專利名稱：電攝影感光體、成像處理盒和電攝影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電攝影感光體、成像處理盒和電子感光體，更詳細(xì)的說，本發(fā)明涉及具有支持體和支持體上的感光層、而該感光層含有特定的高分子量電荷輸送物質(zhì)的電攝影感光體，具有該電攝影感光體的成像處理盒和電攝影裝置背景技術(shù)從即時(shí)性和為了獲得高質(zhì)量的圖象考慮，人們已在復(fù)印機(jī)、打印機(jī)的領(lǐng)域廣泛地使用電攝影技術(shù)。
作為在電攝影裝置中使用的圖像保持部件的代表性例子之一，可以舉出電攝影感光體。作為可用于電攝影感光體中的光導(dǎo)電性物質(zhì)，已知的有硒、硫化鎘和氧化鋅無機(jī)光電導(dǎo)性物質(zhì)。但是在近年來，從無公害性、高生產(chǎn)率、材料設(shè)計(jì)的容易性和前景性等的觀點(diǎn)考慮，人們正在開發(fā)有機(jī)的光導(dǎo)電性物質(zhì)。
對于電攝影感光體，人們當(dāng)然要求其具有符合于所用的電攝影工藝的電學(xué)、機(jī)械以及光學(xué)特性等各種各樣的特性。特別是對于反復(fù)使用的電攝影感光體，由于直接地或間接地反復(fù)經(jīng)受充電、曝光、顯影、轉(zhuǎn)印、清潔等電力或機(jī)械力，因此要求其具有耐久性。
在使用有機(jī)光導(dǎo)電性物質(zhì)的有機(jī)電攝影感光體中，通常是將有機(jī)光導(dǎo)電性物質(zhì)溶解或分散于粘合劑樹脂中，將其形成涂膜后使用。該涂膜是通過將有機(jī)光導(dǎo)電性物質(zhì)和粘合劑樹脂一起溶解或分散于溶劑中，然后將其涂布和干燥來形成的。
作為粘合劑樹脂，可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯等的乙烯基聚合物，以及聚碳酸酯、聚酯、多芳基化樹脂、聚砜、苯氧基樹脂、環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂及它們的共聚物等的材料。
有機(jī)電攝影感光體具有大規(guī)模的生產(chǎn)率高，可以按較低成本生產(chǎn)等諸多優(yōu)點(diǎn)，但是它不能完全滿足作為電攝影感光體所必須的全部要求，因此仍有改善的余地。
關(guān)于電攝影的功能性和特性，雖然利用有機(jī)電攝影感光體可以生產(chǎn)出優(yōu)良的電攝影感光體，但是對于其他的特性，特別是有機(jī)電攝影感光體的耐久性，人們希望能夠獲得改善。
作為用于提高有機(jī)電攝影感光體的耐久性的方法之一，有人提出使用機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的各種粘合劑樹脂的方案。但是，即使粘合劑樹脂本身具有優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度，但是由于要與低分子量的電荷輸送物質(zhì)混合使用，因此粘合劑樹脂本來的膜強(qiáng)度就不能充分有效的利用，因此在耐磨損性、耐擦傷性方面未必能獲得充分的耐久性。
為了有效地利用粘合劑樹脂本來的膜強(qiáng)度，可以減少電荷輸送物質(zhì)的添加量。但是在此情況下就會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)致電攝影靈敏度降低或殘留電位上升的問題。因此不能同時(shí)兼顧膜強(qiáng)度和電攝影特性兩方面。
為了改善由于添加低分子量電荷輸送物質(zhì)所導(dǎo)致的膜強(qiáng)度降低的情況，特開昭64-9964號公報(bào)，特開平2-282263號公報(bào)、特開平3-221522號公報(bào)、特開平8-208820號公報(bào)等提出了使用高分子量電荷輸送物質(zhì)的技術(shù)方案。
然而，這些方法多數(shù)都未必能夠獲得充分的耐磨損性，即使在具有某種程度的膜強(qiáng)度的場合，其制造成本也非常高，因此不實(shí)用，這是其缺點(diǎn)。
另外，從電攝影感光體的耐磨損性或其成本的觀點(diǎn)考慮，在將這些高分子量電荷輸送物質(zhì)與絕緣性樹脂合并使用的場合，粘合性樹脂與高分子量電荷輸送物質(zhì)的相容性往往很差，不能制成可以獲得良好圖像質(zhì)量的電攝影感光體，或者其耐磨損性變差。
另外，作為其他種類的高分子量電荷輸送物質(zhì)，有人提出使用具有三苯胺重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)(國際專利申請公開號WO99/32537)。這種結(jié)構(gòu)的高分子量電荷輸送物質(zhì)與絕緣性樹脂的相容性良好，因此具有高的機(jī)械強(qiáng)度和高的遷移率(mobility)。
由于提高了電攝影感光體的耐久性，因此有必要在長期間的反復(fù)使用電攝影感光體時(shí)提供穩(wěn)定的特性，但是作為這時(shí)的電荷輸送物質(zhì)，必須具有難以發(fā)生劣化，特別是在電攝影感光體充電時(shí)難以被臭氧、活性氧引起的氧化劣化的特性。
可是，在上述的公報(bào)(國際專利申請公開號WO99/32537)中公開的高分子量電荷輸送物質(zhì)，在具有高機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，卻容易發(fā)生氧化劣化，在反復(fù)使用時(shí)的特性變化往往較大。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種在作為電攝影感光體時(shí)具有高的機(jī)械強(qiáng)度，而且在反復(fù)使用時(shí)具有穩(wěn)定特性的電攝影感光體。更詳細(xì)地說，由于在電攝影感光體的感光層內(nèi)含有一種即便在長時(shí)間的使用時(shí)也難以引起劣化的，具有電攝影感光體特性的高穩(wěn)定性的高分子量電子輸送物質(zhì)，因此作為電攝影感光體可以達(dá)到長壽命化，即便反復(fù)地使用也能獲得穩(wěn)定的特性。
另外，本發(fā)明的目的是提供一種具有上述電攝影感光體的成像處理盒和電攝影裝置。
本發(fā)明者們?yōu)榱烁纳粕鲜稣n題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。
也就是說，本發(fā)明提供一種電攝影感光體，它包括支持體和支持體上的感光層，其中該感光層含有具有由下述式(1)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)；并且該高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)為1500或更高，并且按照半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)為-8.3eV至-8.0eV。 式(1)中，Ar11表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基。Ar12表示具有從下述式(2)、下述式(2)′和下述式(2)″中選擇的式表示的結(jié)構(gòu)的2價(jià)基團(tuán)。 式(2)中，Ar21和Ar22各自獨(dú)立地表示取代或無取代的3價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的3價(jià)雜環(huán)基。A21和A22各自獨(dú)立地表示單鍵；或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素；或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素；或16族元素。c表示0或1，當(dāng)c為0時(shí)，表示Ar21和Ar22直接結(jié)合。
式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自獨(dú)立地表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基。A21′表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基、或電子吸引基的14族元素；或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、或電子吸引基的15族元素；或16族元素。c′表示0或1，當(dāng)c′為0時(shí)，表示Ar21′和Ar22′直接結(jié)合。
式(2)″中，Ar21″表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基。c″表示1或1以上的整數(shù)。但是，當(dāng)c″為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Ar21″可以相同或不同。
另外，本發(fā)明提供一種具有上述電攝影感光體的成像處理盒和電攝影裝置。


圖1是表示具有本發(fā)明的電攝影感光體的電攝影裝量的大致結(jié)構(gòu)的一例的附圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電攝影感光體包含支持體和支持體上的感光層，該感光層含有具有上式(1)所示重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)。
所述高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)為1,500或更高，并且其按照半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平為-8.3eV至-8.0eV。
如上所述，在本發(fā)明中，高分子量電荷輸送物質(zhì)的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)可以通過半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算求得。
在本發(fā)明中，所謂“半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算”是指“利用使用PM3參數(shù)進(jìn)行半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化計(jì)算”。
在分子軌道法中，薛定鍔方程式中使用的波動(dòng)函數(shù)使用由以原子軌道的線性組合表示的分子軌道組成的斯萊特(Slatter)行列式或高斯(Gauss)行列式模擬出來，并且使用場的模擬求出構(gòu)成上述波動(dòng)函數(shù)的分子軌道，從而就可以計(jì)算出作為波動(dòng)函數(shù)或波動(dòng)函數(shù)的期待值的各種物理量。
在利用場的模擬值來計(jì)算分子軌道時(shí)，對計(jì)算時(shí)間所需的積分計(jì)算進(jìn)行種種實(shí)驗(yàn)，利用這些使用上述實(shí)驗(yàn)值獲得的參數(shù)并通過近似處理來縮短計(jì)算時(shí)間，這就是半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道法。
按照本發(fā)明的計(jì)算，由于計(jì)算對象是高分子量物質(zhì)，因此所需計(jì)算的原子數(shù)多，所以采用了可以縮短計(jì)算時(shí)間的半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道法。使用PM3參數(shù)組作為半經(jīng)驗(yàn)的參數(shù)。利用半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算程序MOPAC進(jìn)行計(jì)算。
