專利名稱：：用于制備通式R_(4-m-n)ACl_mH_n,特別是硅烷的化合物或高純化合物的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有通式R(4-n^)AC^Hn且其中A等于硅、鍺、鈦或錫的化合物或高純化合物的方法，以及適用于實(shí)施本方法的裝置。本發(fā)明還涉及用于通過至少一種通式(II)R(4_p.q)AClpHq的化合物的反應(yīng)來制備具有通式(I)R(4.m.n)AClmHn的硅烷的裝置和方法，且式(II)中R為直鏈、支鏈或環(huán)狀視需要取代的且具有1至8個C原子的烴基，優(yōu)選為甲基、乙基、丙基、氯甲基、氯乙基、氯丙基_一僅是用以提及的一些化合物——A表示具有+4價(jià)態(tài)的元素周期表(PSE)的元素，優(yōu)選是選自諸如Si，Ge，Ti，Sn的一系列金屬的四價(jià)元素，且m，n，p和q相互獨(dú)立地為選自0，1，2，3和4的數(shù)，前提是，0<(m+n)<4，即小于或等于四，以及0〈(p+q)《4，即小于或等于四。特別優(yōu)選A代表硅，相應(yīng)于通式(Ia)R(4隱m-n)SiClmHn和(Ha)R(4曙p—q)SiClpHq且式Ia中n=l，2，3或4且m=0，l，2或3，而式IIa中總和n+m-4且q+p-4且p-0，l，2，3或4且q-0，l，2，3或4。特別地，本發(fā)明涉及用以通過在存在催化劑條件下歧化高度氯化的硅烷而制備具有通式HnSiCl"且n-l，2，3或4的硅烷的裝置和方法，特別是通過歧化通式IIaR(4-p-q)SiClpHq且其中q+p-4，p-l，2，3或4且q-0，l，2或3的化合物而制備，并且其中用于本方法的裝置是例如基于至少一個蒸餾塔和至少一個旁路反應(yīng)器(Seitenreaktor)，即外部反應(yīng)器的組合體的。本發(fā)明的一個方面涉及一種通過具有式IIaR(4.p.q)SiClpHq且其中p=4而q=0的珪烷在氬存在下的催化加氬脫囟反應(yīng)而制備相應(yīng)于通式IaR(4.m-n)SiClmHni其中11=1且111=3的硅烷的方法，特別是通過四氯化硅(SiCl"在氬存在下的催化加氫脫卣作用而制備三氯硅烷(HSiCb)的方法。本發(fā)明的另一個方面涉及制備具有通式Ia的烷基氫氯硅烷的方法，R(4*n)SiClmHn(Ia)，其中m等于l或2而n等于l或2且m+n^3，并且R表示具有1至5個碳原子的烷基。此外，本發(fā)明的一個方面還涉及處理雜有至少一種難以蒸餾除去的氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的方法和裝置。根據(jù)再一個方面，本發(fā)明涉及用以通過利用冷等離子體并接著分餾處理相的方法來處理其中雜有至少一種含氫化合物的、待提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫從而制備高純度四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的連續(xù)方法，裝置以及反應(yīng)器。
背景技術(shù)：
：首先針對本發(fā)明的一個方面的現(xiàn)有技術(shù)來詳細(xì)闡述歧化反應(yīng)。歧化反應(yīng)用于例如由三氯硅烷(TCS、HSiCl3、HnSiCl^且n=1)制備二氯珪烷(DCS、H2SiCl2)同時生成耦合產(chǎn)物(Koppelproduct)四氯化硅(STC、SiCl4)。另一例子是用來由TCS來制備甲硅烷(SiH4)，其中同樣會產(chǎn)生STC作為耦合產(chǎn)物。在工業(yè)上經(jīng)常采用這類用以由通常是TCS的高度氯化的硅烷來制備如甲硅烷或DCS的低度氯化的硅烷的催化方法。其中，兩個硅烷分子之間氫和氯原子的置換通常在所謂的歧化反應(yīng)中根據(jù)如下通用反應(yīng)式進(jìn)行。并且其中x可以是數(shù)值0至3而y是數(shù)值l至4。HxSiCLi-x+HySiCl4-y—Hx+iSiCL|-x-i+Hy-iSiCl4-y+i(I)二氯硅烷可以例如由FeSi或硅和HCl以低得率收率并且通過很高的除去大量副產(chǎn)品的蒸餾代價(jià)而制得。因此，通常三氯硅烷的歧化作用通常都在合適的催化劑上生成二氯硅烷同時除去四氯化硅。這里所涉及的是一種其平衡只能緩慢調(diào)節(jié)的平衡反應(yīng)。多數(shù)所用的催化劑都是仲胺和叔胺或者季銨鹽(參見DE-AS2162537)。為了加速平衡調(diào)節(jié)和實(shí)現(xiàn)不過長時間地滯留于催化劑床上和反應(yīng)器中，就要使用高溫和高壓。但是，在壓力下也存在著很高的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槎裙柰楹腿芜x生成的一定量H3SiCl或SiH4是可自燃的(自燃危險(xiǎn)！)并且泄漏時會產(chǎn)生極其強(qiáng)烈的反應(yīng)。在流動反應(yīng)器(Durchflussreaktor)中未反應(yīng)的三氯珪烷的含量4艮高。而對三氯硅烷必須多次以很高的能量消耗進(jìn)行再蒸餾，最后才能實(shí)現(xiàn)完全的反應(yīng)。才艮據(jù)方程(I)的該反應(yīng)的另一例子是由TCS(方程I中x-y-l)制備DCS(EP0285937)。因此，EP0285937Al乂^開了一種通過三氯硅烷在催化劑固定床上的歧化作用而制備二氯硅烷的方法，其中在0.8至1.2bar的壓力和在10匸至所形成的反應(yīng)混合物的沸點(diǎn)之間的反應(yīng)器溫度條件下，抽出并獲得氣態(tài)的二氯硅烷，冷凝三氯硅烷成分并返回到反應(yīng)器中，從反應(yīng)器中部分地抽取出液態(tài)反應(yīng)相并分離成四氯硅烷和返回到反應(yīng)器中去的三氯硅烷。若將多個以下幾個反應(yīng)合并，就能成功地通過三個步驟中的歧化作用制備曱硅烷一一由三氯硅烷制得二氯硅烷，制得一氯硅烷和最后制得曱硅烷并形成四氯化硅(STC):2HSiCl3-H2SiCl2+SiCl4(II)2H2SiCl2-H3SiCl+HSiCl3(III)2H3SiCl-SiH4+H2SiCl2(IV)4HSiCl3—SiH4+3SiCl4^目前通常是通過TCS的歧化作用來由三氯曱烷制備甲硅烷(參見DE2162537，DE2507864，DE3925357，DE3311650，DE10017168，US3968199)。其他制備曱硅烷的方法是例如利用絡(luò)合的金屬氬化物來還原SiF4(EP0337900)或者經(jīng)由氫化烷氧基硅烷的反應(yīng)路徑(US6103942)。作為歧化反應(yīng)的催化劑，通?？梢允褂秒x子交換劑，例如胺官能化的聚苯乙烯(DE10057521)、胺官能化的無機(jī)栽體(EP0285937)或有機(jī)聚硅氧烷-催化劑(DE3925357)的形式。它們可以直接置入塔中，或者作為整個堆料(Vollschtittung)的形式(DE2507864)，層狀形式(US5338518、US5776320)或織物結(jié)構(gòu)形式(WO90/02603)。另可替代的方案是可以將催化劑置于一個或多個外部反應(yīng)器中，其中的入口和出口連接在蒸餾塔的不同位置(US4676967，EP0285937，DE3711444)。根據(jù)EP0285937,用以實(shí)施歧化作用的設(shè)備包括固定床反應(yīng)器、與其相連接的相鄰蒸餾塔，且所述設(shè)備允許氣體由反應(yīng)器輸送到蒸餾塔中去，并且其中輸送管在反應(yīng)器中位于三氯硅烷入口的上方而反應(yīng)器液體的輸送管設(shè)置在蒸餾塔內(nèi)，其設(shè)置在三氯硅烷的排出口之下，并且在塔頂處具有二氯硅烷的冷凝器和產(chǎn)物容器以及具有四氯硅烷排出口的蒸餾釜(Distillationsblase)。由于參與的硅烷的物質(zhì)性能，參見表l，以及通常很不利的歧化作用時的化學(xué)平衡情況，所以通常反應(yīng)和蒸餾提純通常結(jié)合起來操作。表l.l:氯硅烷和曱硅烷的物質(zhì)數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>這里，最佳可能的反應(yīng)與物質(zhì)分離相結(jié)合提供了反應(yīng)性精餾。為此推薦使用結(jié)構(gòu)化的填充體(DE19860146)，但是由于反應(yīng)速率低所以很期待較高的催化劑體積。這可利用一個或多個旁路反應(yīng)器來提供。這里，從蒸餾塔中抽取出側(cè)流，導(dǎo)入到旁路反應(yīng)器內(nèi)并在那里與非均相的固定催化劑接觸。從旁路反應(yīng)器流出的產(chǎn)物混合物又被導(dǎo)到蒸餾塔中(尤其是DE4037639，DE10017168)。但是其中的缺點(diǎn)是通常要使用到泵，以將反應(yīng)混合物輸送到設(shè)備中，即反應(yīng)器與塔之間。特別的，由于甲硅烷和一氯硅烷的自燃性，小的泄漏(例如在運(yùn)動的部件中很容易出現(xiàn)的那樣)就可能招致災(zāi)害性的后果。此外，活動的設(shè)備部件較之不活動的部件通常是需要更密集的監(jiān)控。此外，在監(jiān)控工作情況下仍會由于易燃或自燃的反應(yīng)產(chǎn)物而存在特別的潛在危險(xiǎn)，盡管所述潛在危險(xiǎn)已經(jīng)最小化。已知的旁路反應(yīng)器理念的另一缺點(diǎn)是，通常各個料流都要視需要在熱回收條件下泵送通過兩個熱交換器，一個在反應(yīng)器之前而一個在其之后。這樣做的作用在于能夠不取決于蒸餾溫度而控制反應(yīng)器的溫度。由此，例如將在反應(yīng)器中確保單相，由此在反應(yīng)器中充滿特定的料流。歧化反應(yīng)是一種受到反應(yīng)中化學(xué)平衡限制的反應(yīng)。這種情況就使得需要從未反應(yīng)的進(jìn)料分離反應(yīng)產(chǎn)物，從而使整個過程中的轉(zhuǎn)化最后趨于完全。若選擇由于沸點(diǎn)情況而提供的蒸餾作為分離操作，參見表l.l,那么能量方面完美的設(shè)備就要是無限高的蒸餾塔，其中在每個分離板上或者在每個理論塔板上都要通過合適的催化劑或任意長的停留時間，才能確保實(shí)現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)平衡。這種設(shè)備具有最低可能的能量需求，因而具有最低可能的操作成本[參見圖"乂及Sundmacher&Kienle(Hrsg.)"ReactiveDestination",Wiley畫VCH出版社，Weinheim2003。已知方法、設(shè)備和旁路反應(yīng)的另一缺點(diǎn)是，如整合到塔中的反應(yīng)區(qū)域，難以更換催化劑。在生產(chǎn)低度氯化的硅烷時，催化劑會不得不受到這類物質(zhì)的污染并且必須完全地將其去除，然后才能更換。在已知設(shè)備中由于這種困難，諸如氮?dú)庖活愑纱呋瘎┐菜x的清潔劑不可能毫無問題。另外，更換操作本身也帶來顯著的成本。