一種導(dǎo)電聚3,4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種導(dǎo)電聚3,4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法。本發(fā)明所述方法為在聚合物基材表面制作氧化劑膜后浸入3,4-乙撐二氧噻吩溶液，使3,4-乙撐二氧噻吩單體在聚合物基材表面氧化聚合，生成導(dǎo)電聚3,4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)有：3,4-乙撐二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需設(shè)備簡(jiǎn)單，工藝調(diào)控方便，原料利用率高。易于采用連續(xù)加工工藝制作大面積、高品質(zhì)導(dǎo)電聚3,4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種導(dǎo)電聚3, 4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于高分子合成【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法。
【背景技術(shù)】 [0002]聚3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT)是一類(lèi)具有連續(xù)共軛π鍵的導(dǎo)電高分子，可表現(xiàn)出類(lèi)似金屬的導(dǎo)電性、玻璃的透明性和常用塑料的穩(wěn)定性。預(yù)期導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩薄膜可在柔性電子、柔性顯示、觸控屏、電子紙、太陽(yáng)能電池、智能光窗和電致變色器件等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。然而，高分子的導(dǎo)電性與加工性互不相容。導(dǎo)電要求平面構(gòu)型的剛性共軛鏈，而加工流動(dòng)要求無(wú)規(guī)構(gòu)象的柔性鏈。導(dǎo)電高分子一般不溶不熔，難以加工成膜。雖然拜耳公司利用聚對(duì)苯乙烯磺酸(PSS)與3，4-乙撐二氧噻吩單體的絡(luò)合作用，開(kāi)發(fā)出可涂覆成膜的聚3，4-乙撐二氧噻吩絡(luò)合物水分散體。但PSS組份非導(dǎo)體，吸濕性強(qiáng)，所得膜的導(dǎo)電性和可靠性低，不能滿(mǎn)足市場(chǎng)要求。許多科技工作者致力3，4-乙撐二氧噻吩單體的原位聚合，希望直接將單體在基材表面轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電聚合物膜。探索的方法包括電化學(xué)聚合法、直接氧化聚合法、溶液聚合吸附法、化學(xué)氣相沉積法和氣相沉降聚合法。
[0003]電化學(xué)聚合法是以導(dǎo)電基材作陽(yáng)極，浸入含3，4-乙撐二氧噻吩單體的電解液后施加電壓，使3，4-乙撐二氧噻吩單體電化學(xué)氧化聚合，在基材表面生成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜。直接氧化聚合法是將3，4-乙撐二氧噻吩單體與氧化劑溶液混合后涂覆于基材表面，待溶劑揮發(fā)后升溫聚合，在基材表面生成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜。溶液聚合吸附法是將基材置于盛有3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液器皿的底部，攪拌下加入氧化劑溶液，使3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液聚合，生成的聚3，4-乙撐二氧噻吩分子從溶劑中析出，沉積到基材表面，在基材表面堆砌吸附成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜?；瘜W(xué)氣相沉積法是將3，4-乙撐二氧噻吩蒸汽和氣體氧化劑或氣化的氧化劑導(dǎo)入密閉的反應(yīng)室聚合，沉積到基材表面，在基材表面形成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜。氣相沉降聚合法是將氧化劑附于基材表面，然后置于充3，4-乙撐二氧噻吩蒸汽的密閉腔體，使3，4-乙撐二氧噻吩蒸汽不斷沉降到氧化劑膜上氧化聚合，在基材表面生成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜。
