專利名稱：：包含表面活性劑的能稀釋的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的制作方法包含表面活性劑的能稀釋的化學(xué)機(jī)械拋光組合物
背景技術(shù)：
：化學(xué)機(jī)械拋光("CMP")是用于通過使用拋光的物理及化學(xué)機(jī)理來使半導(dǎo)體晶片平坦化的方法。通常，CMP方法包括在受控的向下壓力下固持諸如晶片的半導(dǎo)體基板使其緊靠著旋轉(zhuǎn)的潤濕拋光墊。通常利用旋轉(zhuǎn)拋光頭或晶片載體來將晶片固持于緊靠著拋光墊的適當(dāng)位置。然后使墊與晶片兩者反向旋轉(zhuǎn)，同時使通常含有表面活性化合物及研磨材料的CMP拋光組合物在墊與晶片之間通過。晶片被化學(xué)改性且隨后經(jīng)拋光墊所施加的拋光力研磨。接著由于拋光組合物的流動及墊的旋轉(zhuǎn)，研磨掉的材料從晶片表面移除。Li等人的美國專利申請公布No.2004/0092102Al公開用于CMP的拋光組合物，其中該組合物尤其包含促進(jìn)膠束形成的試劑(諸如表面活性劑)以及可與基板進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的活化劑以增強(qiáng)拋光性能。根據(jù)Li等人，在組合物中可形成膠束以使該活化劑增溶溶解且將其與基板隔離。響應(yīng)在拋光期間對基板所施加的力(即通過拋光墊的拋光作用施加到基板上的力)，從膠束中釋i文出該活^匕劑。Hosali等人的美國專利5,738,800公開了用于化學(xué)機(jī)械拋光由二氧化硅及氮化硅組成的基板的拋光組合物。Hosali等人的拋光組合物包含含水介質(zhì)、研磨顆粒、表面活性劑及絡(luò)合劑。在Hosali等人的拋光組合物中與絡(luò)合劑結(jié)合使用的表面活性劑并不具有表面活性劑的常見功能(即，使微粒分散體穩(wěn)定)，而實(shí)際上該發(fā)明人認(rèn)為其影響氮化硅從復(fù)合表面移除的速率。Edelbach等人的美國專利6,616,514公開了用于CMP以從基板表面優(yōu)先于氮化硅選擇性移除二氧化硅的拋光組合物。Edelbach等人的拋光組合物包含研磨劑、含水介質(zhì)、以及有機(jī)多元醇，其中該有機(jī)多元醇在CMP期間具有抑制氮化硅移除速率的功能。盡管存在前述拋光組合物及方法，但仍然需要其它拋光組合物及其使用方法尤其是更為經(jīng)濟(jì)和/或有效的拋光組合物及方法，其中該拋光組合物呈現(xiàn)所需性質(zhì)諸如濃縮形式，其包含能夠抑制特定基板表面上的拋光的穩(wěn)定且廉價的試劑以及重要的疏水性組分；并且還需要能夠進(jìn)行適用于多種基板表面的雙重功能拋光的拋光組合物。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供包含以下各物質(zhì)的拋光組合物(a)研磨劑，其中該研磨劑以拋光組合物的18重量％或更高的量存在、(b)含水介質(zhì)、(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在，及(d)疏水性表面活性化合物。本發(fā)明還提供使用拋光組合物的方法，該方法包括(i)提供包含以下各物質(zhì)的拋光組合物(a)研磨劑，其中該研磨劑以拋光組合物的18重量％或更高的量存在、(b)含水介質(zhì)及(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在，及(ii)稀釋該拋光組合物。圖1為鉭移除速率與表面活性劑碳鏈長度的關(guān)系圖。圖2為鉭移除速率與月桂基硫酸銨的量的關(guān)系圖。圖3為銅移除速率與表面活性劑、苯并三唑及色氨酸三者的量的關(guān)系圖。圖4為表面張力、表面活性劑的量、鉭移除速率及原硅酸四乙酯移除速率的關(guān)系圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供拋光組合物，該拋光組合物包含(a)研磨劑、(b)含水介質(zhì)、(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在，及(d)疏水性表面活性化合物?？墒褂萌魏魏线m的研磨劑。合適的研磨劑包括例如氧化鋁、二氧化鈰、氧化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鵠、氧化釔和/或氧化鋯。研磨劑優(yōu)選為金屬氧化物，諸如二氧化硅，其例如可為沉淀二氧化硅或縮合聚合二氧化硅(例如，其通常通過使Si(OH)4縮合以形成膠體顆粒來制備)。研磨劑可為任何合適的形式且優(yōu)選基本上是球形的。拋光組合物合意地為濃縮形式，因此在用于拋光基板之前將其稀釋。具體而言，研磨劑以拋光組合物的18重量％或更多(例如，20重量％或更多、24重量％或更多、27重量°/。或更多，或30重量％或更多)的量存在。研磨劑通常將以拋光組合物的30重量％或更少(29重量％或更少、25重量％或更少，或22重量％或更少)的量存在。優(yōu)選地，研磨劑以拋光組合物的18重量％至30重量％的量存在。研磨劑合意地懸浮于拋光組合物中，更具體而言懸浮于拋光組合物的含水介質(zhì)組分中。當(dāng)研磨劑懸浮于拋光組合物中時，研磨劑優(yōu)選是膠體穩(wěn)定的。術(shù)語膠體是指研磨顆粒在液體載體中的懸浮體。膠體穩(wěn)定性是指該懸浮體隨時間的維持性。在本發(fā)明的上下文中，若當(dāng)將研磨劑置于100ml量筒中且使其無攪動地靜置2小時的時間，在量筒底部50ml中的顆粒濃度([B]，以g/ml為單位)與量筒頂部50ml中的顆粒濃度([T]，以g/ml為單位)之間的差除以顆粒在研磨組合物中的初始濃度([C]，以g/ml為單位)小于或等于0.5(即，([B]-[T]V[C]《0.5)時，則認(rèn)為研磨劑是膠體穩(wěn)定的。