專利名稱：：切割帶及半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及切割帶及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及采用所謂的流水線(inline)化工藝時(shí)，實(shí)現(xiàn)芯片的拾取工序中的拾取不良的減少的切割帶及使用了該切割帶的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年，IC卡快速普及，希望實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的薄型化。因此，必須將現(xiàn)有的厚度為350um左右的半導(dǎo)體芯片變薄至厚度為50100ym或更低。背面磨削時(shí)，在電路面貼附表面保護(hù)片，進(jìn)行電路面的保護(hù)及晶片的固定后再進(jìn)行背面磨削。接著，經(jīng)過切割、拾取、芯片接合、樹脂密封等各工序而制得半導(dǎo)體器件。切割半導(dǎo)體晶片將其芯片化時(shí)，切割帶被貼合于半導(dǎo)體晶片的背面(磨削面)，在將晶片保持于切割帶上的同時(shí)進(jìn)行晶片的切割。作為切割帶，有各種品種上市，特別優(yōu)選使用被稱為UV帶的紫外線固化型粘接帶。UV帶具備通過紫外線照射使粘接劑層固化、從而導(dǎo)致粘接力消失或劇減的性質(zhì)。因此，在晶片的切割時(shí)可以充分的粘接力固定晶片，在切割結(jié)束后通過使粘接劑層紫外線固化能夠很容易地拾取芯片。為了貼附切割帶，完成了背面磨削的晶片隨后被移送至切割帶貼附裝置(貼裝機(jī))。此時(shí)，晶片裝入被稱為晶片盒的收納裝置中再被移送至貼裝機(jī)。但是，如果將晶片磨削得極薄，則晶片本身的自我支持性消失，甚至其自重就可能導(dǎo)致破損。因此，很難將磨削得極薄的晶片單獨(dú)裝入晶片盒。為了賦予強(qiáng)度下降的半導(dǎo)體晶片以支承性，提出了工藝的流水線化，艮P，在背面磨削結(jié)束后馬上將切割帶貼附于磨削面，然后再移送至切割工序。例如，專利文獻(xiàn)1中記載了一例這樣的流水線化工藝。利用該工藝，即使是被磨削得極薄的強(qiáng)度下降的晶片，由于其背面用切割帶進(jìn)行了補(bǔ)強(qiáng)，因此支承性能提高，可實(shí)現(xiàn)前述的利用晶片盒的移送。但是，所述流水線化會(huì)引發(fā)芯片的拾取不良增加這樣的未預(yù)想到的問題。該問題是芯片背面和粘接劑層的粘接力增加、芯片的拾取變得困難，即使作為切割帶使用了UV帶時(shí)，拾取不良也會(huì)增加。其原因在專利文獻(xiàn)2中被指出是晶片背面的氧化物層的形成不足。gfJ，剛完成背面磨削的晶片背面的氧化物層被除去，處于活性化的狀態(tài)。如果在該狀態(tài)下將切割帶貼附于背面，則背面和粘接劑層之間的親和性增強(qiáng)，因此晶片和粘接劑層過度地密合，這樣就會(huì)導(dǎo)致拾取不良。專利文獻(xiàn)2中，為了解決這一問題，提出了背面磨削結(jié)束后在晶片背面形成氧化物層使得晶片背面的活性下降的方案。但是，專利文獻(xiàn)2的方法中由于新加入了用于形成氧化物層的工序，因此工藝變得復(fù)雜，且需要用于形成氧化物層的裝置。此外，近年來為了生產(chǎn)性的提高，拾取速度加快。即，在芯片的拾取時(shí)用頂針上推芯片，再用吸引筒夾保持該芯片并進(jìn)行剝離，此時(shí)的頂針的上推速度加快。其結(jié)果是，芯片和切割帶的剝離變得不充分，難以進(jìn)行芯片的拾取或芯片的受損時(shí)有發(fā)生。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2002-343756號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2005-72140號公報(bào)發(fā)明的揭示因此，在所述的包括背面磨削結(jié)束后馬上在磨削面貼附切割帶的流水線化工序的半導(dǎo)體器件的制造方法中，要求通過更簡便的手段來消除拾取不良。