以下針對對于本發(fā)明一個方面，即有關(guān)三氯硅烷的制備方面的基本現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)闡述。在許多硅化學(xué)工業(yè)工藝中，SiCl4和HSiCl3總是一起產(chǎn)生的。因此需要將這兩種產(chǎn)品相互轉(zhuǎn)化并因此也就分別對產(chǎn)品之一提出了要求。此外，在制備太陽能電池硅(Solarsilicium)中，高純度的HSiCl3是重要的原料。長久以來就已知用于在氫存在條件下將SiCl4轉(zhuǎn)化成HSiCb的各種催化劑和方法。例如在EP0658359A2中公開了一種在氫存在條件下SiCU催化加氫脫卣而成HSiCb的方法，其中用作無栽體的催化劑的是細(xì)分散的選自鎳、銅、鐵、鈷、鉬、鈀、鉑、錸、鈰和鑭的過渡金屬或過渡金屬化合物，并且它們能夠與元素硅或硅化合物形成硅化物。這里的問題是，受到強(qiáng)烈的反應(yīng)吸熱的限制，所述反應(yīng)吸熱間接導(dǎo)入反應(yīng)熱以及使催化劑顆粒燒結(jié)，伴隨著活性損失。此外，從產(chǎn)物混合物分離所消耗的細(xì)分散的催化劑需要巨大的成本。接著再簡短概括對于烷基氫氯硅烷的催化加氫來說的基本現(xiàn)有技術(shù)。通過相應(yīng)不飽和烴的雙鍵或三鍵的氫化硅烷化作用成功地制得鏈烷基、鏈烯基和炔基的氯代硅烷。因此，例如二甲基氯代硅烷(DMCS)和曱基二氯硅烷(MDCS)經(jīng)氫化硅烷化反應(yīng)都能在合成有機(jī)氯代硅烷時大有用處。已知，在分離主要產(chǎn)物二曱基二氯硅烷(DMDCS)之后會得到作為Rochow合成法副產(chǎn)物的這類化合物[K.Schnurrbusch，UllmannsEncyklop3diedertechnischenChemie,第15巻，Urban&Schwarzenberg-出版社，748-769頁(1964)。由于受到在Rochow合成法中所力爭取得的高DMDCS選擇率的限制，它們常常不能以足夠的規(guī)模使用。通過催化裂解存在于Rochow合成的殘留物中的有機(jī)氯代二硅烷，就能額外地合成DMCSM.Wick，G.Kreis，F(xiàn)-H.Kreuzer，UllmannsEncyklopMiedertechnischenChemie，第21巻，第4版，Chemie出版社，485-508頁(1982)。通過用金屬氫化物，例如以LiH21.06.89-JP-158938、NaH/NaBH4。例如，可在非均相催化劑上，通常是在含有至少一種元素周期表第八副族的金屬的通用氫化催化劑上進(jìn)行DMDCS與氫轉(zhuǎn)化為DMCS的反應(yīng)。另外，這里也可以觀察到形成了MDCS。作為其他可利用的副產(chǎn)物，發(fā)現(xiàn)可使用三甲基氯硅烷(TMCS)。從如此所得的催化反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物中也可以獲得純凈態(tài)的通式Ia的烷基氬氯硅烷。優(yōu)選通過蒸餾分離從反應(yīng)產(chǎn)物中獲得純凈的烷基氫氣娃坑。因此，本發(fā)明的通式Ia的烷基氫氯硅烷，特別是根據(jù)本發(fā)明得到的含有具通式Ia的烷基氫氯硅烷的催化反應(yīng)反應(yīng)產(chǎn)物，可用于諸如與鏈烯烴、鏈烯基化合物、炔烴、炔基化合物和/或含有共軛雙鍵和/或累積雙鍵和/或三鍵的有機(jī)化合物的反應(yīng)中。由此，例如在本發(fā)明的通式Ia的烷基氫氯硅烷與乙炔進(jìn)行的反應(yīng)中會形成相應(yīng)的乙烯基烷基氯硅烷，其視需要可以蒸餾分離或再提純。對于這種氫化硅烷化作用，也可以使用較合適的貴金屬催化劑，特別是均相催化劑，例如六氯鉑酸[DE-AS1232580，US3793358。本發(fā)明的一個主題還在于制備具有通式Ia的烷基氫氯硅烷的方法，R(4-m誦n)SiClmHn(Ia)，其中的m-1或2且11=l或2并且m+n-3，而R表示具有1至5個碳原子的烷基，并且使通式IIa的烷基氯硅烷與氫催化反應(yīng)并由反應(yīng)產(chǎn)物中獲得烷基氫氯硅烷，R(4_p-q)SiClpHq(IIa)其中的p-l，2或3且q-0。特別優(yōu)選對應(yīng)于通式IIaR(4-p)SiClp且p-l，2或3。通常，進(jìn)行本發(fā)明的方法以制備具有通式13且其中111=1或2并且11=1或2而m+n-3的烷基氫氯硅烷，其方式是使得具有通式IIa且其中p4，2或3和p-0的烷基氯硅烷優(yōu)選在氣相中與氫進(jìn)行催化反應(yīng)。優(yōu)選在100至600匸的溫度下、特別優(yōu)選在400至500"C的溫度下，使具有通式IIa且其中p-l，2或3和p-0的烷基氯硅烷與氬催化反應(yīng)。具有通式IIa且其中p-l，2或3和p-0的烷基氯硅烷也優(yōu)選在l-50barabs.特別優(yōu)選5-1Obarabs.壓力(巴，絕對壓力)下與氫催化轉(zhuǎn)化。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，氬對通式IIa的烷基氯硅烷的摩爾比在反應(yīng)中優(yōu)選為l:l至100:l，特別優(yōu)選氫對式IIa的烷基氯硅烷的摩爾比為5:l至15:l。本發(fā)明的這一特殊的技術(shù)方面的方法可以在帶有和不帶有回流裝置的多管反應(yīng)器或固定床反應(yīng)器中連續(xù)或非連續(xù)地進(jìn)行。并且，要將催化劑適宜地設(shè)置在催化劑固定床中?？账?GHSV)，即氫的混入氣體體積，以所用的催化劑體積計(jì)，在反應(yīng)中要較合適的在10至10000h"之間，特別優(yōu)選空速在100至1000h"之間。視需要，可以用惰性氣體稀釋反應(yīng)混合物。但是也可使用具有合適載體催化劑的流化床反應(yīng)器。才艮據(jù)本發(fā)明方法的這一部分制得的具有通式Ia且m-l或2且i^l或2并且m+n#3的烷基氫氯硅烷，優(yōu)選通過蒸餾從反應(yīng)產(chǎn)物中分離出來。根據(jù)本發(fā)明的、具有通式IIa且p-l，2或3和p-0的烷基氯硅烷的催化反應(yīng)反應(yīng)產(chǎn)物除了進(jìn)料和具有通式Ia的烷基氬氯硅烷之外，還可以含有其他有機(jī)硅烷，例如三烷基氯硅烷。因?yàn)樵诒景l(fā)明的、具有通式IIa且p-l，2或3和p-0的烷基氯硅烷的催化反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物中，主要產(chǎn)物也包含在Rochow合成的反應(yīng)排出料中，所以可以對本發(fā)明所得的反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行蒸餾提純并且也一并進(jìn)行為獲得Rochow-合成的二甲基二氯硅烷而下游連接的常用的蒸餾提純步驟。通常，在本發(fā)明的方法中使具有通式IIa且p-l，2或3和p-0的烷基氯硅烷在至少一種元素周期表(PSE)第八副族的金屬，鐵、鈷、釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑上與氫反應(yīng)，特別優(yōu)選是在作為催化劑的鎳、釕、銠、鈀和/或鉑上。適宜地是將催化劑施加于栽體上，且栽體優(yōu)選含有活性炭和/或鋁和/或鈦和/或硅的氧化物。優(yōu)選在載體上涂覆0.01至10重量%、特別優(yōu)選0.1至6重量％、極其優(yōu)選0.5至5重量。/。的上述PSE笫八副族的元素金屬。為制備催化劑，可以進(jìn)行常用的方法以制備含有至少一種PSE的笫八副族元素的催化劑，如鐵、鈷、釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑。通常在根據(jù)本發(fā)明這一方面的方法中使用催化劑堆積料。其中，可以將催化劑施加到絞線狀或管狀或齒輪狀或球狀或片屑狀的載體上。但也可以使用蜂窩狀的載體或由單個片材構(gòu)成的催化劑束，其具有例如光滑或波浪形或網(wǎng)狀的結(jié)構(gòu)，或者在其他載體形狀的氫化催化劑，例如粉末催化劑。在該方法的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，使二曱基二氯硅烷與氫催化反應(yīng)并且從反應(yīng)產(chǎn)物中獲得二甲基氯硅烷和/或甲基二氯硅烷。但是也可以含有其他有機(jī)硅烷，例如三曱基氯硅烷。因此利用根據(jù)本發(fā)明該方面的方法，可以在制備具有通式Ia且其中111=1或2和11=1或2和111+11#3的烷基氫氯硅烷時，有意識地避免產(chǎn)生那些不理想、需除去的副產(chǎn)物。以下參照實(shí)施例詳細(xì)闡述本發(fā)明的實(shí)踐部分4，實(shí)施例實(shí)施例4.1在470h"的GHSV和2barabs.與340EC的條件下，用通過在30EC下采用DMDCS飽和氫而制得的硅烷/H2混合物來對含有5重量。/。金屬含量的Pd/活性炭催化劑裝料。所測得的DMDCS轉(zhuǎn)化率和主要產(chǎn)物方面的選擇率列于表4.1中。<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>實(shí)施例4.2在230h"的GHSV和10barabs.與400EC的條件下，用通過在30EC下采用DMDCS飽和氫而制得的硅烷/H2混合物來對含有5重量。/。金屬含量的Pt/活性炭催化劑裝料。所測得的DMDCS轉(zhuǎn)化率和主要產(chǎn)物方面的選擇率列于表4.2中。表4.2<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>實(shí)施例4.3在250h"的GHSV和6barabs.與400EC的條件下，用通過在30EC下用DMDCS飽和氫而制得的硅烷/H2混合物來對含有l(wèi)重量。/。金屬含量的Ru/Ah03催化劑裝料。所測得的DMDCS轉(zhuǎn)化率和主要產(chǎn)物方面的選擇率列于表4.3中。表4.3<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>根據(jù)本發(fā)明的第五個方面，現(xiàn)已驚奇地發(fā)現(xiàn)，在存在至少一種含氫化合物的條件下，通過使具有通式I和通式II且其中A-硅、鍺、鈦或錫的，即對應(yīng)于如下通式Ib和IIb的化合物的待處理相與冷等離子體接觸，可以通過處理提純該化合物，特別是可以獲得具有通式Ib的純凈或高純化合物，(lb)R(4-m-n)SiClmHn，R(4-m-n)GeClmHn，R(4陽m-n)TiClmHn或R>(4-m-n)SnClmHn(IIb)R(4-p-q)SiClpHq，R(4-p-q)GeClpHq,R(4-p-q)TiClpHq或R(4-p-q)SllClpHq且在式Ib中i^0和m-4，而在式IIb中p-4且q-0，由此式Ib等于式IIb。特別優(yōu)選有目的地利用冷等離子體來處理由四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫與至少一種含氫化合物組成的待處理相，并且從如此處理之后的相中獲得經(jīng)提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。