專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及被稱之為所謂的橫向電場方式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
橫向電場方式的液晶顯示裝置，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的液晶一側(cè)的面的各個(gè)像素區(qū)域上，形成像素電極和相對(duì)電極，用在這些各個(gè)電極之間產(chǎn)生的電場控制該液晶的光透射率。
此外，適用于有源矩陣型的液晶顯示裝置，把在上述一方的基板的液晶一側(cè)的面上，被在其x方向上延伸在y方向上并排設(shè)置的柵極信號(hào)線和在y方向上延伸在x方向上并排設(shè)置的漏極信號(hào)線圍起來的各個(gè)區(qū)域做成像素區(qū)域。
經(jīng)過開關(guān)元件向上述像素電極供給來自一方一側(cè)的漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)，該開關(guān)元件利用從一方一側(cè)的柵極信號(hào)線供給的掃描信號(hào)進(jìn)行通(ON)斷(OFF)切換。
此外，例如經(jīng)由相對(duì)電壓信號(hào)向上述相對(duì)電極供給對(duì)于圖像信號(hào)來說作為基準(zhǔn)的信號(hào)。
此外，這樣地構(gòu)成的液晶顯示裝置，在其基板上，在與液晶直接接觸的面上形成取向膜，由該取向膜決定該液晶分子的初始取向方向，并根據(jù)上述電場的強(qiáng)度進(jìn)行動(dòng)作。
但是，這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，人們指摘說出于其結(jié)構(gòu)上的特征在取向膜上易于積蓄電荷，因而易于在顯示上產(chǎn)生殘留圖像。
而且，在該情況下，在使用電阻率小的液晶的情況下，就會(huì)產(chǎn)生直流電壓(DC)的張弛現(xiàn)象，產(chǎn)生數(shù)秒單位的所謂的短殘留圖像，而在使用電阻率大的液晶的情況下，就會(huì)產(chǎn)生由殘留直流電壓(DC)引起的殘留圖像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是根據(jù)這樣的情況而完成的，其目的在于提供可大幅度地抑制殘留圖像的產(chǎn)生的液晶顯示裝置。
在以現(xiàn)有的液晶顯示裝置(液晶盒)為樣品，測定給其各個(gè)像素都加上1V的直流電壓(DC)2分鐘，之后停止該電壓施加的情況下的該各個(gè)像素的相對(duì)亮度(％)的情況下，就可以得到圖29所示的那樣的曲線。
由該圖可知，可以識(shí)別在直流電壓(DC)的施加期間發(fā)生了亮度的張弛，這意味著在液晶盒中積蓄了直流成分。
因此，結(jié)果就成為在停止直流電壓(DC)的施加時(shí)(相當(dāng)于畫面切換時(shí))，確認(rèn)出產(chǎn)生了亮度的變動(dòng)，該亮度變動(dòng)對(duì)于觀察者來說可識(shí)別為殘留圖像。
由此可知理想的是在給各個(gè)像素施加直流電壓(DC)，然后停止該施加的過程中，像素的相對(duì)亮度(％)的變化，如圖30的曲線所示，在直流電壓施加的停止前后，分別幾乎不變。
另外以上邊所說實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為根據(jù)的各條曲線，都是根據(jù)以下所示的評(píng)價(jià)條件進(jìn)行評(píng)價(jià)的。
①用正交尼科爾(Nicol)構(gòu)成偏振片粘貼到液晶盒的兩面上，使得在電壓未施加時(shí)的透射率成為最小。
②給柵極電極施加10V以上的直流電壓(DC)。
③給信號(hào)電極施加成為最大亮度的50％的交流電壓。
④對(duì)信號(hào)電極重疊1V的直流電壓(DC)(2分鐘)。
⑤測定透過液晶盒后的光的亮度的時(shí)間變化。
在以這樣的情況為基礎(chǔ)構(gòu)成的本申請(qǐng)發(fā)明之中，簡單說來代表性的發(fā)明的概要如下。
方案1本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的該液晶一側(cè)的面的像素區(qū)域，形成像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極，把這些像素電極和相對(duì)電極也覆蓋起來地形成電荷移動(dòng)層，上述像素電極和相對(duì)電極，在使層成為相同層的相同平面內(nèi)形成，并且，上述液晶的電阻率為不足1×1013Ω·cm。
方案2本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案1的構(gòu)成為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層具有作為取向膜的功能。
方案3本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案2的構(gòu)成為前提，其特征在于作為上述取向膜發(fā)揮作用的電荷移動(dòng)層，具有光取向性。
方案4本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案1到3的任何一者的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有二胺。
方案5本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案4的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有苯二胺。
方案6本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案4的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)，含有環(huán)丁烷四羧酸二酸酐和二胺。
方案7本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案2的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層的電阻率等于或小于液晶的電阻率。
方案8本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，
在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加了直流電壓之后120秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度成為上述直流電壓剛剛施加后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的40％以上。
方案9本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加了直流電壓之后120秒后的亮度增加量成為上述直流電壓的剛剛施加后的亮度增加量的40％以上。
