專利名稱：圖形形成方法和半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對因抗蝕劑的圖形塌倒而發(fā)生的不良進(jìn)行抑制的圖形形成方法和采用該圖形形成方法的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，圖形的微細(xì)化發(fā)展，光刻工序中的抗蝕劑的圖形塌倒成為大問題。作為塌倒的主要原因，被認(rèn)為是使清洗液干燥時(shí)的清洗液的表面張力和水流阻力。特別是在微細(xì)圖形中表面張力的影響變大。根據(jù)H.Namatsuetal.，Appl.Phys.Lett.66，2655(1955)，在線(line)寬度為W、間距寬度為D、圖形高度為H、清洗液的表面張力為γ、清洗液界面和抗蝕劑側(cè)壁形成的角為θ時(shí)，清洗液干燥時(shí)抗蝕劑圖形上所施加的垂直應(yīng)力σ被表示為σ＝6γcosθ/D×(H/W)2...(1)作為這種問題的解決方法，最有效的方法是抗蝕劑的薄膜化，但從襯底加工的觀點(diǎn)來看已經(jīng)快達(dá)到極限。近年中，使用應(yīng)比該極限更薄、三層抗蝕劑工序和硬掩模工序等，但依然沒有改變在薄膜化上存在極限的事實(shí)，不能得到本質(zhì)性的解決。
此外，近年來，采用在特許第2723260號說明書、特許第3057879號說明書、特許第3071401號說明書、特許第3218814號說明書、特許第3476080號說明書、特許第3476081號說明書以及特許第3476082號說明書中公開的技術(shù)的工序(以下，統(tǒng)一稱為收縮(shrink)工序)的應(yīng)用正在普及。該工序被主要用于具有難以確保光刻余量的孔圖形的層。收縮工序的流程大致如下。在抗蝕劑圖形形成后，涂敷含有圖形收縮材料的溶液。接著，在抗蝕劑圖形表面上形成反應(yīng)層。反應(yīng)層例如是混合層、交聯(lián)層、覆蓋膜等，因圖形收縮材料的種類而有所不同。最后，通過除去未反應(yīng)層，可以獲得比最初圖形小的孔或間距圖形。但是，在孔圖形和線和間距圖形(line and space pattern)混雜的情況下會引起問題。在收縮工序后，在使線寬度和間距寬度之比盡量接近1∶1的情況下，光刻后的圖形需要比間距寬度更細(xì)地加工線寬度。如果線和間距圖形的節(jié)距為P，對(1)進(jìn)行變形，則σ＝6γcosθ/(P-W)×(H/W)2...(2)其中，垂直應(yīng)力σ的線寬W依賴性為σ/W＝-6γcosθ×(2PW2-3W2)/(PW2-W3)2...(3)所以可知在W＝2P/3時(shí)，即線寬度與間距寬度為2∶1時(shí)，垂直應(yīng)力取得極小值。即，在相同節(jié)距的情況下，比2∶1更細(xì)地加工線時(shí)，容易引起清洗液干燥時(shí)的圖形塌倒。圖形節(jié)距越微細(xì)，或收縮工序產(chǎn)生的收縮量越大，這種問題越顯著。
因此，需要可對抗蝕劑圖形的圖形塌倒進(jìn)行抑制的圖形形成方法和采用該圖形形成方法的半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方案的圖形形成方法的特征在于包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線(energy line)選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將清洗液供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液置換為所述清洗液；將涂敷膜用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的清洗液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的涂敷膜用材料；使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在所述襯底上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形；以及用所述掩模圖形來加工所述襯底。
本發(fā)明的另一方案的圖形形成方法的特征在于包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將涂敷膜用材料供給到所述抗蝕劑膜上，以便將所述抗蝕劑膜上的顯影液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的涂敷膜用材料；形成使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑圖形的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分地形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形；以及用所述掩模圖形來加工所述襯底。
本發(fā)明的再一方案的圖形形成方法的特征在于包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將清洗液供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液置換為所述清洗液；將涂敷膜形成用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的清洗液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的涂敷膜形成用材料；形成使所述涂敷膜形成用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑膜的涂敷膜；在所述抗蝕劑膜和所述涂敷膜的界面上形成反應(yīng)層；以及選擇除去所述涂敷膜，以便在所述襯底上形成將所述抗蝕劑圖形和反應(yīng)層疊層了的掩模圖形。