這樣，高分子量電荷輸送物質(zhì)的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)就可以利用半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算程序求出。
作為上述式(1)中的Ar11表示的1價(jià)芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基等；作為1價(jià)的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、聯(lián)二吡啶基、聯(lián)三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等。
其中，作為芳香環(huán)基，優(yōu)選是苯基；作為雜環(huán)基，優(yōu)選是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
另外，作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、芳醚基、芳硫醚基、N-(烷基)2基、N-(芳基)2基、鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中，優(yōu)選是氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基和氟苯基。
作為上述式(2)中的Ar21和Ar22表示的3價(jià)芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基等，作為3價(jià)的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基等。其中優(yōu)選是苯基。
另外，作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中，優(yōu)選是氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基和氟苯基。
作為上述式(2)中的A21、A22表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺和錫，其中優(yōu)選是碳和硅。
在該14族元素上可以具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、三氟甲基、氟苯基等，其中，優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基和烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等。其中，優(yōu)選是甲基、苯基、氟。
另外，作為上述式(2)中的A21、A22表示的15族元素，可以舉出氮、磷等，其中優(yōu)選是氮。
在該15族元素上可以具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為電子吸引基，可以舉出三氟甲基和氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(2)中的A21、A22表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選為氧、硫。
作為上述式(2)′中的Ar21′、Ar22′表示的2價(jià)芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基等；作為2價(jià)的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基等。其中優(yōu)選為苯基。
另外，作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中優(yōu)選為氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作為上述式(2)′中的A21′表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上可以具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、三氟甲基、氟苯基等。其中，優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(2)′中的A21′表示的15族元素，可以舉出氮、磷等，其中優(yōu)選為氮。
在該15族元素上可以具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為電子吸引基，可以舉出三氟甲基、氟苯基等。其中，優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，優(yōu)選是甲基、苯基。
另外，作為上述式(2)′中的A21′、A22′表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選為氧、硫。
作為上述式(2)″中的Ar21″表示的2價(jià)芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基等；作為2價(jià)的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基等。其中，優(yōu)選為苯基、吡啶基。
另外，作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中優(yōu)選為氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氫基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
另外，上述高分子量電荷輸送物質(zhì)優(yōu)選具有由下述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(11)中，R1101～R1113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。但是，在R1101～R1113中至少有一個(gè)為電子吸引基。
作為在上述式(11)中的R1101～R1113表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中，優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基；作為電子吸引基，優(yōu)選是氟、三氟甲基、氟苯基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等。其中優(yōu)選是甲基、苯基。
進(jìn)而，具有由上述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，優(yōu)選還具有由下述式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(12)中，R1201～R1213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。但是，式(11)和式(12)表示同樣結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為在上述式(12)中的R1201～R1213表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中，優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基；作為電子吸引基，優(yōu)選是氟、三氟甲基、氟苯基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選是甲基、苯基。
另外，上述的高分子量電荷輸送物質(zhì)，優(yōu)選還具有由下述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(21)中，R2101～R2113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。A2101表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素。
作為上述式(21)中的R2101～R2113表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(21)中的A2101表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為在上述式(21)中的A2101表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中，優(yōu)選為氧、硫。
另外，上述的高分子量電荷輸送物質(zhì)，優(yōu)選還具有由下述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(22)中，R2201～R2211各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。A2201表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素。
作為上述式(22)中的R2201～R2211表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(22)中A2201表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(22)中的A2201表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選是氧、硫。
進(jìn)而，具有由上述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和由上述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元中至少一種的高分子量電荷輸送物質(zhì)，更優(yōu)選還具有由下述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(23)中，R2301～R2313各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。但是，當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)和式(23)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述式(23)中的R2301～R2313表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，上述的高分子量電荷輸送物質(zhì)，還優(yōu)選具有由下述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(31)中，R3101～R3105各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。Z3101表示取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基。d表示1或更大的整數(shù)。但是，當(dāng)d為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Z3101可以相同或不同。