為此，利用例如但非排他性的基于介電受阻放電(DBE)的冷等離子體來處理含四氯化硅的相或者相應(yīng)的鍺、鈦或錫的化合物的相，使得在四氯化物中作為雜質(zhì)含有的含氫化合物有利地在不添加還原劑的情況下發(fā)生反應(yīng)，即轉(zhuǎn)化為可從SiCl4中分離出去的物質(zhì)，并接著可以從四氯化物相中簡單而經(jīng)濟(jì)地，例如通過分餾除去，由此有利地獲得高純的SiCl4。對于GeCl4、TiCl4或SnCl4相也同樣適用。因此在本發(fā)明方法中，可以有利地棄用如DE-AS1058482的現(xiàn)有技術(shù)中所教導(dǎo)的添加高純度昂貴還原劑的過程。與如EP0488765A1的現(xiàn)有技術(shù)相反，也可以在不添加氯(Cl2)的條件下有利地進(jìn)行本發(fā)明。術(shù)語含氫化合物在此通篇用來等同于含氫的化合物。作為含氫的化合物特別有HC1，含-Si-OH，-C-H，-Si-CH以及-Si-H的硅的化合物以及相應(yīng)的鍺、鈦和錫的化合物。為檢測本發(fā)明的作用效果可以特別指明甲基三氯硅烷(MTCS)作為導(dǎo)納參數(shù)(Leitgr6Pe)。因此，本發(fā)明的SiCl4品質(zhì)有利地含有小于l重量ppm的MTCS，且MTCS在SiCl4中的分析檢測限為0.2重量ppm。其中，可以利用FT-IR-或iH-NMR-法來測定MTCS。另外已驚奇地發(fā)現(xiàn)，為提純四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫可以采用如前對四氯化硅所述的方法。因此，本發(fā)明該方面的主題是處理雜有至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的方法，其中在分開添加還原劑的情況下，即有意地利用特別是通過DBE產(chǎn)生的冷等離子體來處理待提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，并特別是通過后續(xù)的蒸餾而從經(jīng)如此處理的相中獲得高純度的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。為進(jìn)行本發(fā)明的方法，有利地使用冷等離子體。當(dāng)以下論及到冷等離子體或DBE時，這包括的是工業(yè)等離子體的所有已知種類或方式，且其處在一種非熱力學(xué)平衡下。對于等離子體處于非熱力學(xué)平衡下的定義和解釋可參閱相關(guān)的專業(yè)文獻(xiàn)，例如Plasmatechnik:GrundlagenimdAnwendungen.EineEinfiihrung.Autorenkollektiv,CarlHanser出版社慕尼黑/維也納，1984(ISBN3畫446-13627-4)。已知許多用于產(chǎn)生冷等離子體的技術(shù)[Plasmatechnik:GrundlagenundAnwendungen.EineEiftihrung.Autorenkollektiv,CarlHanser出版社慕尼黑/維也納，1984(ISBN3-446-13627-4)。優(yōu)選適用于本發(fā)明的處理所述四面化物的方法的是以l至l(^Hz、特別是10至l(^Hz之間的頻率交流放電，例如但非排他性的也就是所謂的射頻(RF)或微波放電，電暈放電，電容耦合放電，(高壓至低壓-)輝光放電，高頻放電和介電受阻放電(dielektrischbehinderteEntladimg)，也可以是介質(zhì)阻擋放電(Barrieren-Entladung)，或者是前述放電的混合形式。同樣適合的是這些電子氣體放電(輝光放電)的混合形式，其視需要可以以電容或電感耦合的方式以及還有脈沖形式工作。優(yōu)選使用交流電壓或脈沖式工作的介質(zhì)阻擋放電。介質(zhì)阻擋放電可以在兩個金屬電極之間產(chǎn)生，其中至少一個鍍有電介質(zhì)，該電介質(zhì)能阻礙兩個金屬電極之間形成電火花或電弧。取而代之的是形成許多瞬時的且空間寬度受限的微放電，這種放電持續(xù)時間和能量受到電介質(zhì)的限制。合適的電介質(zhì)是陶瓷、玻璃、瓷器料或絕緣塑料，例如特富龍。其他一些合適的材料是例如VDE0303和DIN40685中所述的那些。介質(zhì)阻擋放電可以合適地在0.1mbar至10bar的壓力下進(jìn)行。放電的電子激發(fā)可以通過在電極上施加變化電壓來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)放電空間內(nèi)壓力、電極間距、交流電壓的頻率和振幅的不同，在超過點(diǎn)火電壓(Zttndspannung)時，空間和時間上無規(guī)分布的放電過程只會持續(xù)數(shù)納秒。以下根據(jù)圖7，8和9來更詳細(xì)地闡述本發(fā)明可用的反應(yīng)器。圖7所示為例如用于處理所述四卣化物的等離子反應(yīng)器的多種但非排他性的可用變型方案的原理性結(jié)構(gòu)。圖8所示為基于"帶電填充層反應(yīng)器，，或"表面放電反應(yīng)器"的優(yōu)選實(shí)施方式，也可參見圖7f和7e。因此可以用介電填充體來填充"無聲放電反應(yīng)器，，。如圖8所示，可以將介電顆?；蚯蛄?2.6)塞滿填充在兩個介電勢壘(2.4)中以形成所謂的(球粒)床或反應(yīng)室(2.1)。在該類型的反應(yīng)器中，引發(fā)特別優(yōu)選在介電填充體(2.6)表面上的放電過程。圖8中，(2.2)和(2.3)表示例如兩個金屬電極，其相對放置并且連接交流電源(2.5)。為了抑制在兩個電極之間形成放電電弧，可以在兩個電極上鍍有電介質(zhì)(2.4)。這種放電可以稱之為兩側(cè)介電受阻的放電。但是也可以只是將一個電極鍍上電介質(zhì)。在該情況下，會形成一面介電受阻的氣體放電，這種放電由相應(yīng)的電子激發(fā)而運(yùn)行。在一個特別優(yōu)選的變型方案中，將電介質(zhì)(2.4)定位于中間。然后，形成朝向上以及下金屬電極的一面受阻放電。電子激發(fā)的特點(diǎn)如下所述在放電體積內(nèi)有足夠的場強(qiáng)條件下，通過在兩個電極上施加交流電壓，可以引發(fā)理想的放電過程。所需的電壓取決于電介質(zhì)和反電極之間的自由間隙(d)，取決于所用的電介質(zhì)以及放電段內(nèi)的電壓，取決于氣體組成和可能存在的位于放電室內(nèi)電介質(zhì)之間的插入體。間隙(d)應(yīng)合適地調(diào)節(jié)在0.01至100mm、優(yōu)選0.1至10mm之間。微系統(tǒng)中所需的電壓可以為10Vp至100kVp、優(yōu)選100Vp至15kVp、特別優(yōu)選500Vp至5kVp。交流電壓的頻率有利地為lHz至30GHz，優(yōu)選50Hz與250MHz，以及在技術(shù)上可用的微波發(fā)生器的范圍內(nèi)，例如為2.45GHz。然而明確地不排除其他發(fā)送頻率。為進(jìn)行該方法，優(yōu)選用球粒(2.6)填裝如圖8所示的等離子體反應(yīng)器。電子放電首選以火花i文電(Gleitentladung)的方式開始于球粒的表面上。由此，提高球粒表面附近空間處的離子和自由基的濃度，這就會使得包含于氣流中的含氫化合物進(jìn)行更好的反應(yīng)。這里所用的球?？梢杂欣赜蛇x自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈰、二氧化硅、氧化鎂或其混合氧化物的載體材料組成。優(yōu)選的是氧化硅球粒(玻璃球)。當(dāng)以下論及到球粒時，也包括顆粒、粉末或粉或其他粒徑狀態(tài)。直徑可以在100nm至10mm、優(yōu)選在IOmm至lmm之間變化。等離子體反應(yīng)器的電極可以構(gòu)造為相互平行校準(zhǔn)的平面結(jié)構(gòu)或者構(gòu)成具有為管式電極包圍的中心電極的同軸排列形式。為筒化放電的形成，可以，例如通過會導(dǎo)致局部電場過高并因此使得放電(點(diǎn)火(Ztindung))能更好形成的螺旋電極來設(shè)置空間不均勻性。參見圖8，見J丄ang等人，W098/49368,以k那里所引用的二級文獻(xiàn))。圖9所示為用于產(chǎn)生DBE的反應(yīng)器的優(yōu)選實(shí)施方式。如圖9所示，為用于本發(fā)明方法中，適宜地用兩個壁(3.1和3.2)限制反應(yīng)器的反應(yīng)室(3.3)，所述的壁具有幾個亳米的間距，優(yōu)選0.1至3mm。若是"單側(cè)受阻放電"，則如圖所示，使一個壁由電絕緣材料組成，例如石英玻璃和陶瓷氧化物，而反應(yīng)器壁由導(dǎo)電性材料，例如特種鋼組成。若是"兩側(cè)受阻放電，，，通常兩個壁都由電絕緣材料(耐擊穿的電介質(zhì))組成。接著，其中應(yīng)設(shè)置電極(3.4和3.5)以耦合例如利用脈沖直流電源(3.6)而提供的電能，參見圖9。適宜地，經(jīng)由導(dǎo)入管(3.7)來導(dǎo)入所要提純的、含四鹵化物的相。經(jīng)處理后的相可以經(jīng)由(3.8)而導(dǎo)入到例如另一個反應(yīng)器、收集容器或蒸餾單元中，參見圖9。在方法中可以將合適的反應(yīng)器也設(shè)計(jì)成微反應(yīng)器的形式。此外，還可以例如使用臭氧發(fā)生器(Ozonisator)作為用于進(jìn)行本發(fā)明的反應(yīng)器。在本發(fā)明方法中還可以使用一種或多種反應(yīng)器來產(chǎn)生用于處理待提純四卣化物的氣體放電過程。并且，倘若使用多于一個反應(yīng)器，還可以將它們串聯(lián)或并聯(lián)。眾所周知的是，等離子體放電時耦合入的電能取決于壓力p和電極間距d的乘積(pAd)，由此可以在氣體壓力恒定的條件下只是通過改變反應(yīng)器的幾何形狀而促進(jìn)或抑制等離子體內(nèi)特定的自由基反應(yīng)。對于本發(fā)明方法，電極間距和壓力的乘積應(yīng)為0.01至300mmbar、優(yōu)選0.05至100mmbar、特別優(yōu)選0.08至0.3mm.bar、特別是0.1至0.2mmbar。來激發(fā)。另外:用于產(chǎn)生放電而施二:電壓的:線形狀v以例i但非排他性地以矩形、梯形、正弦形、三角形、脈沖形或由各個時間分布圖形逐個組合而成。此外，也可以通過傅立葉合成法來產(chǎn)生合適的根據(jù)時間的曲線形狀。脈沖形的激發(fā)電壓特別合適產(chǎn)生較高的電子密度和在反應(yīng)器的整個放電室內(nèi)盡可能同時形成放電。脈沖式操作的脈沖持續(xù)時間視氣體體系而定并且優(yōu)選在10ns和lms之間。電壓振幅在微體系中可以為10Vp至100kVp、優(yōu)選100Vp至10kVp、特別優(yōu)選500Vp至5kVp。