專利名稱：實現(xiàn)高速填充和產(chǎn)量的分布幾何和導(dǎo)體模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
主要涉及壓印平版印刷。尤其是，本發(fā)明涉及減少在壓印平版印刷過程中，將壓印材料充滿印模形狀的形狀所需的時間。
微制造涉及非常微小的結(jié)構(gòu)的制造，例如，具有的形狀在微米或更小尺度上。微制造的具有相當(dāng)大的影響的一個領(lǐng)域是在集成電路的工藝中。由于半導(dǎo)體制造工業(yè)一直在增加基板上單位面積上的電路的同時，爭取更大的產(chǎn)量，微制造變得日益重要。在允許形成的結(jié)構(gòu)的形狀尺寸持續(xù)減小的同時，微制造提供更強的工藝控制力。應(yīng)用微制造的其他一些領(lǐng)域包括生物技術(shù)、光學(xué)技術(shù)、機械系統(tǒng)等等。
在Willson等人的美國專利號為6,334,960中披露了一種典型的微制造技術(shù)。Willson等人揭露了在一結(jié)構(gòu)中形成浮雕圖像的方法。該方法包括提供一具有轉(zhuǎn)換層的基板。該轉(zhuǎn)換層由可聚合流體混合物覆蓋。一印模與可聚合流體發(fā)生機械接觸。該印模包括浮雕結(jié)構(gòu)，并且聚合流體混合物充滿該浮雕結(jié)構(gòu)。然后聚合流體混合物在合適的條件下固化和聚合，在轉(zhuǎn)換層上形成固化的包含了印模賦予的浮雕結(jié)構(gòu)的可聚合物材料。然后印模和聚合物材料分離，從而在固化的可聚合物材料中形成印模的浮雕結(jié)構(gòu)的復(fù)制品。將該轉(zhuǎn)換層和固化的聚合物材料置于某一環(huán)境下以選擇性刻蝕與固化的可聚合物材料相對的轉(zhuǎn)換層，從而在轉(zhuǎn)換層上形成浮雕圖像。使用該技術(shù)所需的時間和提供的最小形狀的尺度取決于，尤其，可聚合物材料的成分。
因此，希望提供一種技術(shù)能減少用來充滿壓印平版印刷模板的形狀所需要的時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種方法，把多個的間隔分開的液滴分布在基板上，其特征是液滴之間的間距最小，這間距使得這些液滴中的液體一定可以移動到相鄰的液滴處，以在基板上形成一液體連續(xù)層。結(jié)果，當(dāng)用圖案模板圖形化這些液滴時，用以使液滴充滿圖案形狀和覆蓋基板所需的時間最少。這增加了平版印刷工藝的生產(chǎn)能力。為了這個目的，該方法包括在基板上設(shè)置多個的間隔分開的液滴，每一個液滴具有與其相聯(lián)系的單位體積。多個液滴的子集的相鄰液滴的之間的間隔選擇為與子集的最小單位體積有關(guān)。結(jié)果，相鄰液滴的之間的距離最小化了，并僅僅取決于小滴分布設(shè)備的分辨率。
另外還揭露了一種導(dǎo)電模板和形成導(dǎo)電模板的方法，包括提供一基板；在基板上形成一臺面；在臺面上形成眾多的凹陷和凸起，凹陷的最低點包含導(dǎo)電材料，凸起包含電性絕緣材料。要求臺面對預(yù)定的輻射波長的射線完全透明，例如，紫外線。結(jié)果是，要求從允許紫外線穿過的材料中形成電導(dǎo)材料。在本發(fā)明中氧化銦錫是合適的材料，用來形成導(dǎo)電材料。但是，由于抗刻蝕能力，氧化銦錫難以圖案化。但是，本方法提供了一種形成適于壓印平版印刷中的銦氧化物導(dǎo)體模板的方法。下面將對這些其它的實施例作更加全面的描述。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的平版印刷系統(tǒng)的透視圖；圖2是如圖1所示的平版印刷系統(tǒng)的簡化正視圖；圖3是如圖2所示的構(gòu)成壓印層的材料，在聚合和交聯(lián)以前的簡化描述圖；圖4是如圖3所示的材料在遭受輻射以后，轉(zhuǎn)變成交聯(lián)的聚合材料的簡化描述圖；圖5是壓印層圖案化以后，如圖1所示的印模與壓印層分離的簡化正視圖；圖6所示的是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