方案10本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加120秒直流電壓后，停止上述直流電壓的施加，從該停止開始2秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度成為剛剛施加上上述直流電壓后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的5％以下。
方案11本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域，像素電極和使之在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加120秒直流電壓后，停止上述直流電壓的施加，從該停止開始2秒后的相對(duì)上述直流電壓施加前的亮度的亮度增加量成為5％以下。
方案12本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案8到11中的任何一者的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于把上述像素電極和相對(duì)電極覆蓋起來地形成電荷移動(dòng)層。
方案13
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案8到11中的任何一者的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述液晶的電阻率為不足1×1013Ω·cm。
方案14本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案12的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層具有取向膜的功能。
方案15本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案14的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層被形成得直接把上述像素電極和相對(duì)電極覆蓋起來。
方案16本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案14的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有苯二胺。
方案17本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案15的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)的主成分，含有環(huán)丁烷四羧酸二酸酐和苯二胺。
方案18本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案2的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層，含有下式所示的結(jié)構(gòu)。 方案19本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案8到13中的任何一者的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述電荷移動(dòng)層，含有下式所示的結(jié)構(gòu)。 方案20本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以方案1到19中的任何一者的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于電荷移動(dòng)層具有光取向性。
另外，本發(fā)明并不限定于以上的結(jié)構(gòu)，在不背離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可進(jìn)行種種的變更。


圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
圖2是圖1的2-2’線處的剖面圖。
圖3是圖1的3-3’線處的剖面圖。
圖4是圖1的4-4’線處的剖面圖。
圖5是圖1的5-5’線處的剖面圖。
圖6易于理解地表示了上層像素電極PX、相對(duì)電極CT和相對(duì)電極連結(jié)線CPT的各個(gè)圖形。
圖7易于理解地表示了下層像素電極PXM的圖形。
圖8是用于弄清楚本發(fā)明的液晶顯示裝置的效果的說明圖。
圖9是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的缺點(diǎn)的說明圖。
圖10是表示包含二胺結(jié)構(gòu)的材料的分子結(jié)構(gòu)式。
圖11A-圖11G表示用于置換圖10中x的各種分子結(jié)構(gòu)。
圖12A是表示苯二胺的分子結(jié)構(gòu)式；圖12B是表示環(huán)丁烷四羧酸二酸酐的分子結(jié)構(gòu)式。
圖13是表示具有環(huán)丁烷四羧酸二酸酐和苯二胺的電荷移動(dòng)層的酰亞胺化后的分子結(jié)構(gòu)式。
圖14A-圖14C是表示各個(gè)取向膜的主鏈的連結(jié)狀態(tài)的圖。
圖15是把圖13所示的2個(gè)分子結(jié)構(gòu)連起來的情況下的分子結(jié)構(gòu)式。
圖16-圖16B是作為比較的材料層的分子結(jié)構(gòu)式，目的是說明在本發(fā)明中使用的電荷移動(dòng)層的效果。
圖17-圖17C是表示在像素電極和相對(duì)電極間施加了直流電壓(DC)時(shí)的液晶顯示部分的閃變的產(chǎn)生狀況的曲線圖。
圖18-圖18B是表示在本發(fā)明中使用的電荷移動(dòng)層的另外的實(shí)施例的分子結(jié)構(gòu)式。
圖19-圖19B是與現(xiàn)有的情況進(jìn)行比較地表示為減少殘留圖像所必須的特性的、展示相對(duì)亮度特性的曲線圖。
圖20-圖20C是表示對(duì)時(shí)間的相對(duì)閃變強(qiáng)度的瞬態(tài)特性的曲線圖。
圖21-圖21C是表示對(duì)時(shí)間的相對(duì)亮度特性的瞬態(tài)特性的曲線圖。
圖22-圖22C是放大表示圖21的一部分的曲線圖。
圖23-圖23C是放大表示圖20的一部分的曲線圖。
圖24是表示相對(duì)亮度對(duì)各個(gè)取向膜的每一者的液晶的電阻率的關(guān)系的曲線圖。
圖25是表示相對(duì)閃變強(qiáng)度對(duì)各個(gè)取向膜中的每一者的液晶的電阻率的關(guān)系的曲線圖。
圖26-圖26C是放大表示圖20的一部分的曲線圖。
圖27-圖27C是放大表示圖21的一部分的曲線圖。
圖28是表示從停止各個(gè)取向膜中的每一者的直流電壓施加開始2秒后的相對(duì)亮度的液晶電阻率依賴性的曲線圖。
圖29是表示以現(xiàn)有的液晶盒為樣品測定的最大亮度特性的曲線圖。
