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一種超光滑高壓半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料及其制備方法

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一種超光滑高壓半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電纜護(hù)套料及制備方法,特別涉及一種66KV電纜用交聯(lián)型半導(dǎo) 電內(nèi)屏蔽料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在城市供電系統(tǒng)中,由于高樓林立,加之高壓線和綠化帶都要占用一定的空間,于 是埋地電纜和架空電纜便成為城市電力的主要傳輸手段了。對(duì)于埋地電纜,由于電纜外層 經(jīng)常處在潮濕的環(huán)境中,且易受濕氣破壞,同時(shí),主絕緣層承受的電場(chǎng)應(yīng)力大,電壓過(guò)高,沿 主絕緣層內(nèi)壁的電場(chǎng)分布不勻,便易產(chǎn)生電暈放電,會(huì)導(dǎo)致絕緣層擊穿。對(duì)于架空電纜,主 絕緣層承受的電場(chǎng)應(yīng)力小,但要求表面耐太陽(yáng)光照射、耐雷擊耐光熱老化性能優(yōu)異,為了保 護(hù)主絕緣,主絕緣層的內(nèi)外必須用半導(dǎo)電層進(jìn)行屏蔽。半導(dǎo)電屏蔽層通常主要分為半導(dǎo)電 帶和半導(dǎo)電塑料兩種,半導(dǎo)電帶為布基繞包,故不易繞包平服,且導(dǎo)致導(dǎo)體、屏蔽層、絕緣層 之間出現(xiàn)不可避免的空隙或氣孔,這些空隙或氣孔在高電壓場(chǎng)強(qiáng)下,孔內(nèi)氣體發(fā)生電離,損 傷絕緣層,繼而產(chǎn)生樹枝狀放電,最后導(dǎo)致絕緣層擊穿。目前市場(chǎng)上的半導(dǎo)電塑料一般使用 EVA作為基材,這種體系成本比較低,但是由于EVA樹脂的VA容易在擠出時(shí)受高溫而分解, 進(jìn)而在表面上會(huì)產(chǎn)生小顆粒,影響電纜的使用壽命,同時(shí),EVA基材的半導(dǎo)電屏蔽料,也不利 于導(dǎo)電炭黑的有效排列,導(dǎo)致屏蔽料的導(dǎo)電性能下降。
[0003] 半導(dǎo)電屏蔽料的加工最高溫度不會(huì)超過(guò)145°C,而一般工藝中抗氧化劑在硫化管 的高溫下才能完全熔融,這樣的工藝會(huì)產(chǎn)生部分未熔融的抗氧化劑,會(huì)在局部形成一個(gè)反 應(yīng)機(jī)理,未熔融的物質(zhì)相對(duì)密度大,容易形成雜質(zhì)晶體,在整個(gè)交聯(lián)過(guò)程中很有可能被PE 中無(wú)定形的質(zhì)地疏松的部分吻合吸收,這樣將導(dǎo)致材料中水樹的產(chǎn)生,那么在超光滑的半 導(dǎo)電屏蔽層將會(huì)呈現(xiàn)一個(gè)微孔或凹凸的狀態(tài),甚至?xí)跀嗝婧推帘瘟辖缑嫘纬善滓划a(chǎn)生 粒結(jié)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中不足之處,一種66KV電纜用交聯(lián)型半導(dǎo)電內(nèi)屏 蔽料及其制備方法。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出以下技術(shù)方案:
[0006] -種66KV電纜用交聯(lián)型半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料,由基材、導(dǎo)電碳黑、增塑劑、潤(rùn)滑劑、抗 氧劑及交聯(lián)劑組成,按其重量份數(shù)計(jì),基材55-60、導(dǎo)電碳黑36-40、增粘劑0. 8-1、潤(rùn)滑劑 2-7、抗氧劑0. 2-0. 3,交聯(lián)劑1. 5-2。
