專利名稱：具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于電路板生產(chǎn)并具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，印刷電路板在電子領(lǐng)域得到的廣泛的應(yīng)用。關(guān)于電路板的
Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, Α. Akahoshi, H. Mukoh, Α. Wajima, Μ. Res. Lab, High densitymultilayer printed circuit board for HITAC M-880, IEEE Trans. onComponents, Packaging, and Manufacturing Technology,1992,15(4) :418_425。隨著電路板產(chǎn)品層數(shù)增加，電路板產(chǎn)品在實(shí)際工作時(shí)，往往會(huì)產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象， 影響電路板信號(hào)傳送。這樣，在電路板產(chǎn)品中需要設(shè)置電磁屏蔽層。目前，采用的電磁屏蔽層通常采用厚度較小的不銹鋼片制作，將不銹鋼片設(shè)置于電路板產(chǎn)品的表面的覆蓋膜上， 從而起到電磁屏蔽的作用。然而，不銹鋼片的重量較大，從而增加了電路板產(chǎn)品的重量。并且不銹鋼片的撓折性較差，采用不銹鋼片制作的電磁屏蔽層影響柔性電路板撓折性能。并且，由于電路板上同時(shí)貼合覆蓋膜和不銹鋼片，使得電路板的厚度增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有必要提供一種覆蓋膜及其制作方法，所述覆蓋膜能夠應(yīng)用于電路板以起到電磁屏蔽作用。以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜及其制作方法。一種覆蓋膜，其包括依次堆疊的絕緣基材層、環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層及膠層。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層位于絕緣基材層和膠層之間。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料組成。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、碳納米管及無(wú)機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%。—種覆蓋膜的制作方法，包括步驟采用端羧基聚合物對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行改性以得到端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂；將碳納米管均勻分散于無(wú)機(jī)分散材料中，以得到碳納米管分散體；將所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂與碳納米管分散體進(jìn)行混合并研磨分散， 以得到環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料；提供絕緣基材層；將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層的一表面形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層；將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層固化；以及在固化的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層上形成膠層。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案提供的覆蓋膜，其包括絕緣基材層和環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層中由于具有分散均勻的碳納米管而具有電磁屏蔽作用， 所述覆蓋膜可以直接將其貼合于形成有導(dǎo)電線路的表面，該覆蓋膜既能起到將導(dǎo)電線路與外界絕緣的作用，也能到起到電磁屏蔽的作用，并且能夠減小電路板的厚度。本技術(shù)方案提供的覆蓋膜的制作方法，能夠簡(jiǎn)單的制作出具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜。


圖1是本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的覆蓋膜的剖視圖。圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的絕緣基材的剖視圖。圖3是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的在絕緣基材表面形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層后的剖視圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明覆蓋膜100絕緣基材層110第一表面111第二表面112環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120第三表面121膠層130
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本技術(shù)方案提供的具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜及其制作方法進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本技術(shù)方案提供一種覆蓋膜100，其包括依次堆疊的絕緣基材層110、 環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120及膠層130。絕緣基材層110用于承載環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120，并起到電絕緣的作用。本實(shí)施例中，絕緣基材層110的材質(zhì)為聚酰亞胺。絕緣基材層110的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，其厚度可以為10微米至50微米，優(yōu)選為25微米。環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120用于起到電磁屏蔽作用。環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要屏蔽的電磁干擾的強(qiáng)弱進(jìn)行設(shè)定。環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的厚度約為2微米至20微米，優(yōu)選為3微米。環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、碳納米管、無(wú)機(jī)分散材料、硬化劑、催化劑、溶劑及消泡劑。所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂為環(huán)氧樹(shù)脂與端羧基聚合物發(fā)生共聚合反應(yīng)后的產(chǎn)物，即環(huán)氧樹(shù)脂末端的環(huán)氧基與端羧基聚合物的末端的羧基發(fā)生反應(yīng)而生成一個(gè)酯基，從而得到有包括交替的環(huán)氧樹(shù)脂重復(fù)單元和端羧基聚合物的重復(fù)單元的聚合物。