的如上述圖2中所示的沉積在基板一區(qū)域上的壓印材料的液滴的陣列的自上而下的俯視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的如圖2所示的印模的懸臂沖印，撞擊如圖6所示的液滴陣列的簡化示意圖；圖8-11是使用如圖7所示的印模的懸臂沖印，擠壓如上述圖6所示的液滴的自上而下的俯視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，具有能各自定位的電性導(dǎo)體的印模的自下而上仰視圖；圖13是在圖12中所示的模板的側(cè)橫截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，用來制造模板的基板的自上而下的俯視圖；圖15是在圖14所示的基板的一區(qū)域，沿線15-15的側(cè)橫截面圖；圖16-23所示的是制造圖13中所示的模板而使用的不同步驟中的如圖15所示的區(qū)域的側(cè)橫截面圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明的第四個實施例，壓印材料的液滴布置成陣列的如圖6所示的區(qū)域的自上而下的俯視圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明的第五個實施例，使用如圖2所示的印模，擠壓如圖24所示的液滴的自上而下的俯視圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明的第六個實施例的模板的橫截面圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明的第七個實施例，用來制造如圖26中所示的模板的基板的自上而下的俯視圖；圖28是如圖27中所示的基板區(qū)域沿線28-28的橫截面圖；和圖29-30所示的是制造圖26中所示的模板而使用的不同步驟中如圖28所示的區(qū)域的側(cè)橫截面圖。
具體實施例方式
圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的平版印刷系統(tǒng)10，它包括一對間隔分開的橋式支架12，和伸展在它們之間的橋14和載物臺支架16。橋14和載物臺支架16是間隔分開的。與橋14相連接的是壓印頭18，其從橋14向載物臺支架16延伸，并可以沿Z-軸移動。設(shè)置在載物臺支架16上面對壓印頭18的是移動載物臺20。移動載物臺20設(shè)計成相對于載物臺支架16能沿X-和Y-軸移動?？梢岳斫猓瑝河☆^18既可以沿Z-軸，又沿X-和Y-軸移動，移動載物臺20既可以沿X-和Y-軸，又沿Z-軸移動。在2002年7月11號遞交的申請?zhí)?0/194,414標(biāo)題為“分步和重復(fù)壓印平版印刷系統(tǒng)”的美國專利中披露了一種典型的移動臺裝置，該專利受讓于本發(fā)明的受讓人，在這里全文引入作為參考。一輻射源22與系統(tǒng)10相連，以光化輻射射在移動載物臺20上。如圖所示，輻射源22與橋14相連，并包括與輻射源22相連的一電力發(fā)電機23。系統(tǒng)的運行一般由與其進行數(shù)據(jù)傳送的處理器25控制。
參照圖1和2，連接壓印頭18的是其上具有印模28的模板26。印模28包括多個由許多間隔分開的凹陷28a和凸出28b定義出來的形狀。多個的形狀定義出一源圖案，該圖案將被傳送到位于移動載物臺20上的基板30中。為了這個目的，壓印頭18和/或移動載物臺20可以變化印模28和基板30之間的距離“d”。以這方式，印模28上的形狀可以壓印入以下更加全面描述的基板30的易流動區(qū)域描述。輻射源22定位使得印模28位于輻射源22和基板30之間。結(jié)果，印模28由能對輻射源22產(chǎn)生的輻射完全透明的材料形成。因此，可以制造印模28的材料包括石英、熔融石英、硅、藍寶石、有機聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸鹽玻璃、碳氟聚合物或它們的組合物。此外，模板26可以由上述的材料或金屬形成。