[B]-[T]/[C]的值合意地小于或等于0.3，且優(yōu)選小于或等于O.l。含水介質(zhì)可為任何合適的含水介質(zhì)。含水介質(zhì)合意地包含水、基本上由水組成、或由水組成，其中所述水優(yōu)選為去離子水。表面活性劑可為任何合適的表面活性劑。合適的表面活性劑包括例如陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、兩性離子表面活性劑、非離子表面活性劑、及其組合。表面活性劑包含頭基團(tuán)("A")及尾基團(tuán)("B")。陰離子表面活性劑包括其中A為一個或多個連接的陰離子基團(tuán)(包括羧酸根、磺酸根、硫酸根、磷酸根或膦酸根)的那些表面活性劑。陰離子表面活性劑還包括其中B為疏水基團(tuán)(包括烷基、芳基、或其混合物)的那些表面活性劑。B還可包括除碳及氫以外的元素，只要B保持疏水性。陰離子表面活性劑的典型實(shí)例包括羧酸鹽，諸如皂類(含有通用結(jié)構(gòu)RCOCTM+，其中R為在CVC2!范圍內(nèi)的直的烴鏈且M+為金屬或銨離子)，及聚烷氧基羧酸鹽；磺酸鹽，諸如烷基苯磺酸鹽、烷基芳烴磺酸鹽、萘磺酸鹽、(X-烯烴磺酸鹽、具有酯鍵、酰胺鍵或醚鍵的磺酸鹽，包括酰氨基磺酸鹽、脂肪酸的2-磺基乙基酯及脂肪酸酯磺酸鹽；硫酸鹽，諸如醇硫酸鹽、乙氧基化及硫酸化的醇、乙氧基化及硫酸化的烷基酚、硫酸化的酸、硫酸化的酰胺、硫酸化的酯、以及硫酸化的天然油及脂肪；磷酸酯，諸如磷酸丁酯、磷酸己酯、磷酸2-乙基己酯、磷酸辛酯、磷酸癸酯、磷酸辛癸酯、磷酸的混合烷基酯、多磷酸己酯、多磷酸辛酯、混合脂肪酸的甘油單酯(磷酸化的)、2-乙基己醇(乙氧基化及磷酸化的)、十二烷醇(乙氧基化及磷酸化的)、十三烷醇(支鏈的)、9_十八烯醇(乙氧基化及磷酸化的)、多元醇(乙氧基化及磷酸化的)、酚(乙氧基化及磷酸化的)、辛基酚(乙氧基化及磷酸化的)、壬基酚(乙氧基化及磷酸化的)、十二烷基酚(乙氧基化及磷酸化的)及二壬基酚(乙氧基化及磷酸化的)；以及膦酸酯。優(yōu)選地，陰離子表面活性劑包含磺酸根基團(tuán)。陽離子表面活性劑包括這樣的表面活性劑，其中A為一個或多個連接的陽離子基團(tuán)，包括胺或經(jīng)取代的胺，諸如銨鹽或NR'R"R"'，其中R'、R"及R'"可獨(dú)立地為有機(jī)烷基、芳基或氬。陽離子表面活性劑還包括這樣的表面活性劑，其中B為疏水基團(tuán)，包括烷基、芳基、或其混合物。B還可包括除碳及氬以外的元素，只要B保持疏水性。陽離子表面活性劑的典型實(shí)例包括胺，諸如不含氧的胺(包括一元胺、二元胺及多元胺)，含有氧的胺(包括氧化胺、乙氧基化烷基胺、1-(2-羥乙基)-2-咪唑啉，及乙二胺的烷氧基化物、乙二胺烷氧基化物，以及具有酰胺鍵的胺)；以及季銨鹽，諸如二烷基二曱基銨鹽、氯化烷基千基二曱基銨、烷基三曱基銨鹽、烷基卣化吡啶鑰、以及季銨酯。兩性離子表面活性劑包括這樣的表面活性劑，其中A是通過將一個或多個上文所列陰離子A基團(tuán)與一個或多個上文所列陽離子A基團(tuán)連接而得到的。兩性離子表面活性劑還包括這樣的表面活性劑，其中B為疏水基團(tuán)，包括烷基、芳基或其混合物。B還可包括除碳及氫以外的元素，只要B保持疏水性。兩性離子表面活性劑的典型實(shí)例包括烷基甜菜堿、酰氨基丙基甜菜堿、烷基二甲基胺、咪唑啉鑰衍生物、以及氨基酸及其衍生物。非離子表面活性劑包括其中A為一個或多個羥基或聚氧化乙烯基團(tuán)的那些表面活性劑。非離子表面活性劑還包括其中B為疏水基團(tuán)(包括烷基、芳基、或其混合物)的那些表面活性劑。B還可包括除碳及氫以外的元素，只要B保持疏水性。非離子表面活性劑的典型實(shí)例包括羧酸酯，諸如甘油酯及聚氧乙烯酯；脫水山梨糖醇酯，諸如乙氧基化脫水山梨糖醇酯；聚氧乙烯表面活性劑，諸如醇乙氧基化物及烷基酚乙氧基化物；天然乙氧基化脂肪、油及蠟；脂肪酸的二醇酯；烷基多苷；羧酰胺，諸如二乙醇胺縮合物、單烷醇胺縮合物，包括椰油單乙醇酰胺及椰油單異丙醇酰胺、月桂酸單乙醇酰胺及月桂酸單異丙醇酰胺、油酸單乙醇酰胺及油酸單異丙醇酰胺、硬脂酸單乙醇酰胺及硬脂酸單異丙醇酰胺，以及聚氧乙烯脂肪酸酰胺；以及脂肪酸葡糖酰胺。其它非離子表面活性劑可包括聚氧化烯嵌段共聚物。聚氧化烯嵌段共聚物可為AaBpAa,形式，其中A及B為氧化烯單體諸如氧化乙烯、氧化丙烯或氧化丁烯，且其中A及B為具有不同極性的不同單體。在一個實(shí)施方式中，共聚物為具有通式HO(CH2CH20)a(CH(CH3)CH20)|3(CH2CH20)a,H的聚氧化乙烯與聚氧化丙烯的三嵌段共聚物，其中a及a'為2-140的整數(shù)且p為50-75的整數(shù)。即，氧化丙烯(PO)嵌段夾在兩個氧化乙烯(EO)嵌段之間，如下所示EO-PO-EO?；蛘?，共聚物可為PO-EO-PO形式的三嵌段共聚物，其中氧化乙烯嵌段夾在兩個聚丙烯嵌段之間。合適的三嵌段共聚物的非排他性實(shí)例包括可從BASFCorp.(MountOlive:N.J)購得的PLURONICtm系列化合物。PLURONICP103、PI04、PI05、P123、F108、F88、LiOl及L121化合物是適合用于本發(fā)明中的共聚物。還可使用PLURONICTMR系列化合物。PLURONICtm及PLURONICR化合物具有表面活性劑性質(zhì)，因?yàn)榫垩趸蚁┗鶊F(tuán)具有親水("喜水，，)性質(zhì)，而聚氧化丙烯具有疏水("憎水")性質(zhì)。預(yù)期具有類似于PLURONICtm及PLURONICR化合物的化學(xué)性質(zhì)的其它嵌段、無規(guī)和/或無規(guī)-嵌段共聚物也會是合適的非離子表面活性劑，包括可得自UniqemaInc.