[0004]電化學(xué)聚合是最早使用的原位聚合方法，它要求基材具有導(dǎo)電性，不適用于絕緣基材；電極尺寸限定所得聚3，4-乙撐二氧噻吩膜的大小；且電極尺寸影響電場(chǎng)分布，從而影響所得導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜的均勻性。直接聚合是早期使用的化學(xué)氧化原位聚合方法，它經(jīng)歷單體與氧化劑混合物的直接聚合，由于3，4-乙撐二氧噻吩鏈節(jié)的剛性，所得最終聚3，4-乙撐二氧噻吩鏈的規(guī)整性低，膜的導(dǎo)電性差。溶液聚合吸附法單體的利用率低，所得膜結(jié)構(gòu)疏松，與基材粘合欠佳。化學(xué)氣相沉積法需專(zhuān)業(yè)設(shè)備，工藝控制復(fù)雜，不適用大面積薄膜制作。氣相沉降聚合法在優(yōu)化條件下所得聚3，4-乙撐二氧噻吩鏈的規(guī)整度高，膜的導(dǎo)電性好。但在大型腔體內(nèi)取得穩(wěn)定均勻的單體濃度是一大難題，所得均勻膜的面積小，難以滿(mǎn)足大型器件的需要；此外，強(qiáng)酸性的固態(tài)氧化劑易引發(fā)3，4-乙撐二氧噻吩單體的加成聚合副反應(yīng)，導(dǎo)致骨架鏈的共軛缺陷和非導(dǎo)電產(chǎn)物；氣相沉降聚合工藝條件要求苛亥Ij，工業(yè)化難度大。
[0005]本發(fā)明公開(kāi)一種以液相沉降聚合制備導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的新方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，目的是克服導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩加工困難，不易制成大面積、高品質(zhì)導(dǎo)電薄膜的問(wèn)題。本發(fā)明公開(kāi)一種制備導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的方法，首先在聚合物基材表面制作氧化劑膜，然后將覆氧化劑膜的聚合物基材浸入3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液，使3，4-乙撐二氧噻吩單體擴(kuò)散沉降到基材表面的滯留層氧化聚合，在聚合物基材表面形成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜；所述氧化劑膜為表面化學(xué)轉(zhuǎn)化的有機(jī)過(guò)氧化物膜和物理吸附的無(wú)機(jī)氧化劑膜的復(fù)合；所述基材為聚合物薄膜或增強(qiáng)復(fù)合材料；所述聚合物薄膜包括聚酰亞胺、聚酯、聚苯醚或聚苯硫醚；所述增強(qiáng)復(fù)合材料包括玻纖環(huán)氧復(fù)合材料、玻纖BT樹(shù)脂復(fù)合材料、玻纖不飽或聚酯復(fù)合材料。
[0007]本發(fā)明采用吸附法制備氧化劑膜。聚合物的表面能低，對(duì)極性氧化劑的吸附性差，需對(duì)基材表面作親水處理，改善基材表面與氧化劑溶液的浸潤(rùn)性和對(duì)氧化劑的吸附性。表面化學(xué)改性或高能輻射處理都可在聚合物表面引入極性基團(tuán)，提高聚合物的表面能和吸附性。所述表面化學(xué)改性為水解或磺化。以10%Na0H水溶液或30%H2S04水溶液浸泡10-45分鐘，可在聚合物表面引入極性的羧基或磺酸基；以氙準(zhǔn)分子172nm真空紫外輻射或氧等離子體處理I分鐘，可在聚合物表面引入含氧基團(tuán)，將聚合物基材與水的接觸角降到15°以下，基材表面由疏水變?yōu)橛H水，無(wú)機(jī)氧化劑吸附量可達(dá)lOmmol/m2量級(jí)。
[0008]3，4-乙撐二氧噻吩的氧化電位低，三價(jià)鐵鹽、硝酸銅、二氧化錳、高錳酸鉀都能奪取噻吩環(huán)上的電子，使3，4-乙撐二氧噻吩單體氧化聚合。三氯化鐵、硫酸鐵、對(duì)甲基苯磺酸鐵原料易得，又具有自摻雜能力，經(jīng)他們氧化3，4-乙撐二氧噻吩單體所得聚3，4-乙撐二氧噻吩膜的電導(dǎo)率高?？筛鶕?jù)市場(chǎng)供應(yīng)選用上述無(wú)機(jī)氧化劑的一種以上。無(wú)機(jī)氧化劑吸附量在2mmol/m2以上，即可制備表面電阻小于105Ω/ □的均勻復(fù)合膜。隨氧化劑吸附量增加，所得聚3，4-乙撐二氧噻吩膜厚度增加，復(fù)合膜表面電阻下降。但吸附量過(guò)大，無(wú)機(jī)氧化劑易在有機(jī)聚合物表面聚集成團(tuán)，合成出不均勻聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜?？刂莆搅吭?0mmol/m2以下，合成的聚3，4-乙撐二氧噻吩膜不易出現(xiàn)斑點(diǎn)。多種氧化劑并用可在增加氧化劑的總吸附量的同時(shí)，減少氧化劑在聚合物基材表面團(tuán)聚的趨勢(shì)。
[0009]本發(fā)明以高能輻射或化學(xué)氧化的方法將基材表面的聚合物轉(zhuǎn)化為有機(jī)過(guò)氧化物，在聚合物基材表面引入有機(jī)過(guò)氧基團(tuán)作為第二氧化劑，進(jìn)一步克服無(wú)機(jī)氧化劑的團(tuán)聚現(xiàn)象，同時(shí)增加基材表面氧化劑的總含量。氙準(zhǔn)分子172nm真空紫外輻射、氧等離子體可激發(fā)和劈裂基材表面的聚合物分子，與氧或臭氧反應(yīng)，在聚合物表面引入各種過(guò)氧基團(tuán)。過(guò)氧化氫浸泡、臭氧蒸熏也可氧化聚合物，在聚合物表面生成過(guò)氧化氫、過(guò)氧醚、過(guò)氧化酮、過(guò)氧酸，因聚合物的分子結(jié)構(gòu)不同而異。將高能輻射處理與化學(xué)氧化結(jié)合，能提高基材表面過(guò)氧基含量到lOmmol/m2量級(jí)。在聚合物基材表面引入的過(guò)氧基團(tuán)對(duì)3，4-乙撐二氧噻吩單體的氧化活性不高。但在氧化劑離子的催化作用下，過(guò)氧基容易分解，產(chǎn)生羥基自由基，而氧化劑離子從低價(jià)態(tài)還原到高價(jià)的氧化態(tài)。產(chǎn)生的羥基自由基也有強(qiáng)的氧化能力，會(huì)氧化低價(jià)離子至氧化態(tài)。聚合物基材表面引入的過(guò)氧基團(tuán)可循環(huán)利用無(wú)機(jī)氧化劑，提高無(wú)機(jī)氧化劑的氧化能力。