圖30是表示在本發(fā)明中所需要的液晶盒的最大亮度特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下，用

本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例。
圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
另外，本發(fā)明的液晶顯示裝置，使在中介液晶地相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的面上，例如，由在x方向上延伸在y方向上并排設(shè)置的柵極信號(hào)線和在y方向上延伸在x方向上并排設(shè)置的漏極信號(hào)線圍起來的各個(gè)區(qū)域成為像素區(qū)域，在這些各個(gè)像素區(qū)域上具有下面要說明的構(gòu)成的像素。
此外，圖2示出了圖1的2-2’線處的剖面圖，圖3是圖1的3-3’線處的剖面圖，圖4示出了圖1的4-4’線處的剖面圖，圖5示出了圖1的5-5’線處的剖面圖。
在各個(gè)圖中，首先，在透明基板SUB1的液晶一側(cè)的面上，形成有由例如SiO2或SiN構(gòu)成的基底層ULS。該基底層ULS是為了避免含于透明基板SUB1中的離子性雜質(zhì)對(duì)后述的薄膜晶體管TFT造成影響而形成的。
在該基底層的表面上，形成有作為薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層的多晶硅層PSI。該多晶硅層PSI在像素區(qū)域的例如左上位置形成，被形成為大體上コ形的圖形例如2次橫穿后述的柵極信號(hào)線GL，并在后述的漏極信號(hào)線DL的走線方向上延伸。
在如上所述地形成了多晶硅層PSI的基底層USL的表面上把該多晶硅層PSI也覆蓋起來地形成由例如SiO2或SiN構(gòu)成的第1絕緣膜GI。該第1絕緣膜GI起著薄膜晶體管的柵極絕緣膜的作用。
在第2絕緣膜GI的表面上，形成在其x方向上延伸在y方向上并排設(shè)置的柵極信號(hào)線GL。在該情況下的柵極信號(hào)線GL被配置得2次橫穿上述多晶硅層PSI，與該多晶硅層PSI之間的重疊部分起著薄膜晶體管的柵極電極的作用。
另外，該多晶硅層PSI，在柵極信號(hào)線GL的形成后，說得更詳細(xì)點(diǎn)，以上述柵極電極為掩模，摻進(jìn)高濃度的n+型雜質(zhì)，如圖3的剖面圖所示，結(jié)果就成為在除了該柵極電極的正下邊之外的區(qū)域上，被導(dǎo)電化。
此外，在劃分像素區(qū)域的一對(duì)柵極信號(hào)線GL之間，與該柵極信號(hào)線GL平行地形成有相對(duì)電壓信號(hào)線CL。該相對(duì)電壓信號(hào)線CL，例如由與柵極信號(hào)線GL同樣的材料構(gòu)成。
此外，該相對(duì)電壓信號(hào)線CL，做成為使得重疊到后述的2個(gè)像素電極PX中的一方的像素電極PX(圖中右側(cè))上，形成從該相對(duì)電壓信號(hào)線CL的各個(gè)邊一側(cè)延伸的延伸部分CTM，各個(gè)延伸部分CTM中的每一者都一直延伸到與各個(gè)柵極信號(hào)線GL相鄰接為止。
此外，相對(duì)電壓信號(hào)線CL，即便是在上述2個(gè)像素電極PX之間的大體上的中央部分處，也形成有從該相對(duì)電壓信號(hào)線CL的各邊一側(cè)延伸出來的延伸部分CTM，雖然延伸得很少。
在第1絕緣膜G1的表面上，把上述柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL也覆蓋起來地形成由例如SiO2或SiN構(gòu)成的第2絕緣膜ILI。
在第2絕緣膜ILI的表面上，形成在其y方向上延伸在x方向上并排設(shè)置的漏極信號(hào)線DL。該漏極信號(hào)線DL被形成為與上述多晶硅層PSI的一部分進(jìn)行重疊，還通過接觸孔CNT1與其一個(gè)端部連接起來。
與漏極信號(hào)線DL連接起來的上述多晶硅層PSI，就成為薄膜晶體管的漏極區(qū)域。
此外，在第2絕緣膜ILI的表面上，還形成有通過接觸孔CNT2與上述多晶硅層PSI的另一個(gè)端部連接起來的下層像素電極PXM。與下層像素電極PXM連接起來的上述多晶硅層PSI，就成為薄膜晶體管的源極區(qū)域。
另外，在圖6中易于理解地示出了該上層像素電極PX、相對(duì)電極CT和相對(duì)電極連結(jié)線CPT，明確地示出了與后述的上層像素電極PX的圖形之間的關(guān)系。
此外，在相對(duì)電壓信號(hào)線CL的上層而且避開上述下層電極PXM的形成區(qū)域地形成焊盤部分PAD，該焊盤部分PAD，通過在第2絕緣膜ILI上形成的接觸孔CNT電連接到上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL上。
該焊盤部分PAD，在例如上述下層像素電極PXM的形成時(shí)同時(shí)形成，并與后述的相對(duì)電極CT進(jìn)行連接。
該像素電極PXM，與后述的上層像素電極PX一起構(gòu)成1個(gè)像素區(qū)域的像素電極，其大部分被形成為與上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL的延伸部分CTM重疊。
就是說，下層像素電極PXM從薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域開始沿著與之鄰接的柵極信號(hào)線GL延伸，并使得重疊到上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL的延伸部分STM上那樣地走線后，構(gòu)成沿著另一方的柵極信號(hào)線GL延伸的大體上コ形的圖形。
另外，在上述下層像素電極PXM的與相對(duì)電壓信號(hào)線CL交叉的部分中，具有在該相對(duì)電壓信號(hào)線CL的走線方向上延伸的具有比較寬的面積的部分，在該部分中構(gòu)成電容元件Cstg的一部分。
該下層像素電極PXM、焊盤部分PAD的圖形，在圖7中，包括與后述的上層像素電極PX的圖形之間的位置關(guān)系在內(nèi)都明確而易于理解地表示了出來。
此外，在第2絕緣膜ILI的表面上，把上述漏極信號(hào)線DL和下層像素電極PXM也覆蓋起來地形成由例如SiO2或SiN構(gòu)成的第1保護(hù)膜PAS和例如由樹脂等構(gòu)成的第2保護(hù)膜FPAS的疊層體。
在第2保護(hù)膜FPAS的表面上，分別用例如ITO(氧化銦錫)、ITZO(氧化銦錫鋅)、IZO(氧化銦鋅)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等的透光性的材料層形成上層像素電極PX、相對(duì)電極CT和相對(duì)電極連結(jié)線CPT。由于使用這樣的透光性材料層，就可以提高像素的所謂的開口率。
首先，上層像素電極PX被設(shè)置為在像素區(qū)域內(nèi)在y方向上延伸在x方向上例如并排設(shè)置2個(gè)，它們?cè)谙鄬?duì)電壓信號(hào)線CL的上方彼此電連接起來。
上層像素電極PX中的一方的上層像素電極PX(圖中右側(cè))，與上述下層像素電極PXM相重疊地形成。