作為在上述式(31)中的R3101～R3105表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(31)中的Z3101表示的2價(jià)雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中優(yōu)選是吡啶基。
作為這些雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中優(yōu)選是氫、甲基、乙基、三氟甲基。
進(jìn)而，具有由上述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，優(yōu)選還具有由下述式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(32)中，R3201～R3213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。但是，當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)與式(32)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(23)與式(32)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述(32)中的R3201～R3213表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還優(yōu)選具有由下述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(41)中，Z4101表示取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基。R4106～R4113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。
作為上述式(41)中的Z4101表示的1價(jià)雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、聯(lián)二吡啶基、聯(lián)三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中優(yōu)選是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作為這些雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中優(yōu)選是氫、甲基、乙基、三氟甲基。
作為上述式(41)中的R4106～R4113表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，具有由上述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，還優(yōu)選具有由下述式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(42)中，R4201～R4213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。但是，當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)與式(42)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(23)與式(42)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(32)與式(42)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述式(42)中的R4201～R4213表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還優(yōu)選具有由下述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(51)中，Ar5101表示至少被1個(gè)電子吸引基取代的芳香環(huán)基，或者為取代或無取代的雜環(huán)基。R5101～R5106各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。另外，R5103和R5105可以通過具有至少一個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。A5101表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素；或者表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素；或者表示16族元素。
作為上述式(51)中的Ar5101表示的芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基；作為雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、聯(lián)二吡啶基、聯(lián)三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；其中，作為芳香環(huán)基，優(yōu)選是苯基；作為雜環(huán)基，優(yōu)選是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作為這些芳香環(huán)基上具有的至少一個(gè)的電子吸引基，可以舉出鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基；其中優(yōu)選是氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的電子吸引基以外的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、芳基醚基、芳基硫醚基、N-(烷基)2基、N-(芳基)2基；其中，優(yōu)選為氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基和乙氧基。
作為上述式(51)中的R5101～R2106表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
上述式(51)中的R5103和R5105在通過具有至少一個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的場合，作為具有至少一個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)，可以舉出取代或無取代的14族元素、取代或無取代的15族元素、16族元素、取代或無取代的烷撐(alkylene)、取代或無取代的烷叉(alkyledene)等，其中優(yōu)選是取代或無取代的烷撐、取代或無取代的烷叉。作為這些烷撐、烷叉上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(51)中的A5101表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等；其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(51)中的A5101表示的15族元素，可以舉出氮、磷等，其中優(yōu)選為氮。
在該15族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(51)中的A5101表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選為氧、硫。
另外，具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，還優(yōu)選具有由下述式(52)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(52)中，Ar5201表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基。R5201～R5206各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。另外，R5203和R5205可以通過具有至少1個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。A5201表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素；或者表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素；或者表示16族元素。但是，式(51)與式(52)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述式(52)中的Ar5201表示的芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基；作為雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、聯(lián)二吡啶基、聯(lián)三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；其中，作為芳香環(huán)基，優(yōu)選是苯基；作為雜環(huán)基，優(yōu)選是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作為這些芳香環(huán)基、雜環(huán)基上可以具有的取代基，可以舉出氫、碳原子數(shù)1～8的烷基、碳原子數(shù)6～12的芳基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、鹵素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等，其中優(yōu)選為氫、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作為上述式(52)中的R5201～R5206表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基和烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟和三氟甲基，其中優(yōu)選甲基和苯基。
當(dāng)上述式(52)中的R5203和R5205通過具有至少1個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的場合，作為具有至少1個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)，可以舉出取代或無取代的14族元素、取代或無取代的15族元素、16族元素、取代或無取代的烷撐、取代或無取代的烷叉等，其中優(yōu)選的是取代或無取代的烷撐、取代或無取代的烷叉。作為這些烷撐、烷叉上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選的是甲基、苯基。
作為上述式(52)中的A5201表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等；其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(52)中的A5201表示的15族元素，可以舉出氮、磷等，其中優(yōu)選為氮。
