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低光澤耐候抗劃傷改性pc復(fù)合材料的制作方法

文檔序號:8354852閱讀:210來源:國知局
低光澤耐候抗劃傷改性pc復(fù)合材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高分子材料技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料。
【背景技術(shù)】
[0002]聚碳酸酯(PC)作為綜合性能優(yōu)異、用途極為廣泛的重要工程塑料品種,廣泛用于汽車、電子電氣、建筑材料、機(jī)械零件、辦公自動化設(shè)備、包裝業(yè)、運(yùn)動器械、醫(yī)療、保健、光盤和家庭用品等領(lǐng)域。但PC在生產(chǎn)、貯存和使用中,由于受內(nèi)外因素的綜合作用,PC性能也將逐漸變壞,這就是老化現(xiàn)象。PC易老化,而且耐磨抗劃傷性能較差,在一些應(yīng)用場合也常常要求PC制品外觀具有低光澤,如汽車塑料內(nèi)飾件等。因此,對PC進(jìn)行低光澤、耐候、抗劃傷等方面的改性是非常必要的,以改善其性能和擴(kuò)大應(yīng)用范圍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其組分按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為:PC樹脂80%?90%、抗劃傷改性劑5%?10%、消光劑0.5%?3%、耐候劑1%?3%、相容劑0.5%?2%、抗氧劑0.1%?0.5%、分散劑0.1%?1.5%。
[0005]所述的PC樹脂為雙酚A型芳香族聚碳酸酯,重均分子量為20000?35000g/mol。
[0006]所述抗劃傷改性劑為表面改性處理的碳纖維、玻璃纖維、硅灰石、滑石粉、沉淀硫酸鋇、銅粉中的一種。
[0007]所述的消光劑為有機(jī)高分子消光劑,優(yōu)選交聯(lián)型苯乙烯-丙烯腈聚合物。
[0008]所述的耐候劑為質(zhì)量比1:1的受阻胺光穩(wěn)定劑GW-944Z和受阻胺光穩(wěn)定劑GW-622的復(fù)配物。
[0009]所述的相容劑為聚甲基丙烯酸甲酯接枝馬來酸酐(PMMA-g-MAH)。
[0010]所述的抗氧劑為質(zhì)量比1:2的受阻酚類抗氧劑1076與亞磷酸酯類抗氧劑168的復(fù)配物。
[0011]所述的分散劑為季戊四醇硬脂酸酯(PETS )。
[0012]上述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:
(1)、將PC樹脂在鼓風(fēng)干燥機(jī)中于110°C?130°C溫度下干燥3?4小時,待用;
(2)、按重量配比稱取干燥的PC樹脂及其它各組分,分別加入高速混合機(jī)中、一起攪拌5?30分鐘,使充分混合均勻后出料;
(3)、將步驟(2)的混合料加入雙螺桿擠出機(jī)中,在230°C?260°C下經(jīng)熔融混煉擠出、冷卻造粒,即得成品。
[0013]本發(fā)明的有益效果是,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制得的PC復(fù)合材料,在保持PC原有的優(yōu)異物理、化學(xué)和電性能的同時具有優(yōu)良的耐磨抗劃傷性能和耐老化性能,而且低光澤、啞光效果好,外觀及加工性好,可廣泛應(yīng)用于汽車、電子電器、光學(xué)儀表、機(jī)械設(shè)備、家庭用品、包裝等領(lǐng)域。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合具體實施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0015]實施例1:
一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其組分按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為:PC樹脂85%、表面改性處理的碳纖維8%、交聯(lián)型苯乙烯-丙烯腈聚合物2.5%、質(zhì)量比1:1的受阻胺光穩(wěn)定劑GW-944Z和受阻胺光穩(wěn)定劑GW-622的復(fù)配物2%、聚甲基丙烯酸甲酯接枝馬來酸酐(PMMA-g-MAH)1.5%、質(zhì)量比I '2的受阻酚類抗氧劑1076與亞磷酸酯類抗氧劑168的復(fù)配物
0.3%、季戊四醇硬脂酸酯(PETS) 0.7%。其中,所述的PC樹脂為雙酚A型芳香族聚碳酸酯,重均分子量為20000?35000g/mol。
[0016]制備方法:(I)、將PC樹脂在鼓風(fēng)干燥機(jī)中于110°C?130°C溫度下干燥3?4小時,待用;(2)、按重量配比稱取干燥的PC樹脂及其它各組分,分別加入高速混合機(jī)中、一起攪拌5?30分鐘,使充分混合均勻后出料;(3)、將步驟(2)的混合料加入雙螺桿擠出機(jī)中,在230°C?260°C下經(jīng)熔融混煉擠出、冷卻造粒,即得成品。
[0017]實施例2:
一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其組分按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為:PC樹脂83%、表面改性處理的沉淀硫酸鋇10%、交聯(lián)型苯乙烯-丙烯腈聚合物2%、質(zhì)量比1:1的受阻胺光穩(wěn)定劑GW-944Z和受阻胺光穩(wěn)定劑GW-622的復(fù)配物2%、聚甲基丙烯酸甲酯接枝馬來酸酐(PMMA-g-MAH)1.5%、質(zhì)量比I '2的受阻酚類抗氧劑1076與亞磷酸酯類抗氧劑168的復(fù)配物
0.3%、季戊四醇硬脂酸酯(PETS) 1.2%。其中,所述的PC樹脂為雙酚A型芳香族聚碳酸酯,重均分子量為20000?35000g/mol。
[0018]制備方法:(I)、將PC樹脂在鼓風(fēng)干燥機(jī)中于110°C?130°C溫度下干燥3?4小時,待用;(2)、按重量配比稱取干燥的PC樹脂及其它各組分,分別加入高速混合機(jī)中、一起攪拌5?30分鐘,使充分混合均勻后出料;(3)、將步驟(2)的混合料加入雙螺桿擠出機(jī)中,在230°C?260°C下經(jīng)熔融混煉擠出、冷卻造粒,即得成品。
【主權(quán)項】
1.一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,其組分按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為:PC樹脂80%?90%、抗劃傷改性劑5%?10%、消光劑0.5%?3%、耐候劑1%?3%、相容劑0.5%?2%、抗氧劑0.1%?0.5%、分散劑0.1%?1.5%ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述抗劃傷改性劑為表面改性處理的碳纖維、玻璃纖維、硅灰石、滑石粉、沉淀硫酸鋇、銅粉中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述的消光劑為有機(jī)高分子消光劑,優(yōu)選交聯(lián)型苯乙烯-丙烯腈聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述的耐候劑為質(zhì)量比1:1的受阻胺光穩(wěn)定劑GW-944Z和受阻胺光穩(wěn)定劑GW-622的復(fù)配物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述的相容劑為聚甲基丙烯酸甲酯接枝馬來酸酐(PMMA-g-MAH)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述的抗氧劑為質(zhì)量比1:2的受阻酚類抗氧劑1076與亞磷酸酯類抗氧劑168的復(fù)配物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其特征在于,所述的分散劑為季戊四醇硬脂酸酯(PETS )。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)、將PC樹脂在鼓風(fēng)干燥機(jī)中于110°C?130°C溫度下干燥3?4小時,待用; (2)、按重量配比稱取干燥的PC樹脂及其它各組分,分別加入高速混合機(jī)中、一起攪拌5?30分鐘,使充分混合均勻后出料; (3)、將步驟(2)的混合料加入雙螺桿擠出機(jī)中,在230°C?260°C下經(jīng)熔融混煉擠出、冷卻造粒,即得成品。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低光澤耐候抗劃傷改性PC復(fù)合材料,其組分按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為:PC樹脂80%~90%、抗劃傷改性劑5%~10%、消光劑0.5%~3%、耐候劑1%~3%、相容劑0.5%~2%、抗氧劑0.1%~0.5%、分散劑0.1%~1.5%。本發(fā)明的有益效果是,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制得的PC復(fù)合材料,在保持PC原有的優(yōu)異物理、化學(xué)和電性能的同時具有優(yōu)良的耐磨抗劃傷性能和耐老化性能,而且低光澤、啞光效果好,外觀及加工性好,可廣泛應(yīng)用于汽車、電子電器、光學(xué)儀表、機(jī)械設(shè)備、家庭用品、包裝等領(lǐng)域。
【IPC分類】C08K3-34, C08K9-00, C08K13-06, C08K5-526, B29B9-06, C08K7-14, C08K3-30, C08K3-08, C08K5-134, C08L69-00, C08K7-06
【公開號】CN104672858
【申請?zhí)枴緾N201310630782
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】青島佳億陽工貿(mào)有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年12月2日
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