這種脈沖式的直流電也可以以較高的重復(fù)率，例如10-ns-脈沖時10MHz(觸發(fā)比10:l)直至很低的頻率(10至0.01Hz)工作和調(diào)制，例如作為"猝發(fā)式運(yùn)行"，以實(shí)現(xiàn)被吸收物質(zhì)的反應(yīng)。在本發(fā)明方法中所用的等離子體反應(yīng)器可以由各種電學(xué)和熱學(xué)方面都適合的材料制成。特別優(yōu)選的是特種鋼與塑料、陶瓷和玻璃相結(jié)合。不同材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)同樣是有利的。眾所周知，介電受阻放電是瞬時的氣體放電，其由很短持續(xù)時間的纖維狀放電組成。電極之間的間距通常為約l亳米。兩個電極適宜地由金屬構(gòu)成。其上或其間要適宜地置入電介質(zhì)，例如玻璃或陶瓷。如果反應(yīng)器壁直接構(gòu)成兩個電極之一(也即由金屬材料成型制備)，則可以稱之為"單側(cè)受阻放電"。并且，優(yōu)選介電受阻的放電過程具有50Hz至100MHz、更優(yōu)選100Hz至lMHz、極其優(yōu)選400至4000Hz的頻率；同時，特別指出在IO至1OOkHz之間的所有值都是有利的。此外，在使用以超過約一瓦特的功率工作的反應(yīng)器時，優(yōu)選可以諸如使用以水冷卻的電極。另外，在圖10和11的流程圖中描繪了用以進(jìn)行本發(fā)明方法的設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施方式。因此，參見圖10/11，本發(fā)明主題還在于用以才艮據(jù)本發(fā)明方法處理四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的裝置，其特征在于，四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的存儲單元和蒸發(fā)單元(4.1或5.1)經(jīng)由連接導(dǎo)管與帶有控制單元(4.4或5.4)的用于進(jìn)行電介質(zhì)受阻的放電過程的反應(yīng)器(4.3或5.3)進(jìn)口相連，而反應(yīng)器的出口經(jīng)由導(dǎo)管直接或間接地通過至少另一個反應(yīng)器單元(5.5)而導(dǎo)入到其后接有收集容器(4.6或5.12)的冷凝單元(4.5或5.11)，并且所述收集容器經(jīng)由抽取管(4.6.2或5.12.1)而與蒸餾單元(4.8或5.13)相連以及任選地還設(shè)置有通向單元(4.1)的導(dǎo)管(4.6.1)，參見圖10/11。為進(jìn)行本發(fā)明的方法，要將待處理的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫(以下簡稱為相)優(yōu)選轉(zhuǎn)化為氣相。為此，可以有利地將載氣，優(yōu)選是處于壓力下的惰性氣體(視需要經(jīng)加熱)并使其引導(dǎo)著流過室溫下通常為液態(tài)的待提純含四卣化物的相，并且使如此富集有待提純產(chǎn)品的氣相導(dǎo)入到反應(yīng)器中。但也可以加熱存儲單元(圖10:4.1)并使四卣化物轉(zhuǎn)化為氣相。然而還可以在所謂的混合相一一例如在降膜中形成的那樣(液相和氣相重疊)一一中進(jìn)行本發(fā)明的處理過程。優(yōu)選將所要處理的相以0.01至100m/s、特別是約0.1至10m/s的流速通過反應(yīng)器的放電區(qū)域。每次放電的暴露時間為優(yōu)選10ns至ls。也就是說，所要處理的相優(yōu)選在放電區(qū)域停留總共lms至10分鐘。才艮據(jù)本發(fā)明，相的處理可以適宜地在0.1mbar至10barabs.、優(yōu)選lmbar至2barabs.、特別優(yōu)選100mbar至1.5barabs.、極其優(yōu)選200mbar至lbarabs.、特別優(yōu)選250至500mbarabs.的壓力下進(jìn)行，并且若為四氯化硅的情況，要將待處理的相優(yōu)選調(diào)節(jié)在-40至200iC、特別優(yōu)選20至80"C、極其優(yōu)選40至60"C的溫度。對于四氯化鍺，相應(yīng)的溫度可以有利地較高。另外，在實(shí)施本發(fā)明方法時，在工藝中的一個或多個位置處向所要處理的相中添加氮?dú)饣蚱渌谔峒內(nèi)蝿?wù)中呈惰性的緩沖氣體，優(yōu)選是氬氣，但也可以是氦、氙或其它稀有氣體或它們的混合物。此外，在本發(fā)明方法中還可以添加選定的卣素供體，例如氯。根據(jù)本發(fā)明的第五方面的方法，既可以連續(xù)又可以非連續(xù)地操作。根據(jù)污染程度，在根據(jù)本發(fā)明笫五方面的方法中，可以使待處理的相處于循環(huán)并適宜地用介電受阻放電處理該待處理相至少一次。因此，可以有目的地調(diào)節(jié)氣態(tài)的四氯化硅或四氯化鍺在反應(yīng)器中的停留時間，用以可以在一個循環(huán)或在多個循環(huán)(循環(huán)法)，即例如兩個、三個或多個循環(huán)周期內(nèi)特別有益地進(jìn)行本發(fā)明的處理過程。通?？梢砸砸粋€循環(huán)進(jìn)行連續(xù)過程。其中有利地使用能實(shí)現(xiàn)足夠停留時間的裝置，例如其中多個反應(yīng)器串聯(lián)和/或并聯(lián)的設(shè)備。此外，也可以特別以連續(xù)方式地進(jìn)行這一方面的方法，并同時有利地在液態(tài)的四氯化硅或四氯化鍺餾分中進(jìn)行分析測量，其中例如利用甲基三氯硅烷的含量作為導(dǎo)納參數(shù)。在本發(fā)明的這一方面的方法中，通常要逐步冷卻所處理之后的相并排出經(jīng)提純的SiCl4-，GeClr，TiCLr或SnClr餾分，即優(yōu)選通過分餾從經(jīng)處理的相中分離出純凈產(chǎn)物。通常按如下方式進(jìn)行本發(fā)明的方法，即蒸發(fā)待提純的、含有含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，利用DBE處理氣相，冷凝經(jīng)有目的地處理之后的相并且一次或視需要多次進(jìn)行這種循環(huán)。其中，可以有利地預(yù)熱惰性氣體，如稀有氣體并使用作載體來蒸發(fā)待提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。此外，還可以在一個或多個位置處向體系導(dǎo)入氯供體，例如在氣相進(jìn)入到反應(yīng)器中去之前。因此，可以以不同的方式來進(jìn)行本發(fā)明的處理雜有含氬化合物的SiCLr，GeClr，TiCLr或SnCl4的過程-DBE-處理待處理的相，即沒有其他添加劑。-存在一種或多種添加劑條件下的DBE-處理，如卣化氫(HX)和/或卣素(X2)(優(yōu)選X-Cl)和/或稀有氣體(He，Ar，Xe)或氮?dú)狻?首先不添加添加劑進(jìn)4于DBE處理，然后在存在至少一種上述添加劑的條件下繼續(xù)處理。本發(fā)明笫五方面的方法可以特別有利地在不添加還原劑的條件下進(jìn)行。優(yōu)選利用曱基三氯硅烷(MTCS)或甲基三氯鍺烷(Methyltrichlorgerman)(MTCGe)或相應(yīng)的鈦化合物或錫化合物(它們通常在待處理的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫中的含量可以為1至500重量ppm)的含量下降值作為參數(shù)來確定本發(fā)明方法的效果。例如，從開始時的133重量ppm的MTCS，在不添加添加劑條件下進(jìn)行的本發(fā)明DBE處理過程結(jié)束之后，曱基三氯硅烷通常不再能夠檢測到，這也就是說，它的值可以下降到〈l重量ppm(FTIR法的檢測極限)或者〈0.2重量卯m(iH-NMR-法的檢測極限)。優(yōu)選具有約〈l重量ppm的MTCS值作為導(dǎo)納參數(shù)的如此處理之后的SiClr相，可以在此時導(dǎo)入到分離過程中。分離可以優(yōu)選分餾進(jìn)行，同時可以作為提純產(chǎn)物優(yōu)選獲得高純的四氯化硅。本發(fā)明第五方面的方法以及相應(yīng)的本發(fā)明的裝置的特點(diǎn)還在于有著極高的效果。因此，其中含有含量直至百分比范圍內(nèi)的甲基三氯硅烷(MTCS)、甲基三氯鍺烷(MTCGe)、甲基三氯鈦烷(Methyltrichlortitan)(MTCTi)或甲基三氯化錫(MTCSn)的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，通過本發(fā)明的DBE處理法可以完全不含有上述那些物質(zhì)。若例如在待提純的SiCLr、GeClr相中還含有三氯硅烷(TCS)或三氯化鍺(TCGe)，則也可以有利地同時將其除去。以下通過實(shí)施例來闡述本發(fā)明的第五個方面，但并非是對所要求保護(hù)的主題進(jìn)行限制。5.實(shí)施例在實(shí)施例中，反應(yīng)腔由兩個同軸的石英玻璃管構(gòu)成，由此形成平均直徑優(yōu)選在25至30mm之間且長度為250至300mm的環(huán)狀縫隙。通過直徑的增大和/或管式反應(yīng)器的并聯(lián)(管束)可以實(shí)現(xiàn)按比例的擴(kuò)大。但是同樣也可以是平面排布。這意味著，該方法在反應(yīng)器面積方面是任意的。將根據(jù)圖9的前述等離子體反應(yīng)器整合到工藝技術(shù)設(shè)備中去(參見圖IO)。其事先抽空。經(jīng)由(4.1.1)將約500ml的四氯化硅(E)預(yù)置入由可利用恒溫器(4.7)加熱的玻璃容器組成的存儲容器/蒸發(fā)器(4.1)中，參見圖IO。這里所用的四氯化硅含有如下雜質(zhì)133g/kg的甲基三氯硅烷(MTCS)和6g/kg的三氯硅烷(TCS)。通過加熱存儲容器/蒸發(fā)器蒸發(fā)四氯化硅，使其流經(jīng)前述的反應(yīng)器(4.3)(參見圖9;石英玻璃，直徑約30mm，長度為約250mm)，然后在利用低溫恒溫箱(4.9)冷卻的冷凝器(4.5)冷凝之后，到達(dá)收集容器(4.6)中，參見圖IO。在四氯化硅流經(jīng)反應(yīng)器的同時，在反應(yīng)器上施加頻率為1.9kHz且振幅為35kV"峰到峰"的交流電壓(圖10:4.4)。輸入反應(yīng)器中的功率為約40W(根據(jù)EN測定的主要面上的功率)。在設(shè)備中可以通過壓力調(diào)節(jié)而將操作壓力調(diào)節(jié)到約300mbar。經(jīng)由恒溫器(圖10:4.7)的蒸發(fā)管，可以調(diào)節(jié)流經(jīng)反應(yīng)器的四氯化硅量(約250ml/h)。在所有的四氯化硅從存儲容器經(jīng)由反應(yīng)器而轉(zhuǎn)移到收集容器中去之后，四氯化硅可以從收集容器(4.6)中再釋放到存儲容器(4.1)中，參見圖IO。在4個循環(huán)之后，如此處理之后的四氯化硅具有〈l重量ppm(FT-IR)或〈0.2重量ppmCH-NMR)的MTCS含量。接著將如此處理之后的四氯化硅餾分從收集容器(4.6)中轉(zhuǎn)移到蒸餾單元(4.8)中，在那里分離高純度的四氯化硅餾分(P)，參見圖IO。