在該15族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(52)中的A5201表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲，其中優(yōu)選為氧、硫。
進(jìn)而，具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，還優(yōu)選具有由下述式(53)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(53)中，Ar5301表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的雜環(huán)基。但是，當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(31)與式(53)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(41)與式(53)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)上述高分子量電荷輸送物質(zhì)還是具有由式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(42)與式(53)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述式(53)中的Ar5301表示的1價(jià)芳香環(huán)基，可以舉出苯基、萘基；作為1價(jià)的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、聯(lián)二吡啶基、聯(lián)三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。其中，作為芳香環(huán)基，優(yōu)選為苯基；作為雜環(huán)基，優(yōu)選為吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
另外，在上述式(53)中，Ar5302表示選自(i)、(i)、(iii)和(iv)中的基團(tuán)。
(i)具有由下述式(54)表示的結(jié)構(gòu)的基團(tuán)； 在上述式(54)中，R5401～R5408各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。A5401表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素。但是，當(dāng)上述的高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(21)與其中的Ar5302為由式(54)表示的基團(tuán)的式(53)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為上述式(54)中的R5401～R5408表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(54)中的A5401表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(54)中的A5401表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選為氧、硫。
(ii)具有由下述式(55)表示的結(jié)構(gòu)的基團(tuán) 在上述式(55)中，R5501～R5506各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。A5501表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的15族元素，或16族元素。但是，當(dāng)上述的高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(22)與其中的Ar5302為由式(55)表示的基團(tuán)的式(53)為相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
作為在上述式(55)中的R5501～R5506表示的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
作為上述式(55)中的A5501表示的14族元素，可以舉出碳、硅、鍺、錫等，其中優(yōu)選為碳、硅。
在該14族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(55)中的A5501表示的15族元素，可以舉出氮、磷等，其中優(yōu)選為氮。
在該15族元素上具有的取代基中，作為烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基等；作為芳基，可以舉出苯基、萘基等；作為電子吸引基，可以舉出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中優(yōu)選為甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作為這些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中優(yōu)選為甲基、苯基。
另外，作為上述式(55)中的A5501表示的16族元素，可以舉出氧、硫、硒、碲等，其中優(yōu)選為氧、硫。
(iii)取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基或其多聚體；(iv)取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基或其多聚體。
下面舉出具有由上述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(11-1)、(11-2)、(11-4)、(11-5)、(11-9)、(11-10)、(11-14)、(11-15)、(11-16)、(11-17)、(11-18)、(11-19)、(11-20)。
下面舉出具有由上述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和由上述式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(13-1)、(13-2)、(13-9)、(13-10)、(13-11)、(13-12)、(13-13)、(13-14)、(13-19)、(13-20)、(13-21)。
下面舉出具有由上述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。
其中，優(yōu)選的是(21-4)、(21-7)、(21-10)、(21-12)、(21-13)、(21-15)、(21-20)、(21-30)、(21-31)、(21-32)、(21-33)、(21-34)、(21-36)、(21-37)、(21-38)。
下面舉出具有由上述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。
其中，優(yōu)選的是(22-2)、(22-7)、(22-9)、(22-10)、(22-11)、(22-12)、(22-14)、(22-15)、(22-16)、(22-17)。
下面舉出具有由上述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(24-1)、(24-2)、(24-3)、(24-6)、(24-7)、(24-8)、(24-9)、(24-11)、(24-12)、(24-13)、(24-14)。
下面舉出具有由上述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(25-2)、(25-3)、(25-4)、(25-5)、(25-6)、(25-7)、(25-8)、(25-10)、(25-11)、(25-12)、(25-13)。
下面舉出具有由上述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(31-1)、(31-2)、(31-5)、(31-10)、(31-11、(31-12)。
下面舉出具有由上述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(33-1)、(33-2)、(33-3)、(33-5)、(33-7)。
下面舉出具有由上述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(41-1)、(41-4)、(41-6)、(41-9)、(41-11)。
下面舉出具有由上述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(43-3)、(43-4)、(43-5)、(43-8)、(43-9)、(43-10)、(43-11)、(43-12)、(43-13)。
下面舉出具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(51-1)、(51-2)、(51-3)、(51-8)、(51-10)、(51-15)、(51-16)、(51-17)、(51-18)、(51-27)、(51-28)、(51-29)、(51-30)、(51-35)、(51-36)、(51-37)、(51-38)、(51-39)、(51-40)、(51-41)、(51-42)。
下面舉出具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(52)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。
其中，優(yōu)選的是(56-1)、(56-2)、(56-3)、(56-4)、(56-9)、(56-10)、(56-11)、(56-12)、(56-25)、(56-27)、(56-28)、(56-33)、(56-35)、(56-36)、(56-38)、(56-39)、(56-40)、(56-46)、(56-47)、(56-48)。
下面舉出具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與由上述式(53)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的具體實(shí)例。 其中，優(yōu)選的是(57-1)、(57-3)、(57-6)、(57-7)、(57-8)、(57-10)、(57-12)、(57-15)、(57-16)、(57-17)、(57-19)、(57-21)、(57-26)、(57-28)、(57-30)、(57-35)。
在上述各具體實(shí)例中，n和m各自為至少為1的整數(shù)。
當(dāng)如上所述的高分子量電荷輸送物質(zhì)滿足(i)按半經(jīng)驗(yàn)的軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)為-8.3eV至-8.0eV，并且(ii)其重均分子量(Mw)滿足1500或更高的特性的場合，就可以提供一種具有符合目標(biāo)的高的機(jī)械強(qiáng)度，而且在長時(shí)期內(nèi)使用時(shí)也能穩(wěn)定地發(fā)揮電攝影感光體的特性的電攝影感光體。
按照上述的計(jì)算方法，高分子量電荷輸送物質(zhì)的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)可以利用前述的半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算程序容易地求得。