的SYNPERONICEtm系列化合物的某些三嵌段共聚物，以及可得自DowChemicalCompany(Midland，Mich.)的類似共聚物，諸如EP系列嵌段共聚物、SYNALOXTMEPB無規(guī)共聚物及SYNALOXPB系列聚氧化烯共聚物?？墒褂萌魏魏线m的疏水性表面活性化合物。合適的疏水性表面活性化合物包括唑類化合物(azolecompounds),諸如苯并咪唑-2^危醇、2-[2-(苯并噻唑基)]硫代丙酸、2-[2-(苯并噻唑基)]硫代丁酸、2-巰基苯并噻唑、1,2,3-三唑、1,2，4-三唑、3-氨基-lH-l，2,4-三唑、苯并三唑、1-羥基苯并三唑、1-二羥基丙基苯并三唑、2,3-二羧丙基苯并三唑、4-羥基苯并三唑、4-羧基-lH-苯并三唑、4-曱氧羰基-lH-苯并三唑、4-丁氧羰基-lH-苯并三唑、4-辛氧羰基-lH-苯并三唑、5-己基苯并三唑、^(1,2,3-苯并三唑基-1-曱基)-^(1，2,4-三唑基-1-曱基)-2-乙基己胺、曱苯基三唑、萘三唑、雙[(l-苯并三唑基)曱基]磷酸鹽。合適的疏水性表面活性化合物還包括滿足式H2N-CR^R"COOH的氨基酸，其中W及112獨(dú)立地為氫、d-C3o烷基或C6-C3o芳基，R^及RS含有的碳原子總數(shù)不少于l,且^及112不含有任何帶電基團(tuán)。芳基任選地含有一個或多個雜原子，諸如N、S、O或其組合。其它合適的疏水性表面活性化合物包括辛醇以及具有合適的辛醇-水分配系數(shù)(K。w)(即1ogK。w大于O)的化合物。1ogK。w優(yōu)選為2以上或更高。分配系數(shù)是化合物在兩種溶劑中的溶解度差異的度量。因此，辛醇-水分配系數(shù)是化合物的基于溶劑辛醇及水的疏水性(或親水性)的度量。1ogK。w大于0的合適的疏水性表面活性化合物包括每個羥基具有3個或更多個碳的醇。logK，為2或更高的合適的疏水性表面活性化合物包括每個羥基具有8個或更多個碳的醇；具有1個或更多個苯環(huán)的芳族烴、具有烷基取代基的芳族烴、具有6個或更多個碳原子的烷烴、以及雜環(huán)芳族化合物諸如吡啶?？捎苫衔锏姆肿咏Y(jié)構(gòu)計算化合物的logK。W(C.Hansch和A.Leo，五x;/oW"g0S^:Fzmda膨wto/s朋d^4/7/7//c加,ora1/"C7zewh""w/AmericanChemicalSociety,Washington(1995》。拋光組合物可任選地包含氧化劑。氧化劑可為任何合適的氧化劑。合適的氧化劑包括過化合物(per-compound)。過化合物(如Hawley'sCondensedChemicalDictionary所定義)為含有至少一個過氧基團(tuán)(-O-O-)的化合物或含有處于其最高氧化態(tài)的元素的化合物。含有至少一個過氧基團(tuán)的化合物的實(shí)例包括但不限于過氧化氬及其加合物，諸如脲過氧化氫及過碳酸鹽；有機(jī)過氧化物，諸如過氧化苯曱酰、過氧乙酸及過氧化二叔丁基、單過硫酸鹽(monopersulfate，S052-)、二過硫酸鹽(dipersulfate，82082-)及過氧化鈉。含有處于其最高氧化態(tài)的元素的化合物的實(shí)例包括但不限于高碘酸、高碘酸鹽、高溴酸、過溴酸鹽、高氯酸、高氯酸鹽、過硼酸、過硼酸鹽及高錳酸鹽。過化合物的典型實(shí)例包括過氧化氬、二過硫酸鹽或碘酸鹽。其它合適的氧化劑包括有機(jī)氧化劑。有機(jī)氧化劑包含不飽和烴環(huán)、不飽和雜環(huán)、或其組合。有機(jī)氧化劑包括具有包含2個或更多個雜原子(例如N、O、S、或其組合)的雜環(huán)的氧化劑。有機(jī)氧化劑還包括具有含有至少三個雜原子(例如N、O、S、或其組合)的兀共軛環(huán)的氧化劑。有機(jī)氧化劑的典型實(shí)例包括具有至少一個醌部分的化合物(例如蒽醌、萘醌、苯醌等)、對苯二胺化合物、吩溱化合物、疏堇化合物、吩喝。秦化合物、貧酚化合物、或其任何組合，例如1,4-苯醌、1，4-萘醌、1,2-萘醌、9,10-蒽醌、對苯二胺、吩。秦、硫堇、吩-惡。秦、吩-惡p塞(phenoxathiin)、欷藍(lán)及靛酚。表面活性劑可以高于其臨界膠束濃度("CMC")的量存在于拋光組合物中。當(dāng)表面活性劑的量高于其CMC時，該表面活性劑能夠在組合物中或在該組合物用于拋光的基板表面上形成膠束或類似的有組織的結(jié)構(gòu)。這樣的膠束狀結(jié)構(gòu)可用于增加通常是拋光組合物的重要表面活性組分的疏水性化合物的溶解度。膠束狀結(jié)構(gòu)在拋光組合物中提供疏水環(huán)境，疏水性表面活性化合物可分配到該疏水環(huán)境中。一旦在拋光組合物濃縮物中使用疏水性表面活性化合物，這樣的環(huán)境便變得越發(fā)有必要。拋光組合物任選地不含絡(luò)合劑。絡(luò)合劑能夠與基板的從基板表面磨除的那部分絡(luò)合，例如螯合。絡(luò)合劑的實(shí)例包括氨以及具有胺和/或羧酸根基團(tuán)的有機(jī)化合物，諸如乙二胺四乙酸、亞氨基二乙酸、丙二酸、丁二酸、次氨基三乙酸、檸檬酸、草酸、Y-氨基丁酸、乙酸、甘氨酸、精氨酸及丙氨酸。本發(fā)明還提供使用拋光組合物的方法。該方法包括(i)提供包含以下各物質(zhì)的拋光組合物(a)研磨劑，其中該研磨劑以該拋光組合物的18重量％或更高的量存在、(b)含水介質(zhì)、以及(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在；以及(ii)稀釋該拋光組合物。本文關(guān)于本發(fā)明拋光組合物的各方面、尤其是其組分的描述也適用于本發(fā)明方法的相同方面。由表面活性劑分子形成的膠束狀結(jié)構(gòu)被吸引到基板表面上并且具有在基板表面上形成阻擋層的能力。使基板與含有其量高于其CMC的表面活性劑的拋光組合物接觸引起表面活性劑與基板之間的相互作用，由此抑制基板的拋光。