本發(fā)明涉及一種洗凈劑、洗凈方法及補給液。

背景技術：

1、在印刷配線板的制造過程中，有時會在銅配線的表面附著并殘留樹脂的浮渣(スカム)或指紋狀油分等有機物。通過半加成法(セミアディティブ法)制造印刷配線板時的閃蝕液(即用于對不必要的導體間的晶種層進行蝕刻的蝕刻液)含有含氮雜環(huán)式化合物(例如參照專利文獻1～3)，但閃蝕液中所含的含氮雜環(huán)式化合物亦有時會殘留在銅配線的表面上。另一方面，在銅配線的表面上，例如亦有時因烘烤而生成銅氧化物的被膜。

2、[現(xiàn)有技術文獻]

3、[專利文獻]

4、[專利文獻1]日本特開2006-9122號公報

5、[專利文獻2]日本專利5576525號公報

6、[專利文獻3]日本特開2015-120970號公報

7、[專利文獻4]日本專利6779557號公報。

技術實現(xiàn)思路

1、[發(fā)明所要解決的課題]

2、若在銅配線的表面上殘留有此種有機物或銅氧化物的情況下，將用于提高銅配線與樹脂構件的密接性(其亦可稱為接著性)的被膜(以下，有時稱為“密接性提高被膜”，例如參照專利文獻4)形成于銅配線的表面，則有密接性不會有效地提高的擔憂。另一方面，若在銅配線的表面上殘留有此種有機物或銅氧化物的情況下，利用微蝕刻液(即，用于使銅配線的表面粗化的蝕刻液)對銅配線進行表面粗化，則有無法有效地實現(xiàn)表面粗化的擔憂。

3、作為銅表面的洗凈方法，考慮利用堿性洗凈劑將附著于銅表面的油分去除后，再利用酸類微蝕刻液去除銅氧化物的方法。

4、然而，微蝕刻液不僅使銅氧化物溶解，而且亦使銅本身(例如，曾被銅氧化物的被膜覆蓋的銅)積極地溶解，因此使用微蝕刻液的洗凈恐怕無法應對今后亦將不斷發(fā)展的銅配線的微細化。即，考慮到今后的微細化的發(fā)展，恐怕難以將微蝕刻液用于洗凈用途。

5、此外，上述洗凈方法(即，利用堿性洗凈劑進行洗凈后，再利用酸類微蝕刻液進行洗凈)是分別進行油分的去除及銅氧化物的去除，因此費工夫。

6、本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制銅的蝕刻，并且去除附著于銅配線表面的有機物(以下，有時稱為“有機物殘渣”)或銅氧化物的洗凈劑。

7、[解決課題的技術手段]

8、為了解決該課題，本發(fā)明具備下述[1]的構成。

9、[1]

10、一種包含銅配線的基板的洗凈劑，其包含水溶性羧酸，和

11、過氧化氫，

12、上述過氧化氫的濃度未達0.75重量％，并且

13、上述洗凈劑的ph值未達2.5。

14、此處，“包含銅配線的基板的洗凈劑”意指用以對包含銅配線的基板進行洗凈的水溶液。

15、“銅配線”的“銅”可為銅本身，亦可為銅合金。即，“銅配線”可為由銅所構成的配線，亦可為由銅合金所構成的配線。

16、本發(fā)明優(yōu)選為還具備下述[2]以后的構成。

17、[2]

18、如[1]所記載的洗凈劑，其實質上不含有含氮雜環(huán)式化合物。

19、[3]

20、如[1]所記載的洗凈劑，其不含有含氮雜環(huán)式化合物。

21、[4]

22、如[1]至[3]中任一項所記載的洗凈劑，其中，上述水溶性羧酸為選自由甲酸、乙酸、丙酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、馬來酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、甘氨酸、α-丙氨酸及β-丙氨酸所組成的群中的至少一種羧酸。

23、[5]

24、如[1]至[4]中任一項所記載的洗凈劑，其中，上述水溶性羧酸的濃度為0.2重量％以上。

25、[6]

26、如[1]至[5]中任一項所記載的洗凈劑，其中，上述過氧化氫的濃度為0.05重量％以上。

27、[7]

28、如[1]至[6]中任一項所記載的洗凈劑，其氯化物離子濃度為0.05ppm以上。

29、[8]

30、如[1]至[7]中任一項所記載的洗凈劑，其用于在將用以提高上述銅配線與樹脂構件的密接性的被膜形成在上述銅配線的表面上之前，對上述基板進行洗凈。

31、[9]

32、一種洗凈方法，其包括利用[1]至[8]中任一項所記載的洗凈劑對包含銅配線的基板進行洗凈的步驟。

33、[10]

34、一種補給液，其是連續(xù)或反復使用[1]至[8]中任一項所記載的洗凈劑時添加至上述洗凈劑的補給液，

35、上述補給液包含水溶性羧酸，和

36、過氧化氫，并且

37、ph值未達2.5。

技術特征：

1.一種包含銅配線的基板的洗凈劑，其包含水溶性羧酸，和

2.如權利要求1所述的洗凈劑，其實質上不含有含氮雜環(huán)式化合物。

3.如權利要求1所述的洗凈劑，其不含有含氮雜環(huán)式化合物。

4.如權利要求1所述的洗凈劑，其中，上述水溶性羧酸為選自由甲酸、乙酸、丙酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、馬來酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、甘氨酸、α-丙氨酸及β-丙氨酸所組成的群中的至少一種羧酸。

5.如權利要求1所述的洗凈劑，其中，上述水溶性羧酸的濃度為0.2重量％以上。

6.如權利要求1所述的洗凈劑，其中，上述過氧化氫的濃度為0.05重量％以上。

7.如權利要求1所述的洗凈劑，其氯化物離子濃度為0.05ppm以上。

8.如權利要求1所述的洗凈劑，其用于在將用以提高上述銅配線與樹脂構件的密接性的被膜形成在上述銅配線的表面之前，對上述基板進行洗凈。

9.一種洗凈方法，其包括利用權利要求1至8中任一項所述的洗凈劑對包含銅配線的基板進行洗凈的步驟。

10.一種補給液，其是連續(xù)或反復使用權利要求1至8中任一項所述的洗凈劑時添加至上述洗凈劑的補給液，

技術總結
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制銅的蝕刻，并且去除附著于銅配線表面的有機物或銅氧化物的洗凈劑。本發(fā)明的洗凈劑包含水溶性羧酸和過氧化氫，上述過氧化氫的濃度未達0.75重量％，并且上述洗凈劑的pH值未達2.5。通過水溶性羧酸，能夠從銅配線表面去除銅氧化物。通過過氧化氫，能夠去除附著于銅配線表面的有機物。認為其原因在于，在洗凈劑中，過氧化氫與水溶性羧酸進行反應，由此生成過氧羧酸。亦能夠抑制銅配線的蝕刻。認為其原因在于，水溶性羧酸吸附于銅表面。由于未達0.75重量％，故而能夠進一步抑制蝕刻。由于pH值未達2.5，故而能夠進一步去除銅氧化物。

技術研發(fā)人員：貞永晃佑,林崎將大,安隨桃子,東島真美
受保護的技術使用者：MEC股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19