按照分子軌道法計(jì)算出的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)的數(shù)值表示對象物固有的化學(xué)反應(yīng)活性。
在本發(fā)明的電攝影感光體中使用的高分子量電荷輸送物質(zhì)由于具有上述特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，因此，整個(gè)分子形成了通過氮原子上的多余電子對，在苯基上、特別是在構(gòu)成主鏈的苯基上的類似π其軛體系結(jié)構(gòu)。
這種π共軛體系結(jié)構(gòu)一般說來是電荷輸送能力(遷移率，mobility)高的結(jié)構(gòu)。
然而，作為遷移率提高的弊病，最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)也增高，因此使得對化學(xué)反應(yīng)敏感，例如容易與由于帶電時(shí)的放電所導(dǎo)致產(chǎn)生的臭氧或活性氧或者稱為NOx的活性化學(xué)物質(zhì)反應(yīng)，其結(jié)果，引起了電攝影感光體的劣化和電攝影特性的劣化。
因此，為了提高電攝影感光體的耐久性，即使在反復(fù)使用時(shí)也不會(huì)引起特性惡化，就必須把具有上述特定重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)降低到一定值以下。
對于高分子量電荷輸送物質(zhì)的化學(xué)改性，以使最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)變低為宜，但是，為了起到作為電攝影感光體用的電荷輸送物質(zhì)的功能，很重要的一點(diǎn)是要發(fā)生在電荷發(fā)生物質(zhì)與電荷輸送物質(zhì)之間的電荷遷移，而如果最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)過低，電荷輸送物質(zhì)與電荷發(fā)生物質(zhì)之間就會(huì)產(chǎn)生能級差距，從而導(dǎo)致電攝影感光體的特性惡化，因此必須對最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)進(jìn)行適度的控制。
通過半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)如果在-8.3eV至-8.0eV的范圍內(nèi)，就不會(huì)損害作為電攝影感光體的良好特性，從而可以提高電攝影感光體的耐久性，并能抑制由于反復(fù)使用所導(dǎo)致的電攝影感光體特性的劣化。
雖然對于在本發(fā)明中評價(jià)的電位變化的發(fā)現(xiàn)機(jī)理沒有詳細(xì)地探明，但是可以作如下的推斷。
作為電攝影感光體的特性劣化現(xiàn)象來評價(jià)的在反復(fù)使用時(shí)電位的變化，已知在電攝影處理時(shí)，主要在電攝影感光體充電時(shí)產(chǎn)生的臭氧或活性氧、NOx等導(dǎo)致的化學(xué)變質(zhì)會(huì)引起材料的劣化。
對于在本發(fā)明的電攝影感光體中使用的，具有能夠使最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)降低的上述特定重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)來說，與不能使最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)降低的物質(zhì)相比，在重復(fù)使用時(shí)的電位變化方面，可以看到明顯的優(yōu)越性。
其理由是，通過將最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)降低，可以使導(dǎo)致化學(xué)反應(yīng)或化學(xué)變質(zhì)的活性降低，因此難以發(fā)生變質(zhì)，從而能在長時(shí)期內(nèi)發(fā)揮電荷輸送物質(zhì)的特性。
另外，為了達(dá)到作為本發(fā)明的目的之一的電攝影感光體的機(jī)械強(qiáng)度的提高，很重要的一點(diǎn)是具有上述特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的分子量的大小。
為了使電攝影感光體的機(jī)械強(qiáng)度提高，具有上述特定重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)必須至少為1500。
另一方面，具有上述特定重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)優(yōu)選至多為6000，更優(yōu)選至多為4000。重均分子量(Mw)過大時(shí)，往往會(huì)使其與粘合樹脂的相溶性變差，而且，難以使按半經(jīng)驗(yàn)的軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)處于-8.3eV至-8.0eV的范圍內(nèi)。
另外，為了提高電攝影感光體的機(jī)械強(qiáng)度，上述特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)次數(shù)(重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目)的平均值優(yōu)選至少為6。
另一方面，上述特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)次數(shù)的平均值優(yōu)選至多為20。當(dāng)超過20時(shí)，往往會(huì)導(dǎo)致與粘合劑樹脂的相溶性變差，而且難以使按半經(jīng)驗(yàn)的軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)處于-8.3eV至-8.0eV的范圍內(nèi)。
分子量的提高與機(jī)械強(qiáng)度的關(guān)系雖然還設(shè)有詳細(xì)地探明，但是一般說來，分子量的提高與玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)之間存在相關(guān)性，隨著分子量的增加，Tg也隨之增加，而隨著高分子量電荷輸送物質(zhì)的分子量增加，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度上升，結(jié)果可以推測，其機(jī)械強(qiáng)度也相應(yīng)提高。
另一方面，雖然分子量越大，機(jī)械強(qiáng)度越好，但是，隨著所說結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)次數(shù)的增加，按照上述分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平也相應(yīng)上升，從而會(huì)引起由于氧化造成的化學(xué)劣化，因此，很重要的一點(diǎn)是要兼顧機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性兩方面來決定分子的結(jié)構(gòu)，在這一點(diǎn)上，按照半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算來獲得最高被占有分子軌道的能量水平是有效的。
在具有由上述式(11)、(21)、(22)、(31)、(41)或(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)中，相對于該高分子量電荷輸送物質(zhì)內(nèi)的全部結(jié)構(gòu)單元，由上述式(11)、(21)、(22)、(31)、(41)或(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元所占的比率，只要能使按半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)處于-8.3eV至-8.0eV的范圍內(nèi)，則任意的數(shù)值均可。
而且，在該范圍內(nèi)時(shí)，可以從其在溶劑中的溶解性或與樹脂的相溶性的觀點(diǎn)考慮，選擇最適用者。
另外，為了發(fā)揮高的電荷輸送功能，高分子量電荷輸送物質(zhì)的分子量越大越好。因此，高分子量電荷輸送物質(zhì)的分子量，只要在能夠滿足(EHOMO)在-8.3eV至-8.0eV的范圍內(nèi)，其分子量仍然是以盡可能大為宜。
另外，具有由上述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)、具有由上述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)、具有由上述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)、具有由上述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)、具有由上述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)、具有由上述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元和例如由上述式(52)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元或由上述式(53)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元等其他重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)，皆意味著它們是共聚物。
這些共聚物可以是無規(guī)共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中的任一種，但是其中優(yōu)選為無規(guī)共聚物和交替共聚物，因?yàn)檫@樣不會(huì)引起在分子內(nèi)的電荷局部聚集。
另外，為了充分獲得本發(fā)明的效果，在本發(fā)明的電攝影感光體中使用的高分子量電荷輸送物質(zhì)優(yōu)選是在其分子內(nèi)相對于全部的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，上述特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元所占的比例至少為80％，更優(yōu)選至少為90％。
下面對本發(fā)明中使用的電攝影感光體的構(gòu)成進(jìn)行說明。
作為本發(fā)明的電攝影感光體的感光層，可以是在單一層中同時(shí)含有電荷發(fā)生物質(zhì)和電荷輸送物質(zhì)的單層型感光層、按功能分離成含有電荷輸送物質(zhì)的電荷輸送層和含有電荷發(fā)生物質(zhì)的電荷發(fā)生層這樣的功能分離型(多層型)感光層中的任一種形態(tài)。但是，從電攝影特性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選是功能分離型(多層型)，更優(yōu)選是從支持體一側(cè)開始按電荷發(fā)生層、電荷輸送層的順序積層的功能分離型(多層型)。下面，在以功能分離型(多層型)出現(xiàn)的場合，就意味著它是從支持體一側(cè)開始按電荷發(fā)生層、電荷輸送層的順序積層而成的產(chǎn)品。