本發(fā)明是鑒于所述現(xiàn)有技術(shù)完成的發(fā)明，其目的是對用于切割帶的粘接劑的組成加以探討以滿足上述要求。以解決所述問題為目的，本發(fā)明的技術(shù)思想如下所述。(1)切割帶，將含有粘接成分和游離的含環(huán)氧基的化合物但不含環(huán)氧固化劑的粘接劑層以無法剝離的狀態(tài)層疊于基材上而形成。(2)上述(1)記載的切割帶，基材的粘接劑層側(cè)的面的表面張力為45mN/m以上。(3)上述(1)記載的切割帶，粘接成分為能量線固化性。(4)上述(2)記載的切割帶，粘接成分為能量線固化性。(5)半導(dǎo)體器件的制造方法，包括對表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削的工序，在該半導(dǎo)體晶片的背面貼附上述(1)(4)中任一項(xiàng)記載的切割帶，切割該晶片而芯片化的工序，以及拾取半導(dǎo)體芯片的工序。本發(fā)明中，由于使用具有特殊組成的粘接劑層的切割帶，因此粘接劑層不會(huì)與剛完成背面磨削的晶片表面過度密合，能夠切實(shí)地進(jìn)行切割后的芯片的拾取。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，對本發(fā)明更具體地說明。首先，對本發(fā)明的切割帶進(jìn)行說明。本發(fā)明的切割帶通過將粘接劑層以無法剝離的狀態(tài)層疊于基材上而形成。這里，無法剝離是指在通常的使用條件下即使進(jìn)行切割帶的貼附、剝離，粘接劑層也不會(huì)轉(zhuǎn)印至被粘接體，而是與基材一體化地從被粘接體剝離。本發(fā)明的切割帶的形狀可以是帶狀、標(biāo)簽狀等所有形狀。對于基材無特別限定，只要是耐水性和耐熱性良好的材料即可，可采用聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯.丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯，乙酸乙烯酯共聚物、乙烯氯乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜、聚酰胺膜、聚酰亞胺膜、離聚物等形成的膜等。此外，也可將這些合成樹脂膜中的2種以上層疊或組合使用。另外，還可使用將這些膜進(jìn)行著色處理而得的膜或?qū)ζ涫┮杂∷⑻幚矶玫哪さ?。膜可以是對熱塑性樹脂進(jìn)行加壓成形而得的片狀化膜；也可采用通過規(guī)定手段將固化性樹脂薄膜化，再固化而得的片狀化膜。對于基材的厚度無特別限定，通常為5500um，優(yōu)選為10300ym。另外，為了提高基材的與粘接劑層接觸的面與粘接劑層的密合性，可施以電暈處理或設(shè)置底涂層等其它層。與粘接劑層的密合性良好的基材通常顯現(xiàn)出較高的表面張力值。用于本發(fā)明的基材的粘接劑層側(cè)的面的表面張力較好為45mN/m以上，更好為5080mN/m。實(shí)施本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法時(shí)，有時(shí)在芯片的拾取時(shí)擴(kuò)展切割帶，加大芯片間隔。這種情況下，作為基材，優(yōu)選采用延伸性良好的乙烯，乙酸乙烯酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯*(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯氯乙烯乙酸乙烯酯共聚物等。此外，作為粘接成分使用通過紫外線等能量線照射而固化的類型的粘接劑時(shí)，使用對于紫外線等透明的基材。在基材上形成的粘接劑層含有粘接成分和含環(huán)氧基的化合物，但不含環(huán)氧固化劑。粘接成分只要具備合適的再剝離性即可，對其種類無特別限定，可由橡膠類、丙烯酸類、有機(jī)硅類、氨基甲酸酯類、乙烯基醚類等常用粘接劑形成。