例如，通過使含鉭基板與含有其量高于其CMC的磺酸鹽表面活性劑的拋光組合物接觸，表面活性劑在鉭表面上形成阻擋層，從而抑制基板的拋光。含有其量高于其CMC的帶電表面活性劑的各種拋光組合物表現(xiàn)出類似的性質(zhì)并且抑制具有與表面活性劑相反電荷的基板的拋光。當(dāng)拋光組合物具有低于基板的等電點(diǎn)的pH值時，以高于其CMC的量存在于拋光組合物中的陰離子表面活性劑與基板表面相互作用并抑制基板的拋光。例如，包含鉭的典型基板的等電點(diǎn)為約pH3.5。因此，當(dāng)pH低于3.5時，基板將帶正電荷。陰離子表面活性劑例如磺酸鹽表面活性劑被吸引至陽離子鉭基板表面并形成抑制拋光的阻擋物。相反地，當(dāng)拋光組合物具有高于基板的等電點(diǎn)的pH值時，以高于其CMC的量存在于拋光組合物中的陽離子表面活性劑與基板表面相互作用并抑制基板的拋光。當(dāng)存在特定的相互作用時，非離子表面活性劑也抑制基板的拋光。例如，諸如氧化乙烯-氧化丙烯共聚物的非離子表面活性劑在含有氧化物的基板上通過氫4建鍵合而形成阻擋層，由此抑制含有氧化物的基板的拋光。另外，當(dāng)表面活性劑具有與基板的；電勢電荷相反的電荷時，可抑制基板的拋光?？捎萌魏魏线m的稀釋劑(例如水)稀釋拋光組合物。當(dāng)表面活性劑以高于其CMC的量存在于拋光組合物中時，拋光組合物可用于接觸基板并磨除基板的第一部分，由此拋光基板。拋光組合物中的表面活性劑與基板的第二部分相互作用，其中膠束狀結(jié)構(gòu)在基板的第二部分的表面上形成阻擋層并抑制(即減少，但不一定完全阻止)基板的第二部分的移除?？上拗茠伖饨M合物的稀釋度，以使表面活性劑的量保持高于其CMC。進(jìn)一步稀釋拋光組合物使得表面活性劑的量低于其CMC引起膠束狀結(jié)構(gòu)的瓦解。先前可用于抑制基板的一部分的移除的拋光組合物現(xiàn)在可用于與基板接觸并磨除基板的這部分，由此拋光基板?？上♂寬伖饨M合物以使表面活性劑的量低于其CMC,隨后接觸基板。接著可使用任選的第二拋光組合物(諸如包含含水介質(zhì)以及占拋光組合物的18重量％或更高的量的研磨劑的拋光組合物)接觸基板以磨除基板的第二部分從而拋光基板。通過任選的疏水性表面活性化合物的存在來調(diào)節(jié)拋光?？煞峙溆谀z束狀結(jié)構(gòu)的疏水環(huán)境中的疏水性表面活性化合物可通過膠束狀結(jié)構(gòu)輸送至基板與拋光組合物之間的界面，并且在膠束狀結(jié)構(gòu)因稀釋而瓦解后釋放出來。在疏水表面活性化合物的釋放后，讓其在基板與拋光組合物之間的界面處相互作用?？赏ㄟ^疏水性表面活性化合物來增加或減少拋光，這取決于疏水性表在于拋光組合物中的表面活性劑的量無關(guān)，稀釋拋光組合物引起存在于拋光組合物中的任選氧化劑的濃度減小，由此減小需要氧化劑進(jìn)行拋光的任何基板的一部分的移除速率。因此，通過改變拋光組合物的稀釋度，可控制基板的第一部分及第二部分的移除從而控制基板的總體拋光?；宓牡谝患暗诙糠挚砂T如金屬、半金屬或介電材料的任何合適的材料，基本上由該合適的材料組成，或由該合適的材料組成。合適的金屬包括銅、鉭、鴒、釕、賴、把、銥、原珪酸四乙酯以及這些金屬的氧化物及氮化物。合適的半金屬材料包括硅、多晶硅、鎵、以及第in/v族材料諸如砷化鎵。合適的介電材料包括多晶硅、二氧化硅、硼硅酸鹽玻璃、氮化硅及碳摻雜氧化物。優(yōu)選地，基板的第一部分包含銅且基板的第二部分包含鉭，或者基板的第一部分包含鉭且基板的第二部分包含銅。以下實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明，但當(dāng)然不應(yīng)將其解釋為以任何方式限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例1該實(shí)施例說明在拋光組合物中用量高于其CMC的表面活性劑的量對用該拋光組合物拋光的基板的一部分(尤其是金屬)的移除速率的影響。制備一系列拋光組合物，其中各拋光組合物含有1重量％膠體二氧化硅(Nalco，粒度50nm，摻雜有250ppm鋁)、0.1重量％9,10-蒽醌-1，5-二磺酸、0.1重量％苯并三唑，并且不含表面活性劑(該拋光組合物代表對照拋光組合物)或含有3.47mmol其烷基具有不同碳鏈長度的烷基磺酸鹽表面活性劑。用硝酸或氫氧化鉀將各拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)至2.2。使用10cm(4英寸)直徑的鉭晶片在具有Polytex拋光墊的Logitech拋光機(jī)上進(jìn)行拋光。使用各拋光組合物在下列條件下拋光鉭晶片60秒鐘鉭晶片對拋光墊的下壓壓力為9.3kPa(1.35psi)、壓板旋轉(zhuǎn)速度為110rpm、拋光頭旋轉(zhuǎn)速度為102rpm、以及拋光組合物流動速率為150ml/min。使用兩個鉭晶片評估各拋光組合物，除了使用四個鉭晶片評估對照拋光組合物之外，在使用四個鉭晶片評估對照拋光組合物的情況中，兩個鉭晶片在其它拋光組合物的測試之前使用，還有兩個鉭晶片在其它拋光組合物的測試之后使用。使用薄層電阻4點(diǎn)探針RS-75計量工具(AMAT:SantaClara,California)對鉭晶片進(jìn)行拋光前(pre-polish)及拋光后(post-polish)測量，從而測定鉭移除速率(A/min)。將鉭移除速率與表面活性劑碳鏈長度的關(guān)系繪制于圖1的圖中。在圖1中將對照拋光組合物的鉭移除速率表示為相應(yīng)于表面活性劑碳鏈長度為0的數(shù)據(jù)點(diǎn)，其中表示較高鉭移除速率的數(shù)據(jù)點(diǎn)是在測試其它拋光組合物前所測試的對照組合物的數(shù)據(jù)點(diǎn)，其中表示較低鉭移除速率的數(shù)據(jù)點(diǎn)是在測試其它拋光組合物后所測試的對照組合物的數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖1的圖中所繪制的數(shù)據(jù)可明顯看出，含有碳鏈長度至多為10的烷基磺酸鹽表面活性劑的拋光組合物的鉭移除速率在對測試其它拋光組合物之前及之后所測試的對照拋光組合物所觀測到的鉭移除速率范圍內(nèi)。