本發(fā)明的再一方案的圖形形成方法的特征在于包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將涂敷膜用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的涂敷膜用材料；形成使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑膜的涂敷膜；在所述抗蝕劑膜和所述涂敷膜的界面上形成反應(yīng)層；以及選擇除去所述涂敷膜，以便在所述襯底上形成將所述抗蝕劑圖形和反應(yīng)層疊層了的掩模圖形。
本發(fā)明的再一方案的半導(dǎo)體器件的制造方法的特征在于包括下述工序在半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體晶片上形成掩模圖形；以及以所述掩模圖形為掩模來加工所述半導(dǎo)體晶片，形成所述掩模圖形的工序包括在所述半導(dǎo)體晶片上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；供給使顯像停止的溶液，以便對所述半導(dǎo)體晶片上的顯影液的至少一部分進(jìn)行置換；供給涂敷膜用材料并使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在所述半導(dǎo)體晶片上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；以及使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形。


圖1A至圖1K是表示用于說明本發(fā)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一例制造工序的剖面圖。
圖2A至圖2J是表示用于說明本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一例制造工序的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。附圖、相應(yīng)的部分始終附以相同的標(biāo)號。
(第1實(shí)施方式)圖1A至圖1K是表示用于說明本發(fā)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一例制造工序的剖面圖。
如圖1A所示，在形成于半導(dǎo)體襯底10上的層間絕緣膜11上，例如，形成膜厚度500nm的酚醛膜(下層掩模)12。如圖1B所示，在所述酚醛膜12上，例如形成膜厚度150nm的ArF抗蝕劑膜13。
如圖1C所示，例如，使用ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光裝置，將形成于掩模中的圖形復(fù)制到抗蝕劑膜上。對于抗蝕劑膜13，例如在130℃下進(jìn)行60秒烘焙。由此，在抗蝕劑膜13中形成潛像13’。再有，形成于抗蝕劑膜13中的潛像具有預(yù)期的圖形的翻轉(zhuǎn)圖形。
如圖1D所示，將顯影液14涂敷擴(kuò)散在ArF抗蝕劑膜13上，例如進(jìn)行60秒顯像，形成抗蝕劑圖形。形成于抗蝕劑圖形13的圖形的目標(biāo)尺寸在線和間距圖形部分中例如線寬度和間距寬度為70nm。
如圖1E所示，將清洗液15供給到抗蝕劑圖形13上，將顯影液14置換為清洗液15。
如圖1F所示，在抗蝕劑圖形13上排出水溶性聚硅氧烷溶液16，將清洗液15的至少一部分置換為水溶性聚硅氧烷溶液16。
如圖1G所示，使襯底旋轉(zhuǎn)地使水溶性聚硅氧烷溶液中的溶劑揮發(fā)，形成水溶性聚硅氧烷膜17，以覆蓋抗蝕劑圖形。如圖1H所示，例如，在100℃下進(jìn)行60秒烘焙，進(jìn)行水溶性聚硅氧烷膜17的固化。
如圖1I所示，用氟代烴氣體等離子體進(jìn)行水溶性聚硅氧烷膜17的深腐蝕(etch back)，使抗蝕劑圖形的上表面露出。以該腐蝕中形成水溶性聚硅氧烷膜圖形(掩模圖形)17。水溶性聚硅氧烷膜圖形17是上述要求的圖形。
如圖1J所示，用氧等離子體進(jìn)行各向異性腐蝕，對抗蝕劑圖形13和酚醛膜12進(jìn)行選擇腐蝕。如圖1K所示，以水溶性聚硅氧烷膜圖形17和酚醛膜12為掩模，對層間絕緣膜11進(jìn)行腐蝕。
圖形塌倒在干燥處理時(shí)容易產(chǎn)生。在本實(shí)施方式中，由于不進(jìn)行清洗液15的干燥處理，所以可以抑制圖形塌倒。在本實(shí)施方式中，不進(jìn)行干燥處理，將清洗液15置換為水溶性聚硅氧烷溶液16，形成水溶性聚硅氧烷膜17，形成水溶性聚硅氧烷膜17的圖形，選擇除去抗蝕劑圖形13。
在本實(shí)施方式中，示出了作為抗蝕劑膜使用ArF抗蝕劑膜，作為曝光裝置使用ArF曝光裝置的例子，但本發(fā)明的實(shí)施不限于此?？墒褂脤線、i線、KrF、F2、EUV、帶電粒子束等具有感度的抗蝕劑膜和與其分別對應(yīng)的曝光裝置。
此外，在本實(shí)施方式中，用水溶性聚硅氧烷來置換清洗液，但置換既可完全地進(jìn)行，也可以只進(jìn)行一部分。此外，置換處理的期間，襯底既可以靜止，也可以旋轉(zhuǎn)。
此外，在本實(shí)施方式中，進(jìn)行了深腐蝕，但在該工序中也可以采用特開2000-310863號公報(bào)中公開的CMP，或采用特開2002-110510號公報(bào)中公開的濕法腐蝕等，可以采用各種現(xiàn)有的技術(shù)。此外，也可以與美國專利No.10/839,184、2004年5月6日公開的技術(shù)組合實(shí)施。
再有，也可以在供給顯影液14后不供給清洗液15，而供給水溶性聚硅氧烷溶液16，從而將顯影液14的至少一部分置換為水溶性聚硅氧烷溶液16。
(第2實(shí)施方式)以下，用圖2A至圖2J來說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。圖2A至圖2J是表示用于說明本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一例制造工序的剖面圖。
如圖2A所示，在形成于半導(dǎo)體襯底10上的層間絕緣膜11上，在襯底上形成膜厚82nm的防反射膜22。如圖2B所示，在防反射膜22上形成膜厚150nm的ArF抗蝕劑膜23。
