光半導體密封用固化性組合物及使用其的光半導體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠形成耐沖擊性及粘接性優(yōu)異的固化物的光半導體密封用固化性組合物、及光半導體元件經(jīng)該光半導體密封用固化性組合物固化而成的固化物密封的光半導體裝置。所述光半導體密封用固化性組合物的特征在于，其包含：(A)直鏈狀氟代聚合物、(B)具有SiH基及含氟有機基團的含氟有機氫化硅氧烷、(C)鉑族金屬系催化劑、(D)具有SiH基、含氟有機基團及環(huán)氧基的環(huán)狀有機硅氧烷，其固化而得到的到固化物用JIS?K6253-3所規(guī)定的A型硬度計測得的硬度為30～80。
【專利說明】光半導體密封用固化性組合物及使用其的光半導體裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光半導體密封用固化性組合物及使用其的光半導體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為固化性組合物，公開了由一分子中至少具有兩個鏈烯基且在主鏈上具有全氟聚醚結(jié)構(gòu)的直鏈狀氟聚醚化合物、一分子中至少具有兩個以上直接鍵合在硅原子上的氫原子的含氟有機氫化硅氧烷及鉬族化合物所構(gòu)成的組合物，得到耐熱性、耐藥品性、耐溶劑性、脫模性、防水性、防油性、低溫特性等性質(zhì)均衡優(yōu)異的固化物(專利文獻I)。
[0003]而且，公開了通過向該組合物中添加具有氫化甲硅烷基和環(huán)氧基和/或三烷氧基甲硅烷基的有機聚硅氧烷，而賦予金屬及塑料基體材料以自粘接性的組合物(專利文獻2)。
[0004]另外，還公開了通過向該組合物中添加羧酸酐而提高相對于各種基體材料、特別是聚苯硫醚樹脂(PPS)或聚酰胺樹脂的粘接性的組合物(專利文獻3)。另外，在專利文獻4中，公開了即使在腐蝕性的酸性氣體或堿性氣體的存在下也可以防止亮度降低的組合物。
[0005]另外，作為提供與由上述專利文獻I~4中記載的該組合物得到固化物相比耐酸性得到提高的固化物的組合物，公開了將該直鏈狀氟聚醚化合物變更為由下述通式(I)表示的含氟聚合物而成的組合物(專利文獻6~7)。
[0006][化學式I]
[0007]
【權(quán)利要求】
1.一種光半導體密封用固化性組合物，其包含: (A)由下述通式(2)和/或下述通式(3)表示、且乙烯基含量為0.0250~`0.200mol/100g的直鏈狀氟代聚合物:100質(zhì)量份， [化學式I]
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其還包含: 作為(E)成分的由下述通式(5)所表示的環(huán)狀有機聚硅氧烷:0.010~10.0質(zhì)量份， 所述通式(5)所表示的環(huán)狀有機聚硅氧烷在一個分子中具有一個以上直接鍵合在硅原子上的氫原子(SiH基)，并且具有通過任選包含氧原子或氮原子的二價烴基鍵合在硅原子上的一價全氟烷基或一價全氟氧烷基、以及通過二價烴基鍵合在硅原子上的環(huán)狀羧酸酐殘基， [化學式4]
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述(B)成分、(D)成分各自所具有的一價全氟烷基或一價全氟氧烷基分別由下述通式(6)或通式(7)表示， CfF洲-(6) 式中，f為I~10的整數(shù)， [化學式5]
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述(B)成分、(D)成分、(E)成分各自所具有的一價全氟烷基或一價全氟氧烷基分別由下述通式(6)或通式(7)表不， CfF洲-(6)式中，f為I~10的整數(shù)， [化學式5]
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述光半導體密封用固化性組合物的JIS K 7117 -1所規(guī)定的在2 3 °C下的粘度為5 0.0~50，OOOmPa.S。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，使所述光半導體密封用固化性組合物固化而得到的固化物在25°C、589nm(鈉D線)下的折射率為1.30以上且低于1.40。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，由所述光半導體密封用固化性組合物固化而得到的固化物在25°C、589nm(鈉D線)下的折射率為1.30以上且低于1.40。
8.一種光半導體裝置，其具有:光半導體元件、以及由權(quán)利要求1~7中任一項所述的光半導體密封用固化性組合物固化而得到的固化物，所述固化物用于密封所述半導體元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光半導體裝置，其中，所述光半導體元件為發(fā)光二極管。
【文檔編號】C08L83/08GK103804880SQ201310538256
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月2日
【發(fā)明者】越川英紀, 小池則之 申請人:信越化學工業(yè)株式會社