這些結(jié)果表明在拋光組合物中存在3.47mmol的碳鏈長度至多為10的烷基磺酸鹽表面活性劑并不顯著影響拋光組合物的鉭移除速率。相反，相同量的碳鏈長度大于10的烷基磺酸鹽表面活性劑的存在使拋光組合物的鉭移除速率P爭低(即，抑制鉭的拋光)。由于CMC與陰離子表面活性劑的烷基鏈長度直接相關(guān)并且是反相關(guān)關(guān)系(inverselyrelated),所以認(rèn)為僅對于烷基鏈含有多于IO個碳原子的烷基磺酸鹽表面活性劑而言3.47mmol的表面活性劑濃度是高于CMC的。當(dāng)報導(dǎo)十二烷基硫酸鈉(即，其中烷基鏈具有12個碳原子的烷基磺酸鹽)在去離子水中的CMC約為8.3mmol時，預(yù)期在拋光組合物中以及在表面活性劑中其它組分的存在將降低拋光組合物中表面活性劑的CMC。因此，認(rèn)為十二烷基硫酸鹽表面活性劑以高于其CMC的量存在于拋光組合物中并且能夠形成膠束狀結(jié)構(gòu)，由此改變拋光組合物的鉭移除速率。相反，認(rèn)為烷基鏈至多有IO個碳原子的烷基磺酸鹽表面活性劑以低于其CMC的量存在于拋光組合物中并且不能在那些拋光組合物中形成膠束狀結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例的結(jié)果證明當(dāng)拋光組合物中的表面活性劑的量高于其CMC時，鉭的移除速率得以抑制。實(shí)施例2該實(shí)施例說明在拋光組合物中表面活性劑的量對用拋光組合物拋光的基板的一部分(尤其是金屬)的移除速率的影響。制備一系列拋光組合物，其中各拋光組合物含有1重量°/?；旧蠟榍蛐蔚亩趸琛?.8重量％9,10-蒽醌-1,8-二磺酸、500ppm苯并三唑、以及不同量的月桂基硫酸銨("ALS")表面活性劑。用硝酸或氫氧化鉀將各拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)至2.2。使用各拋光組合物在與實(shí)施例1中所述相同的條件下拋光鉭晶片。測定各拋光組合物的鉭移除速率(A/min),并將各拋光組合物的鉭移除速率與各拋光組合物中月桂基硫酸銨表面活性劑的量繪制于圖2的圖中。從圖2的圖中所繪制的結(jié)果可明顯看出，鉭移除速率隨拋光組合物中表面活性劑濃度的增大而減小，在約0.75mmol處有顯著拐點(diǎn)(inflection)。認(rèn)為拋光組合物中月桂基疏酸銨表面活性劑的CMC在0.5mmol與1mmol之間。14該實(shí)施例的結(jié)果證明當(dāng)拋光組合物中表面活性劑的量高于其CMC時，鉭的移除速率得以抑制。實(shí)施例3物的量對用拋光組合物拋光的基板的一部分(尤其是金屬)的移除速率的影響。制備一系列的八種拋光組合物，其中各拋光組合物含有不同量的非離子表面活性劑(來自BASF的PLURONICP103)及表面活性化合物色氨酸及苯并三唑("BTA")。各拋光組合物通過如下方法制備添加色氨酸，接著添加非離子表面活性劑，然后攪拌組合物一小時至完成增溶溶解。接著使各組合物與不同量的BTA組合。將各拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)為5.8，接著向其中加入1重量％過氧化氫。使用10cm(4英寸)直徑銅晶片在具有CabotMicroelectronicsCorporationD-100拋光墊的Logitech拋光才幾上進(jìn)4亍拋光。使用各拋光組合物在下列條件下拋光銅晶片60秒鐘銅晶片對拋光墊的下壓壓力為10.3kPa(1.5psi)、壓板旋轉(zhuǎn)速度為106rpm、載體速度為120rpm、以及拋光組合物流動速率為150ml/min。使用薄層電阻4點(diǎn)探針RS-75計量工具(AMAT:SantaClara,Califomia)對銅晶片進(jìn)行拋光前及拋光后測量，從而測定銅移除速率(A/min)。圖3為描繪拋光組合物的銅移除速率與拋光組合物中PLURONICP103非離子表面活性劑(ppm)、苯并三唑(ppm)、色氨酸(ppm)三者的量的關(guān)系圖。從圖3中所繪制的結(jié)果可明顯看出，當(dāng)拋光組合物中表面活性劑濃度及疏水性表面活性化合物的量均增大時，銅移除速率增大。該實(shí)施例的結(jié)果證實(shí)了由表面活性劑增溶溶解的表面活性化合物的量(例如，溶解于表面活性劑膠束內(nèi)的色氨酸或BTA的量)與拋光組合物的特性(例如，由拋光組合物實(shí)現(xiàn)的銅移除速率)之間的相關(guān)性。實(shí)施例4活性化合物的溶解度高于其溶解度極值，并說明稀釋拋光組合物濃縮物對用拋光組合物拋光的基板的一部分(尤其是金屬)的移除速率的影響。制備對照拋光組合物，其含有1重量％基本上為球形的二氧化硅及400ppm2,S-二羥基-l々-苯醌("DHBQ")。DHBQ是鉭的氧化劑，其具有接近于400ppm的溶解度極值。將對照拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)為2.2。制備拋光組合物濃縮物，其含有3重量％基本上為球形的二氧化硅、1200ppmDHBQ及300ppm月桂基硫酸銨(1.06mmol)。用調(diào)節(jié)過pH值的水(pH值=2.2)稀釋該濃縮物。使用10cm(4英寸)直徑的鉭晶片在具有Polytex拋光墊的Logitech拋光機(jī)上進(jìn)行拋光。使用各拋光組合物在與實(shí)施例1中所述相同的條件下拋光鉭晶片。