其中， 環(huán)氧樹(shù)脂可以為雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂，端羧基聚合物可以為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈(CTBN)。本實(shí)施例中，采用的環(huán)氧樹(shù)脂在未改性前的環(huán)氧當(dāng)量為180至195，優(yōu)選為188，羧基聚合物改性后的環(huán)氧樹(shù)脂的還氧當(dāng)量為323至352，優(yōu)選為337。端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比約為至65%，優(yōu)選約為60%。碳納米管作為導(dǎo)電材料，其均勻分散于端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂中，以起到電磁屏蔽作用。碳納米管在復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%。復(fù)合材料中碳納米管的含量多少可以根據(jù)實(shí)際需要得到復(fù)合材料的導(dǎo)電性能進(jìn)行確定。環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中碳納米管的含量越多，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的電阻越小，復(fù)合材料中碳納米管的含量越少，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的電阻越大。無(wú)機(jī)分散材料用于分散碳納米管，以使得碳納米管可以均勻分布于環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中。所述無(wú)機(jī)分散材料為納米粘土或者納米云母粉。所述納米粘土為2 1的頁(yè)硅酸鹽，其具體可以為蒙脫石(Montmor i 1 loni te，分子式為Mx (Al4_xMgx) Si8O20 (OH) 4)、 鋰蒙脫石(Hectorite，分子式為Mx(Mg6_xLix) Si8O2tl (OH)4)或者皂石(Saponite，分子式為 MxMg6(Si8^xAlx)O20(OH)4)等。其中，碳納米管與無(wú)機(jī)分散材料的質(zhì)量比為8至12比1。所述硬化劑用于對(duì)復(fù)合材料起到硬化作用。本實(shí)施例中，采用的硬化劑為雙氰胺 (Dicyandiamine)，所述硬化劑于環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料所占的質(zhì)量百分比約為5%。硬化劑的用量應(yīng)與端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂相對(duì)應(yīng)，其中端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂與硬化劑的質(zhì)量比約為13至14比1。所述催化劑為2- i^一烷基咪唑O-Undecylimidazole)，催化劑的含量與端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂的含量相互對(duì)應(yīng)。催化劑于環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分含量約為0.5%至1%，優(yōu)選為0.65%。所述溶劑為二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene glycolmonoethyl ether acetate)，所述溶劑在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中的含量約為20 %至 25%，優(yōu)選為對(duì)％。該溶劑用于溶解上述其他組分，以形成均勻的液態(tài)分散體系。所述消泡劑用于消除上述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中的泡沫，所述消泡劑在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比約為2%。所述消泡劑可以為市售的臺(tái)灣淳政公司生產(chǎn)的2183H消泡劑。優(yōu)選地，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中，端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂的質(zhì)量百分含量約為60.3%，碳納米管的質(zhì)量百分含量約為7.8%，無(wú)機(jī)分散材料的質(zhì)量百分含量約為 0.6%，硬化劑的質(zhì)量百分含量約為4.5%、催化劑的質(zhì)量百分含量約為0. 65%，溶劑的質(zhì)量百分含量約為24. 3%，消泡劑的質(zhì)量百分含量約為1. 85%。膠層130用于將覆蓋膜100貼合于電路板的表面。本實(shí)施例中，膠層130采用的材料為熱固性環(huán)氧樹(shù)脂膠。膠層130的厚度約為8至15微米，優(yōu)選為12微米。本技術(shù)方案還提供一種所述具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜100的制作方法，所述具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜100的制作方法包括如下步驟第一步，制作環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料可采用如下方法制作首先，采用端羧基聚合物改性環(huán)氧樹(shù)脂以得到端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂。將端羧基聚合物及環(huán)氧樹(shù)脂放置于共同放置于反應(yīng)容器中，并維持反應(yīng)溫度為 120攝氏度，在攪拌的條件下反應(yīng)約3小時(shí)，從而得到端羧基聚合物改性后環(huán)氧樹(shù)脂。本實(shí)施例中，采用的環(huán)氧樹(shù)脂為雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂，其環(huán)氧當(dāng)量為188。采用的端羧基聚合物可以為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈(CTBN)，反應(yīng)后得到的改性后的還氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量為337。經(jīng)過(guò)上述反應(yīng)，環(huán)氧樹(shù)脂末端的一個(gè)環(huán)氧基與端羧基聚合物末端的一個(gè)羧基相互結(jié)合，并脫除一個(gè)分子的水，從而得到一個(gè)酯基。從而相比于未進(jìn)行改性的環(huán)氧樹(shù)脂，改性后的環(huán)氧樹(shù)脂具有良好的柔軟性。當(dāng)然，采用的環(huán)氧樹(shù)脂不限于本實(shí)施例提供的雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂，其也可以為其他類型的環(huán)氧樹(shù)脂。采用的端羧基聚合物也不限于本實(shí)施例中提供的液態(tài)聚丁二烯丙烯腈，其也可以為端羧基聚酯等聚合物。然后，將碳納米管均勻分散于無(wú)機(jī)分散材料中以形成分散均勻的納米碳管分散體。采用物理方式將碳納米管分散于無(wú)機(jī)分散材料中。所述無(wú)機(jī)分散材料可以為層狀納米粘土或者納米云母粉。本實(shí)施例中，選用的無(wú)機(jī)分散材料為層狀納米粘土。