其中，特別優(yōu)選采用丙烯酸類粘接劑。作為丙烯酸類粘接劑，可例舉例如以(甲基)丙烯酸酯共聚物為主成分的粘接劑，該(甲基)丙烯酸酯共聚物以(甲基)丙烯酸酯單體及含官能團(tuán)的單體為主原料而得。這里，作為(甲基)丙烯酸酯單體，可采用例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯等。此外，作為(甲基)丙烯酸酯單體，也可使用(甲基)丙烯酸環(huán)己基酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯等具有脂環(huán)族基團(tuán)或芳香族基團(tuán)的烷基酯。這些單體可單獨(dú)使用1種也可組合使用2種以上。作為含官能團(tuán)的單體，可采用分子內(nèi)具有羥基、羧基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等官能團(tuán)的單體，優(yōu)選使用含羥基的不飽和化合物、含羧基的不飽和化合物。作為該含官能團(tuán)的單體的具體例，可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，(甲基)丙烯酸單甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸單乙基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸單垸基氨基垸基酯，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等含羧基的單體，(甲基)丙烯酸乙酰乙酰氧基甲酯等。這些單體可單獨(dú)使用l種也可組合使用2種以上。作為被用于(甲基)丙烯酸酯共聚物的除(甲基)丙烯酸酯單體及含官能團(tuán)的單體以外的共聚性單體，可例舉丙烯腈，丙烯酰胺，乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等乙烯酯等。由于羧基和氨基等官能團(tuán)存在與環(huán)氧基反應(yīng)而消耗含環(huán)氧基的化合物的可能性，因此，作為(甲基)丙烯酸酯共聚物的原料摻入了含有這些官能團(tuán)的單體時(shí)，其比例以少為宜。(甲基)丙烯酸酯共聚物的分子量較好為100000以上，特好為1500001000000。此外，丙烯酸類粘接劑的玻璃化溫度通常為2(TC以下，較好為一70(TC左右，常溫(23。C)下具有粘接性。粘接劑層最好由含有通過紫外線等能量線的照射而固化并顯現(xiàn)出再剝離性的能量線固化性粘接劑的組合物形成。能量線固化性粘接劑一般以所述(甲基)丙烯酸酯共聚物和能量線聚合性化合物為主成分。作為能量線聚合性化合物，例如廣泛使用可通過光照射而三維網(wǎng)狀化的分子內(nèi)至少具有2個(gè)以上的光聚合性碳一碳雙鍵的低分子量化合物，具體可采用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲垸四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等。能量線固化性粘接劑層中的(甲基)丙烯酸酯共聚物和能量線聚合性化合物的配比是相對于100重量份(甲基)丙烯酸酯共聚物，使用101000重量份的能量線聚合性化合物，更好為20500重量份，特好為50200重量份。這種情況下，所得的粘接片的初始粘接力大，且能量線照射后粘接力大幅度下降。因此，在切割時(shí)可切實(shí)地保持晶片、芯片，在拾取時(shí)因能量線的照射使粘接力大幅度下降，因此可切實(shí)地進(jìn)行芯片的拾取。此外，能量線固化性粘接劑也可由側(cè)鏈具有能量線聚合性基團(tuán)的能量線固化型共聚物形成。該能量線固化型共聚物具有兼具粘接性和能量線固化性的性質(zhì)。