在具有電荷發(fā)生層和電荷輸送層的功能分離型(多層型)感光層的場合，本發(fā)明的電攝影感光體中使用的高分子量電荷輸送物質(zhì)與絕緣性的粘合劑樹脂一起使用，至少在其電荷輸送層中一起使用。
作為在本發(fā)明的電攝影感光體中使用的支持體，只要是具有導(dǎo)電性的物質(zhì)，不管哪一種皆可使用，例如可以舉出，通過將鋁、銅、鉻、鎳、鋅、不銹鋼等的金屬成型為鼓狀或薄板狀的產(chǎn)品；通過將鋁或銅等的金屬箔層壓在塑料薄膜上而獲得的產(chǎn)品；通過將鋁、氧化銦、氧化錫等真空沉積到塑料薄膜上而獲得的產(chǎn)品等。
在LBP(激光打印機(jī))等圖像數(shù)據(jù)通過激光輸入的場合，為了防止由于散射導(dǎo)致的干涉條紋，或者為了保護(hù)支持體以使其免于受傷，可以設(shè)置導(dǎo)電層。這種導(dǎo)電層可通過將炭黑、金屬粒子等的導(dǎo)電性粒子分散于粘合劑樹脂中形成的分散液涂布來形成。
導(dǎo)電層的膜厚優(yōu)選為5～40μm，更優(yōu)選為10～30μm。
另外，在支持體或?qū)щ妼由峡梢栽O(shè)置具有粘接功能的中間層。
作為中間層的材料，可以舉出聚酰胺、聚乙烯醇、聚環(huán)氧乙烷、乙基纖維素、酪蛋白、聚氨酯、聚醚氨酯等。這些材料可以首先溶解于適當(dāng)?shù)娜軇┲?，然后用其來涂布以形成層?br> 中間層的膜厚優(yōu)選為0.05～5μm，更優(yōu)選為0.3～1μm。
在功能分離型(多層型)感光層的場合，可以在支持體、導(dǎo)電層或中間層上形成電荷發(fā)生層。
電荷發(fā)生層可通過下述方法形成，即，將電荷發(fā)生物質(zhì)與0.3～4倍量的粘合劑樹脂和溶劑一起，用均化器、超聲波分散器、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、砂磨機(jī)、超細(xì)磨碎機(jī)、輥磨機(jī)和液沖型高速分散機(jī)等的方法很好地分散，將所獲的分散液涂布和干燥，從而形成電荷發(fā)生層。
電荷發(fā)生層的膜厚優(yōu)選為5μm或更小，更優(yōu)選為0.1～2μm。
作為電荷發(fā)生物質(zhì)，可以使用通常已知的物質(zhì)，例如可以舉出硒-碲、鈹、金屬酞菁、無金屬酞菁、三苯并[cd，jk]芘-5，10-二酮、二苯芘醌、三偶氮染料、花青、雙偶氮染料、單偶氮染料、靛藍(lán)、喹吖啶酮等的各種顏料。
將這些顏料與0.3～4倍量的粘合劑樹脂和溶劑一起，用均化器、超聲波分散器、球磨機(jī)、振動(dòng)磨機(jī)、砂磨機(jī)、超細(xì)磨碎機(jī)、輥磨機(jī)、液沖型高速分散機(jī)等進(jìn)行分散，獲得了良好分散的分散液。在功能分離型(多層型)感光層的場合，通過將上述分散液涂布、干燥來獲得電荷發(fā)生層。
在功能分離型(多層型)感光層的場合，在電荷發(fā)生層上形成電荷輸送層。
電荷輸送層可以通過將上述高分子量電荷輸送物質(zhì)和絕緣性的粘合劑樹脂溶解于溶劑中制成涂布液，然后將其涂布于電荷發(fā)生層上并加以干燥來制得。
涂布液中的高分子量電荷輸送物質(zhì)與粘合劑樹脂的比例(高分子量電荷輸送物質(zhì)/粘合劑樹脂)按重量比優(yōu)選為1/10～12/10，而從電攝影感光體的電荷輸送特性或電荷輸送層的強(qiáng)度的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選為2/10～10/10。
作為粘合劑樹脂，只要是通常用于感光層(電荷發(fā)生層和電荷輸送層)的樹脂，任一種樹脂均可使用，但是從樹脂的透明性、成膜性的觀點(diǎn)考慮，以及在感光層(電荷輸送層)為電攝影感光體的表面層的場合，從耐磨損性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為聚碳酸酯樹脂或多芳基化樹脂。
聚碳酸酯樹脂的粘均分子量(Mv)優(yōu)選為20000～80000。
下面舉出碳酸酯樹脂的具體實(shí)例。 多芳基化樹脂的重均分子量(Mw)優(yōu)選為50000～200000，從強(qiáng)度、生產(chǎn)率等幾方面考慮，更優(yōu)選為80000～150000。
下面舉出多芳基化樹脂的具體實(shí)例。
進(jìn)而，為了提高生產(chǎn)率等目的，也可以向多芳基化樹脂中混合進(jìn)其他結(jié)構(gòu)的多芳基化樹脂或聚碳酸酯樹脂。為了更好地發(fā)揮混合的效果，混合比例優(yōu)選為5/95～95/5，更優(yōu)選為20/80～80/20。
另外，與具有由上述式(1)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)合并使用的聚碳酸酯樹脂或多芳基化樹脂等的粘合劑樹脂，優(yōu)選具有與上述式(1)中的Ar12同樣的結(jié)構(gòu)。由于具有同一種結(jié)構(gòu)，因此不會(huì)引起相分離，從而能夠形成均勻的感光層(電荷輸送層)。
另外，根據(jù)需要，可以向電荷輸送層中添加抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑、紫外線吸收劑、增塑劑等。
當(dāng)電荷輸送層為電攝影感光體表面層的場合，根據(jù)需要，可以使用潤滑劑或微粒子。作為潤滑劑或微粒子，可以舉出聚四氟乙烯微粒子、二氧化硅微粒子、氧化鋁微粒子等。
電荷輸送層的膜厚優(yōu)選為5～40μm，更優(yōu)選為15～30μm。
另外，電攝影感光體的表面層是用于保護(hù)感光層的層，也就是說，在感光層上可以另外設(shè)置一層保護(hù)層。
作為保護(hù)層適用的樹脂，優(yōu)選是高分子量的熱塑性樹脂或熱固性樹脂、光固性樹脂，進(jìn)而，更優(yōu)選是高分子量的聚碳酸酯樹脂、多芳基化樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂。
另外，為了降低殘留電位或提高膜強(qiáng)度，保護(hù)層中也可以含有導(dǎo)電性粒子或潤滑劑。
作為保護(hù)層的成膜方法，可以是利用熱、光或電子射線進(jìn)行固化的方法，根據(jù)需要，可以含有聚合引發(fā)劑或抗氧化劑。
在電攝影感光體的各層的形成工序中，作為適用的溶劑，可以舉出氯苯、四氫呋喃、1，4-二噁烷、甲苯、二甲苯等，他們可以單獨(dú)使用，或者將多種溶劑合并使用。
另外，作為上述成膜的涂布方法，可以使用浸漬涂布法、噴涂法、棒涂法等通常已知的方法圖1中示出了包含具有本發(fā)明的電攝影感光體的成像處理盒的電攝影裝置的概略構(gòu)成。
在圖1中，1是鼓狀的本發(fā)明的電攝影感光體，它以軸2為中心沿著箭頭所指方向按規(guī)定的圓周速度作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。電攝影感光體1在其旋轉(zhuǎn)過程中由于初級充電裝置3的作用而在其圓周表面上接受正或負(fù)的規(guī)定電位的均勻靜電帶電，然后接受來自狹縫曝光或激光掃描曝光等的曝光裝置(未圖示)的曝光光線4。這樣就在電攝影感光體1的周圍順次地形成靜電潛像。
已形成的靜電潛像然后通過顯影裝置5的作用而成為調(diào)色劑顯影像，已顯影的調(diào)色劑顯影像按照下述過程被轉(zhuǎn)印裝置6轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料7上，即，轉(zhuǎn)印材料7被從未圖示的給紙部供給到電攝影感光體1與轉(zhuǎn)印裝置6之間，并按照與電攝影感光體1的旋轉(zhuǎn)同期地被取出，這時(shí)調(diào)色劑的顯影像便已順次地被轉(zhuǎn)引到轉(zhuǎn)印材料7上。
已接受了圖像轉(zhuǎn)印的轉(zhuǎn)印材料7從電攝影感光體的表面分離并被導(dǎo)入圖像定影裝置8中，在此處接受了圖像定影后便被作為復(fù)印品(拷貝)被送到裝置外。
轉(zhuǎn)印后的電攝影感光體1的表面接受清潔裝置9的表面清潔處理，以便除去轉(zhuǎn)印后殘留的調(diào)色劑，進(jìn)而接受來自前曝光裝置(未圖示)的前曝光10而進(jìn)行除電處理，然后重新用于圖像形成的操作。應(yīng)予說明，當(dāng)初級充電裝置3如圖1所示那樣為使用充電輥等的接觸充電裝置的場合，不一定需要前曝光。
根據(jù)本發(fā)明，在上述的電攝影感光體1、初級充電裝置3、顯影裝置5和清潔裝置9等的構(gòu)成元件中，可以按照幾個(gè)元件作為成像處理盒結(jié)合成為一體的方式來構(gòu)成，并且按照使該成像處理盒相對于復(fù)印機(jī)或激光打印機(jī)等的電攝影裝置本體可以自由裝卸的方式來構(gòu)成。例如，在初級充電裝置3、顯影裝置5和清潔裝置9中的至少一個(gè)裝置與電攝影感光體1共同成為一體地被支持著并使其成為處理盒，然后使用裝置本體的導(dǎo)軌12等的導(dǎo)向裝置將其構(gòu)成可以在裝置本體上裝卸自由的成像處理盒。
另外，當(dāng)電攝影裝置為復(fù)印機(jī)或打印機(jī)的場合，利用來自原稿的反射光或透射光，或者利用傳感器來讀取原稿，將其信號化，依據(jù)該信號進(jìn)行激光掃描、LED陣列的驅(qū)動(dòng)和液晶快門陣列的驅(qū)動(dòng)等，而曝光光線4就是利用這類驅(qū)動(dòng)而照射的光。
本發(fā)明的電攝影感光體不僅可以利用于電攝影復(fù)印機(jī)，而且也能廣泛地應(yīng)用于激光打印機(jī)、CRT打印機(jī)、LED打印機(jī)、液晶打印機(jī)和激光制版等電攝影應(yīng)用領(lǐng)域中。
下面依據(jù)實(shí)施例來更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
應(yīng)予說明，實(shí)施例中的“份”是指“重量份”。
下面首先對評價(jià)方法進(jìn)行說明。
如上所述，高分子量電荷輸送物質(zhì)的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)是通過使用PM3參數(shù)的半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算進(jìn)行結(jié)構(gòu)最優(yōu)化計(jì)算而算出的。
對于使用高分子量電荷輸送物質(zhì)的電攝影感光體，在進(jìn)行反復(fù)使用的耐久性和性能變化的評價(jià)時(shí)，把一臺(tái)佳能公司制的復(fù)印機(jī)GP40(接觸充電方式)改造成為圖像的曝光量達(dá)到在電攝影感光體表面上的光量成為0.6μJ/cm2，以該改造后的復(fù)印機(jī)作為評價(jià)機(jī)來進(jìn)行評價(jià)。
在通過反復(fù)使用來評價(jià)電攝影感光體的耐久性時(shí)，使用A4尺寸的普通紙，按照每復(fù)印1張就停止1次的間歇模式共復(fù)印20000張，然后測定電攝影感光體膜厚的磨損量。
另外，在耐久性評價(jià)前(明區(qū)電位)和復(fù)印20000張之后分別測定明區(qū)電位(VI)，將該差別作為明區(qū)電位的變化來評價(jià)，如表中所示。
在顯影組件的位置測定電攝影感光體的表面電位，將顯影組件用測量夾具替換，如此固定測量夾具使其電位測定用探針固定在與電攝影感光體上端離開180mm的位置處。
另外，在新的電攝影感光體的表面上粘附一些油脂，將其放置72小時(shí)，然后利用顯微鏡(100倍)來觀察溶劑裂縫(solvent crack)的有無。對觀察點(diǎn)進(jìn)行10點(diǎn)的觀察，在所有觀察點(diǎn)均無裂縫的樣品評定為“○”，在觀察點(diǎn)產(chǎn)生裂縫的評定為“×”。
實(shí)施例1-1～1-14、2-1～2-32、3-1～3-9、4-1～4-14、5-1～5-9各實(shí)施例的電攝影感光體按照下述方法制備。