[0007] 優(yōu)選的,上述屏蔽料,所述基材為EVA乳液,所述EVA為EVA250、EVA450、EVA-A701 和EVA-A702中的一種或幾種的混合物。
[0008] 優(yōu)選的,上述屏蔽料,所述EVA乳液中醋酸乙烯含量為70% -95%。
[0009] 優(yōu)選的,上述導(dǎo)電碳黑ASTM粒徑17-30nm,灰份為0. 05% -0. 2%,揮發(fā)度為 1. 1% -0? 6%,孔隙率為 74% -85%,DBPA值為 117-123cc/100g。
[0010] 優(yōu)選的,上述屏蔽料,增塑劑是由檸檬酸三辛酯、檸檬酸三正丁酯、環(huán)氧大豆油 構(gòu)成,按其重量比計(jì),檸檬酸三辛酯:檸檬酸三正丁酯:環(huán)氧大豆油比例分別為0.9~ 1. 1:0. 9 ~1. 1:0. 2 ~0. 3。
[0011] 優(yōu)選的,上述屏蔽料,所述抗氧化劑為熔融溫度低于120°c的酚類化合物。
[0012]優(yōu)選的,上述屏蔽料,所述交聯(lián)劑為活性氧值為9-10%,分解溫度高于120°C的為 雙叔丁基過(guò)氧化二異丙基苯。
[0013] 優(yōu)選的,上述屏蔽料,潤(rùn)滑劑為"X-F"臘-N' -N'-乙撐雙脂酸和PE精臘,其重量 份數(shù)計(jì)為1:3。
[0014] 優(yōu)選的,屏蔽料制備工藝,具體步驟如下:
[0015] 1)局部百級(jí)凈化條件下,將交聯(lián)劑與抗氧化劑按比例混合后,加熱到120-130°c 恪融后,過(guò)300目篩使用;
[0016] 2)將過(guò)篩后的交聯(lián)劑和抗氧化劑混合物與EVA、增塑劑、潤(rùn)滑劑按照配比置入高 速捏合機(jī)中加熱進(jìn)行高速攪拌;
[0017] 3)將攪拌均勻的混合原料直接進(jìn)入雙螺桿造料機(jī)進(jìn)行擠出造料;
[0018] 4)擠出造料的成品送入DCP噴淋塔中,進(jìn)行DCP浸潤(rùn)處理;
[0019] 5)待DCP完全被造粒后的成品吸收后,下料包裝;
[0020] 6)上述制備潔凈級(jí)別為千級(jí)潔凈車間。
[0021] 本發(fā)明的有益效果是:
[0022] 半導(dǎo)電屏蔽料的加工最高溫度不會(huì)超過(guò)145°C,而一般工藝中抗氧化劑在硫化管 的高溫下(熔融溫度高于145°C)才能完全熔融,這樣的工藝會(huì)產(chǎn)生部分未熔融的抗氧化 劑,會(huì)在局部形成一個(gè)反應(yīng)機(jī)理,未熔融的物質(zhì)相對(duì)密度大,容易形成雜質(zhì)晶體,在整個(gè)交 聯(lián)過(guò)程中很有可能被PE中無(wú)定形的質(zhì)地疏松的部分吻合吸收,這樣將導(dǎo)致材料中水樹的 產(chǎn)生,那么在超光滑的半導(dǎo)電屏蔽層將會(huì)呈現(xiàn)一個(gè)微孔或凹凸的狀態(tài),甚至?xí)跀嗝婧推?蔽料界面形成汽孔一產(chǎn)生粒結(jié)。
[0023] 相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明通過(guò)改進(jìn)配方以及生產(chǎn)工藝制備出一種66KV電纜用交聯(lián) 型半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料。該工藝通過(guò)選用熔融溫度低于120°C的抗氧化劑,高效潤(rùn)滑劑,有效保 證了屏蔽料表面超光滑和超凈。