側(cè)鏈具有能量線聚合性基團(tuán)的能量線固化型共聚物可例舉所述(甲基)丙烯酸酯共聚物中包含具有能量線聚合性碳一碳雙鍵的側(cè)鏈的共聚物，例如使包含可與(甲基)丙烯酸酯共聚物的官能團(tuán)反應(yīng)的取代基和能量線聚合性碳一碳雙鍵的化合物與(甲基)丙烯酸酯共聚物反應(yīng)而得的共聚物。作為能量線使用紫外線時(shí)，最好在粘接劑層中摻入光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，具體可例舉二苯甲酮、乙酰苯、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2，4-二乙基噻噸酮、a-羥基環(huán)己基苯基酮、苯甲基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、丁二酮、e-氯代蒽醌或2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。光聚合引發(fā)劑的摻入比例因粘接劑層中的能量線聚合性化合物或能量線聚合性基團(tuán)的比例或反應(yīng)性而異，一般相對于能量線固化型粘接劑(能量線固化型共聚物)100質(zhì)量份，使用0.110質(zhì)量份，更好為0.55質(zhì)量份左右。此外，粘接劑層中還摻入了含環(huán)氧基的化合物。作為本發(fā)明中使用的含環(huán)氧基的化合物，可例舉分子內(nèi)具有至少1個(gè)環(huán)氧基且可通過環(huán)氧固化劑加熱固化的化合物，可例舉例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、聯(lián)苯型、線型酚醛清漆型、甲酚—線型酚醛型環(huán)氧樹脂等。含環(huán)氧基的化合物的分子量以低為宜，為3002000，優(yōu)選3501000。分子量如果在該范圍內(nèi)，則存在于貼附后的芯片和粘接劑的界面的含環(huán)氧基的化合物易轉(zhuǎn)印至芯片側(cè)，具有使芯片的拾取力減弱的效果。含環(huán)氧基的化合物最好不與(甲基)丙烯酸酯共聚物反應(yīng)，因此優(yōu)選不具備氨基等會(huì)使環(huán)氧基活性化的官能團(tuán)的化合物。含環(huán)氧基的化合物的摻入比例因含環(huán)氧基的化合物的種類的不同無法一概而論，一般在構(gòu)成粘接劑層的全部成分合計(jì)100質(zhì)量份中為0.550質(zhì)量份，優(yōu)選2.525質(zhì)量份左右。所述含環(huán)氧基的化合物的摻入比例表示摻入時(shí)的組成，所述含環(huán)氧基的化合物以游離狀態(tài)包含在粘接劑層中。即，粘接劑層中含有游離的含環(huán)氧基的化合物。這里，游離狀態(tài)是指含環(huán)氧基的化合物與(甲基)丙烯酸酯共聚物實(shí)質(zhì)上未反應(yīng)的狀態(tài)，含環(huán)氧基的化合物未進(jìn)入到(甲基)丙烯酸酯共聚物的凝膠成分的基質(zhì)中的狀態(tài)。具體來講，可通過粘接劑層的溶膠成分的環(huán)氧基的滴定來判斷有無未反應(yīng)的含環(huán)氧基的化合物。本發(fā)明中，以環(huán)氧當(dāng)量的倒數(shù)的IOOO倍表示的"環(huán)氧指數(shù)"來進(jìn)行評價(jià)。"環(huán)氧指數(shù)"表示每lkg試樣的環(huán)氧基的量，本發(fā)明中，測定粘接劑的溶膠成分中的環(huán)氧基的量，將其作為每lkg粘接劑總量(包含溶膠成分和凝膠成分)的值的換算值。環(huán)氧指數(shù)的值較好為0.05eq/kg以上，更好為0.12.0eq/kg。該"環(huán)氧指數(shù)"的值是通過后述的實(shí)施例中的測定方法獲得的值。因此，本發(fā)明的粘接劑層中實(shí)質(zhì)上不包含具備使所述含環(huán)氧基的化合物聚合的作用的物質(zhì)(環(huán)氧固化劑)。粘接劑層中如果含有環(huán)氧固化劑，則半導(dǎo)體晶片的貼附后含環(huán)氧基的化合物固化，有時(shí)半導(dǎo)體晶片和粘接劑層會(huì)發(fā)生粘接，這是導(dǎo)致拾取不良的原因。