參照圖2和3，易流動區(qū)域，例如壓印層34，安置在表面32的呈現(xiàn)充分平坦外形的一部分上。一典型流動區(qū)域由壓印層34作為多個間隔分開的離散的材料36a的液滴36沉積在基板30上構(gòu)成，多個下面將作更加充分地描述。在2002年7月9號遞交的申請?zhí)?0/191,749標(biāo)題是“分布液體的系統(tǒng)和方法”的美國專利中披露了一種典型的沉積液滴36的系統(tǒng)，該專利受讓于本發(fā)明的受讓人，在這里全文引入作為參考。壓印層34由材料36a構(gòu)成，該材料可以選擇性的聚合和交聯(lián)來記錄那里的源圖案，定義出記錄的圖案。在2003年6月16號遞交的專利申請?zhí)?0/463,396標(biāo)題是“減少適應(yīng)區(qū)域和印模圖案之間粘性的方法”的美國專利中披露了一種典型的材料36a的組分，在這里全文引入作為參考。如圖4所示的材料36a在點36b交聯(lián)，形成交聯(lián)聚合材料36c。
參照圖2、3和5，通過與印模28機械接觸，在壓印層34中部分地形成記錄圖案。為了這個目的，距離“d”減小以允許壓印液滴36與印模28物理接觸，分布液滴36以在表面32上形成具有材料36a的不間斷構(gòu)造的壓印層34。在一個實施例中，距離“d”減小以使壓印層34的子部分34a進入并充滿凹陷28a。
為了便于填充凹陷28a，當(dāng)材料36a的不間斷構(gòu)造覆蓋表面32時，材料36a具有必不可少的特性來完全充滿凹陷28a。在本實施例中，在設(shè)想的、通常最小值的距離“d”已經(jīng)達到后，存在與凸起28b重疊的壓印層34的子部分34b，留下的具有厚度t1子部分34a和具有厚度t2的子部分34b。根據(jù)應(yīng)用，厚度“t1”和“t2”可以是任何希望的厚度。通常，t1選擇為不大于子部分34a寬度的兩倍，例如，t1≤2u，在圖5中更加清晰的顯示所示。
參照圖2、3和4，在達到希望的距離“d”后，輻射源22產(chǎn)生光化輻射以聚合和交聯(lián)材料36a，形成交聯(lián)聚合材料36c。結(jié)果，壓印層34的組分由材料36a轉(zhuǎn)變?yōu)槭枪腆w的交聯(lián)聚合材料36c。特別的，交聯(lián)聚合材料36c固化以具有和印模28的表面28c的形狀相一致的形狀的邊34c，在圖5中更加清晰地顯示。在壓印層34轉(zhuǎn)變?yōu)橛扇鐖D4所示的交聯(lián)聚合材料36c、如圖2所示的移動壓印頭18構(gòu)成以增加距離“d”，從而，使得印模28和壓印層34分離。
參照圖5，可以實施附加過程以完成基板30的圖案化。例如，可以刻蝕基板30和壓印層34把壓印層34的圖案轉(zhuǎn)移到基板30上，提供一圖案表面34c。為便于刻蝕，構(gòu)成壓印層34的材料可以各式各樣的，以定義出一相對于基板30的希望的相對刻蝕速率。
參照圖2、3和6，由于印模具有非常密致的形狀，例如，納米尺度的凹陷28a，在與印模28重疊的基板30的區(qū)域40上分布液滴36來充滿凹陷28a，可能需要長的時間周期，因此減慢了壓印過程的吞吐量。為推動壓印過程的吞吐量的增加，液滴36分布成使得在基板30上展開和充滿凹陷28a所需的時間最少。通過把液滴36分布成一個二維矩陣陣列42實現(xiàn)的，從而相鄰的液滴36之間的間隔，顯示為S1和S2，是最小的。如圖所示，矩陣陣列42區(qū)域的液滴36排列成六列n1-n6和六行m1-m6。但是，液滴36在基板30上可以排列成幾乎任何二維陣列。將形成一希望的圖案層所必須的壓印材料36的總體積設(shè)定為Vt，希望在矩陣陣列42中的液滴36數(shù)量的最大化，因此最小化相鄰液滴之間的間隔S1和S2。另外，希望在子域中的每一個液滴36的與之相關(guān)的壓印材料36a的量完全相同，定義基于這些標(biāo)準(zhǔn)的一單位體積Vu，可以確定在矩陣陣列42中液滴36總數(shù)量，n，由下式?jīng)Q定(1)n＝Vt/Vu其中Vt和Vu如上面的定義。假設(shè)液滴36的方形矩陣中，液滴36的總數(shù)，n，由如下式定義(2)n＝n1×n2其中n1是液滴沿第一方向的數(shù)量，n2沿第二方向的數(shù)量。沿第一方向相鄰液滴36之間的間隔S1，也就是，在一維尺度上，可以如下決定(3)S1＝L1/n1其中，L1是區(qū)域40的沿第一方向的長度。以相類似的形式，沿與第一方向相垂直的第二方向上相鄰液滴36之間的間隔S2，可以如下式?jīng)Q定(4)S2＝L2/n2