上層像素電極PX的相對(duì)電壓信號(hào)線CL之上的連接部分，通過貫通第2保護(hù)膜FPAS和第1保護(hù)膜PAS的接觸孔CNT5連接到下層像素電極PXM上。借助于此，結(jié)果就成為該上層像素電極PX也通過該下層像素電極PXM與薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域電連接起來。
相對(duì)電極CT，使上述上層像素電極PX處于其間地設(shè)置例如3條，分別在圖中y方向上延伸。
這些各個(gè)相對(duì)電極之中1條在像素區(qū)域的中央走線，其它的2條分別重疊到漏極信號(hào)線DL上地走線。
被形成得重疊到漏極信號(hào)線DL上的各個(gè)相對(duì)電極CT，分別做成為中心軸與該漏極信號(hào)線DL大體上相同，而且，被形成為寬度比該漏極信號(hào)線DL的寬度更寬。借助于此，就成為由來自漏極信號(hào)線DL的圖像信號(hào)產(chǎn)生的電場，在被形成得重疊到該漏極信號(hào)線DL上的相對(duì)電極處終結(jié)。為此，就可以防止來自漏極信號(hào)線DL的電場作為噪聲在像素區(qū)域內(nèi)的下層像素電極PXM和上層像素電極PX處終結(jié)。
此外，被形成得重疊到漏極信號(hào)線DL上的各個(gè)相對(duì)電極CT之中一方的相對(duì)電極CT，在上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL之上具有延伸部分，該延伸部分通過貫通第2保護(hù)膜FPAS和第1保護(hù)膜PAS的接觸孔CNT4連接到上述焊盤PAD上。借助于此，就成為上述相對(duì)電極CT通過該焊盤PAD電連接到上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL上。
此外，在像素區(qū)域的中央走線的相對(duì)電極CT，在與上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL交叉的部分處彼此分離，該分離開來的端部被定位得與上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL的延伸部分CTM重疊。
相對(duì)電極連結(jié)線CPT，被重疊地形成為使得其中心軸與柵極信號(hào)線GL的中心軸大體上一致，其寬度被形成得比該柵極信號(hào)線GL的寬度更寬。
借助于此，由來自柵極信號(hào)線GL的掃描信號(hào)產(chǎn)生的電場，就會(huì)在被形成得重疊到該柵極信號(hào)線GL上的相對(duì)電極連結(jié)線CPT處終結(jié)。為此，就可以防止來自漏極信號(hào)線DL的電場作為噪聲在像素區(qū)域內(nèi)的下層像素電極PXM和上層像素電極PX處終結(jié)。
該相對(duì)電極連結(jié)線CPT，與上述各個(gè)相對(duì)電極CT形成為一體，因此，被形成得電連接起來。借助于此，就可以大幅度地減小相對(duì)電壓信號(hào)線CL、相對(duì)電極連結(jié)線CPT和相對(duì)電極CT的全體的電阻值，可以減小從相對(duì)電壓信號(hào)線CL供給的相對(duì)電極信號(hào)的波形失真。
此外，在如上所述地形成了上層像素電極PX、相對(duì)電極CT和相對(duì)電極連結(jié)線CPT的第2保護(hù)膜FPAS的表面上，如圖2所示，也把該上層像素電極PX、相對(duì)電極CT和相對(duì)電極連結(jié)線CPT覆蓋起來地形成取向膜AL1。該取向膜AL1，由直接與液晶LC接觸的膜構(gòu)成，用來決定該液晶分子的初始取向方向。
此外，上述取向膜AL1的電阻率成為該液晶LC的電阻率的1×1013Ω·cm以下，還具有在電荷使該取向膜AL1帶電了的情況下，作為使電荷易于分散的所謂的電荷移動(dòng)層的功能。
此外，如圖2所示，在中介液晶LC地相對(duì)配置在由上邊所說的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的透明基板SUB1上的透明基板SUB2的液晶一側(cè)的面上，依次形成濾色片F(xiàn)IL、平坦化膜OC、取向膜AL2。該取向膜AL2的電阻率，在本實(shí)施例的情況下沒有什么特別限定，也可以是與上述取向膜AL1的電阻率相同。
像這樣地構(gòu)成的像素，如圖8所示，在相同平面上形成相對(duì)電極CT和上層像素電極PX，在其之上直接形成具有電荷移動(dòng)層的功能的取向膜AL1。
為此，存在于液晶層LC和上述各個(gè)電極間的層就僅僅成為取向膜AL1。這時(shí)，采用把取向膜AL1的電阻率設(shè)定為比液晶層LC的電阻率更小的辦法，由于取向膜AL1起著電荷移動(dòng)層的作用，即便是給相對(duì)電極CT和上層像素電極PX間施加了直流的情況下，該直流電荷也會(huì)通過上述取向膜AL1進(jìn)行分散，故在整個(gè)取向膜AL1的范圍內(nèi)都成為等電位，對(duì)于液晶層LC來說其影響就不存在。
此外，由直流的影響產(chǎn)生的殘留圖像的發(fā)生，是1秒以上的時(shí)間單位的現(xiàn)象。相對(duì)于此，加給液晶的相對(duì)電極CT和上層像素電極PX間的交流電場，通常是60Hz左右，就是說是數(shù)十ms單位的現(xiàn)象，與導(dǎo)致殘留圖像的發(fā)生的直流的現(xiàn)象之間，具有至少2個(gè)數(shù)量級(jí)的差。
為此，即便是使取向膜AL1具有電荷移動(dòng)能力，如果是數(shù)十ms單位的話，由于幾乎不會(huì)產(chǎn)生在相對(duì)電極CT和上層像素電極PX之間的電壓的泄漏，故對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的影響可以忽視不計(jì)，可以得到僅僅減小殘留圖像的效果。
要想得到這樣的效果，重要的是在相對(duì)電極CT和上層像素電極PX間不存在別的層，例如，如圖9所示，在中介絕緣層的情況下，歸因于電荷向絕緣層的積蓄，在相對(duì)電極CT和上層像素電極PX間電場就會(huì)受到影響，結(jié)果就成為殘留圖像。
作為上述電荷移動(dòng)層，使用的是同時(shí)具有取向膜AL1的功能的電荷移動(dòng)層，具有如下所示的特性。
1)電阻率比液晶層LC更低。
由于電荷移動(dòng)層的電阻率比液晶層LC的電阻率低，故直流電荷在該電荷移動(dòng)層中將均勻地分散。借助于此，就可以防止對(duì)液晶層的電學(xué)性的影響。
2)是用極性基團(tuán)多的材料構(gòu)成的。
要想使電荷分散到電荷移動(dòng)層內(nèi)，理想的是使用直流傳導(dǎo)性優(yōu)良的材料。
對(duì)此，作為起始物質(zhì)，特別理想的是含有圖10所示的那樣的二胺結(jié)構(gòu)的電荷移動(dòng)層。
另外，圖10示出了二胺結(jié)構(gòu)的一般式，在該一般式中所示的x可以置換為圖11A-圖11G中所示的各種的分子結(jié)構(gòu)。在這里，苯環(huán)上的氫也可以被烷基、烷氧基、鹵素、氰基、硝基等可取代的基團(tuán)取代。此外，即便是沒有該x分子結(jié)構(gòu)的材料也可以應(yīng)用。