在實(shí)驗(yàn)開始及結(jié)束時評估對照拋光組合物。測定各拋光組合物的鉭移除速率(A/min)，結(jié)果列于表1中。表1拋光組合物Ta移除速率(A/min)對照物(測試開始時)871,839稀釋至固體物為1.5重量％的濃縮物758，733稀釋至固體物為1重量％的濃縮物799,789對照物(測試結(jié)束時)764,718從表l中列舉的結(jié)果可明顯看出，對照拋光組合物與稀釋的拋光組合物的鉭移除速率是類似的。該實(shí)施例的結(jié)果證明，當(dāng)使用表面活性劑使疏水性表面活性化合物溶解至高于其溶解度極值時，可產(chǎn)生拋光組合物濃縮物。該實(shí)施例的結(jié)果還證明可隨后稀釋濃縮物以制造拋光組合物以拋光基板表面。實(shí)施例5該實(shí)施例說明稀釋拋光組合物對用拋光組合物拋光的基板的不同部分(尤其是不同金屬)的移除速率的影響。制備拋光組合物，其含有在水中的4重量％基本上為球形的二氧化硅研磨劑、400ppm月桂基硫酸銨("ALS")、以及1200ppm2,5-二羥基-1,6-苯醌("DHBQ")(拋光組合物5A)。然后用遞增量的額外的水稀釋該拋光組合物以制備另外三種拋光組合物，這三種拋光組合物含有3重量％二氧化硅研磨劑、300ppmALS及900ppmDHBQ(拋光組合物5B);2重量％二氧化硅研磨劑、200ppmALS及600ppmDHBQ(拋光組合物5C);以及1重量％二氧化硅研磨劑、100ppmALS及300ppmDHBQ(拋光組合物5D)。將各拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)為2.2。使用10cm(4英寸)直徑的銅及鉭晶片在具有Polytex拋光墊的Logitech拋光才幾上進(jìn)4亍拋光。使用各拋光組合物在與實(shí)施例1中所述相同的條件下拋光銅晶片及鉭晶片。測定各拋光組合物的銅移除速率(A/min)及鉭移除速率(A/min)，結(jié)果列于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表2中所列結(jié)果可明顯看出，當(dāng)稀釋拋光組合物時，銅移除速率減小而鉭移除速率增大。該實(shí)施例的結(jié)果證明拋光組合物能夠進(jìn)行雙重功能拋光。通過改變組合物的稀釋度來實(shí)現(xiàn)對基板的不同部分的移除速率的控制從而實(shí)現(xiàn)對基板的不同部分的拋光的控制。在該特定情況下，組合物5A用作對銅有特效的拋光組合物，因?yàn)槠渚哂懈叩你~移除速率和低的鉭移除速率，而組合物5D用作對鉭有特效的拋光組合物，其具有相對高的鉭移除速率和相對低的銅移除速率。實(shí)施例6該實(shí)施例說明包含其量高于其CMC的表面活性劑的拋光組合物對用拋光組合物拋光的基板的一部分(尤其是金屬)的移除速率的影響，其中該表面活性劑具有與基板的；電勢電荷相反的電荷。制備一系列基礎(chǔ)拋光組合物，其中各基礎(chǔ)拋光組合物包含5重量％熱解氧化鋁。用氫氧化鉀將各拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)為7。還制備0.355重量％溴化十六烷基三曱基銨("CTAB")在水中的濃縮物。往基礎(chǔ)拋光組合物中在線添加CTAB的濃縮物和水以在墊上的給料點(diǎn)("POU(使用點(diǎn))")處實(shí)現(xiàn)各種水平的CTAB濃度。使用各拋光組合物在Logitech拋光機(jī)上拋光10cm(4英寸)直徑的原硅酸四乙酯("TEOS")晶片。在下列條件下將各晶片拋光60秒鐘基板對拋光墊的下壓壓力為約24.68kPa(3.58psi)、壓板旋轉(zhuǎn)速度為110rpm、拋光頭旋轉(zhuǎn)速度為102rpm、以及拋光組合物流動速率為100ml/min。利用RodelIC1000拋光墊。對于各測試拋光組合物均使用兩個晶片。使用薄層電阻4點(diǎn)探針RS-75計量工具對晶片進(jìn)行拋光前及拋光后測量，從而計算材料從TEOS晶片的移除速率，結(jié)果列于表3中。表<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>從表3中所列結(jié)果可明顯看出，當(dāng)拋光組合物中表面活性劑濃度增大時，TEOS移除速率減小，在0.0222重量％與0.0296重量％CTABPOU之間有顯著拐點(diǎn)。該實(shí)施例的結(jié)果證明可通過將拋光組合物中表面活性劑的濃度保持為高于其CMC的量來減小包含表面活性劑的拋光組合物對基板表面的移除速率，其中該表面活性劑具有與基板的；電勢電荷相反的電荷。實(shí)施例7該實(shí)施例說明稀釋包含其量高于其CMC的表面活性劑及疏水性表面活金屬)的移除速率的影響。制備拋光組合物，其含有20重量％基本上為球形的二氧化硅、0.8重量%9,10-蒽醌-1，5-二磺酸鈉鹽、0.1重量％苯并三唑("BTA")、0,1重量％月桂基硫酸銨("ALS，，)及O.l重量％辛醇(作為疏水性表面活性劑)。用硝酸將拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)為2(拋光組合物7A)。然后用遞增量的額外的水稀釋該拋光組合物以制備另外三種拋光組合物，這三種拋光組合物含有l(wèi)份拋光組合物7A及1份水(拋光組合物7B);1份拋光組合物7A及3份水(拋光組合物7C);以及1份拋光組合物7A及9份水(拋光組合物7D)。在具有EpicD100墊(CabotMicroelectronics,Aurora,IL)的Logitech拋光才幾上使用10cm(4英寸)直徑的圓形鉭和銅晶片、以及5cm(2英寸)直徑的圓形原^圭酸四乙酯("TEOS，，)和黑金岡'J石(BlackDiamond)(AMAT:SantaClara，California)("BD")晶片來進(jìn)行拋光。