雜質(zhì)含量相應(yīng)于可達(dá)到的檢測限。除了MTCS含量外，TCS含量也減少到了<lppm。因此，在不添加還原劑的四氯化物情況下，可以實(shí)現(xiàn)完全去除MTCS和TCS。附圖標(biāo)記圖7示出了用于優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行氣體放電過程的反應(yīng)器的例子圖7a-基于輝光放電(輝光放電)的等離子體反應(yīng)器圖7b-射頻等離子體反應(yīng)器(RF放電)圖7c-脈沖-電暈-等離子體反應(yīng)器(脈沖電暈)圖7d-基于兩側(cè)受阻的介質(zhì)阻擋放電的等離子體反應(yīng)器(無聲放電-電介質(zhì)阻礙放電)圖7e-基于表面火花放電(表面放電)的等離子體反應(yīng)器圖7f-流化床-等離子體反應(yīng)器(填料床)圖8示出了用于進(jìn)行介電受阻放電的反應(yīng)器的優(yōu)選實(shí)施方式的原理性結(jié)構(gòu)-.EG進(jìn)料氣d直徑2.1反應(yīng)床或反應(yīng)腔2.2電極2.3電極2.4電介質(zhì)2.5交流電源2.6介電顆?；蚯蛄G產(chǎn)物氣圖9示出了所示為用于實(shí)施本發(fā)明方法的反應(yīng)器的優(yōu)選實(shí)施方式圖的示意圖3.1反應(yīng)腔的邊界3.2反應(yīng)腔的邊界3.3反應(yīng)腔3.4電極3.5電極3.6交流電源3.7導(dǎo)入進(jìn)料相3.8排出經(jīng)處理的相圖10示出了具有循環(huán)方式的用于實(shí)施本發(fā)明方法的裝置的優(yōu)選實(shí)施方式流考呈圖E待處理的進(jìn)料相4.1存儲容器(可加熱，可冷卻)4.2壓力容器內(nèi)的惰性氣體4.3氣體放電反應(yīng)器4.4交;克電源4.5冷凝和監(jiān)控單元4.6收集容器4.7加熱/冷卻單元蒸餾單元冷卻單元P產(chǎn)物餾分圖ll示出了用于進(jìn)行本發(fā)明方法的裝置的優(yōu)選實(shí)施方式的流程圖，其中的反應(yīng)器既可以串連又可以并聯(lián)E待處理的進(jìn)料相5.1存儲容器(可加熱，可冷卻)5.2壓力容器中的惰性氣體5.3氣體放電反應(yīng)器5.4交流電源5.5氣體放電反應(yīng)器5.6交流電源5.7氣體放電反應(yīng)器5.8交流電源5.9氣體放電反應(yīng)器5.10交流電源5.11冷凝和監(jiān)控單元5.12收集容器5.13蒸餾單元P產(chǎn)物餾分根據(jù)本發(fā)明的笫六個方面，現(xiàn)已驚奇地發(fā)現(xiàn)，可以較為簡單而經(jīng)濟(jì)的方式進(jìn)行制備具有通式Ib的高純度化合物的方法，其中利用冷等離子體來處理待提純的具有通式IIb且雜有至少一種含氫化合物的化合物，并且由所處理后的相通過分餾獲得具有通式Ib的經(jīng)提純的化合物，(IIb)R(4_p_q)SiClpHq，R(4.p.q)GeClpHq，R(4_p_q)TiClpHq和/或R(4.p.q)SllClpHq其中p-4和q-0，(lb)R(4-m-n)SiClmHn,R(4-m-n)GeClmHn，R^4_m-n)TiClmHn和/或R(4-m-n)SnClmHn其中11=0和111=4，該方法可特別用于通過在使用了新型反應(yīng)器體系，用于氣相處理的等離子體反應(yīng)器(縮寫PRG)的條件下用冷等離子體來處理雜以至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，并接著分餾如此處理的相來制備高純度的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，該制備過程可優(yōu)選以大工業(yè)規(guī)模可靠地進(jìn)行，并且這種反應(yīng)器的有利特點(diǎn)是，存在于PRG中的電介質(zhì)是以機(jī)械自穩(wěn)定化的方式設(shè)置的，這一點(diǎn)通過相互平行排列設(shè)置通常管形的電介質(zhì)并使其長軸平行于地球引力取向而獲得。術(shù)語含氫化合物在此通篇用來等同于含氫的化合物。作為含氫的化合物特別有HC1，含-Si-OH，-C-H，-Si-CH以及-Si-H的硅的化合物以及相應(yīng)的鍺、鈦和錫的化合物。以下將四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫也簡稱為四囟化物。此外，還可以獲得高縱橫比(縮寫為Gap),即縱橫比=管長/電荷間J巨(Ladungsabstand)，和極高的均勻性并因此而在電介質(zhì)的長度方面("管長")有高的Gap常數(shù)。因此可以根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)以有利的方式省略用于臭氧產(chǎn)生器的常規(guī)隔板。另外，使所述PRG中的等離子或反應(yīng)區(qū)域適宜地在地面一側(cè)為待處理的相(A)所流過，這有助于穩(wěn)定反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，也可參見圖13。因此，本發(fā)明的反應(yīng)器或設(shè)備使得能夠利用冷等離子體以驚人的簡便和經(jīng)濟(jì)的方式來實(shí)現(xiàn)以大工業(yè)規(guī)模處理和提純四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。另外，根據(jù)本發(fā)明方法也能安全而可靠地操作這種大工業(yè)設(shè)備或反應(yīng)器。為了檢測本發(fā)明方法的效果，可以特別指定曱基三氯硅烷(MTCS)或者相應(yīng)的鍺、鈦或錫的烷基化合物作為導(dǎo)納參數(shù)。因此本發(fā)明的SiCLj品質(zhì)中優(yōu)選含有小于l重量ppm的MTCS，其中MTCS的分析檢驗(yàn)極限值在0.2重量ppm。其中，可以利用FT-IR-或11^NMR-法來測定MTCS。此外還驚奇地發(fā)現(xiàn)，為提純四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫可以采用前述的對于四氯化硅所用的方法。圖12和13示例性地顯示了本發(fā)明設(shè)備或PRG以及本發(fā)明PRG的一個微單元的優(yōu)選實(shí)施方式。因此，本發(fā)明的主題還在于處理雜以至少一種含氫化合物的具有通式IIb的化合物的反應(yīng)器，(lib)R(4-p-q)SiGlpHq，R(4-p-q)GeGlpHq，R(4-p-q)TiClpHq或R(4-p-q)SllClpHq其中p-4且q-0，特別是通過利用冷等離子體來處理雜以至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的反應(yīng)器，其中，等離子反應(yīng)器(圖12/13:4)基于反應(yīng)器罩殼、高壓電源和至少一個用以等離子處理的微單元，所述微單元基本上由接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)、電介質(zhì)(圖13:4.4)、孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)和高壓電極(圖13:4.3)組成，并且電介質(zhì)(圖13:4.4)、高壓電極(圖13:4.3)以及接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的方向矢量而取向。本發(fā)明的主題還在于一種用于制備具有通式Ib的高純度化合物的設(shè)備，(lb)H(4-m-n)SiClmHn，R_(4-m-n>GeClmHn，R(4-m-n)TiClmHn和/或R(4-m-n)SllClmHn其中n=0JLm=4,特別是用于在反應(yīng)器體系(圖12:1，2，3，4，5，6,7，8)內(nèi)利用冷等離子體和隨后的用于提純經(jīng)處理的相的蒸餾單元(圖12:9，10，11，12，13，14，15)來制備高純度的四氯化硅或高純度的四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的設(shè)備，其中，等離子體反應(yīng)器(圖12/13:4)(縮寫為PRG)基于反應(yīng)器罩殼、高壓電源和至少一個用于等離子處理的微單元，所述微單元基本上由接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)、電介質(zhì)(圖13:4.4)、孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)和高壓電極(圖13:4.3)組成，并且電介質(zhì)(圖13:4.4)、高壓電極(圖13:4.3)以及接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的方向矢量而取向。優(yōu)選其中的管狀電介質(zhì)(圖13:4.4)定向于孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)上，并且其中的電介質(zhì)(圖13:4.4)被管狀的熱交換器(圖13:4.2)包圍并且電極棒或管狀的網(wǎng)電極(圖13:4.3)完全或部分地伸入到管(圖13:4.4)中，參見圖13。另外，優(yōu)選電介質(zhì)(圖13:4.4)具有壁厚為0.1至10mm、優(yōu)選0.5至2mm、特別優(yōu)選約lmm，內(nèi)徑為l至300mm、優(yōu)選5至30mm、特別優(yōu)選約10mm，并且長度為10至3000mm、優(yōu)選500至2000mm、特別優(yōu)選IOOO至1500mm的管并且由石英玻璃、杜蘭玻璃(Duranglas)、硼硅酸鹽玻璃或氧化鋁組成。此外，電介質(zhì)的表面可以被結(jié)構(gòu)化，以特別使得電介質(zhì)的幾何表面積最大化。在本發(fā)明的PRG中優(yōu)選使電極(圖13:4.3)由金屬或金屬合金構(gòu)成且視需要可冷卻。此外，還優(yōu)選電介質(zhì)(圖13:4.4)和高壓電極(圖13:4.3)之間以及電介質(zhì)(圖13:4.4)和管式熱交換器(圖13:4.2)之間的最小凈間距相等，參見圖13。其中，特別優(yōu)選使間距(d)為0.01至100mm，特別優(yōu)選為0.1至10mm，極其優(yōu)選為0.3至lmm。在本發(fā)明的設(shè)備中，PRG內(nèi)的孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)適宜地具有10至90%、優(yōu)選20至80%、特別優(yōu)選30至70%、極其優(yōu)選40至60%的自由橫截面積。另外，PRG的熱交換器(圖13:4.2)既可以被加熱也可以被冷卻并且設(shè)置成為管束式熱交換器。