作為電荷移動(dòng)層的材料，歸因于具有上述那樣的二胺結(jié)構(gòu)，就易于產(chǎn)生所謂的電子的跳躍傳導(dǎo)，借助于該跳躍傳導(dǎo)，直流電荷就可以均勻地分布于電荷移動(dòng)層內(nèi)。換句話說，直流電荷就可以均勻地進(jìn)行分散而成為穩(wěn)定狀態(tài)。
此外，該跳躍傳導(dǎo)，還具有與電子傳導(dǎo)相比時(shí)間常數(shù)大的特征。為此，具有對(duì)于通常的交流電場難于產(chǎn)生泄漏的特性。這是因?yàn)橥ǔ５慕涣麟妶鲆詳?shù)十ms單位改變極性，若是跳躍傳導(dǎo)則不能充分地跟上變化的緣故。
因此，就表現(xiàn)出僅僅可以使由直流成分引起的電荷分散這樣的、顯著的特性。
圖12A示出了不具有上述x的分子結(jié)構(gòu)的電荷移動(dòng)層，在使用該苯二胺的情況下，結(jié)果是更為理想的。
這是因?yàn)椋捎诳梢栽龃笤摲肿又械臉O性基團(tuán)，就是說可以增加NH2的比率，可以使跳躍傳導(dǎo)更易于產(chǎn)生，可以進(jìn)一步減小直流的分散所需要的時(shí)間的緣故。
此外，作為電荷移動(dòng)層的起始物質(zhì)，理想的是具有例如圖12B所示的那樣的環(huán)丁烷四羧酸二酸酐。
在這里，在圖13中示出了作為起始物質(zhì)使用苯二胺和環(huán)丁烷四羧酸二酸酐的電荷移動(dòng)層的主要成分的分子結(jié)構(gòu)。電荷移動(dòng)層，在其酰亞胺化之后，就成為把多個(gè)圖13所示的分子連接起來的聚合物，成為圖15所示的那樣。
在這里，在這里，單體的名稱是二胺苯二胺，四羧酸二酸酐環(huán)丁烷四羧酸二酸酐。
由于該電荷移動(dòng)層的結(jié)構(gòu)，就可以直線狀地構(gòu)成該電荷移動(dòng)層的主鏈，借助于此，就可以更為容易地產(chǎn)生跳躍傳導(dǎo)。在該情況下，所謂可以直線狀地構(gòu)成電荷移動(dòng)層的主鏈，指的是例如圖14A所示的狀態(tài)，與圖14B、圖14C的情況下是顯然不同的。
在這里，與例如在圖16A中示出分子結(jié)構(gòu)的材料層B和在圖16B上示出分子結(jié)構(gòu)的材料層C進(jìn)行比較地示出了圖13所示的電荷移動(dòng)層A的特性。
另外，在本實(shí)驗(yàn)中，把電荷移動(dòng)層A、材料層B和材料層C用做取向膜AL1的材料。因此，在以下的說明中，把電荷移動(dòng)層A叫做取向膜A，把材料層B叫做取向膜B，把材料層C叫做取向膜C。
另外，上述取向膜B的起始物質(zhì)的名稱是二胺二氨基二苯基醚四羧酸二酸酐環(huán)丁烷四羧酸二酸酐，上述取向膜C的起始物質(zhì)的名稱是二胺二氨基二苯基甲烷四羧酸二酸酐環(huán)丁烷四羧酸二酸酐。
在這里，已經(jīng)判明取向膜B和取向膜C，成為極性基團(tuán)的比率比取向膜A低、直線性也降低了的結(jié)構(gòu)。
圖17的曲線圖示出了給像素電極和相對(duì)電極間施加了直流電壓(DC)時(shí)的液晶顯示部分的閃變的產(chǎn)生狀況。
就是說，示出的是這樣的狀態(tài)表示在進(jìn)行交流驅(qū)動(dòng)使得各個(gè)像素都成為50％的亮度的狀態(tài)下，施加從0秒到120秒期間1V的直流電壓(DC)，在120秒后停止直流電壓(DC)施加時(shí)的該閃變的變化。
另外，圖17A示出的是液晶的電阻率為1×1013Ω·cm的情況，圖17B示出的是液晶的電阻率為1×1012Ω·cm的情況，圖17C示出的是液晶的電阻率為5×1010Ω·cm的情況。
圖17A、圖17B、圖17C中的特性曲線A、B、C，是分別把上述取向膜A、取向膜B、取向膜C用做取向膜AL1的材料的特性曲線。
由各圖可知，在圖17A的液晶電阻率高的狀態(tài)下，取向膜A、取向膜B、取向膜C中的任何一者都可以應(yīng)用。但是，隨著圖17B、圖17C那樣液晶的電阻率的降低，在直線性不好的取向膜B、取向膜C的情況下，由于跳躍傳導(dǎo)不充分，故直流電荷將表露在液晶層一側(cè)，給液晶層造成影響，其結(jié)果是產(chǎn)生直流的張弛現(xiàn)象，在直流電壓(DC)施加停止后，可以觀察到閃變的激增。
由此可知，在液晶的電阻率低到1×1012Ω·cm以下的情況下，取向膜的直線性就變得重要起來。
此外，在像取向膜A那樣直線性高的取向膜AL1的情況下，已經(jīng)判明雖然可以對(duì)殘留圖像采取對(duì)策，但是，另一方面，直線性高的代價(jià)是取向膜AL1變硬。
為此，已經(jīng)判明在用磨擦法對(duì)該取向膜AL1進(jìn)行取向處理的情況下，該取向處理需要時(shí)間。此外，作為與硬度表背一體的關(guān)系將產(chǎn)生脆弱性，使得在磨擦處理時(shí)易于產(chǎn)生取向膜的切屑，為除去這些切屑就必須追加清洗工序。
為此，在本實(shí)施例中，作為適合于這樣地硬的取向膜AL1的處理方法導(dǎo)入了新的光取向。
就是說，用偏振UV光的照射進(jìn)行取向處理而不使用磨擦處理。
借助于此，圖18A所示的取向膜A就成為這樣的結(jié)構(gòu)在偏振方向上延伸的該材料的結(jié)合鍵，如圖18B，被光能切斷，具有分離部分。由于在與偏振方向垂直的方向上不產(chǎn)生切斷，故結(jié)果成為在與偏振方向垂直的方向上將產(chǎn)生取向性。
被切斷的分離部分，由于成為雙鍵，故將產(chǎn)生π電子云，因此電子的跳躍傳導(dǎo)就將變得更加容易。因此，就可以作成為比進(jìn)行磨擦的情況更難于產(chǎn)生殘留圖像的結(jié)構(gòu)。
在該情況下，也可以在上述取向膜A的光照射中進(jìn)行加熱處理。就是說，由于被切斷的分離部分的一部分借助于熱能與別的分子進(jìn)行結(jié)合而成為穩(wěn)定狀態(tài)，故分子末端的自由運(yùn)動(dòng)減少，因而進(jìn)一步提高了取向性的緣故。此外，由于所有的切斷部分都進(jìn)行結(jié)合是不可能發(fā)生的，故依然可以維持基于π電子的供給的跳躍傳導(dǎo)的容易化效果。
此外，還判明了取向膜A由于直線性優(yōu)良，故易于借助于光取向處理發(fā)現(xiàn)取向性。此外，由于直線性優(yōu)良，故難于產(chǎn)生傾斜角，要在所謂的超扭曲(TN)方式中使用就必須動(dòng)一番腦筋，但是，反過來，在不需要傾斜角的上述像素構(gòu)成那樣的IPS方式的情況下，這反而成了一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，還判明為可以進(jìn)一步擴(kuò)大視場角。
如上邊所說的實(shí)施例那樣，為了減小殘留圖像所需要的特性，表現(xiàn)為在圖19A中所示的那樣的特性，顯然與圖19B所示的情況不同。
在這里，先定量地評(píng)價(jià)這樣的特性，而且接著說明表示的手法。
首先，測定用以下的步驟進(jìn)行。
1)用相當(dāng)于亮度50％的交流電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