使用各拋光組合物在下列條件下拋光各晶片60秒鐘壓板旋轉(zhuǎn)速度為102rpm、拋光頭旋轉(zhuǎn)速度為110rpm、以及拋光組合物流動速率為100ml/min。使用各拋光組合物利用晶片對拋光墊的10.3kPa(1.5psi)的下壓壓力拋光2個鉭晶片及2個銅晶片。使用各拋光組合物利用晶片對拋光墊的20.6kPa(3psi)的下壓壓力拋光3個TEOS晶片及3個BD晶片。測定用各拋光組合物對各類晶片的平均材料移除速率(A/min)，結(jié)果列于表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>從表4中所列結(jié)果可明顯看出，當(dāng)稀釋拋光組合物時，TEOS及BD移除速率減小。該實(shí)施例的結(jié)果證明可通過稀釋拋光組合物來阻礙疏水性基板表面諸如TEOS或BD的移除速率，其中拋光組合物含有疏水性表面活性試劑即辛醇，已使用表面活性劑使辛醇增溶溶解。認(rèn)為一旦稀釋拋光組合物以使表面活性劑的量低于其CMC,辛醇便從膠束狀結(jié)構(gòu)中釋放并且能夠通過分配至疏水性TEOS及BD基板表面來阻礙TEOS及BD晶片的拋光。實(shí)施例8該實(shí)施例說明表面活性劑濃度對組合物表面張力的影響、以及通過參考表面張力測量結(jié)果來確定臨界膠束濃度的能力。制備單獨(dú)的表面活性劑濃縮物，其分別含有月桂基碌u酸銨("ALS")、溴化十六烷基三曱基銨("CTAB，，)、以及辛醇與月桂基疏酸銨的混合物("辛醇/ALS，，)。以遞增量的水稀釋各濃縮物。還制備兩種額外的組合物。制備第一額外組合物，其含有20重量％基本上為球形的二氧化硅、0.8重量％的9,10-蒽醌-1，5_二磺酸鈉鹽、1000ppm苯并三唑、1000ppm月桂基硫酸銨、以及1000ppm辛醇("ALS/辛醇/二氧化硅，，)。將硝酸添加至ALS/辛醇/二氧化硅組合物中以將pH值調(diào)節(jié)為2。制備第二額外組合物，其含有5重量%熱解氧化鋁及0.335重量％溴化十六烷基三曱基銨("CTAB/氧化鋁")。將氫氧化鉀添加至CTAB/氧化鋁組合物中以將pH值調(diào)節(jié)為7。兩種額外組合物各自以遞增量的水進(jìn)行稀釋。使用KrussK12鉑板張力計(KRUSS:Matthews,NC)測量在組合物中表面活性劑ALS或CTAB的不同濃度(摩爾濃度)下各組合物的表面張力(mN/m)，結(jié)果列于表5中。所述結(jié)果還呈現(xiàn)于圖4的圖中，圖4為描繪表面張力(mN/m)與表面活性劑濃度(摩爾濃度)的關(guān)系的圖。圖4還描繪了先前在實(shí)施例2、6和7中所列的拋光數(shù)據(jù)，即，使用含有月桂基疏酸銨及二氧化硅的拋光組合物對鉭的移除速率(A/min)("ALS/二氧化硅的Ta移除速率")、使用含有溴化十六烷基三曱基銨及氧化鋁的拋光組合物對原硅酸四乙酯的移除速率(A/min)("CTAB/氧化鋁的TEOS移除速率")，以及使用含有月桂基硫酸銨、辛醇及二氧化硅的拋光組合物對鉭的移除速率(A/min)("ALS/辛醇/二氧化硅的Ta移除速率")。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>從表5中所列舉的及圖4中所繪制的結(jié)果可明顯看出，當(dāng)表面活性劑濃度增大時，表面張力減小。另外，圖4中所繪結(jié)果顯示出包含相同表面活性劑的組合物的拋光數(shù)據(jù)與表面張力測量結(jié)果之間的相關(guān)性?；逡瞥俾是€中的拐點(diǎn)極接近于測量表面張力的曲線中的拐點(diǎn)證明了該相關(guān)性，其中兩條曲線代表包含相同表面活性劑的組合物。例如，ALS/辛醇/二氧化硅的Ta移除速率曲線中的拐點(diǎn)非常接近于ALS/辛醇/二氧化硅表面張力曲線中的拐點(diǎn)。該實(shí)施例的結(jié)果證明表面張力測量結(jié)果可用作確定臨界膠束濃度的參考。具體而言，表面張力隨表面活性劑的量增大而減小，直至接近臨界膠束濃度，此時表面張力測量結(jié)果幾乎達(dá)到恒定值。這由表面張力測量結(jié)果曲線的斜坡中的線性區(qū)域表示。另外，與使用表面張力測量結(jié)果在表面張力遞增的曲線區(qū)域中的相同拋光組合物時的基板移除速率相比，當(dāng)使用表面張力測量結(jié)果在該線性區(qū)域內(nèi)的拋光組合物時，基板移除速率較低。因此，表面張力測量結(jié)果曲線中位于這樣的兩個區(qū)域之間的拐點(diǎn)可用作接近拋光組合物的臨界膠束濃度的參考點(diǎn)。將本文中所引用的所有參考文獻(xiàn)，包括出版物、專利申請以及專利特此引入作為參考，其參考程度如同待引入作為參考的每一篇參考文獻(xiàn)被單獨(dú)并具體地說明且在本文中被完整地闡述一樣。本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，包括本發(fā)明人已知的實(shí)施本發(fā)明的最佳模式。在閱讀上述說明后，那些優(yōu)選實(shí)施方式的變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將變得明晰。本發(fā)明人希望技術(shù)人員適當(dāng)?shù)夭捎眠@種變化，且本發(fā)明人意圖讓本發(fā)明用不同于本文具體描述的方式進(jìn)行實(shí)踐。因此，本發(fā)明包括由適用的法律所允許的所附權(quán)利要求書中所列舉的主題的所有修改和等同物。此外，在其所有可能變化中的上述要素的任意組合包括在本發(fā)明中，除非本文另有說明或與上下文明顯矛盾。權(quán)利要求1.