作為實(shí)質(zhì)上不含有的環(huán)氧固化劑，可例舉胺類、有機(jī)酸、酸酐、酚醛樹脂、尿素樹脂、聚酰胺。如上所述，本發(fā)明的粘接劑層實(shí)質(zhì)上僅由粘接成分和含環(huán)氧基的化合物形成。這里，粘接成分如上所述也可以是能量線固化性粘接成分。此外，在無損本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，還可在本發(fā)明的粘接劑層中摻入粘接成分及含環(huán)氧基的化合物以外的其它成分。作為其它成分，除了所述的光聚合引發(fā)劑以外，可例舉交聯(lián)劑(所述粘接成分用交聯(lián)劑)、無機(jī)填充材料、增塑劑、防靜電劑、防氧化劑、防老化劑、顏料、染料等。作為交聯(lián)劑，可使用多元異氰酸酯化合物、多元氮雜環(huán)丙烷、螯合物等公知交聯(lián)劑。作為多元異氰酸酯化合物，可采用甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、1，6-己二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯及這些多元異氰酸酯和多元醇的加成物等。作為多元氮雜環(huán)丙烷化合物，可采用三-2,4,6-(l-氮雜環(huán)丙垸基)-l,3,5-三嗪、三[l-(2-甲基)氮雜環(huán)丙垸基]三磷酸酯三嗪等。此外，作為螯合物，可采用乙基乙酰乙酸二異丙氧基鋁、三乙基乙酰乙酸鋁等。這些交聯(lián)劑可單獨(dú)使用也可混合使用。交聯(lián)劑通常以相對于100質(zhì)量份的粘接成分為0.0110質(zhì)量份的比例使用，較好是0.15質(zhì)量份，更好為0.53質(zhì)量份。對于粘接劑層的厚度無特別限定，通常為1100um，較好為540wm。如果將半導(dǎo)體晶片等被粘接體貼附于包含所述未反應(yīng)的含環(huán)氧基的化合物的粘接劑層，則粘接劑層中的含環(huán)氧基的化合物滲出，變成在被粘接體和粘接劑層的界面形成油膜的狀態(tài)。其結(jié)果是，粘接劑層不會(huì)與被粘接體過度地密合，即使是剛磨削完畢的晶片背面被活性化的狀態(tài)，也可獲得合適的剝離性。因此，切割后的芯片的拾取不良減少。對于本發(fā)明的切割帶的制造方法無特別限定，可通過在基材上涂布將構(gòu)成粘接劑層的各成分溶解或分散于合適的溶劑中而形成的組合物并干燥而制得；也可通過在剝離膜上設(shè)置粘接劑層，再將其轉(zhuǎn)印至所述基材而制得。在切割帶的使用前，為了保護(hù)粘接劑層，可在粘接劑層的上表面層疊剝離膜。以下，對使用了本發(fā)明的切割帶的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，首先對表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削。半導(dǎo)體晶片可以是硅晶片也可以是鎵*砷等化合物半導(dǎo)體晶片。在晶片表面形成電路可通過包括蝕刻法、提離法等以往廣泛使用的方法的各種方法來進(jìn)行。在半導(dǎo)體晶片的電路形成工序中，形成規(guī)定電路。對該晶片的磨削前的厚度無特別限定，通常為650750ym左右。此外，在背面磨削時(shí)，為了保護(hù)表面的電路，最好在電路面貼附表面保護(hù)片。作為表面保護(hù)片，對用于該用途的各種可再剝離的粘接片無特別限定。背面的磨削可通過使用了磨削機(jī)及用于晶片固定的吸附臺(tái)等的公知方法來實(shí)施。背面磨削工序后可進(jìn)行除去因磨削而生成的破碎層的處理。對背面磨削工序后的晶片的厚度無特別限定，根據(jù)本發(fā)明的目的，為了配合適合于極薄加工的流水線處理，該背面磨削后的厚度較好為20100lim左右。但是，為了也能夠適用于普通的工序，100400um左右的通常的厚度也可以。然后，在晶片的背面貼附本發(fā)明的切割帶。