配置質(zhì)量比8比1至12比1的納米碳管與層狀納米粘土，并通過(guò)攪拌或者震蕩的方式混合，使得碳納米管均勻分散于所述層狀納米粘土中。采用的層狀納米粘土可以為2 1的頁(yè)硅酸鹽， 其具體可以為蒙脫石、鋰蒙脫石或者皂石等。采用的碳納米管可以為單壁碳納米管，也可以為多壁碳納米管。最后，將端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進(jìn)行混合并研磨分散，從而得到環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中，采用三滾筒式研磨分散機(jī)對(duì)所述的端羧基聚合物改性環(huán)氧樹(shù)脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進(jìn)行研磨分散。將上述端羧基聚合物改性環(huán)氧樹(shù)脂、納米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑按照上述各自的含量投入于三滾筒式研磨分散機(jī)中，啟動(dòng)三滾筒式研磨分散機(jī)以進(jìn)行研磨分散，從而使得上述各組成中固體成份均勻分散于液體成分中，從而形成分散均勻的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料。本實(shí)施例中，在上述各成分中，端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂的質(zhì)量百分含量約為60. 3%，碳納米管的質(zhì)量百分含量約為7. 8%，無(wú)機(jī)分散材料的質(zhì)量百分含量約為0. 6%，硬化劑的質(zhì)量百分含量約為4. 5%、催化劑的質(zhì)量百分含量約為0. 65%，溶劑的質(zhì)量百分含量約為24. 3%，消泡劑的質(zhì)量百分含量約為1.85%。為了得到不同表面電阻率的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料，可以通過(guò)改變投料時(shí)納米碳管分散體的用量進(jìn)行控制。當(dāng)碳納米管占復(fù)合材料的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%之間，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料表面電阻率變化區(qū)間約為十萬(wàn)歐姆至十歐姆之間。其中，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中碳納米管的含量越大，環(huán)氧樹(shù)脂符合材料的表面電阻率越小。通過(guò)所述方法制作的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料，其粘度可以達(dá)到70000厘泊，外觀呈現(xiàn)黑色，微弱反光。在顯微鏡放大100倍觀測(cè)下，無(wú)孔洞。并具有良好的附著特性和焊錫特性， 并且能夠耐酸、堿及溶劑的腐蝕。溫度為25攝氏度時(shí)，在質(zhì)量百分含量為10%的鹽酸或質(zhì)量百分含量為10%的氫氧化鈉溶液中浸泡0. 5小時(shí)，均無(wú)剝落現(xiàn)象。在丙酮中浸泡17小時(shí)后進(jìn)行百格附著測(cè)試，也無(wú)剝落現(xiàn)象。請(qǐng)參閱圖2，第二步，提供絕緣基材層110，并將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層110的第一表面111，以形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120。絕緣基材層110為一層絕緣基材膜，其可以由聚酰亞胺(PI)制成。絕緣基材層110 的厚度為10微米至50微米。絕緣基材層110具有相對(duì)的第一表面111和第二表面112。請(qǐng)參閱圖3，第三步，將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層110的第一表面 111，以形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120。本實(shí)施例中，采用狹縫式涂布機(jī)將液態(tài)的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層 110的第一表面111，以形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120。本實(shí)施例中由于采用狹縫式涂布機(jī)進(jìn)行涂布，可以控制形成的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的厚度滿足要求并且涂層均勻。本實(shí)施例中，形成的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的厚度為2微米至20微米，優(yōu)選為3至10微米。 環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120具有遠(yuǎn)離絕緣基材層110的第三表面121。第四步，對(duì)絕緣基材層110涂布形成的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120進(jìn)行處理，以使得環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120固化。本實(shí)施例中，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120固化采用的方法為預(yù)烘烤及熟化處理。在對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120進(jìn)行預(yù)烘烤的持續(xù)的時(shí)間約為15分鐘，預(yù)烘烤時(shí)保
6持的溫度約為80攝氏度。通過(guò)進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使得環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120中的溶劑揮發(fā)。
在對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120進(jìn)行熟化處理時(shí)，熟化處理時(shí)保持的溫度約為180 攝氏度，持續(xù)的時(shí)間約為120分鐘。通過(guò)熟化處理后，使得環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120中的端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、無(wú)機(jī)分散材料、硬化劑、催化劑及消泡劑等之間發(fā)生反應(yīng)，使得環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120形成固態(tài)的膜狀結(jié)構(gòu)?？梢岳斫獾氖牵M(jìn)行預(yù)烘烤和熟化的持續(xù)時(shí)間和溫度可以根據(jù)實(shí)際的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的厚度進(jìn)行確定，當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120厚度較大時(shí)，可以將處理的時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)或溫度適當(dāng)調(diào)高，而當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120厚度較小時(shí)，可以將處理的時(shí)間適當(dāng)縮短或溫度適當(dāng)降低，以保證環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120能夠形成固態(tài)膜狀結(jié)構(gòu)。