其中，L2是區(qū)域40的沿第二方向的長度。
考慮到與每一個液滴36相關(guān)的壓印材料36a單位體積取決于分布設(shè)備，清楚的是，間隔S1和S2取決于分辨率，即，用于形成液滴36的液滴分布設(shè)備(未顯示)的操作控制力。特別，希望分布設(shè)備(未顯示)提供每一個液滴36中壓印材料36a的數(shù)量最小，從而能精確控制相同的。在這樣的方式下，在其上每一個液滴36中壓印材料36a必須移動的區(qū)域40的面積最小。這減少了充滿凹陷28和在基板上覆蓋壓印材料36a的連續(xù)層所需的時間。
本發(fā)明致力于避免的另一個問題是在形成圖案表面34c時，在壓印層34中的氣陷。特別的，在矩陣陣列42中分離的液滴36之間的容積44中，存在氣體，并且矩陣陣列42的液滴36在區(qū)域40上分布以避免其中的氣體存在，如果沒有預(yù)防。為了這個目的，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在矩陣陣列42中的液滴36的子集沿著第一方向被印模28沿著第一方向壓縮，接著沿垂直于第一方向的第二方向，壓縮矩陣陣列42中殘留的液滴36。這通過印模28在液滴36上懸臂沖壓實現(xiàn)，如圖8中所示。
參照圖6、7和8，模板26設(shè)置成使得印模28的表面28c與基板30的基板表面30a形成斜角θ，參照于懸臂沖壓。在2000年10月27日遞交的申請?zhí)?9/698,317標(biāo)題為“壓印平版印刷工藝中的高精度方位對準(zhǔn)和間距控制臺”的為美國專利中披露了一種易于角θ形成的典型的設(shè)備，在這里全文引入作為參考。作為印模28的懸臂沖壓的結(jié)果，隨著印模28和基板30之間距離的減少，在印模28的與印模28的一端接觸的保留部分與矩陣陣列42的保留液滴36接觸前，印模28的子部分將和矩陣陣列42中的液滴36的子集相接觸。如圖所示，印模28與列n6中的液滴36完全同時接觸。這導(dǎo)致液滴36展開和產(chǎn)生壓印材料36a的不間斷的液體薄片46，從區(qū)域40的邊緣40a伸展到縱列n1-n5。液體薄片46的一邊緣定義氣液交界面46a，作用是推動容積44中的氣體從邊緣40a離開而朝向邊緣40b、40c和40d。在縱列n1-n5中的液滴36之間的容積44定義為氣體通道，氣體能夠通過該氣體通道推到區(qū)域40的邊緣部分。在這種方式下，與氣體通道相連的交界面46a，如果沒有預(yù)防，將減少液體薄片46中的氣阱，。
參照圖7和9，隨著模板26朝基板30移動，印模28旋轉(zhuǎn)的發(fā)生使得列n4和n5中的液滴36的子集的壓印材料36a展開和變?yōu)榘诓婚g斷的液體薄片46中。模板26繼續(xù)旋轉(zhuǎn)致使印模28完全接觸列n2和n3中的液滴36，使得與之相關(guān)的壓印材料36a展開以變成包含在不間斷液體薄片46中，如圖10所示。該過程繼續(xù)直到全部液滴36包含在連續(xù)薄片46中，如圖11所示?？梢钥吹?，交界面46a已朝邊緣40c移動，使得對殘留在區(qū)域40的容積44a中的氣體來說，存在一條通往邊緣的暢通的氣體路徑(未示出)。這使得容積44a中的氣體從面對邊緣40c的區(qū)域40排出。用這種方法，如果沒有避免，在如圖5所示的具有的表面34c的壓印層34中的氣陷減少了。
參照圖3、12和13，在本發(fā)明的另一個實施例中，一列接一列的依次展平矩陣陣列42中的液滴36，對應(yīng)于如圖7-11所示，可能不需要印模28的懸臂沖壓就能實現(xiàn)。這可以通過使用電磁力來移動壓印材料36a越過區(qū)域40和/或朝向印模128來實現(xiàn)。總之，印模128包括多個的各自定位的導(dǎo)體元件q1-q6，它們構(gòu)成印模128的凹陷128a的最低點118a。主體150的子部分118b在子部分118b的側(cè)面與凸起128b重疊，且不包括那里的任何導(dǎo)體材料。印模128的形成將在下面作更加全面的描述。