本發(fā)明的設(shè)備優(yōu)選基于至少一個PRG(圖12/13:4)，其中其優(yōu)選含有2至50000個微單元，更優(yōu)選20至10000，極其優(yōu)選600至6000，特別優(yōu)選1000至4000個微單元。本發(fā)明該方面的主題同樣是連續(xù)制備高純度具有通式Ib的化合物的大工業(yè)方法，其中利用冷等離子體來處理雜有至少一種含氫化合物的且具通式IIb的待提純化合物，并從如此所得的相中通過分餾獲得經(jīng)提純的具有通式Ib的化合物，(nb)R(4.p.q)SiClpHq，R(4.p_q)GeClpHq，R(4_p_q)TiClpHq和/或R(4.p_q)SllClpHq其中p-4且q-0，(Ib)R(4-m-n)SiCImHn，R(4-m-n)GeClmHn,R(4-m-n)TiClmHn和/或R(4-m國n)SnClmHn其中n:0且m:4，所述處理過程是在等離子體反應(yīng)器(圖13:4)內(nèi)進(jìn)行，并且其中電介質(zhì)(圖13:4.4)，高壓電極(圖13:4.3)以及接地的、金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力矢量而取向。特別的，本發(fā)明的主題是用于連續(xù)制備高純度四氯化硅、高純度四氯化鍺、高純度四氯化鈦或高純度四氯化錫的大型工業(yè)方法，其中利用冷等離子體來處理雜有至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，并且通過分餾從如此所得的相中獲得經(jīng)提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，其中所述的處理過程在等離子體反應(yīng)器(圖13:4)內(nèi)進(jìn)行，并且其中電介質(zhì)(圖13:4.4)，高壓電極(圖13:4.3)以及接地的、金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的矢量而取向。因此，優(yōu)選對于每個PRG有至少一個微單元(圖12/13:4)，且其放電空間優(yōu)選設(shè)計(jì)成管狀的并且沒有所謂的死區(qū)(Stand)，其中管的長軸基本上平行于地球引力的矢量，即垂直于地面。在該方法中優(yōu)選使用至少一種等離子體反應(yīng)器用于氣相處理(圖12/13:4)，且其管狀電介質(zhì)(圖13:4.4)位于孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)上，待處理的相(A)流過穿孔的基面(Standfl3ch)(圖13:4.1)，并接著經(jīng)過電介質(zhì)(圖13:4.4)和電極(圖13:4.3或4.2)之間的反應(yīng)區(qū)。但是也可以串聯(lián)或并聯(lián)地操作兩個或多個等離子體反應(yīng)器(圖12/13:4)。優(yōu)選的PRG(圖12/13:4)的這些管(圖13:4.4)通常基于石英玻璃、杜蘭玻璃、硼硅酸鹽玻璃或氧化鋁。優(yōu)選的PRG通常以脈沖式交流工作。在該方法中所用的反應(yīng)器(圖12/13:4)上優(yōu)選構(gòu)造1至50000個垂直于地表面并相互平行設(shè)置的微單元。優(yōu)選使用介電受阻放電形式(DBE或也稱為無聲放電)的冷等離子體來進(jìn)行該方法，這種放電有利地在每個PRG的微單元中產(chǎn)生。因此，本發(fā)明方法在如下方面是有利的，因?yàn)楸景l(fā)明的方法可以以微技術(shù)在例如由微單元組成的微反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行，其中多個這樣的微反應(yīng)器可以并聯(lián)和/或串聯(lián)地操作。在該方法中，適用于處理所述四卣化物的優(yōu)選是頻率在l至109Hz、特別是在10至l(^Hz之間的交流放電過程。優(yōu)選使用所謂的以交流電壓或脈沖式工作的介質(zhì)阻擋放電。介質(zhì)阻擋放電可以在兩個金屬電極之間產(chǎn)生，其中至少一個鍍有電介質(zhì)，其能阻礙兩個金屬電極之間形成電火花或電弧。取而代之的是構(gòu)成許多瞬時的且體積寬度受限的微放電，這種放電持續(xù)時間和能量受到電介質(zhì)的限制。合適的電介質(zhì)是陶器、玻璃、陶瓷或絕緣塑料，例如特富龍。其他一些合適的材料是例如VDE0303和DIN40685中所述的那些。介質(zhì)阻擋放電可以合適地在0.1mbar至10bar的壓力下運(yùn)行。放電的電子激發(fā)可以通過在電極上施加變化電壓來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)放電空間內(nèi)壓力、電極間距、交流電壓的頻率和振幅的不同，在超過著火電壓時，空間和時間上無規(guī)分布的放電過程只會持續(xù)幾個納秒。電子激發(fā)的特點(diǎn)如下所述在放電體積內(nèi)有足夠的場強(qiáng)條件下，通過在兩個電極上施加交流電壓，可以引發(fā)理想的放電過程。所需的電壓取決于兩個電介質(zhì)和反向電極之間的自由間距(d)，取決于所用的電介質(zhì)以及放電段內(nèi)的電壓，取決于氣體組成和可能存在的位于放電室內(nèi)電介質(zhì)之間的插入體(縮寫為Gap)。間距(d)應(yīng)合適地調(diào)節(jié)在0.01至100mm、優(yōu)選0.1至10mm之間、特別優(yōu)選0.3至lmm之間。所需的電壓在微系統(tǒng)或微單元中可以為10Vp至100kVp、優(yōu)選100V至15kV、特別優(yōu)選lkV至10kV。交流電壓的頻率優(yōu)選在lHz至30GHz之間，優(yōu)選在50Hz與250MHz之間，特別優(yōu)選在600Hz至2kHz之間。然而也明確不排除其他發(fā)送頻率。為進(jìn)行該方法，可以用顆?；蚯蛄Ｌ钛b根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)的PRG。電子放電尤其以火花放電的方式開始于顆?；蚯蛄５谋砻嫔希@就會優(yōu)選導(dǎo)致放電表面的擴(kuò)大。由此也就提高在所產(chǎn)生表面的附近空間處離子和自由基的濃度并由此有利于氣流中所含的含氫化合物的轉(zhuǎn)化率提高。此外，這些顆?；蚯蛄＿€能有益地進(jìn)一步改善流動或混勻條件，即在放電或反應(yīng)區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能均勻的氣體分布。這里所用的顆粒或球?？梢詢?yōu)選由選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈰、二氧化硅、氧化鎂或其混合氧化物的載體材料組成。優(yōu)選的是氧化硅球粒(玻璃球)。當(dāng)以下論及到顆粒或球粒時，也包括微粒、粉末或粉或其他粒徑狀態(tài)。直徑可以在100nm至10mm、優(yōu)選在IOym至0.5mm之間變化。等離子體反應(yīng)器的電極可以構(gòu)造為相互平行校準(zhǔn)的面狀結(jié)構(gòu)或者構(gòu)成具有被管式電極包圍的中心電極的同軸排列形式。為簡化放電的形成，可以，例如通過會導(dǎo)致局部電場過高并因此使得放電(點(diǎn)火)能更好形成的螺旋電極來設(shè)置空間不均勻性。若是"單側(cè)受阻放電"，可以如已經(jīng)所示的，使一個壁由電絕緣材料組成，例如石英玻璃和陶瓷氧化物，而反應(yīng)器壁由導(dǎo)電性材料，例如特種鋼組成。若是"兩側(cè)受阻放電，，，通常兩個壁可以都由電絕緣材料(耐擊穿的電介質(zhì))組成。接著，其中應(yīng)設(shè)置電極以耦合例如利用脈沖直流電源而提供的電能。在本發(fā)明方法中還可以使用一種或多種反應(yīng)器來產(chǎn)生用于處理待提純四卣化物的氣體放電。并且，倘若使用一個以上的反應(yīng)器，還可以將它們彼此串聯(lián)或并聯(lián)。如已所知的，等離子體放電時耦合入的電能取決于壓力p和電極間距(1的乘積^*(1)，由此可以在氣體壓力恒定的條件下只是通過改變反應(yīng)器的幾何形狀而促進(jìn)或抑制等離子體內(nèi)特定的自由基反應(yīng)。對于本發(fā)明方法，電極間距和壓力的乘積應(yīng)為0.01至300mmbar、優(yōu)選0.05至100mmbar、特別優(yōu)選0.08至0.3mmbar、特別是0.1至0.2mmbar。來激發(fā)。另外:用于產(chǎn)生放電而施二;電壓的二"形狀;以例i但非排他性地以矩形、梯形、正弦形、三角形、脈沖形或由各個時間分布圖形逐一組合而成。此外，也可以通過傅立葉合成法來產(chǎn)生合適的根據(jù)時間的曲線形狀。脈沖形的激發(fā)電壓特別合適產(chǎn)生較高的電子密度和在反應(yīng)器的整個放電室內(nèi)盡可能同時形成放電。脈沖式工作的脈沖持續(xù)時間視氣體體系而定并且優(yōu)選在10ns和lms之間。在微體系中電壓振幅可以為10V至100kV、優(yōu)選100V至10kV。這種脈沖式的直流電壓也可以以較高的重復(fù)率，例如10-ns-脈沖時10MHz(觸發(fā)比10:l)直至很低的頻率(10至O.OlHz)運(yùn)行和調(diào)制，例如作為"猝發(fā)式運(yùn)行"，以實(shí)現(xiàn)被吸收的物質(zhì)的反應(yīng)。在本發(fā)明方法中所用的PRG可以由各種電學(xué)和熱學(xué)方面都適合的材料制成。特別優(yōu)選的是特種鋼與塑料、陶瓷和玻璃相結(jié)合。不同材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)同樣是有利的。眾所周知，介電受阻放電是瞬時氣體放電，其由很短持續(xù)時間的纖維狀放電組成。電極之間的間距通常為約l毫米。兩個電極適宜地由金屬構(gòu)成。其上或其間可以適宜地置入電介質(zhì)，例如玻璃或陶瓷。如果反應(yīng)器壁直接構(gòu)成兩個電極之一(也即由金屬材料成型而得)，則可以稱之為"單側(cè)的受阻放電"。并且，優(yōu)選介電受阻的放電過程具有l(wèi)Hz至100MHz、更優(yōu)選30Hz至lMHz、極其優(yōu)選50Hz至4kHz的頻率；同時，也特別指出所有在IO至100kHz之間的值都是有利的。此外，在使用以超過約一瓦特的功率工作的PRG時，優(yōu)選利用調(diào)溫介質(zhì)來調(diào)節(jié)所述電極的溫度。這里，要適宜地選擇在約300mbar下具有約20至70t:沸點(diǎn)的調(diào)溫介質(zhì)。因此，可以例如使用以水作為調(diào)溫劑的管束式熱交換器。優(yōu)選將所要處理的相以0.01至100m/s、特別是約0.1至10m/s的流速通過反應(yīng)器的放電區(qū)域。每次放電的曝露時間為優(yōu)選10ns至ls。也就是說，所要處理的相優(yōu)選在放電區(qū)域停留總共lms至lO分鐘i.N.，更優(yōu)選100ms至10si.N.，特別是在300mbarabs.下停留于放電區(qū)域內(nèi)l.ls。才艮據(jù)本發(fā)明，相的處理可以適宜地在0.1mbar至10barabs.、優(yōu)選lmbar至2barabs.