[0010]本發(fā)明將附氧化劑的聚合物基材浸入3，4-乙撐二氧噻吩溶液引發(fā)3，4-乙撐二氧噻吩單體在基材表面聚合。一旦附氧化劑的聚合物基材浸入3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液，附于基材表面的無(wú)機(jī)氧化劑溶入基材表面的滯留層，與3，4-乙撐二氧噻吩反應(yīng)，氧化滯留層中的3，4-乙撐二氧噻吩成二聚體、三聚體、多聚體和齊聚物。氧化劑離子還原到低價(jià)的還原態(tài)，失去對(duì)3，4-乙撐二氧噻吩的氧化能力。由于聚3，4-乙撐二氧噻吩的不溶性，隨分子量增大，3，4-乙撐二氧噻吩齊聚物在溶劑中的溶解度下降，沉降和吸附到聚合物基材表面。與此同時(shí)，溶液相中3，4-乙撐二氧噻吩單體在濃差推動(dòng)下不斷擴(kuò)散進(jìn)入滯留層，補(bǔ)充消耗的3，4-乙撐二氧噻吩。吸附于基材表面的3，4-乙撐二氧噻吩齊聚物在氧化劑和沉降的3，4-乙撐二氧噻吩單體的共同作用下不斷增長(zhǎng)成為高分子，在基材表面形成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩膜，直至吸附的氧化劑耗盡。 [0011]基材表面的有機(jī)過(guò)氧基團(tuán)與基材以化學(xué)鍵相連，對(duì)3，4-乙撐二氧噻吩的氧化活性不高。但滯留層中失去氧化活性的低價(jià)氧化劑離子可擴(kuò)散到基材表面，催化過(guò)氧化基團(tuán)分解，自身氧化至高價(jià)的氧化態(tài)。再生的氧化態(tài)離子可進(jìn)一步氧化3，4-乙撐二氧噻吩單體聚合，增加合成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩的厚度，提高復(fù)合膜的表面電導(dǎo)。氧化劑離子擴(kuò)散具有各向同性的屬性，滯留層中部分還原態(tài)離子會(huì)逸出滯留層。隨反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)，滯留層內(nèi)的氧化劑離子含量下降。在無(wú)機(jī)氧化劑的吸附量大于2mmol/m2，滯留層內(nèi)就有足夠的還原態(tài)離子催化基材表面的過(guò)氧基分解。
[0012]稀釋3，4-乙撐二氧噻吩單體的溶劑不但影響3，4-乙撐二氧噻吩單體的溶解度和氧化聚合速度，也影響吸附的無(wú)機(jī)氧化劑溶入滯留層的速度。氧化劑的吸附量大，在所用溶劑中的溶解度高，溶入滯留層的速度就快?？稍谑兔?、環(huán)己烷、二氯甲烷、氯仿、乙腈、碳酸酯、乙酸丁酯、丁酮和丁醇中挑選溶劑或配制混合溶劑，控制氧化劑溶入滯留層速度與氧化消耗速度的匹配，防止高價(jià)氧化態(tài)離子擴(kuò)散出滯留層，確保氧化聚合發(fā)生于滯留層內(nèi)，從而保障原料的有效利用。通過(guò)調(diào)節(jié)無(wú)機(jī)氧化劑的吸附量和有機(jī)過(guò)氧基團(tuán)的含量，選用溶劑配制30-300mmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液，在0_50°C反應(yīng)0.2-12小時(shí)，可制得表面電阻在IO5-1O2 Ω/ □的聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果:
[0014]3，4-乙撐二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需設(shè)備簡(jiǎn)單，工藝調(diào)控方便，原料利用率高。易于采用連續(xù)加工工藝制作大面積、高品質(zhì)導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜。
具體實(shí)施實(shí)例
[0015]以下是結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明，但本發(fā)明不僅限于如下實(shí)施實(shí)例。
[0016]實(shí)施實(shí)例I