一種拋光組合物，其包含(a)研磨劑，其中該研磨劑以該拋光組合物的18重量％或更高的量存在，(b)含水介質(zhì)，(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在，及(d)疏水性表面活性化合物。2.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該研磨劑以該拋光組合物的18重量%至30重量％的量存在。3.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該研磨劑在該拋光組合物中是膠體穩(wěn)定的。4.權(quán)利要求l的拋光組合物，其中該表面活性劑包含磺酸根基團(tuán)。5.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該疏水性表面活性化合物選自唑類化合物及滿足式H2N-CR^I^COOH的氨基酸，其中Ri及I^為氫、d-C3o烷基或Q-C3o芳基，其中所述芳基任選地包含一個或多個雜原子N、S、O、或其組合，R1及R"含有的碳原子總數(shù)不少于1,且R1及R2不含有任何帶電基團(tuán)。6.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該疏水性表面活性化合物選自辛醇及l(fā)ogK，大于0的化合物。7.—種使用拋光組合物的方法，該方法包括(i)提供包含以下物質(zhì)的拋光組合物(a)研磨劑，其中該研磨劑以該拋光組合物的18重量％或更高的量存在，(b)含水介質(zhì)，及(c)表面活性劑，其中該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在，和(ii)稀釋該拋光組合物。8.權(quán)利要求7的方法，其中在稀釋該拋光組合物之前，該研磨劑以該拋光組合物的18重量％至30重量％的量存在。9.權(quán)利要求7的方法，其中在稀釋該拋光組合物之前，該研磨劑在該拋光組合物中是膠體穩(wěn)定的。10.權(quán)利要求7的方法，其中該表面活性劑包含磺酸根基團(tuán)。11.權(quán)利要求7的方法，其中該拋光組合物不含絡(luò)合劑。12.權(quán)利要求7的方法，其中該拋光組合物進(jìn)一步包含疏水性表面活性化合物。13.權(quán)利要求12的方法，其中該疏水性表面活性化合物選自唑類化合物及滿足式HzN-CR^RzCOOH的氨基酸，其中R,及112為氫、C廣C3Q烷基或C6-C30芳基，其中所述芳基任選地包含一個或多個雜原子N、S、O、或其組合，R,及R2含有的碳原子總數(shù)不少于1，且R,及R2不含有任何帶電基團(tuán)。14.權(quán)利要求12的方法，其中該疏水性表面活性化合物選自辛醇及l(fā)ogK，大于0的化合物。15.權(quán)利要求7的方法，該方法進(jìn)一步包括使基板與該拋光組合物接觸，同時該表面活性劑以高于其臨界膠束濃度的量存在于該拋光組合物中，以磨除該基板的第一部分并由此拋光該基板。16.權(quán)利要求15的方法，其中該基板的該第一部分包含銅。17.權(quán)利要求15的方法，其中該表面活性劑與該基板的第二部分相互作用以抑制該基板的該第二部分的移除。18.權(quán)利要求17的方法，其中該基板的該第二部分包含鉭。19.權(quán)利要求17的方法，其中限制該拋光組合物的稀釋以使表面活性劑的量保持為高于其臨界膠束濃度。20.權(quán)利要求17的方法，其中該拋光組合物具有高于該基板的該第二部分的等電點(diǎn)的pH值，且該表面活性劑為陽離子表面活性劑。21.權(quán)利要求17的方法，其中該拋光組合物具有低于該基板的該第二部分的等電點(diǎn)的pH值，且該表面活性劑為陰離子表面活性劑。22.權(quán)利要求17的方法，其中該表面活性劑具有與該基板的該第二部分的；電勢電荷相反的電荷。23.權(quán)利要求17的方法，該方法進(jìn)一步包括使該基板與該拋光組合物接觸，同時該表面活性劑以低于其臨界膠束濃度的量存在于該拋光組合物中，以磨除該基板的該第二部分并由此拋光該基板。24.權(quán)利要求23的方法，其中該拋光組合物進(jìn)一步包含氧化劑，并且其中該氧化劑濃度的降低使該基板的該第一部分的移除速率減小。25.權(quán)利要求7的方法，其中在使該基板與該拋光組合物接觸之前稀釋該拋光組合物使表面活性劑的量低于其臨界膠束濃度。26.權(quán)利要求25的方法，該方法進(jìn)一步包括使該基板與該拋光組合物接觸，同時該表面活性劑以低于其臨界膠束濃度的量存在于該拋光組合物中以磨除該基板的一部分并由此拋光該基板。27.權(quán)利要求26的方法，其中該基板的該部分包含鉭。28.權(quán)利要求26的方法，其中該拋光組合物進(jìn)一步包含氧化劑，并且其中該氧化劑濃度的降低使該基板的第二部分的移除速率減小。29.權(quán)利要求28的方法，其中該基板的該第二部分包含銅。30.4又利要求26的方法，該方法進(jìn)一步包括(i)提供包含以下物質(zhì)的第二拋光組合物(a)研磨劑，其中該研磨劑以該拋光組合物的18重量％或更高的量存在，及(b)含水介質(zhì)，及(ii)使該基板與該第二拋光組合物接觸以磨除該基板的第二部分并由此拋光該基々反。31.權(quán)利要求30的方法，其中該基板的該第二部分包含銅。全文摘要本發(fā)明涉及包含如下物質(zhì)的拋光組合物研磨劑、含水介質(zhì)、其量高于其臨界膠束濃度的表面活性劑、以及疏水性表面活性化合物。本發(fā)明還提供使用拋光組合物的方法。文檔編號C09K3/14GK101622326SQ200880006408公開日2010年1月6日申請日期2008年2月22日優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日發(fā)明者弗朗西斯科·德雷格西索羅,賈森·凱萊赫申請人:卡伯特微電子公司