如圖2C所示，例如用ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光裝置將形成于掩模中的圖形復(fù)制到抗蝕劑膜23上。對于抗蝕劑膜23，例如在130℃下進(jìn)行60秒烘焙。由此，在抗蝕劑膜23中形成潛像23H和潛像23LS。再有，潛像23H是用于形成孔圖形的潛像。而潛像23LS是用于形成線和間距圖形的潛像?？刮g劑圖形的目標(biāo)尺寸，例如在孔圖形中為150nm，在線和間距圖形中線寬度為40nm、間距寬度為100nm。
如圖2D所示，在ArF抗蝕劑膜23上涂敷展開顯影液24，例如進(jìn)行60秒顯像。如圖2E所示，在抗蝕劑膜23上排出清洗液25，將顯影液置換為清洗液25。如圖2F所示，排出用于形成圖形收縮用的涂敷膜的溶液26，將清洗液25置換為溶液26。如圖2G所示，使襯底10旋轉(zhuǎn)地使溶液26中的溶劑揮發(fā)，形成涂敷膜27，以覆蓋抗蝕劑圖形23。如圖2H所示，例如，在130℃下進(jìn)行60秒烘焙，以使涂敷膜27和抗蝕劑膜23進(jìn)行反應(yīng)，在涂敷膜27和抗蝕劑膜23的界面上形成反應(yīng)層28。
如圖2I所示，將包含于溶液26中的溶劑供給到涂敷膜27上，選擇除去未反應(yīng)的涂敷膜27，以便得到圖形。圖形尺寸例如在孔圖形中為120nm，在線和間距圖形中線寬度為70nm、間距寬度為70nm。再有，用電子顯微鏡觀察在表面上形成了反應(yīng)層28的抗蝕劑圖形23時(shí)，在線和間距圖形部分沒有觀察到圖形塌倒。
如圖2J所示，以反應(yīng)層28和抗蝕劑膜23為掩模，對防反射膜22和層間絕緣膜11進(jìn)行腐蝕。
圖形塌倒在清洗液的干燥處理時(shí)容易產(chǎn)生。在本實(shí)施方式中，由于不進(jìn)行清洗液15的干燥處理，所以可以抑制圖形塌倒。在本實(shí)施方式中，不進(jìn)行干燥處理，將清洗液15置換為用于形成圖形收縮用的涂敷膜的溶液26，形成涂敷膜27，形成反應(yīng)層28，選擇除去未反應(yīng)的涂敷膜27。
與線寬度對間距寬度之比為2∶1的線相比，加工越細(xì)的線，越容易引起清洗液干燥時(shí)的圖形塌倒。因此，與線寬度對間距寬度之比為2∶1的線相比為更細(xì)的線的情況下，優(yōu)選采用本實(shí)施方式的圖形形成方法。
此外，在本實(shí)施方式中，用溶液26來置換清洗液25，但置換既可完全地進(jìn)行，也可以只進(jìn)行一部分。此外，置換處理的期間，襯底既可以靜止，也可以旋轉(zhuǎn)。
再有，也可以在供給顯影液24后不供給清洗液25，而供給溶液26，從而將顯影液24的至少一部分置換為溶液26。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地獲得附加的優(yōu)點(diǎn)和進(jìn)行改變。因此，本發(fā)明更廣的方面并不限于本說明書中所展示和描述的具體細(xì)節(jié)以及典型實(shí)施方式。所以，可以在不脫離所附技術(shù)方案及其等同物所限定的總的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)質(zhì)或范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，其特征在于，包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將清洗液供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液置換為所述清洗液；將涂敷膜用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的清洗液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的上述涂敷膜用材料；使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在所述襯底上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形；以及用所述掩模圖形來加工所述襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，所述涂敷膜的通過氧等離子體的腐蝕速率低于所述抗蝕劑膜的通過氧等離子體的腐蝕速率。
3.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于，所述涂敷膜用材料是水溶性聚硅氧烷。
4.一種圖形形成方法，其特征在于，包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將涂敷膜用材料供給到所述抗蝕劑膜上，以便將所述抗蝕劑膜上的顯影液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)上述的涂敷膜用材料；形成使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑圖形的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分地形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形；以及用所述掩模圖形來加工所述襯底。
5.如權(quán)利要求4所述的圖形形成方法，其特征在于，所述涂敷膜的通過氧等離子體的腐蝕速率低于所述抗蝕劑膜的通過氧等離子體的腐蝕速率。
6.如權(quán)利要求4所述的圖形形成方法，其特征在于，所述涂敷膜用材料是水溶性聚硅氧烷。