切割帶的貼附一般通過具備輥的被稱為貼裝機(jī)的裝置來實(shí)施，但并不特別限定于此。作為切割帶，所述紫外線固化型粘接帶可減弱拾取力，因此特別好用。通過貼附本發(fā)明的切割帶，包含于粘接劑層中的含環(huán)氧基的化合物在晶片的磨削面形成油膜，因此晶片磨削面和粘接劑的相互作用減少。所以，即使是剛完成磨削后的磨削面處于活性化狀態(tài)的晶片，晶片和粘接劑層也不會(huì)過度粘接，可實(shí)現(xiàn)合適的剝離性，切割后的拾取工序中的拾取性顯著提高。因此，本發(fā)明對于剛切割后的磨削面處于活性化狀態(tài)的晶片特別適用。即，本發(fā)明對于解決使用了磨削機(jī)和切割帶貼附裝置一體化的流水線處理裝置的半導(dǎo)體器件的制造工序中的拾取不良的問題顯現(xiàn)出明顯效果。因此，即使晶片磨削工序和切割帶的貼附工序之間只相差0.53分鐘左右，利用本發(fā)明也能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的拾取性。對于半導(dǎo)體晶片的切割方法無特別限定。作為一例，在晶片的切割時(shí)，用環(huán)形框固定切割帶的周邊部后，通過切片機(jī)等使用旋轉(zhuǎn)圓形刀刃等的公知方法進(jìn)行晶片的芯片化。表面保護(hù)片在切割帶的貼附后可在任意階段被剝離。接著，將所得芯片從切割帶拾取。芯片的拾取一般從電路面?zhèn)扔梦矈A來進(jìn)行，此外，也可以在用筒夾進(jìn)行吸引的同時(shí)，從切割帶側(cè)用頂針上推芯片。此外，在作為切割帶使用了能量線固化型粘接帶時(shí)，最好在芯片的拾取前對粘接劑層照射能量線，使得粘接力下降。拾取工序中，如果在頂針的一連串動(dòng)作的頂部附近切割帶的剝離充分，則吸引筒夾可把持住芯片而完成拾取。但是，近年來的半導(dǎo)體生產(chǎn)現(xiàn)場中，以提高生產(chǎn)性為目的，大多數(shù)情況下將拾取工序中的上頂速度設(shè)定得非?？?。因此，用現(xiàn)有的切割帶會(huì)使切割帶和芯片背面過度密合，在頂針的一連串動(dòng)作的頂部附近芯片的剝離不夠充分。因此，即使吸引筒夾靠近芯片也無法把持芯片，導(dǎo)致拾取不良。本發(fā)明中，通過切割帶的貼附，在半導(dǎo)體晶片的背面形成含環(huán)氧基的化合物的油膜。藉此使得晶片背面和切割帶的粘接劑層之間的相互作用變小，因此晶片和切割帶不會(huì)過度粘接，可減少切割后的芯片的拾取工序中的拾取不良的發(fā)生。被拾取的芯片隨后通過常規(guī)方法進(jìn)行芯片接合、樹脂密封而制得半導(dǎo)體器件。被拾取的芯片的背面雖然附著了含環(huán)氧基的化合物的油膜，但在最終的半導(dǎo)體器件中與用于芯片接合及樹脂密封的環(huán)氧樹脂形成為一體并固化，因此不會(huì)產(chǎn)生殘留物的不良影響。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。以下的實(shí)施例及比較例中，拾取時(shí)間、拾取力的評價(jià)如下進(jìn)行。用磨削裝置將硅制試機(jī)片(dummywafer,直徑125mm、厚度650wm)磨削至其厚度為350um。在磨削裝置的磨削處理結(jié)束后的5分鐘以內(nèi)將實(shí)施例及比較例的切割帶貼附于晶片磨削面。然后，在磨削處理結(jié)束后的1小時(shí)以內(nèi)將晶片切割成10mmX10mm的芯片尺寸。接著，在切割后的6小時(shí)以內(nèi)從基材表面對切割帶照射作為能量線的紫外線。紫外線照射后的1224小時(shí)間拾取芯片，測定該芯片拾取時(shí)間(芯片從帶剝離的時(shí)間)和拾取力(施加于頂針的最大荷重)，評價(jià)拾取性。此外，作為比較，對于磨削后經(jīng)過7天認(rèn)為活性消失了的晶片同樣地進(jìn)行拾取性評價(jià)。各工序的條件如下所述。