[0017]將聚酰亞胺膜(PI)浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈?。將表面處理的聚酰亞胺膜?.1%的H2O2溶液浸泡10分鐘后取出于40°C干燥，引入0.45mmol/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入50mmol/L的FeCl3氯仿溶液,浸泡3分鐘后取出，吸附7.2mmol/m2的FeCl3，待溶劑揮發(fā)后將附有FeCl3氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于50mmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩氯仿溶液中，于15°C靜置10小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈?，即得PI/PEDOT復(fù)合膜。
[0018]實(shí)施實(shí)例2
[0019]將聚酰亞胺膜浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈伞⒈砻嫣幚淼木埘啺纺ぴ?.0%的H2O2溶液浸泡10分鐘后取出于40°C干燥，引入0.9mmol/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入50mmol/L的FeCl3氯仿溶液,浸泡3分鐘后取出涼干,吸附8.5mmol/m2的FeCl3。將附有復(fù)合氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于50mmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩氯仿溶液中于25°C靜置10小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈?，即得PI/PED0T復(fù)合膜。
[0020]實(shí)施實(shí)例3
[0021]將聚酰亞胺膜浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈?。將表面處理的聚酰亞胺膜?.0%的H2O2溶液浸泡10分鐘后取出于40°C干燥，引入2.5mmol/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入70mmol/L的FeCl3氯仿溶液,浸泡3分鐘后取出涼干,吸附6.0mmoI/m2的FeCl3。將附有復(fù)合氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于70mmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩氯仿溶液中于25°C靜置10小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈?，即得PI/PED0T復(fù)合膜。
[0022]實(shí)施實(shí)例4
[0023]將聚酰亞胺膜浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈伞Ｔ诳諝庵幸暂椛漭敵鰹?mW/cm2的氙準(zhǔn)分子172nm真空紫外光源照射聚酰亞胺膜，控制光窗與聚酰亞胺膜間的距離3-4mm，照射時(shí)間4分鐘。照射后立即將曝光聚酰亞胺膜浸入5.0%的H2O2溶液,浸泡10分鐘后取出于40°C干燥,引入5.0mmoI/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入50mmol/L的FeCl3氯仿溶液5分鐘后取出涼干，吸附7.0mmoI/m2的FeCl3。將附有復(fù)合氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于lOOmmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩的氯仿溶液中于30°C靜置10小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈桑吹肞I/PED0T復(fù)合膜。
[0024]實(shí)施實(shí)例5
[0025]將聚酰亞胺膜浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈?。將表面處理的聚酰亞胺膜?.0%的H2O2溶液浸泡10分鐘后取出于40°C干燥，引入2.5mmol/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入80mmol/L的對(duì)甲基苯磺酸鐵的丁醇溶液,浸泡3分鐘后取出涼干，吸附lOmmol/m2的對(duì)甲基苯磺酸鐵。將附有復(fù)合氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于lOOmmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩乙腈溶液中，于35°C靜置2小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈桑吹肞I/PED0T復(fù)合膜。
[0026]實(shí)施實(shí)例6