在一個(gè)直徑30mm×長357mm的鋁制圓筒體上，按照浸涂法涂布由以下材料構(gòu)成的涂料，通過在140℃熱固化30分鐘形成了膜厚為15μm的導(dǎo)電層。
導(dǎo)電性顏料SnO2涂覆處理的硫酸鋇 10份電阻調(diào)整用顏料氧化 2份粘合劑樹脂酚醛樹脂 6份流平劑硅油 0.001份溶劑甲醇/甲氧基丙醇＝2/820份然后在該導(dǎo)電層上通過浸涂法涂布一種由N-甲氧基甲基化尼龍3份和共聚尼龍3份溶解于甲醇65份和正丁醇30份的混合溶劑中而形成的涂料，通過將該涂布的涂料干燥，形成了膜厚為0.5μm的中間層。
然后準(zhǔn)備一種羥基鎵酞菁染料，該羥基鎵酞菁染料在CuKα的X射線衍射圖譜中在衍射角(2θ±0.2°)為7.4°和28.2°的部位具有強(qiáng)的峰，將這種羥基鎵酞菁染料4份、聚乙烯醇縮丁醛(商品名S-LEC BX-1，積水化學(xué)制)2份、環(huán)己酮60份置于一臺(tái)使用直徑1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)裝置中進(jìn)行4小時(shí)的分散，然后向其中加入乙酸乙酯100份，從而配制成電荷發(fā)生層用分散液。用浸漬法將該分散液涂布于中間層上，然后干燥，形成了膜厚為0.2μm的電荷發(fā)生層。
然后分別將下表1-6(評價(jià)和結(jié)果)中示出的高分子量電荷輸送物質(zhì)6份和同樣在下表1-6中示出的粘合劑樹脂10份溶解于一氯苯30份和二氯甲烷70份的混合溶劑中，從而配制成電荷輸送層用的涂布液。然后按照浸涂法將該涂布液涂布于電荷發(fā)生層上，在120℃下干燥1小時(shí)，從而形成了膜厚25μm的電荷輸送層。
如此制成了各實(shí)施例的電攝影感光體。
比較例0-1～5-3除了把實(shí)施例中的高分子量電荷輸送物質(zhì)分別改變?yōu)榫哂杏上率鍪?7)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的物質(zhì)或者為下表8-12(評價(jià)和結(jié)果)中示出的物質(zhì)，以及將粘合劑樹脂分別改變?yōu)橥瑯釉谙卤?-12中示出的樹脂之外，其余與實(shí)施例同樣地制備各比較例的電攝影感光體。 下表1-12示出各實(shí)施例和各比較例的評價(jià)結(jié)果。
應(yīng)予說明，在下表中，“結(jié)構(gòu)單元數(shù)”(n或m)是指重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的數(shù)的平均值；“分子量(Mw)”是指重均分子量(Mw)；“裂縫”是指溶劑裂縫的有無。表1評價(jià)和結(jié)果

表2評價(jià)和結(jié)果

表3評價(jià)和結(jié)果

表4評價(jià)和結(jié)果

表5評價(jià)和結(jié)果

表6評價(jià)和結(jié)果

表7評價(jià)和結(jié)果

表8評價(jià)和結(jié)果

表9評價(jià)和結(jié)果

表10評價(jià)和結(jié)果

表11評價(jià)和結(jié)果

表12評價(jià)和結(jié)果

可以看出，與實(shí)施例比較，比較例由于受到電攝影感光體的感光處理而引起化學(xué)劣化，而且引起明區(qū)電位較大的波動(dòng)。
另外可以看出，與比較例相比，實(shí)施例在反復(fù)使用時(shí)的耐久性(機(jī)械強(qiáng)度、耐磨損性)優(yōu)良。
在對使用同樣粘合劑樹脂的電荷輸送層進(jìn)行比較時(shí)，與比較例相比，對于每一種粘合劑樹脂，實(shí)施例的耐磨損性均較高。
另外，使用本發(fā)明高分子量的電荷輸送物質(zhì)可以抑制溶劑裂紋的發(fā)生。
這樣，通過使用具有特定的最高被占有分子軌道的能量水平(EHOMO)而且具有特定的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)作為電荷輸送物質(zhì)，可以提供一種具有高的機(jī)械強(qiáng)度，并且即使在反復(fù)使用時(shí)也難以引起化學(xué)劣化的，具有穩(wěn)定的電攝影性能的電攝影感光體。
權(quán)利要求
1.一種電攝影感光體，它包含支持體和支持體上的感光層，其中該感光層含有具有由下述式(1)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)；并且該高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mn)為1500或更高，并且按照半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平EHOMO為-8.3eV至-8.0eV 式(1)中，Ar11表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；Ar12表示具有從下述式(2)、下述式(2)′和下述式(2)″中選擇的式表示的結(jié)構(gòu)的2價(jià)基團(tuán) 式(2)中，Ar21和Ar22各自獨(dú)立地表示取代或無取代的3價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的3價(jià)雜環(huán)基；A21和A22各自獨(dú)立地表示單鍵，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，當(dāng)c為0時(shí)，表示Ar21和Ar22直接結(jié)合；式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自獨(dú)立地表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；A21′表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，當(dāng)c′為0時(shí)，表示Ar21′和Ar22′直接結(jié)合；式(2)″中，Ar21″表示取代或無取代的2價(jià)的芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；c″表示1或1以上的整數(shù)，但是，當(dāng)c″為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Ar21″可以相同或不同。
2.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有電子吸引基。
3.如權(quán)利要求2所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(11)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(11)中，R1101～R1113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；但是，在R1101～R1113中至少有一個(gè)為電子吸引基。
4.如權(quán)利要求3所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(12)中，R1201～R1213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；但是，式(11)和式(12)表示同樣結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
5.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(21)中，R2101～R2113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；A2101表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素。
6.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(22)中，R2201～R2211各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；A2201表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素。
7.如權(quán)利要求5所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(23)中，R2301～R2313各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)和式(23)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
8.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(31)中，R3101～R3105各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；Z3101表示取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；d表示1或1以上的整數(shù)，但是，當(dāng)d為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Z3101可以相同或不同。
9.如權(quán)利要求8所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在式(32)中，R3201～R3213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基，取代或無取代的芳基，取代或無取代的烷氧基，或電子吸引基；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)與式(32)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(23)與式(32)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
10.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(41)中，Z4101表示取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；R4106～R4113各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基。
11.如權(quán)利要求10所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(42)中，R4201～R4213各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基、或電子吸引基；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(12)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(12)與式(42)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(23)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(23)與式(42)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(32)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(32)與式(42)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