7.一種圖形形成方法，其特征在于，包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將清洗液供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液置換為所述清洗液；將涂敷膜形成用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的清洗液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的上述涂敷膜形成用材料；形成使所述涂敷膜形成用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑膜的涂敷膜；在所述抗蝕劑膜和所述涂敷膜的界面上形成反應(yīng)層；以及選擇除去所述涂敷膜，以便在所述襯底上形成疊層了所述抗蝕劑圖形和反應(yīng)層的掩模圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的圖形形成方法，其特征在于，所述掩模圖形包括線寬度和間距寬度之比小于2∶1的線和間距圖形。
9.如權(quán)利要求7所述的圖形形成方法，其特征在于，還包括在所述襯底上形成防反射膜的工序。
10.一種圖形形成方法，其特征在于，包括下述工序在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；將涂敷膜用材料供給到所述襯底上，以便將所述襯底上的顯影液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的上述涂敷膜用材料；形成使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)的膜，以便在所述襯底上形成覆蓋所述抗蝕劑膜的涂敷膜；在所述抗蝕劑膜和所述涂敷膜的界面上形成反應(yīng)層；以及選擇除去所述涂敷膜，以便在所述襯底上形成疊層了所述抗蝕劑圖形和反應(yīng)層的掩模圖形。
11.如權(quán)利要求10所述的圖形形成方法，其特征在于，所述掩模圖形包含線寬度和間距寬度之比小于2∶1的線和間距圖形。
12.如權(quán)利要求10所述的圖形形成方法，其特征在于，還包括在所述襯底上形成防反射膜的工序。
13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序在半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體晶片上形成掩模圖形；以及以所述掩模圖形為掩模來加工所述半導(dǎo)體晶片，形成所述掩模圖形包括下述工序在所述半導(dǎo)體晶片上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；供給使顯像停止的溶液，以便對所述半導(dǎo)體晶片上的顯影液的至少一部分進(jìn)行置換；供給涂敷膜用材料并使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在所述半導(dǎo)體晶片上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；以及使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，停止所述顯像的溶液是清洗液。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，停止所述顯像的溶液是涂敷膜用材料。
16.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序在半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體晶片上形成掩模圖形；以及以所述掩模圖形為掩模來加工所述半導(dǎo)體晶片，形成所述掩模圖形包括下述工序在所述半導(dǎo)體晶片上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給到所述抗蝕劑膜上，以便由形成了所述潛像的所述抗蝕劑膜來形成抗蝕劑圖形；供給使顯像停止的溶液，以便對所述半導(dǎo)體晶片上的顯影液的至少一部分進(jìn)行置換；供給涂敷膜用材料并使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在所述半導(dǎo)體晶片上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；在所述抗蝕劑膜和所述涂敷膜的界面上形成反應(yīng)層；以及選擇除去所述涂敷膜，以便在所述半導(dǎo)體晶片上形成疊層了所述抗蝕劑圖形和反應(yīng)層的掩模圖形。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，停止所述顯像的溶液是清洗液，所述涂敷膜形成用材料包含溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，停止所述顯像的溶液是涂敷膜用材料，所述涂敷膜形成用材料包含溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)。
19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述掩模圖形還包括在所述半導(dǎo)體晶片上形成防反射膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種圖形形成方法，包括在襯底上形成抗蝕劑膜；將能量線選擇照射到所述抗蝕劑膜，以便在所述抗蝕劑膜中形成潛像；將顯影液供給所述抗蝕劑膜，以便由形成了所述潛像的抗蝕劑膜形成抗蝕劑圖形；將清洗液供給所述襯底，以便將襯底上的顯影液置換為清洗液；將涂敷膜用材料供給到襯底，以便將襯底上的清洗液的至少一部分置換為包含有溶劑和與所述抗蝕劑膜不同的溶質(zhì)的涂敷膜用材料；使所述涂敷膜用材料中的溶劑揮發(fā)，以便在襯底上形成覆蓋抗蝕劑膜的涂敷膜；使所述涂敷膜的表面的至少一部分后退，以便露出所述抗蝕劑圖形上表面的至少一部分并形成由所述涂敷膜構(gòu)成的掩模圖形；以及用所述掩模圖形來加工所述襯底。
文檔編號B05D1/38GK1673873SQ20051005697
公開日2005年9月28日 申請日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月24日
發(fā)明者加藤寬和, 大西廉伸, 河村大輔 申請人:株式會社東芝