[0027]將聚酰亞胺膜浸入10%Na0H溶液15min后取出，用稀鹽酸中和，用蒸餾水沖洗，用氮?dú)獯蹈?。在空氣中以輻射輸出?mW/cm2的氙準(zhǔn)分子172nm真空紫外光源照射聚酰亞胺膜，控制光窗與聚酰亞胺膜間的距離3-4mm，照射時(shí)間4分鐘。照射后立即將曝光聚酰亞胺膜浸入5.0%的H2O2溶液,浸泡10分鐘后取出于40°C干燥,引入5.0mmoI/m2過(guò)氧基團(tuán)，再浸入80mmol/L的對(duì)甲基苯磺酸鐵的丁醇溶液,浸泡5分鐘后取出涼干,吸附8mmol/m2的對(duì)甲基苯磺酸鐵。將附有復(fù)合氧化劑的聚酰亞胺膜懸掛于200mmol/L的3，4-乙撐二氧噻吩的碳酸二丁酯溶液中于35°C靜置4小時(shí)。取出后用去離子水和無(wú)水乙醇清洗并用氮?dú)獯蹈?，即得PI/PEDOT復(fù)合膜。
[0028]以四探針電阻測(cè)試儀測(cè)量實(shí)施例中所得聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的表面電阻，所得結(jié)果列于表-1。復(fù)合膜的表面電阻可在80到4X IO3 Ω/□變化。隨FeCl3和H2O2溶液濃度和浸泡時(shí)間增加，引入的氧化劑量增加，所得復(fù)合膜的表面電阻下降。真空紫外輻射可提高過(guò)氧基含量，進(jìn)一步降低復(fù)合膜的表面電阻。
[0029]表-1液相沉降聚合合成聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的表面電阻
[0030]
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,在聚合物基材表面制作氧化劑膜后浸入3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液，使3，4-乙撐二氧噻吩單體在聚合物基材表面氧化聚合，生成導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述制作的方法為3，4-乙撐二氧噻吩單體從溶液沉降到聚合物基材表面氧化聚合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述氧化劑膜為表面化學(xué)轉(zhuǎn)化的有機(jī)過(guò)氧化物膜和物理吸附的無(wú)機(jī)氧化劑膜的復(fù)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述表面化學(xué)轉(zhuǎn)化為過(guò)氧化氫氧化、臭氧氧化、真空紫外光化學(xué)氧化和氧等離子體轟擊中的一種以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)過(guò)氧化物膜中使用的有機(jī)過(guò)氧化物為過(guò)氧化氫、過(guò)氧醚、過(guò)氧化酮和過(guò)氧酸的一種以上；所述有機(jī)過(guò)氧化物在基材表面的濃度為過(guò)氧基含量在0-20 mmol/m2。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)氧化劑膜中的無(wú)機(jī)氧化劑為三價(jià)鐵鹽、硝酸銅、二氧化錳或高錳酸鉀；所述三價(jià)鐵鹽為三氯化鐵、硫酸鐵和對(duì)甲基苯磺酸鐵的一種以上；所述氧化劑膜中無(wú)機(jī)氧化劑的吸附量為2-20 mmol/m2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液的濃度在30-300mmol/L ;所述溶液的溶劑為石油醚、環(huán)己烷、二氯甲烷、氯仿、乙腈、碳酸酯、乙酸丁酯、丁酮或丁醇的一種以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述氧化聚合在0-50°C進(jìn)行，反應(yīng)時(shí)間在0.2-20小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電`聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述基材為聚合物薄膜或增強(qiáng)復(fù)合材料；所述聚合物薄膜包括聚酰亞胺、聚酯、聚苯醚或聚苯硫醚；所述增強(qiáng)復(fù)合材料包括玻纖環(huán)氧復(fù)合材料、玻纖BT樹(shù)脂復(fù)合材料、玻纖不飽或聚酯復(fù)合材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種導(dǎo)電聚3，4-乙撐二氧噻吩復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述聚合物基材經(jīng)過(guò)表面化學(xué)改性或高能輻射改性；所述表面化學(xué)改性為水解或磺化，具體為以10%Na0H水溶液或30% H2SO4水溶液浸泡10-45分鐘，所述高能輻射處理為172nm真空紫外光化學(xué)氧化或氧等離子體處理。
【文檔編號(hào)】C08J7/04GK103665409SQ201310561809
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月12日
【發(fā)明者】李建雄, 張美娟, 劉安華 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)