參照圖14，形成模板的方法包括形成主體150，并在它上面確定4個區(qū)域150a、150b、150c和150d以形成模板。特別，主體150由標(biāo)準(zhǔn)6025熔融石英構(gòu)成。同時形成4個模板，顯示為126、226、326和426，在主體150的4個分離區(qū)域上。為了本披露的簡化，制造模板126的描述理解為，相對于模板126的描述等同于模板226、326和426。
參照圖15和16，主體150，在一側(cè)面上一般測量為152.4mm。主體150有一鉻層130在它的整個側(cè)面112上。光阻劑層132覆蓋鉻層130。光阻劑層132圖案化，并顯影以暴露出包圍側(cè)面112的中心部分136的區(qū)域134。中心部分136在側(cè)面上具有一般測量為25mm的尺度。代表性地，光阻劑層132使用激光所示器來圖案化。在光阻劑層132顯影后，與區(qū)域134重疊的鉻層130使用合適的刻蝕技術(shù)，例如，銨硝酸鹽或離子刻蝕，刻蝕去掉。在這方法下，與區(qū)域134重疊的主體150的一部分暴露出來。此后，合適的后刻蝕步驟可以進行，例如，烤箱烘烤或其他清潔工藝。
假設(shè)主體150由熔融石英構(gòu)成，合適的刻蝕技術(shù)將包括緩沖氧化刻蝕(BOE)。達到希望的平臺133的高度h，需要充足的時間，如從主體150的表面112測量，如圖18所示。典型的高度是15微米。此后，光阻劑層132殘留的部分除去，并且在中心部分136的鉻層130的殘留部分除去。光阻材料134的一層沉積在模板126上，如圖19所示。與平臺133疊印的光阻材料134的區(qū)域圖案化和顯影除去以暴露主體150的區(qū)域136，使用標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，留下圖案化的光阻層138，如圖20所示。此后，一層氧化銦錫(ITO)140沉積在模板126上以覆蓋圖案化的光阻層138，如圖21所示。ITO是用于印模128的一種合適的材料，因為電導(dǎo)性和對由輻射源22產(chǎn)生的射線的波長完全透明，如圖2所示。如圖20所示，使用移除工藝除去圖案化的光阻層138，同時沒有與區(qū)域136重疊的ITO層的所有部分在移除工藝中除去。在這方式中，圖案化的ITO層142形成，該ITO層142具有暴露主體150的區(qū)域144，如圖22所示。隨著圖案化的ITO層142的形成，沉積一硅氧化物SiO2層146，如圖23所示。這形成印模128，具有圖案化的硅氧化物層146，使得硅氧化物不與在ITO層142中的ITO材料重疊，而ITO層142與區(qū)域144重疊，如圖13所示。這樣，凹陷128a的最低點由ITO構(gòu)成，凸起128b由SiO2構(gòu)成。
參照圖3、12和13，可以理解，凸起128a由電性絕緣材料形成，這樣接近凹陷128a的電磁場，EM1，大于接近凸起128b的電磁場，EM2。為了這個目的，使用任何合適的已知耦合技術(shù)，電壓源120與導(dǎo)體元件q1-q2電通信，如圖12所示。在本例子中，導(dǎo)體元件q1-q6形成以延伸超過印模128，并且電壓源120連接到那里。此外，通過選擇定位導(dǎo)體元件q1-q6，選擇的液滴36可以通過希望的幾乎任何方法選擇性地伸展，包括上面結(jié)合圖7-11對伸展圖案的描述。
參照圖3、24和25，如上所述，液滴136和236可以排列成幾乎任何的矩陣排列。如所示的，液滴136和236排列成兩個放置方式。在每一個液滴136中的壓印材料36a的數(shù)量完全相同，在每一個液滴236中的壓印材料36a的數(shù)量完全相同。在每一個液滴236中的壓印材料的數(shù)量大于在每一個液滴136中的壓印材料的數(shù)量。通過以這種方式排列具有不同壓印材料36a的數(shù)量的液滴136和236，沒有朝基板30使用印模128的懸臂沖壓，相信充滿印模28的凹陷128a所需的時間可以最少，同時避免了壓印層36a中氣陷。特別，通過使用最少體積的液滴136，實現(xiàn)了上面描述的關(guān)于減少充滿凹陷128a的時間的優(yōu)點。壓印材料36a相對大的數(shù)量，如圖3所示，在液滴236中，如圖24所示，且液滴236的定位增加了這可能性，該可能性是由液滴236創(chuàng)造的壓印材料-氣體交界面146a的流動將完全有力地把氣體向區(qū)域140的周邊驅(qū)動，而沒有把氣體限制在壓印材料36a中。