2)把直流1V重疊到相當(dāng)于亮度50％的交流電壓上進(jìn)行驅(qū)動(dòng)(在該情況下，在120秒間連續(xù)驅(qū)動(dòng))。
3)用相當(dāng)于亮度50％的交流電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
就是說，施加直流正好120秒，用亮度計(jì)測定這時(shí)的閃變、和亮度的瞬態(tài)特性。
借助于該評(píng)價(jià)，如在圖20和圖21中分別表示的那樣，就可以得到相對(duì)閃變強(qiáng)度的瞬態(tài)特性和相對(duì)亮度的瞬態(tài)特性。
在表示閃變的瞬態(tài)特性的圖20的情況下，在圖20A、圖20B、圖20C中，分別把液晶的電阻率1×1013Ω·cm、1×1012Ω·cm和5×1010Ω·cm的液晶當(dāng)作對(duì)象。此外，各個(gè)曲線的橫軸采用時(shí)間(秒)，縱軸采用的是相對(duì)閃變強(qiáng)度(％)。
此外，各條曲線中特性曲線A，示出的是使用上述取向膜A的情況，特性曲線B示出的是使用取向膜B的情況，特性曲線C示出的是使用取向膜C的情況。
由這些圖可知，在液晶的電阻率為1×1013Ω·cm的情況下雖然不會(huì)成為問題，但是在液晶的電阻率逐漸變得比該電阻率更小的情況下，使用取向膜B或C的曲線在相對(duì)閃變強(qiáng)度上表現(xiàn)出張弛，使用取向膜A的曲線卻未顯示出張弛，這是很顯然的。
在表示相對(duì)亮度特性的圖21的情況下，在圖21A、圖21B、圖21C中，分別把液晶的電阻率1×1013Ω·cm、1×1012Ω·cm和5×1010Ω·cm的液晶當(dāng)作對(duì)象。此外，各個(gè)曲線的橫軸采用時(shí)間(秒)，縱軸采用的是相對(duì)閃變強(qiáng)度(％)。
此外，各條曲線中特性曲線A，示出的是使用上述取向膜A的情況，特性曲線B示出的是使用取向膜B的情況，特性曲線C示出的是使用取向膜C的情況。
由這些圖可知，在液晶的電阻率為1×1013Ω·cm的情況下雖然不會(huì)成為問題，但是在液晶的電阻率逐漸變得比該電阻率更小的情況下，使用取向膜B或C的曲線在相對(duì)亮度上表現(xiàn)出張弛，使用取向膜A的曲線卻未呈現(xiàn)出張弛，這是很顯然的。
在這里，所得到的曲線，可用下面的4種手法中的任何一者進(jìn)行解析。
1)直流施加中的亮度變化這是一種采用對(duì)直流電壓(DC)的張弛的出現(xiàn)難易度進(jìn)行評(píng)價(jià)的辦法，評(píng)價(jià)直流電壓(DC)的積蓄難易度的手法。用以下的指數(shù)函數(shù)式(1)對(duì)實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合(可用Kaleida Graph等的圖形軟件容易地進(jìn)行計(jì)算)。
亮度＝A+Bexp(-t/C)+Dexp(-t/E) (1)在這里，A～E是常數(shù)，t是從施加1V的直流電壓(DC)后的時(shí)間。
把該函數(shù)擬合于實(shí)測數(shù)據(jù)，從其擬合結(jié)果，求t＝0時(shí)的值(＝A+B+C)，把它當(dāng)作100％。
然后，把重疊直流電壓(DC)前的亮度規(guī)格化為0％。在該條件的基礎(chǔ)上，求t＝120秒的時(shí)候的亮度。
2)直流施加中的閃變強(qiáng)度的變化這是一種采用對(duì)直流電壓(DC)的張弛的出現(xiàn)難易度進(jìn)行評(píng)價(jià)的辦法，評(píng)價(jià)直流電壓(DC)的積蓄難易度的手法。用以下的指數(shù)函數(shù)式(2)對(duì)實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合(可用Kaleida Graph等的圖形軟件容易地進(jìn)行計(jì)算)。
亮度＝A+Bexp(-t/C)+Dexp(-t/E) (2)
在這里，A～E是常數(shù)，t是從施加1V的直流電壓(DC)后的時(shí)間。
把該函數(shù)擬合于實(shí)測數(shù)據(jù)，從其擬合結(jié)果，求t＝0時(shí)的值(＝A+B+C)，把它當(dāng)作100％。
然后，把重疊直流電壓(DC)前的閃變強(qiáng)度規(guī)格化為0％。在該條件的基礎(chǔ)上，求t＝120秒的時(shí)候的閃變強(qiáng)度。
3)直流施加剛剛結(jié)束后的亮度變化這與顯示圖形切換后的實(shí)際的殘留圖像對(duì)應(yīng)。
用以下的指數(shù)函數(shù)式(3)對(duì)實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合(可用KaleidaGraph等的圖形軟件容易地進(jìn)行計(jì)算)。
亮度＝A+Bexp(-t/C)+Dexp(-t/E) (3)在這里，A～E是常數(shù)，t是從施加1V的直流電壓(DC)后的時(shí)間。
把該函數(shù)擬合于實(shí)測數(shù)據(jù)，從其擬合結(jié)果，求t＝0時(shí)的值(＝A+B+C)，把它當(dāng)作100％。
然后，把重疊直流電壓(DC)前的亮度規(guī)格化為0％。在該條件的基礎(chǔ)上，求t＝122秒的時(shí)候的亮度。
4)直流施加中的閃變強(qiáng)度的變化這與顯示圖形切換后的實(shí)際的殘留圖像對(duì)應(yīng)。
用以下的指數(shù)函數(shù)式(4)對(duì)實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合(可用KaleidaGraph等的圖形軟件容易地進(jìn)行計(jì)算)。
亮度＝A+Bexp(-t/C)+Dexp(-t/E) (4)在這里，A～E是常數(shù)，t是從施加1V的直流電壓(DC)后的時(shí)間。
把該函數(shù)擬合于實(shí)測數(shù)據(jù)，從其擬合結(jié)果，求t＝0時(shí)的值(＝A+B+C)，把它當(dāng)作100％。
然后，把重疊直流電壓(DC)前的亮度規(guī)格化為0％。在該條件的基礎(chǔ)上，求t＝122秒的時(shí)候的亮度。
借助于此，首先，對(duì)上述1)的直流施加中的亮度變化來說，從目視評(píng)價(jià)結(jié)果可知為了抑制殘留圖像所必須的特性，是從施加上直流電壓(DC)開始120秒后的亮度增加量為直流電壓(DC)剛剛施加后的亮度增加量的40％以上。
圖22A、圖22B、圖22C，分別示出了對(duì)圖21A、圖21B、圖21C的直流電壓(DC)施加中的部分進(jìn)行放大后的曲線(把0～120秒的范圍取做橫軸)。
示于各個(gè)圖22A、圖22B、圖22C的圖中的實(shí)線，是用上述的手法進(jìn)行了擬合的線。
由這些圖可知取向膜A即便是任何一種的液晶電阻率，都可以滿足從直流電壓(DC)施加開始120秒后的亮度增加量為直流電壓(DC)剛剛施加后的亮度增加量的40％以上的條件。因此，這表明維持著對(duì)液晶的電阻率依賴性小的、高的值。
