使波長更短的入射光能夠 更大程度地穿透至第二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層例如可以是II族-VI族、III族-V族或IV族半導(dǎo)體，例如，ZnO、 ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、MnO、 MnS、MnTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、InS、TlN、TlP、 TlAs、TlSb或者它們的混合物或合金。第一半導(dǎo)體層可以是二元半導(dǎo)體，例如其可以是 CdTe。第二半導(dǎo)體層可以沉積到第一半導(dǎo)體層上。當?shù)谝话雽?dǎo)體層用作窗口層時，第二半 導(dǎo)體層可以用作對入射光的吸收層。與第一半導(dǎo)體層相似，第二半導(dǎo)體層例如也可以是II 族-VI 族、III 族-V 族或 IV 族半導(dǎo)體，例如，ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、 MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、MnO、MnS、MnTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、 GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、InS、TIN、TIP、TIAs、TISb 或者它們的混合物或合金。第 一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層例如也可以是III族-VI族半導(dǎo)體，例如，銅銦硫化物、銅銦鎵 二硒化物、銅銦鎵二硒硫化物或者它們的混合物或合金。
第二半導(dǎo)體層可以沉積到第一半導(dǎo)體層上。覆蓋層可以用來使透明導(dǎo)電層與第一 半導(dǎo)體層電學(xué)地且化學(xué)地隔離，從而防止在高溫下出現(xiàn)的會對性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生負面影響 的反應(yīng)。透明導(dǎo)電層可以沉積在基底上。已經(jīng)描述了多個實施例。然而，應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情 況下可以做出各種修改。例如，半導(dǎo)體層可以包括多種可以用于緩沖層和覆蓋層的材料的 其他材料。因此，其他實施例在權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種制造薄膜光伏器件的方法，所述方法包括以下步驟在基底上沉積化合物半導(dǎo)體層；使所述器件暴露于等離子體，等離子體處理所述層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括將背接觸涂敷到化合物半導(dǎo)體層上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在涂敷背接觸之前進行等離子體處理。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在涂敷背接觸之后進行等離子體處理。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在基底之上涂敷透明導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在化合物半導(dǎo)體層之上涂敷透明導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在化合物半導(dǎo)體層之上涂敷第二化合物 半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括設(shè)置連接到光伏器件的電連接，用來采 集由光伏器件產(chǎn)生的電能。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在等離子體處理之前使化合物半導(dǎo)體層 經(jīng)受氯化鎘處理。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體處理進行大約5分鐘。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體處理進行大約10分鐘。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體處理進行大約20分鐘。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體處理進行大約30分鐘。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體處理包括活性離子蝕刻。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在真空中進行等離子體處理。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在大氣壓力下進行等離子體處理。
17.一種化合物半導(dǎo)體基光伏器件，所述器件包括 基底；等離子體處理的化合物半導(dǎo)體層，位于基底上。
18.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，等離子體包括氫等離子體。
19.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，等離子體包括氮等離子體。
20.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，等離子體包括氬等離子體。
21.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，等離子體包括氦等離子體。
22.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，等離子體包括氧等離子體。
23.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，化合物半導(dǎo)體是碲化鎘。
24.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，化合物半導(dǎo)體是銅銦硫化物、銅銦鎵二硒化 物或銅銦鎵二硒硫化物。
25.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，其中，基底為玻璃。
26.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，所述器件還包括在半導(dǎo)體層之上的背金屬接觸。
27.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，所述器件還包括在基底之上的透明導(dǎo)電層。
28.如權(quán)利要求17所述的光伏器件，所述器件還包括在化合物半導(dǎo)體層之上的透明導(dǎo) 電層。
29.如權(quán)利要求17所述的器件，所述器件還包括在化合物半導(dǎo)體層之上的第二化合物半導(dǎo)體層。
30.一種用于產(chǎn)生電能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括多層光伏器件，所述光伏器件包括基底和位于基底上的等離子體處理的化合物半導(dǎo)體層；電連接，連接到光伏器件，用來采集由光伏器件產(chǎn)生的電能。
31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，等離子體包括氫等離子體。
32.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，等離子體包括氮等離子體。
33.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，等離子體包括氬等離子體。
34.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，等離子體包括氦等離子體。
35.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，等離子體包括氧等離子體。
36.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，化合物半導(dǎo)體是碲化鎘。
37.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，化合物半導(dǎo)體是銅銦硫化物、銅銦鎵二硒化物或 銅銦鎵二硒硫化物。
38.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中，基底為玻璃。
39.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括在化合物半導(dǎo)體層之上的背金屬接觸。
40.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括在基底之上的透明導(dǎo)電層。
41.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括在化合物半導(dǎo)體層之上的透明導(dǎo)電層。
42.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括在化合物半導(dǎo)體層之上的第二化合物半導(dǎo)體層。
全文摘要
一種制造薄膜光伏器件的方法包括在基底上沉積第一化合物半導(dǎo)體層，并使該器件暴露于等離子體，等離子體處理該層。
文檔編號B05D5/12GK101861213SQ200980100068
公開日2010年10月13日 申請日期2009年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月15日
發(fā)明者大衛(wèi)·伊格爾沙姆, 安克·阿肯 申請人:第一太陽能有限公司