參照圖3、12和24，為了進一步降低展開和圖案液滴136和236中壓印材料36a所需的時間，可以使用模板128和如上面描述的，依次或同時激活導(dǎo)體元件q1-q6。
參照圖3、26和27，希望同時施加一個穿越印模的電磁場，可以使用印模526。從主體550形成的印模526由一種合適的材料形成，例如熔融石英。一典型材料是標(biāo)準(zhǔn)6025熔融石英，其在一側(cè)的尺寸是大約152.4mm。同時在四個分離的區(qū)域(550a、550b、550c和550d)中，分別形成四個模板526、626、726和826。為了簡化本發(fā)明的披露，對模板526的制造的描述，理解為對于模板526的描述，等同于模板626、726和826。
參照圖28和29，主體550在整個一側(cè)512上具有一鉻層530。在主體550上以上面描述的方式形成一平臺533，依據(jù)圖16-18。在主體550的整個一側(cè)512上使用標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)沉積一層氧化銦錫(ITO)，如圖30所示。在ITO層534頂上沉積一硅氧化層SiO2，使用標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)圖案化和刻蝕該硅氧化層以形成凹陷528a和凸起528b，如圖26所示。在這樣的方式下，凹陷128a的最低點由ITO構(gòu)成，凸起528b由ITO構(gòu)成?？梢岳斫?，凸起528a由電性絕緣材料構(gòu)成，這樣實現(xiàn)了接近凹陷528a的電磁場，EM1，大于接近凸起528b的電磁場，EM2。結(jié)果，接近印模528的壓印材料36a更可能進入凹陷528a，因此減少了材料36a適應(yīng)印模528所需的時間。
上面描述的本發(fā)明的實施例是范例。可以對上面詳細(xì)的披露進行許多變化和改動，但仍在本發(fā)明的范圍以內(nèi)。例如，電磁場的使用可以證明有益于保證壓印材料完全充滿在印模上的形狀，因此避免在壓印層中的不連續(xù)。當(dāng)壓印材料沒有充滿印模的凹陷時，這樣的不連續(xù)就出現(xiàn)了。這可能是由于不同的環(huán)境和基于不同特性的材料，例如在凸起和與其重疊處表面之間的毛細(xì)吸引。應(yīng)用電磁場來吸引壓印材料進入印模將克服這些性質(zhì)。因此，本發(fā)明的范圍的不限于上面的描述，而應(yīng)當(dāng)是參考附后的權(quán)利要求連同他們的等價物的全部范圍決定的。
權(quán)利要求
1.一種形成導(dǎo)體模板的方法，該方法包括提供一基板；在基板上形成多個的凹陷和凸起，凹陷的子集的最低點包含電性導(dǎo)體材料，通過在基板上沉積多個的間隔分離的導(dǎo)體區(qū)域，以形成多個的導(dǎo)電區(qū)域，接著在這層上的多個導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)沉積一絕緣材料層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成多個凹陷進一步包括提供多個的選擇激活的導(dǎo)電區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成多個凹陷進一步包括在基板上沉積氧化銦錫層，并在氧化銦錫層上沉積一絕緣材料層；使該絕緣層形成圖案以產(chǎn)生多個從絕緣層表面延伸的通道，且終止在氧化銦錫層中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成多個凹陷進一步包括在基板上形成作為多個間隔分開的導(dǎo)體區(qū)域的氧化銦錫層，沒有與間隔分開的導(dǎo)體區(qū)域重疊的基板區(qū)域暴露出來，形成暴露區(qū)，并且在暴露區(qū)上用電性絕緣材料，形成電性絕緣層，形成圖案層的導(dǎo)體區(qū)域具有多個通道。