另一方面，可知取向膜B在液晶電阻率為1×1012Ω·cm時(shí)雖然勉強(qiáng)滿足，但是，在該值以下則不滿足條件。此外，還得知取向膜C即便是在液晶電阻率為1×1012Ω·cm時(shí)也不滿足條件。
如上所述，采用本評(píng)價(jià)手法，表明了能夠使液晶顯示裝置的殘留圖像特性定量化，還可以弄明白直線性好的取向膜A對(duì)殘留圖像抑制表現(xiàn)出特異性的效果。
其次，對(duì)于2)的直流電壓施加中的閃變強(qiáng)度變化來說，由目視評(píng)價(jià)結(jié)果可知為了抑制殘留圖像所必須的特性，是從施加上直流電壓(DC)開始120秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度為直流電壓(DC)剛剛施加后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的40％以上。
圖23A、圖23B、圖23C，分別示出了對(duì)圖20A、圖20B、圖20C的直流電壓(DC)施加中的部分進(jìn)行放大后的曲線(把0～120秒的范圍取做橫軸)。
示于各個(gè)圖23A、圖23B、圖23C的圖中的實(shí)線，是用上述的手法進(jìn)行了擬合的線。
由這些圖可知取向膜A即便是任何一種的液晶電阻率，都可以滿足從直流電壓(DC)施加開始120秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度為直流電壓(DC)剛剛施加后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的40％以上的條件。因此，這表明維持著對(duì)液晶的電阻率依賴性小的、高的值。
另一方面，可知取向膜B在液晶電阻率為1×1012Ω·cm時(shí)雖然勉勉強(qiáng)強(qiáng)滿足，但是，在該值以下則不滿足條件。此外，還得知取向膜C即便是在液晶電阻率為1×1012Ω·cm時(shí)也不滿足條件。
如上所述，采用本評(píng)價(jià)手法，表明了能夠使液晶顯示裝置的殘留圖像特性定量化，還可以弄明白直線性好的取向膜A對(duì)殘留圖像抑制表現(xiàn)出特異性的效果。
圖24的曲線圖示出了相對(duì)亮度對(duì)取向膜A、B、C中的每一者的液晶的電阻率的關(guān)系。在該圖中，橫軸采用的是液晶的電阻率(Ω·cm)，縱軸采用的相對(duì)亮度(％)。
由該圖可知相對(duì)于在取向膜A中相對(duì)亮度幾乎不依賴于液晶的電阻率，在取向膜B、C中則表現(xiàn)出強(qiáng)的依賴，當(dāng)電阻率降低時(shí)，就成為減小其值的結(jié)果。
就如該結(jié)果所示，取向膜A可在寬的液晶電阻率的范圍內(nèi)使用，此外，還可以穩(wěn)定地抑制殘留圖像。
此外，圖25的曲線圖示出了相對(duì)閃變強(qiáng)度對(duì)取向膜A、B、C中的每一者的液晶的電阻率的關(guān)系。在該圖中，橫軸采用的是液晶的電阻率(Ω·cm)，縱軸采用的是相對(duì)亮度(％)。
由該圖可知相對(duì)于在取向膜A中相對(duì)閃變強(qiáng)度幾乎不依賴于液晶的電阻率，在取向膜B、C中則表現(xiàn)出強(qiáng)的依賴，當(dāng)電阻率降低時(shí)，就成為減小其值的結(jié)果。
就如該結(jié)果所示，取向膜A可在寬的液晶電阻率的范圍內(nèi)使用，此外，還可以穩(wěn)定地抑制殘留圖像。
其次，對(duì)于3)的直流施加剛剛結(jié)束后的亮度變化來說，由目視評(píng)價(jià)結(jié)果可知為了抑制殘留圖像所必須的特性，是在施加120秒直流電壓(DC)后，停止直流電壓(DC)施加，從停止開始2秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度為直流電壓(DC)剛剛施加后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的5％以下。
圖26A、圖26B、圖26C，分別示出了對(duì)圖20A、圖20B、圖20C的直流電壓(DC)施加中的部分進(jìn)行放大后的曲線(把DC施加停止后的時(shí)間0～10秒的范圍取做橫軸)。
由這些各個(gè)曲線圖可知，取向膜A不論是任何一種液晶的電阻率在2秒后都成為5％以下。
該2秒后這一時(shí)間，是在畫面切換后，觀察者明確地開始識(shí)別殘留圖像的時(shí)間，可知在該階段中，如果殘留圖像降低到目視所不能看見的程度，則對(duì)于觀察者來說是難于識(shí)別為殘留圖像的。
此外，已經(jīng)判明可以識(shí)別為殘留圖像的強(qiáng)度，是按相對(duì)閃變強(qiáng)度來說成為5％以上的情況。
另一方面，在取向膜B、C的情況下，若液晶的電阻率在1×1012Ω·cm以下，則判斷為不滿足該值。
此外，在取向膜B和C的情況下，在圖26B和圖26C都清楚地畫了出來，顯示出相對(duì)閃變強(qiáng)度發(fā)生逆轉(zhuǎn)等不穩(wěn)定的舉動(dòng)。其原因雖然尚未弄明白，但是，即便是要排除這樣的不穩(wěn)定，滿足在直流電壓(DC)施加停止后2秒后成為5％以下的條件，也是重要的。
其次，對(duì)于4)的直流施加中的相對(duì)閃變強(qiáng)度的變化來說，由目視評(píng)價(jià)結(jié)果可知為了抑制殘留圖像所必須的特性，是在施加120秒直流電壓(DC)后，停止直流電壓(DC)施加，從停止開始2秒后的相對(duì)亮度為直流電壓(DC)剛剛施加后的相對(duì)亮度的5％以下。
圖27A、圖27B、圖27C，分別示出了對(duì)圖21A、圖21B、圖21C的直流電壓(DC)施加后的部分進(jìn)行放大后的曲線(把DC施加停止后的時(shí)間0～10秒的范圍取做橫軸)。
由這些各個(gè)曲線圖可知，取向膜A不論是任何一種液晶的電阻率在2秒后都成為5％以下。
該2秒后這一時(shí)間，是在畫面切換后，觀察者明確地開始識(shí)別殘留圖像的時(shí)間，可知在該階段中，如果殘留圖像降低到目視所不能看見的程度，則對(duì)于觀察者來說是難于識(shí)別為殘留圖像的。
此外，已經(jīng)判明可以識(shí)別為殘留圖像的強(qiáng)度，是按相對(duì)閃變強(qiáng)度來說成為5％以上的情況。
另一方面，在取向膜B、C的情況下，若液晶的電阻率在1×1012Ω·cm以下，則判斷為不滿足該值。
此外，在取向膜B和C的情況下，在圖27B和圖27C都清楚地畫了出來，顯示出相對(duì)閃變強(qiáng)度發(fā)生逆轉(zhuǎn)等不穩(wěn)定的舉動(dòng)。其原因雖然尚未弄明白，但是，即便是要排除這樣的不穩(wěn)定，滿足在直流電壓(DC)施加停止后2秒后成為5％以下的條件，也是重要的。
此外，圖28的曲線圖示出了從停止各個(gè)取向膜中的每一者的直流電壓施加2秒后的相對(duì)亮度的液晶電阻率依賴性。
在該圖中，其橫軸表示液晶的電阻率(Ω·cm)，縱軸表示相對(duì)亮度(％)。
由該曲線圖可知取向膜A滿足穩(wěn)定地抑制殘留圖像的條件，而取向膜B當(dāng)液晶的電阻率降低時(shí)，則成為不能滿足條件，取向膜C對(duì)液晶電阻率表示出大的波動(dòng)。
