專利名稱：非固體電解質(zhì)鉭電容器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及非固體電解質(zhì)鉭電容器。
背景技術：
傳統(tǒng)的非固體電解質(zhì)鉭電容器在金屬外殼(通常為銀殼)內(nèi)用硫酸腐蝕或鍍鉑黑來提高陰極面積、增加容量引出，如在銀殼內(nèi)壁通過電鍍或化學鍍一層致密、多孔狀的Pt，能夠達到吸附電解液中的H+粒子和增加銀殼陰極面積的目的，但是，當電容器標稱電容量大、陽極芯子設計選用CV值大于10000μF·V/g時，由于鉭芯子孔隙度小，裝配后的電容量引出仍存在著問題，使得電容器溫度特性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高電容器容量引出，降低損耗正切值的非固體電解質(zhì)鉭電容器。
本發(fā)明的技術方案如下一種非固體電解質(zhì)鉭電容器，包括鉭陽極、介質(zhì)層、電解液和銀殼，其特別之處在于，所述銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面是碳層。
其中碳層厚度為3～5μm。
其中碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕20～40分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在100～150℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為4～10％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在135～145℃的溫度下固化，之后用純水煮洗，最后烘干即可。
其中石墨乳碳含量10～22％，粒度1～3μm，電阻率145～220Ω·cm，比重1.0～1.15g/cm3。
本發(fā)明采用導電石墨乳作為非固體電解質(zhì)鉭電容器內(nèi)的鍍層，石墨乳是石墨超微離子，涂敷時能夠形成勻稱、均等的薄膜，其形成涂層時容易定向成為緊密的涂層結(jié)構(gòu)，且涂層自身的粘合力很強，不會因水洗而致涂層變薄，由于石墨完全結(jié)晶化，耐溫明顯提高，完全符合作為鉭電容器陰極引出材料的要求，具有良好的導電性，適量的孔隙度，有效增加引出面積20倍，能吸附電容器在工作時產(chǎn)生的氫，減少雙電層，致密并且附著力強，具有很強的耐溫度沖擊能力。
采用本發(fā)明技術方案制得的產(chǎn)品性能如下表(4種規(guī)格各取12只)


采用傳統(tǒng)鍍鉑工藝制得的產(chǎn)品性能如下表(4種規(guī)格各取12只)



通過以上表格中的數(shù)據(jù)對比能夠看出使用本發(fā)明的技術方案能夠有效提高非固體電解質(zhì)鉭電容器容量引出，降低損耗正切值。
具體實施例方式
例1碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕20分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在100℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為4％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在135℃的溫度下固化，之后用純水煮洗，最后烘干即可。
其中步驟(b)中使用的石墨乳碳含量10％(重量)，粒度1μm，電阻率145Ω·cm，比重1.0g/cm3。
通過上述工藝可在銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面形成厚度為3μm的碳層。
例2碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕30分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在125℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為7％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在140℃的溫度下固化，之后用純水煮洗，最后烘干即可。
其中步驟(b)中使用的石墨乳碳含量12％(重量)，粒度2μm，電阻率185Ω·cm，比重1.1g/cm3。
通過上述工藝可在銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面形成厚度為4μm的碳層。
例3碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕40分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在150℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為10％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在145℃的溫度下固化，之后用純水煮洗，最后烘干即可。
其中步驟(b)中使用的石墨乳碳含量22％(重量)，粒度3μm，電阻率220Ω·cm，比重1.15g/cm3。
通過上述工藝可在銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面形成厚度為5μm的碳層。
例4碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕30分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在135℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為4％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在135℃的溫度下固化，之后用純水煮洗2遍，每次15分鐘，最后置于120℃溫度下烘干即可。
其中步驟(b)中使用的石墨乳碳含量15％(重量)，粒度3μm，電阻率155Ω·cm，比重1.15g/cm3。
通過上述工藝可在銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面形成厚度為5μm的碳層。
本發(fā)明中使用的碳含量10～22％(重量)，粒度1～3μm，電阻率145～220Ω·cm，比重1.0～1.15g/cm3的導電石墨乳可直接購買或自行配制。
權(quán)利要求
1.一種非固體電解質(zhì)鉭電容器，包括鉭陽極、介質(zhì)層、電解液和銀殼，其特征在于所述銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面是碳層。
2.如權(quán)利要求1所述的非固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征在于所述碳層厚度為3～5μm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的非固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征在于所述碳層的涂敷工藝包括下列步驟(a)將體積比為1∶1的HNO3水溶液注入銀殼內(nèi)，在室溫下腐蝕20～40分鐘后倒出殘液，用純水清洗干凈，然后在100～150℃下烘干；(b)取質(zhì)量濃度為4～10％的石墨乳，攪拌至石墨膠體粒子均勻分散在水中，然后注入銀殼內(nèi)，在135～145℃的溫度下固化，之后用純水煮洗，最后烘干即可。
4.如權(quán)利要求3所述的非固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征在于所述石墨乳碳含量10～22％，粒度1～3μm，電阻率145～220Ω·cm，比重1.0～1.15g/cm3。
全文摘要
本發(fā)明涉及非固體電解質(zhì)鉭電容器，包括鉭陽極、介質(zhì)層、電解液和銀殼，其特點在于，銀殼內(nèi)壁與電解液相接觸的表面是厚度為3～5μm的碳層，其涂敷工藝是(a)將體積比為1∶1的HNO
文檔編號B05D1/00GK1588594SQ20041007929
公開日2005年3月2日 申請日期2004年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月28日
發(fā)明者麻合紅, 羅春桃 申請人:寧夏星日電子股份有限公司