、特別優(yōu)選100mbar至1.5barabs.、極其優(yōu)選200mbar至lbarabs.、特別是250至500mbarabs.的壓力下進(jìn)行，并且若為四氯化硅的情況，要將待處理的相優(yōu)選調(diào)節(jié)在0至200"C、更優(yōu)選10至80匸、極其優(yōu)選20至601C的溫度。對于四氯化鍺，相應(yīng)的溫度也可以有利地更高些。另外，在實(shí)施本發(fā)明方法時，在工藝的一個或多個位置處向所要處理的相中添加氮?dú)饣蚱渌谔峒內(nèi)蝿?wù)中呈惰性的緩沖氣體，優(yōu)選是氬，但也可以是氦、氙或其它稀有氣體或它們的混合物。特別可以使用這種氣體有利地來調(diào)節(jié)PRG中的壓力。此外，在本發(fā)明方法中還可以添加選定的卣素供體，例如氯。在本發(fā)明方法中，可以用介電受阻放電一次或多次處理待處理的相。因此，可以有目的地調(diào)節(jié)氣態(tài)的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫在PRG中的停留時間，用以能夠在一個循環(huán)或在多個循環(huán)(循環(huán)法)，即例如兩個、三個或多個循環(huán)周期內(nèi)特別有效地進(jìn)行本發(fā)明的處理。但是通常優(yōu)選以一次通過的連續(xù)方式進(jìn)行。其中有利地使用能實(shí)現(xiàn)足夠停留時間的裝置，例如其中多個反應(yīng)器串聯(lián)和/或并聯(lián)的設(shè)備。此外，也可以通過有利地同時在液態(tài)的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫餾分中進(jìn)行分析測量來進(jìn)行本方法(特別是在連續(xù)方式情況下)，其中例如利用甲基三氯硅烷(MTCS)或相應(yīng)的其他易于檢測的化合物的含量作為導(dǎo)納參數(shù)。其中，可以優(yōu)選借助于IR光鐠利用諸如(但并非排他性的)CH-、CH2-或CH3-譜帶進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測。在本發(fā)明的方法中，通常要逐步冷卻所處理之后的相并排除經(jīng)提純的SiClr，GeClr，TiCLr或SnClr餾分，即優(yōu)選通過分餾從經(jīng)處理的相中分離出純凈產(chǎn)物。通常按如下方式進(jìn)行本發(fā)明這一方面的方法，即使待處理的相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?，并且視需要添加惰性氣體和/或氯，使氣相在耐壓、可加熱和/或可冷卻的PRG(圖12/13:4)中經(jīng)歷介電受阻放電，根據(jù)導(dǎo)納參數(shù)監(jiān)控處理過程并通過分餾從經(jīng)處理的相中連續(xù)地分理出高純度四氯化硅或四氯化鍺餾分?？梢砸圆煌姆绞絹硖幚黼s有含氫化合物的四氯化物，例如SiCU或GeCl4:-DBE-處理待處理的相，即沒有其他添加劑。-存在一種或多種添加劑條件下的DBE-處理，如鹵化氫(HX)和/或面素(X2)(優(yōu)選X-Cl)和/或稀有氣體(He，Ar，Xe)或氮?dú)?。一首先不添加添加劑進(jìn)行DBE處理，然后在存在至少一種上述添加劑的條件下繼續(xù)處理。該方法可以特別優(yōu)選在不添加還原劑的條件下進(jìn)行。圖12所示為用以實(shí)施本發(fā)明方法的裝置的一個優(yōu)選實(shí)施方式。其中，可以利用輸送單元(圖12:2)和蒸發(fā)器(圖12:3)連續(xù)地將來自存儲容器(A)的待提純且含四卣化物的相(A)導(dǎo)入到PRG(圖12:4)中，并在那里經(jīng)受冷等離子體處理。合適地從下方，即從結(jié)構(gòu)單元(圖13:4.1)側(cè)利用進(jìn)料相(A)流經(jīng)反應(yīng)器內(nèi)的放電或反應(yīng)區(qū)域。如此處理之后的SiCl4相接著可以在冷凝器(圖12:5)內(nèi)冷凝并經(jīng)由輸送單元(圖12:6)導(dǎo)入到中間容器(圖12:7)中去。在冷凝器(圖12:5)中，通常從冷凝物中分離氯化氫氣體(B)。另外，可以由中間容器(圖12:7)將產(chǎn)物經(jīng)由單元(圖12:8)連續(xù)地導(dǎo)入到經(jīng)調(diào)溫的塔(圖12:9)的上部中，其中經(jīng)由單元(圖12:10)將易沸物(C)排出并利用輸送單元(圖12:11)將液相從塔(圖12:9)導(dǎo)入到同樣經(jīng)調(diào)溫的用以分離高沸物(D)的塔(圖12:9)中。來自塔(圖12:12)的氣態(tài)產(chǎn)物可以在單元(圖12:13)中連續(xù)地冷凝并作為高純的產(chǎn)物相利用單元(圖12:14)導(dǎo)入到產(chǎn)物的收集或存儲容器(圖12:15)中去。若利用甲基三氯硅烷(MTCS)或曱基三氯化鍺(MTCGe)或其他合適的化合物(它們在待提純的四氯化物中的含量通常為1至500重量ppm)的含量下降值作為參數(shù)來確定本發(fā)明方法的效果，那么例如，從開始時的133重量ppm的MTCS，在不添加所述添加劑條件下進(jìn)行的本發(fā)明DBE處理過程結(jié)束之后，曱基三氯硅烷通常不再能夠檢測到，這也就是說，它的值可以下降到〈l重量ppm(FTIR法的檢測極限)或者〈0.2重量卯mOH-NMR-法的檢測極限)。優(yōu)選具有約〈l重量ppm的MTCS值作為導(dǎo)納參數(shù)的如此處理之后的SiCl4相，可以在此時導(dǎo)入到分離過程中。分離可以優(yōu)選通過分餾進(jìn)行，同時可以作為提純產(chǎn)物優(yōu)選獲得高純的四氯化硅。該方法以及裝置或反應(yīng)器的特點(diǎn)還在于有著極高的效果。因此，其中含有含量直至百分比范圍內(nèi)的甲基三氯硅烷(MTCS)或甲基三氯鍺烷(MTCGe)的四氯化硅或四氯化鍺，通過本發(fā)明的DBE處理法可以完全不含有上述那些物質(zhì)。若例如在待提純的SiClr、GeCl4-相中還另外含有三氯硅烷(TCS)或三氯鍺烷(TCGe)，則同時也可以有利地將其除去。相應(yīng)的，對于鈦和錫化合物同樣如此。通過以下實(shí)施例來更詳細(xì)地闡述本發(fā)明的實(shí)際方面，但是并非是對所要求保護(hù)的內(nèi)容的限制。6.實(shí)施例在如圖12的設(shè)備中于PRG中加料入400kg/hSiCl((雜以10重量ppm的甲基三氯硅烷)并利用冷等離子體來處理氣相。如圖13所示，用1200個微單元構(gòu)造PRG，其中電介質(zhì)管長為1.5m并且凈直徑為10mm長。間隙為0.5mm。在約30X:下操作PRG。由此，于約300mbarabs.的壓力下在反應(yīng)器中得到ls的氣體平均停留時間。這對應(yīng)于約3s的停留時間i.N.。接著，分餾冷凝經(jīng)處理后的氣相。在如此得到的經(jīng)提純的SiCl4產(chǎn)品相中檢測不到甲基三氯硅烷。附圖標(biāo)記圖12示出了用于實(shí)施本發(fā)明方法的優(yōu)選設(shè)備的流程圖A待處理的進(jìn)料流B氯化氫氣體C易沸物D高沸物E產(chǎn)物料流1存儲容器(可加熱，可冷卻)2輸送單元3蒸發(fā)器4用以氣相處理的等離子反應(yīng)器(PRG)5冷凝器6輸送單元7中間容器8輸送單元9蒸餾塔(可加熱)10易沸物分離11輸送單元12用于分離難沸物的蒸餾塔13冷凝器14輸送單元15產(chǎn)物容器圖13所示為用于氣相處理的等離子體反應(yīng)器(PRG)的微單元的優(yōu)選結(jié)構(gòu)排布圖A待處理的進(jìn)料流4.1孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)，流動區(qū)域4.3高壓電極4.4電介質(zhì)權(quán)利要求1.一種制備具有通式I的化合物的方法，其通過轉(zhuǎn)化或處理至少一種具有通式II的化合物而實(shí)施，(I)R(4-m-n)AClmHn(II)R(4-p-q)AClpHq其中，R為具有1至8個C原子的烴基，A表示具有四價(jià)態(tài)的元素周期表(PSE)的元素，并且m，n，p和q獨(dú)立地為選自0，1，2，3和4的數(shù)，前提是，0＜(m+n)≤4以及0＜(p+q)≤4。2.權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，該方法涉及硅烷且在通式(I)和(H)中A-硅，這對應(yīng)于通式(Ia)R(4,-n)SiClmHn和(Ha)R(4-p國q)SiClpHq式13中11=1，2，3或4且111=0，1，2或3，且總和n+m-4，和高度氯化的式IIa的硅烷化合物，式IIa中p=0，l，2，3或4且q=0，l，2,3或4，并且總和p+q=4，或者-式la中n-l且m-3并且在式IIa中p-4且q-0或者—式la中n-l或2且m-l或2并且m^3，而在式IIa中p-l，2或3且q=0。3.權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，在存在至少一種含氫化合物的條件下進(jìn)行處理并且在通式I和通式II中A-硅、鍺、鈦或錫，對應(yīng)于通式(lb)R(4-m-n)SiClmHn，R(4-m-n)GeClmHn，R(4-m-n)TiClmHn和/或R(4-m-n)SnClmHn(1Ib)R(4墨p-q)SiClpHq，R(4.p.q)GeClpHq，R(4_p.q)TiClpHq和/或R(4.p_q)SnClpHq式lb中n-0且m-4，而在式IIb中p-4且q-0，式Ib等于式IIb。4.制備特別是權(quán)利要求2所述的硅烷的裝置，通過在催化劑存在條件下歧化至少一種高度氯化的式IIa的且在式IIa中q+p-4且p=0，1，2，3或4和q=0，1，2，3或4的硅烷，制得具有通式IaR(4^)SiCUHn且其中m+n=4和其中n=1，2，3或4且m=0，1，2或3、即式Ia為HnSiCl"的硅烷；其中，所述裝置基于至少一個帶有塔底(圖1:1.1)和塔頂(圖1:1.2)的蒸餾塔(圖l:l)、至少一個帶有催化劑床(圖1:3)的旁路反應(yīng)器(圖1:2)、至少一個進(jìn)料口(圖1:1.3)、產(chǎn)物出口(圖1:1.4)和至少另一產(chǎn)物出口(圖1:1.5或1.8)，其中，在前面所述的裝置中，蒸餾塔(圖l:l)上構(gòu)造有至少一個塔板(圖l:4)并且至少一個經(jīng)由至少三個管道(圖1:5，6，7)與蒸餾塔(圖l:l)相連的旁路反應(yīng)器(圖1:2)，并且連接方式使得蒸餾塔(圖l:l)中用于使冷凝物從塔板(圖1:4，4.1)流出的管(圖1:5)的過渡區(qū)域高于催化劑床(圖1:3，3.1或3.2)的上邊沿，用于使液相從旁路反應(yīng)器(2)中排出的管(圖1:6)在塔板(圖l")以下銜接入蒸餾塔(圖l:l)中(圖1:6.1)并且這種銜接(圖1:6，6.1)要比催化劑床(圖1:3，3.1或3.2)的上邊沿更低，以及用于使氣相從附屬的旁路反應(yīng)器(圖1:2)中排出的管(圖1:7)在塔板(圖1:4)的平面(圖1:4.1)上方銜接入蒸餾塔(圖l:l)中(圖1:7.1)。