由該結(jié)果也可以知道取向膜A可以穩(wěn)定地抑制殘留圖像。
上邊所說的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)，并非一定要限定于圖1到圖7所示的結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的要旨以外的部分中當(dāng)然也可以有變更。
如以上所說明的那樣，倘采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則可以大幅度地抑制殘留圖像的發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的該液晶一側(cè)的面的像素區(qū)域，形成像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極，把這些像素電極和相對(duì)電極也覆蓋起來地形成電荷移動(dòng)層，上述像素電極和相對(duì)電極，在使層成為相同層的相同平面內(nèi)形成，并且，上述液晶的電阻率為不足1×1013Ω·cm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層具有作為取向膜的功能。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述取向膜發(fā)揮作用的電荷移動(dòng)層，具有光取向性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有二胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有苯二胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)，含有環(huán)丁烷四羧酸二酸酐和二胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層的電阻率等于或小于液晶的電阻率。
8.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極，形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加了直流電壓之后120秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度成為上述直流電壓剛剛施加后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的40％以上。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域上，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加了直流電壓之后120秒后的亮度增加量成為上述直流電壓的剛剛施加后的亮度增加量的40％以上。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域上，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加120秒直流電壓后，停止上述直流電壓的施加，從該停止開始2秒后的相對(duì)閃變強(qiáng)度成為剛剛施加上上述直流電壓后的相對(duì)閃變強(qiáng)度的5％以下。
11.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的液晶一側(cè)的顯示區(qū)域上，像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極形成在使層成為相同層的相同平面內(nèi)，在給上述像素電極和相對(duì)電極之間施加120秒直流電壓后，停止上述直流電壓的施加，從該停止開始2秒后的相對(duì)上述直流電壓施加前的亮度的亮度增加量成為5％以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求8到11中的任何一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于把上述像素電極和相對(duì)電極覆蓋起來地形成電荷移動(dòng)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8到11中的任何一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述液晶的電阻率為不足1×1013Ω·cm。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層具有取向膜的功能。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層被形成得直接把上述像素電極和相對(duì)電極覆蓋起來。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)具有苯二胺。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于作為上述電荷移動(dòng)層的形成的起始物質(zhì)，含有環(huán)丁烷四羧酸二酸酐和苯二胺。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層，含有下式所示的結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求8到13中的任何一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述電荷移動(dòng)層，含有下式所示的結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1到19中的任何一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于電荷移動(dòng)層具有光取向性。
全文摘要
提供一種液晶顯示裝置，可大幅度地抑制殘留圖像的發(fā)生。在中介液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板之中一方的基板的該液晶一側(cè)的面的像素區(qū)域，形成像素電極和使得在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的相對(duì)電極，把這些像素電極和相對(duì)電極也覆蓋起來地形成電荷移動(dòng)層，上述像素電極和相對(duì)電極，在使層成為相同層的相同平面內(nèi)形成，并且，上述液晶的電阻率為不足1×10
文檔編號(hào)C09K19/58GK1479149SQ0315029
公開日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月23日
發(fā)明者國松登, 芳澤昌孝, 小林節(jié)郎, 丹野淳二, 松山茂, 二, 孝, 郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器