[0024] 相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明中通過(guò)選用具有低ATSM粒徑、高孔隙率、DBPA的導(dǎo)電碳黑, 降低了碳黑顆粒的重量,因此對(duì)于同樣"重量份數(shù)計(jì)"的碳黑加入量來(lái)說(shuō),高孔隙率增加了 屏蔽料中的顆粒數(shù),從而減少了顆粒之間導(dǎo)電通道的距離,使導(dǎo)電率萬(wàn)無(wú)一失。
[0025] 本發(fā)明符合JB/T10738-2007標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定中關(guān)于屏蔽料的性能要求,且加工性能優(yōu) 良;具備環(huán)保性能,可以符合R0HS標(biāo)準(zhǔn);具有很優(yōu)良的導(dǎo)電性能,體積電阻率更低。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0027] 實(shí)施例1
[0028] 一種66KV電纜用交聯(lián)型半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料,由基材、導(dǎo)電碳黑、增塑劑、潤(rùn)滑劑、抗 氧劑及交聯(lián)劑組成,基材55kg、導(dǎo)電碳黑36kg、增粘劑0. 8kg、潤(rùn)滑劑2kg、抗氧化劑0. 2kg, 交聯(lián)劑1. 5kg。
[0029] 上述屏蔽料,所述基材為EVA乳液,所述EVA為EVA250。
[0030] 上述屏蔽料,所述EVA乳液中醋酸乙烯含量為70%
[0031] 上述導(dǎo)電碳黑ASTM粒徑17nm,灰份為0. 05%,揮發(fā)度為1. 1%,孔隙率為74%, DBPA值為 117cc/100g。
[0032] 上述屏蔽料,增塑劑是由檸檬酸三辛酯、檸檬酸三正丁酯、環(huán)氧大豆油構(gòu)成,檸檬 酸三辛酯〇. 36kg,朽1檬酸三正丁酯0. 36kg,環(huán)氧大豆油0. 08kg。
[0033] 上述屏蔽料,所述抗氧化劑為熔融溫度低于120°C的酚類化合物。
[0034] 上述屏蔽料,所述交聯(lián)劑為活性氧值為9%,分解溫度高于120°C的為雙叔丁基過(guò) 氧化二異丙基苯。
[0035] 上述屏蔽料,潤(rùn)滑劑為0. 5kg"X-F"臘-N' -N'-乙撐雙脂酸和1. 5kgPE精臘。
[0036] 優(yōu)選的,屏蔽料制備工藝,具體步驟如下:
[0037] 1)局部百級(jí)凈化條件下,將交聯(lián)劑與抗氧化劑按比例混合后,加熱到120-130°C 恪融后,過(guò)300目篩使用;
[0038] 2)將過(guò)篩后的交聯(lián)劑和抗氧化劑混合物與EVA、增塑劑、潤(rùn)滑劑按照配比置入高 速捏合機(jī)中加熱進(jìn)行高速攪拌;
[0039] 3)將攪拌均勻的混合原料直接進(jìn)入雙螺桿造料機(jī)進(jìn)行擠出造料;
[0040] 4)擠出造料的成品送入DCP噴淋塔中,進(jìn)行DCP浸潤(rùn)處理;
[0041] 5)待DCP完全被造粒后的成品吸收后,下料包裝。
[0042]6)上述制備潔凈級(jí)別為千級(jí)潔凈車間。
[0043] 實(shí)施例2
[0044] 一種66KV電纜用交聯(lián)型半導(dǎo)電內(nèi)屏蔽料和內(nèi)屏蔽料,由基材、導(dǎo)電碳黑、增塑劑、 潤(rùn)滑劑、抗氧劑及交聯(lián)劑組成,基材60kg、導(dǎo)電碳黑40kg、增粘劑0. 9kg、潤(rùn)滑劑7kg、抗氧化 劑0.3kg,交聯(lián)劑L8kg。
[0045] 上述屏蔽料,所述基材為EVA乳液,所述EVA為EVA450。
[0046] 上述屏蔽料,所述EVA乳液中醋酸乙烯含量為80%。
[0047] 上述導(dǎo)電碳黑ASTM粒徑20nm,灰份為0. 2%,揮發(fā)度為0. 6%,孔隙率為85%, DBPA值為 123cc/100g。
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