(磨削工序)磨削裝置迪思科株式會(huì)社(fV義〕社)制DFG840(切割帶貼附工序)貼附裝置琳得科株式會(huì)社(UV亍y夕社)制RAD2500m/8環(huán)形框迪思科株式會(huì)社制2-6-1(切割工序)切割裝置東京精密株式會(huì)社制A-WD-4000B刀片迪思科株式會(huì)社制NBC-ZH205027HECC進(jìn)刀量全部進(jìn)入(進(jìn)入切割帶30um)(紫外線照射工序)紫外線照射裝置琳得科株式會(huì)社制RAD2000m/8照度330mW/cm2光量210mJ/cm2(照度、光量測定使用了EyeGraphics公司制UV測定儀UVRF-36)氮清除有(流量30升/分鐘)(拾取工序)頂針數(shù)4個(gè)針位置l邊8mm的正方形的頂點(diǎn)擴(kuò)展量環(huán)形框下拉2mm針上推量1.5ram上推速度0.3mra/秒(環(huán)氧指數(shù))實(shí)施例及比較例中，粘接劑的"環(huán)氧指數(shù)"的測定按照J(rèn)ISK7236通過指示劑滴定法來進(jìn)行。將在切割帶的制造工序中以不層疊于基材上的狀態(tài)采集的粘接劑于室溫進(jìn)行l(wèi)周的陳化處理后作為試樣用于測定。通過索式萃取器用乙酸乙酯溶劑萃取測定用粘接劑約O.11.0g，獲得溶膠成分。環(huán)氧指數(shù)的滴定以將乙酸乙酯溶劑揮發(fā)、所述溶膠成分溶于約50ml氯仿的狀態(tài)進(jìn)行。表l中的環(huán)氧指數(shù)是萃取前的每lkg粘接劑重量的換算值。(分子量)測定裝置東曹株式會(huì)社(東乂一社)帝UHLC-8020、AS-8020、SD-8000、UV-8020柱TSK凝膠GMH流速1.0ml/秒溶劑THF(四氫呋喃)溫度3540。C(入口35°C，箱內(nèi)40°C，RI:35°C)試樣注入量80P1試樣濃度固形成分0.81.3%校準(zhǔn)曲線聚苯乙烯換算(實(shí)施例1)作為能量線固化型粘接成分，使用了下述能量線固化型聚合物使甲基丙烯酰氧基乙基丙烯酸酯以80%當(dāng)量(相對于IOO質(zhì)量份丙烯酸聚合物為16質(zhì)量份)與丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸羥基乙酯=65/20/15(質(zhì)量比)、重均分子量=約50萬)反應(yīng)而得的能量線固化型聚合物。在100質(zhì)量份能量線固化型聚合物中摻入光聚合引發(fā)劑(汽巴精化公司制，Irgacure(注冊商標(biāo))184)3.5質(zhì)量份、含環(huán)氧基的化合物(大日本油墨化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制，商品名二匕°夕口^(注冊商標(biāo))EXA-4850-150，分子量約為900)10質(zhì)量份及異氰酸酯化合物(東洋油墨制造株式會(huì)社制，BHS-8515)1.07質(zhì)量份(全部都是通過固形成分換算的配比)，獲得粘接劑組合物。將該粘接劑組合物涂布于剝離膜(琳得科株式會(huì)社制，SP-PET3811(S)，厚度38um)使得干燥后的涂布量達(dá)到10g/m2，于IO(TC干燥1分鐘后，將其層疊于作為基材的一面實(shí)施了電暈處理的乙烯甲基丙烯酸共聚物膜(厚80um，電暈處理面的表面張力為54mN/m)的電暈處理面，獲得切割帶。用所得切割帶，通過所述方法進(jìn)行了拾取時(shí)間、拾取力的評價(jià)。結(jié)果示于表l。(實(shí)施例2)除了含環(huán)氧基的化合物的摻入量改為20質(zhì)量份以外，與實(shí)施例1同樣操作，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。(實(shí)施例3)除了作為能量線固化型粘接成分使用下述能量線固化型聚合物，并將光聚合引發(fā)劑(汽巴精化公司帝lj，Irgacure(注冊商標(biāo))184)的用量改為3.25質(zhì)量份以外，與實(shí)施例l同樣操作，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。