12.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(51)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在式(51)中，Ar5101表示被至少1個(gè)電子吸引基取代的芳香環(huán)基，或者取代或無取代的雜環(huán)基；R5101～R5106各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基，取代或無取代的芳基，取代或無取代的烷氧基，或者電子吸引基；另外，R5103和R5105可以通過具有至少1個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；A5101表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素。
13.如權(quán)利要求12所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(52)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(52)中，Ar5201表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；R5201～R5206各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；另外，R5203和R5205可以通過具有至少1個(gè)原子的化學(xué)基團(tuán)相互結(jié)合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；A5201表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；但是，式(51)與式(52)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外。
14.如權(quán)利要求12所述的電攝影感光體，其中，所述高分子量電荷輸送物質(zhì)具有由下述式(53)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元 在上述式(53)中，Ar5301表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(31)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(31)與式(53)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(41)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(41)與式(53)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(42)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(42)與式(53)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；Ar5302表示選自(i)、(ii)、(iii)和(iv)中的基團(tuán)(i)具有有下述式(54)表示的結(jié)構(gòu)的基團(tuán) 在上述式(54)中，R5401～R5408各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；A5401表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或16族元素；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(21)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(21)與其中的Ar5302為由式(54)表示的基團(tuán)的式(53)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；(ii)具有由下述式(55)表示的結(jié)構(gòu)的基團(tuán) 在式(55)中，R5501～R5506各自獨(dú)立地表示氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基；A5501表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；但是，當(dāng)所述高分子量電荷輸送物質(zhì)還具有由式(22)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元時(shí)，式(22)與其中的Ar5302為由式(55)表示的基團(tuán)的式(53)表示相同結(jié)構(gòu)單元的情況除外；(iii)取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基或其多聚體；(iv)取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基或其多聚體。
15.如權(quán)利要求1所述的電攝影感光體，其中，所述感光層是電攝影感光體的表面層。
16.如權(quán)利要求15所述的電攝影感光體，其中，所述感光層含有聚碳酸酯。
17.如權(quán)利要求15所述的電攝影感光體，其中，所述感光層含有多芳基化物樹脂。
18.成像處理盒，它包含一體化的電攝影感光體與從充電裝置、顯影裝置和清潔裝置中選擇的至少一種裝置，并按照裝卸自由的方式安裝在電攝影裝置本體上，所述電攝影感光體包含支持體和支持體上的感光層，其中該感光層包含具有由下述式(1)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)；并且該高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)為1500或更高，并且按半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平EHOMO為-8.3eV至-8.0eV； 式(1)中，Ar11表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；Ar12表示具有從下述式(2)、下述式(2)′、和下述式(2)″中選擇的式表示的結(jié)構(gòu)的2價(jià)基團(tuán) 式(2)中，Ar21和Ar22各自獨(dú)立地表示取代或無取代的3價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的3價(jià)雜環(huán)基；A21和A22各自獨(dú)立地表示單鍵，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，當(dāng)c為0時(shí)，表示Ar21和Ar22直接結(jié)合；式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自獨(dú)立地表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；A21′表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，當(dāng)c′為0時(shí)，表示Ar21′和Ar22′直接結(jié)合；式(2)″中，A21″表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；c″表示1或1以上的整數(shù)，但是，當(dāng)c″為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Ar21″可以相同或不同。
19.電攝影裝置，它包含電攝影感光體、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置；所述電攝影感光體包含支持體和支持體上的感光層，其中該感光層包含具有由下述式(1)表示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)；并且該高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量Mw為1500或更高，并且按半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的最高被占有分子軌道的能量水平EHOMO為-8.3eV至-8.0eV； 式(1)中，Ar11表示取代或無取代的1價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的1價(jià)雜環(huán)基；Ar12表示具有從下述式(2)、下述式(2)′、和下述式(2)″中選擇的式表示的結(jié)構(gòu)的2價(jià)基團(tuán) 式(2)中，Ar21和Ar22各自獨(dú)立地表示取代或無取代的3價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的3價(jià)雜環(huán)基；A21和A22各自獨(dú)立地表示單鍵，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，當(dāng)c為0時(shí)，表示Ar21和Ar22直接結(jié)合；式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自獨(dú)立地表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；A21′表示具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的烷氧基或電子吸引基的14族元素，或者具有氫、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳基或電子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，當(dāng)c′為0時(shí)，表示Ar21′和Ar22′直接結(jié)合；式(2)″中，Ar21″表示取代或無取代的2價(jià)芳香環(huán)基，或者取代或無取代的2價(jià)雜環(huán)基；c″表示1或1以上的整數(shù)，但是，當(dāng)c″為2或2以上時(shí)，2個(gè)或2個(gè)以上的Ar21″可以相同或不同。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電攝影感光體、成像處理盒和電攝影裝置。所說的電攝影感光體具有在支持體上的感光層，其特征在于，在該電攝影感光體中，該感光層包含具有特定重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的高分子量電荷輸送物質(zhì)；該高分子量電荷輸送物質(zhì)的重均分子量(Mw)為1500或更高，并且按半經(jīng)驗(yàn)的分子軌道計(jì)算獲得的高被占有分子軌道的能量水平(E
文檔編號C08J7/04GK1453650SQ03122269
公開日2003年11月5日 申請日期2003年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月26日
發(fā)明者大垣晴信, 吉田晃, 田中孝和, 高谷格, 石塚由香 申請人:佳能株式會(huì)社