本申請涉及顯示，更具體地，涉及一種化合物、發(fā)光器件和顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)電致發(fā)光元件(organic?light?emitting?diodes,oled)具有輕、薄、自發(fā)光、低功耗、無背光源、廣視角和響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)逐漸替代液晶顯示面板成為新一代的平板顯示，并且在柔性顯示方面也具有巨大潛力。目前，oled已逐漸應(yīng)用于手機(jī)、穿戴設(shè)備、車載和電腦等高端顯示領(lǐng)域。

2、其中，oled材料因其在oled中的重要性也受到越來越多的關(guān)注，其在近些年內(nèi)取得了令人矚目的進(jìn)展。在選擇oled材料時(shí)，需要考慮多方面的因素，例如，其對oled的電壓的影響、對壽命和效率的影響。因此，如何選擇oled的材料，來提高oled的性能，是一項(xiàng)亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N化合物、發(fā)光器件和顯示裝置，可以提升顯示裝置的效率和壽命、降低顯示裝置的電壓。

2、第一方面，提供了一種化合物，包括結(jié)構(gòu)通式1和結(jié)構(gòu)通式2：

3、

4、所述結(jié)構(gòu)通式1中的het滿足結(jié)構(gòu)通式3：

5、[結(jié)構(gòu)通式3]

6、

7、其中，在所述結(jié)構(gòu)通式1、所述結(jié)構(gòu)通式2、所述結(jié)構(gòu)通式3中：*為所述結(jié)構(gòu)通式1和所述結(jié)構(gòu)通式2的連接點(diǎn)，所述結(jié)構(gòu)通式1中的任意兩個(gè)相鄰的所述連接點(diǎn)，與所述結(jié)構(gòu)通式2中的所述連接點(diǎn)連接以獲得稠環(huán)；o、i、r、s獨(dú)立地為0-4中的非負(fù)整數(shù)；j為0或1；a為苯或萘；x為n；y為o、s或n(rb)中的至少一種；q為o、s、c(ra)(rb)或n(rc)中的至少一種；w為直接鍵；h為0或1；ra和rb獨(dú)立地為氘、氚、氫、鹵素、取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c6-c60的雜芳基、取代或未取代的c1-c50的烷基、取代或未取代的c1-c50的環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c50的烷氧基、取代或未取代的c5-c50的芳氧基、取代或未取代的c5-c50的芳硫基、取代或未取代的c1-c50的烷氧基羰基中的任一種；rc、r21、r22獨(dú)立地為氘、氚、氫、鹵素、氰基、硝基、羥基、取代或未取代的c1-c18烷基、取代或未取代的c2-c18烯基、取代或未取代的c2-c18炔基、取代或未取代的c3-c18環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c6-c18芳基、取代或未取代的c5-c18雜芳基、取代或未取代的c5-c18雜環(huán)基中的任一種；l1、l2和l3獨(dú)立地為直接鍵、取代或未取代的c6-c30的芳基、取代或未取代的c2-c30的雜芳基中的任一種；ar1、ar2獨(dú)立地為取代或未取代的c6-c30的芳基、取代或未取代的c3-c30的雜芳基中的任一種；ar3、ar4獨(dú)立地為直接健、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、烯基、炔基中的任一種。

8、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述結(jié)構(gòu)通式為以下結(jié)構(gòu)中的任一種：

9、

10、

11、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述結(jié)構(gòu)通式3為以下結(jié)構(gòu)中的一種：

12、

13、在所述結(jié)構(gòu)通式3-1、所述結(jié)構(gòu)通式3-2、所述結(jié)構(gòu)通式3-3和所述結(jié)構(gòu)通式3-4中：g為直接鍵、o、s、c、n中的任一種；e為o、s、n中的任一種；a、b、c、d、e、f、g、m、n、p為0-4中的非負(fù)整數(shù)；r1-r10獨(dú)立地為氘、氚、氫、鹵素、氰基、硝基、羥基、取代或未取代的c1-c18烷基、取代或未取代的c2-c18烯基、取代或未取代的c2-c18炔基、取代或未取代的c3-c18環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c6-c18芳基、取代或未取代的c5-c18雜芳基、取代或未取代的c5-c18雜環(huán)基。

14、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述ra、所述rb、所述rc、所述r21、所述r22、所述r1-r10中的至少一者為氘。

15、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述化合物三重態(tài)能級(jí)t1滿足：2.1ev≤t1≤2.5ev。

16、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述化合物的重組能λ滿足：λ≤0.3ev。

17、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述化合物的最高占據(jù)分子軌道的能量值的絕對值滿足：5.0ev≤|homo|≤5.9ev。

18、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述化合物的最低未占分子軌道的能量值的絕對值滿足：1.8ev≤|lumo|≤2.2ev。

19、第二方面，提供了一種發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光層和第二電極；所述發(fā)光層包括第一材料，所述第一材料包括第一方面中任一實(shí)施方式所述的化合物。

20、根據(jù)第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述發(fā)光層還包括第二材料，所述第一材料和所述第二材料的最高占據(jù)分子軌道的能量值的絕對值差值滿足：△|homo|≤0.5ev。

21、第三方面，提供了一種顯示裝置，包括本申請第一方面中任一實(shí)現(xiàn)方式中所述的化合物，或本申請第二方面中任一實(shí)現(xiàn)方式中所述的發(fā)光器件。

技術(shù)特征：

1.一種化合物，其特征在于，包括結(jié)構(gòu)通式1和結(jié)構(gòu)通式2：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)通式1為以下結(jié)構(gòu)中的任一種：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)通式3為以下結(jié)構(gòu)中的一種：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化合物，其特征在于，所述ra、所述rb、所述rc、所述r21、所述r22、所述r1-r10中的至少一者為氘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物的三重態(tài)能級(jí)t1滿足：2.1ev≤t1≤2.5ev。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物的重組能λ滿足：λ≤0.3ev。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物的最高占據(jù)分子軌道的能量值的絕對值滿足：5.0ev≤|homo|≤5.9ev。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物的最低未占分子軌道的能量值的絕對值滿足：1.8ev≤|lumo|≤2.2ev。

9.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光層和第二電極；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層還包括第二材料，所述第一材料和所述第二材料的最高占據(jù)分子軌道的能量值的絕對值差值滿足：△|homo|≤0.5ev。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的化合物，或包括如權(quán)利要求9或10中所述的發(fā)光器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N化合物、發(fā)光器件和顯示裝置。化合物包括結(jié)構(gòu)通式1和結(jié)構(gòu)通式2；結(jié)構(gòu)通式1中的Het滿足結(jié)構(gòu)通式3。本申請的技術(shù)方案可以提升顯示裝置的效率和壽命、降低顯示裝置的電壓。[結(jié)構(gòu)通式3]

技術(shù)研發(fā)人員：高榮榮,景穩(wěn)柱,吳桐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23