使甲基丙烯酰氧基乙基丙烯酸酯以80%當(dāng)量(相對于100質(zhì)量份丙烯酸聚合物為16質(zhì)量份)與丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/丙烯酸羥基乙酯=85/15(質(zhì)量比)、重均分子量=約84萬)反應(yīng)而得的能量線固化型聚合物。(實(shí)施例4)除了作為含環(huán)氧基的化合物使用日本環(huán)氧樹脂株式會(huì)社制工f-一卜(注冊商標(biāo))828(分子量370)20質(zhì)量份以外，與實(shí)施例3同樣操作，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。(實(shí)施例5)除了作為含環(huán)氧基的化合物使用日本環(huán)氧樹脂株式會(huì)社制二3—卜(注冊商標(biāo))806(分子量約330)20質(zhì)量份以外，與實(shí)施例3同樣操作，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。(比較例1)除了未使用含環(huán)氧基的化合物以外，其它操作與實(shí)施例1及實(shí)施例2相同，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。(比較例2)除了未使用含環(huán)氧基的化合物以外，其它操作與實(shí)施例3、實(shí)施例4及實(shí)施例5相同，獲得切割帶。結(jié)果示于表l。_[表1]_<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>從表1可知，實(shí)施例的剛磨削完畢后的拾取性與未使用含環(huán)氧基的化合物的比較例的磨削完畢7天后的拾取性相同或更佳。因此，實(shí)施例的切割帶即使在對晶片表面的磨削剛完畢后貼附，也能夠毫無問題地進(jìn)行拾取工序。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明由于使用了具備特殊組成的粘接劑層的切割帶，因此粘接劑層不會(huì)與剛完成背面磨削的晶片面過度密合，可切實(shí)地進(jìn)行切割后的芯片的拾取。權(quán)利要求1.切割帶，其特征在于，將含有粘接成分和游離的含環(huán)氧基的化合物但不含環(huán)氧固化劑的粘接劑層以無法剝離的狀態(tài)層疊于基材上而形成。2.如權(quán)利要求1所述的切割帶，其特征在于，基材的粘接劑層側(cè)的面的表面張力為45mN/m以上。3.如權(quán)利要求1所述的切割帶，其特征在于，粘接成分為能量線固化性。4.如權(quán)利要求2所述的切割帶，其特征在于，粘接成分為能量線固化性。5.半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括對表面形成有電路的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削的工序，在該半導(dǎo)體晶片的背面貼附權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的切割帶，切割該晶片而芯片化的工序，以及拾取半導(dǎo)體芯片的工序。全文摘要本發(fā)明的目的是在包括背面磨削結(jié)束后馬上在磨削面貼附切割帶的流水線化工序的半導(dǎo)體器件的制造方法中，通過簡便的方法來消除切割工序后的芯片拾取工序中的拾取不良。本發(fā)明的切割帶的特征在于，將含有粘接成分和游離的含環(huán)氧基的化合物但不含環(huán)氧固化劑的粘接劑層以無法剝離的狀態(tài)層疊于基材上而形成。文檔編號C09J7/02GK101606229SQ20088000407公開日2009年12月16日申請日期2008年1月29日優(yōu)先權(quán)日2007年2月6日發(fā)明者金井道生申請人:琳得科株式會(huì)社