請(qǐng)一并參閱圖3和圖1，第五步，在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層120的第三表面121上形成膠層130。本實(shí)施例中，采用狹縫式涂布機(jī)將液態(tài)的膠層材料涂布于環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層 120的表面。采用的液態(tài)膠層材料為熱固性環(huán)氧樹(shù)脂膠?？刂菩纬傻哪z層130的厚度為5 至8微米。在涂布形成膠層130之后，還可以進(jìn)一步包括對(duì)形成的膠層130進(jìn)行烘烤的步驟， 使得形成的膠層130半固化狀態(tài)，以方便形成的覆蓋膜100的存儲(chǔ)和應(yīng)用。本實(shí)施例中，對(duì)形成的膠層130進(jìn)行烘烤的時(shí)間為15分鐘，烘烤持續(xù)的時(shí)間為100攝氏度。制作形成的覆蓋膜100不直接進(jìn)行應(yīng)用時(shí)，可以將覆蓋膜100放置于低溫環(huán)境下存儲(chǔ)，存儲(chǔ)的溫度可以大約為5攝氏度。本技術(shù)方案提供的覆蓋膜，其包括絕緣基材層和環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層中具有分散均勻的碳納米管而具有電磁屏蔽作用，所述覆蓋膜可以直接將其貼合于形成有導(dǎo)電線路的表面，該覆蓋膜既能起到將導(dǎo)電線路與外界絕緣的作用，也能到起到電磁屏蔽的作用，并且能夠減小電路板的厚度。本技術(shù)方案提供的覆蓋膜的制作方法，能夠簡(jiǎn)單的制作出具有電磁屏蔽作用的覆蓋膜?？梢岳斫獾氖?，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種覆蓋膜，其包括依次堆疊的絕緣基材層、環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層及膠層，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層位于絕緣基材層和膠層之間，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料組成，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、碳納米管及無(wú)機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中所占的質(zhì)量百分比為4. 6%至16%。
2.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂為液態(tài)聚丁二烯丙烯腈改性的雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂。
3.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中的質(zhì)量百分比為55%至65%。
4.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述無(wú)機(jī)分散材料為納米粘土或者納米云母粉。
5.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述碳納米管與無(wú)機(jī)分散材料的質(zhì)量比為8至12比1。
6.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料復(fù)合材料還包括硬化劑、溶劑、催化劑及消泡劑，所述硬化劑為雙氰胺，所述溶劑為二乙二醇單乙醚醋酸酯， 所述催化劑為2-十一烷基咪唑。
7.如權(quán)利要求1所述的覆蓋膜，其特征在于，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層的厚度為2微米至20微米，所述絕緣基材層的厚度為10微米至50微米，所述膠層的厚度為8至15微米。
8.一種覆蓋膜制作方法，包括步驟采用端羧基聚合物對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行改性以得到端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂；將碳納米管均勻分散于無(wú)機(jī)分散材料中，以得到碳納米管分散體；將所述端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂與碳納米管分散體進(jìn)行混合并研磨分散，以得到環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料；提供絕緣基材層；將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料涂布于絕緣基材層的表面形成環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層；將所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層固化；以及在固化的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層上形成膠層。
9.如權(quán)利要求8所述的覆蓋膜制作方法，其特征在于，所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料采用狹縫式涂布機(jī)涂布于絕緣基材層的一個(gè)表面，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層的厚度為2微米至20微米。
10.如權(quán)利要求8所述的覆蓋膜制作方法，其特征在于，對(duì)所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層采用預(yù)烘烤及熟化處理使得所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層固化，在涂布形成膠層之后，還對(duì)所述膠層進(jìn)行烘烤以使其半固化。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種覆蓋膜，其包括依次堆疊的絕緣基材層、環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層及膠層。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層位于絕緣基材層和膠層之間。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料層由環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料組成。所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料包括端羧基聚合物改性的環(huán)氧樹(shù)脂、碳納米管及無(wú)機(jī)分散材料，所述碳納米管在所述環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料所占的質(zhì)量百分比為4.6％至16％。本發(fā)明還提供一種所述覆蓋膜的制作方法。
文檔編號(hào)C08K3/34GK102378561SQ20101025729
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者何明展 申請(qǐng)人:富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司