5.一種模板，包括一基板；和多個設(shè)置在基板上的間隔分開的導(dǎo)電區(qū)域，該基板和導(dǎo)電區(qū)域可基本透過預(yù)定波長的能量。
6.如權(quán)利要求5所述的模板，其特征在于，所述基板進一步包括一臺面，所述多個間隔分開的導(dǎo)電區(qū)域的一子集設(shè)置在所述臺面上。
7.如權(quán)利要求5所述的模板，其特征在于，所述多個間隔分開的導(dǎo)電體區(qū)域由氧化銦錫構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求5所述的模板，其特征在于，進一步包括連接所述電源的處理器，以控制其運行來使用電能，因而所述多個間隔分開的導(dǎo)電區(qū)域依次使用輸送到其上的電能量。
9.一種在主體上產(chǎn)生圖案的方法，所述方法包括在模板和所述主體之間設(shè)置液體；定位所述模板接近所述液體；在所述模板和所述液體之間施加一電場，移動所述液體的一部分，從而在所述主體上展開所述液體以形成一薄膜，同時防止所述薄膜中的不連續(xù)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述施加步驟進一步包括施加足夠大的電場以克服所述液體在所述模板和所述主體之間的毛細(xì)吸力。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括提供具有導(dǎo)電層的模板，該導(dǎo)電層可透過引起所述液體材料聚合和交聯(lián)的輻射，并且施加所述電場進一步包括施加一電壓到所述導(dǎo)電層。
12.一在基板上分布一整體體積的液體的方法，所述方法包括在所述基板上分布多個間隔分開的液滴，每個液滴具有與之聯(lián)系的單元體積；在所述基板的一范圍上展開所述多個液滴中的液體；和在接觸相鄰液滴的液體之前，使每一個所述多個液滴的液體移動的距離最小化。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，最小化步驟進一步包括將所述多個的間隔分開的液滴排列成一圖案，使得所述多個液滴的子集的相鄰液滴的之間的間隔為所述子集的最小單位的一函數(shù)。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述展開步驟進一步包括擠壓在所述基板和主體圖案區(qū)域之間的所述多個液滴，以在所述基板的區(qū)域上形成與所述圖案區(qū)域重疊的所述液體的連續(xù)層，固化所述液體的連續(xù)層中的液體以形成在那里的所述圖案，該圖案與所述圖案區(qū)域互補。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述展開步驟進一步包括向所述多個液滴施加一電磁場。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，進一步包括放置其上具有圖案區(qū)域的主體接近所述多個液滴，展開步驟進一步包括向所述多個液滴施加一電磁場，以促成所述液滴和所述圖案區(qū)域一致。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種方法，該方法使用了分布幾何、導(dǎo)體模板和在壓印平版印刷過程中，形成導(dǎo)體模板以實現(xiàn)高速填充和吞吐量的方法。
文檔編號B05D3/14GK1906021SQ200480032145
公開日2007年1月31日 申請日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月12日
發(fā)明者S·V·斯里尼瓦桑, I·M·麥克麥基, 崔炳鎮(zhèn), R·D·弗伊欣 申請人:分子制模股份有限公司