5.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于可加熱的塔底(圖1:1.6，1.1)。6.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于塔頂(圖1:1.2)內(nèi)的低溫冷卻器(圖1:1.7)。7.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于兩個、三個、四個或五個反應(yīng)器單元，其中反應(yīng)器單元至少由分設(shè)備(圖1-5:2)，(圖1-5:3)，(圖l-5:4)，(圖l-5:5)，(圖l-5:6)和(圖l-5:7)組成。8.權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于每個反應(yīng)器單元有兩個或三個并聯(lián)的反應(yīng)器(圖1-5:2，3)。9.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于至少一個塔填充物(圖l-5:8)。10.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于至少一個另外的產(chǎn)物出口(圖1丄5)。11.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于催化劑床(圖l-5:3)中催化劑以松散或規(guī)整形式排列。12.權(quán)利要求ll所述的裝置，其特征在于，使得催化劑床(圖l-5:3)中的催化劑存在于結(jié)構(gòu)化的織物填料或由織物制成的填充體內(nèi)或者催化劑床(3)含有由催化活性材料構(gòu)成的填料體或填充物。13.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，在催化劑床(圖l-5:3)中至少一個篩管或具有篩子的支撐蓖。14.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，對旁路反應(yīng)器(圖1-5:2)、催化劑床(圖1-5:3)、管道(圖1-5:5)，(圖l-5:6)和(圖l-5:7)相對于塔板(圖l-5:4)和塔(圖l-5:l)進(jìn)行設(shè)置，所述設(shè)置方式要使得物料經(jīng)由管道(5)而從下方流入催化劑床(3)(圖4/5:5.1)。15.權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，有額外的管線和調(diào)節(jié)單元用以填充、操作、排空和噴洗各個操作單元。16.特別權(quán)利要求2所述的，通過在催化劑固定床上歧化三氯硅烷來制備二氯硅烷的方法，其特征在于，在101C至所形成的反應(yīng)混合物沸點(diǎn)之間的反應(yīng)器溫度下抽取并獲得具有通式Ia的氣態(tài)二氯硅烷，并且冷凝通式IIa的三氯硅烷部分并返回到反應(yīng)器中，并且將液態(tài)反應(yīng)相部分地從反應(yīng)器中抽取出并分離成四氯硅烷和返回到反應(yīng)器中去的三氯硅烷，并且作為催化劑物質(zhì)使用化學(xué)連接在載體材料上的烷氨基三烷氧基硅烷。17.權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，催化劑是具有如下通式的烷基氨基三烷氧基硅烷，(CxH2x+10)3Si(CH2)zN(CyH2y+1)2其中x-l至4;y-l至10;z-l至3。18.權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，載體材料由Si02成形體組成。19.具有如下通式的催化劑，(CxH2x+10)3Si(CH2)zN(CyH2y+1)2其中x-l至4;y-l至10;z-l至3，特別用于由三氯硅烷通過歧化作用形成四氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷和/或曱硅烷。20.具有通式(CxH2xwO)3Si(CH2)zN(CyH2y+02且其中x-l至4;y=l至10;z^至3的催化劑用于權(quán)利要求2所述的方法中的用途。21.具有通式(CxH2x+!O)3Si(CH2)zN(CyH2y+02且其中Fl至4;y=l至10;z-l至3的催化劑用于權(quán)利要求4所述的用于制備硅烷的裝置中的用途。22.制備特別是根據(jù)權(quán)利要求2的硅烷的方法，通過在催化劑存在時且于-120至1801C的溫度和0.1至30barabs.的壓力條件下在特別是權(quán)利要求4-15中任一項(xiàng)所述的裝置中歧化至少一種高度氯化的式IIaR(4tq)SiClpHq且在式IIa中q+p=4且p=0，1，2,3或4和q=0，1，2，3或4的硅烷，從而制得具有通式IaR(4-m-n)SiCXHn且其中m+n=4和其中n=1，2，3或4且m-0，l，2或3、即式Ia為HnSiCl4-n的硅烷，在所述裝置中用液態(tài)氫氯硅烷填裝裝置至至少達(dá)到催化劑床的高度，同時使氯硅烷與催化劑相接觸，并且經(jīng)由塔的進(jìn)口以與產(chǎn)物從體系中排走相當(dāng)?shù)某潭?，連續(xù)導(dǎo)入進(jìn)料。23.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，作為催化劑使用大孔的具有叔氨基的離子交換樹脂或以烷基氨基三烷氧基硅烷改性或浸漬過的多孔載體。24.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，完全或部分地以液體潤濕催化劑。25.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，將進(jìn)送料進(jìn)料直接導(dǎo)入到塔中和/或?qū)氲街辽僖粋€旁路反應(yīng)器中。26.權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，將進(jìn)料導(dǎo)入到塔的中間段。27.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，在-80lC至120i:的溫度下操作旁路反應(yīng)器的催化劑床。28.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，(i)將三氯硅烷用作較高程度的氯化硅烷而基本上得到甲硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和四氯硅烷或者至少兩種前述化合物的混合物作為產(chǎn)物，或者(ii)使用二氯硅烷作為較高程度的氯化硅烷而獲得甲硅烷、一氯硅烷、三氯硅烷和四氯化硅或者至少兩種前述化合物的混合物。29.特別是權(quán)利要求2的用于制備硅烷的方法，在存在氫的條件下通過式IIaR(4-p-q)SiClpHq且其中p-4且q-0的硅烷的催化加氫脫面作用制備對應(yīng)于通式Ia11(4_1_11)81011111且其中11=l和m-3的硅烷，其中在300至10001C的溫度范圍內(nèi)作為催化劑使用至少一種選自元素周期表第二主族元素的金屬或金屬鹽。30.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，在存在氫的條件下通過四氯化硅(SiCl4)的催化加氫脫面作用制備三氯硅烷(HSiCb)。31.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，使用鈣、鍶、鋇、氯化鉤、氯化鍶、氯化鋇或至少兩種前述成分的混合物作為催化劑。32.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，使用經(jīng)負(fù)載的催化劑。33.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，使用涂覆于選自貧鋁沸石，堿洗凈的玻璃，石英玻璃，活性炭，多孔硅酸鹽載體或SK)2載體的載體上的催化劑。34.權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所用的載體催化劑具有以元素計(jì)的0.1至10重量％的催化劑。35.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，使摩爾比為1:0.9至1:20的SiCWH2混合物與催化劑相接觸。36.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，在固體床反應(yīng)器或流化床反應(yīng)器或流動床反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)。37.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，在600至950"C的溫度下和在0.1至1OObarabs.的壓力條件下進(jìn)行催化反應(yīng)。38.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，反應(yīng)在2000至3000011-1的空速下進(jìn)行且反應(yīng)器中的氣流具有0.01至10m/s的線速度。39.權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，由產(chǎn)物混合物獲得HSiCl3或者直接進(jìn)一步利用產(chǎn)物混合物。40.—種制備烷基氬氯硅烷的方法，特別是制備權(quán)利要求2所述的，具有通式131^4-1_11)81<:11111111且其中的111=1或2且11=l或2并且m+n參3而R表示具有1至5個碳原子的烷基的烷基氫氯硅烷的方法，其特征在于使具有通式IIaR(4-p-q)SiClpHq且其中p-l，2或3且q-0的烷基氯硅烷與氫催化反應(yīng)并由反應(yīng)產(chǎn)物中獲得烷基氫氯硅烷。41.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的化合物對應(yīng)于R(4—p)SiClp，其中p-l，2或3。42.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，從反應(yīng)產(chǎn)物中蒸餾除去具有通式Ia的烷基氫氯珪烷。43.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的烷基氯硅烷在氣相中與氫催化反應(yīng)。44.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的烷基氯硅烷在100至6001C的溫度下與氫催化反應(yīng)。45.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的烷基氯硅烷在1至50barabs.的壓力下與氫催化反應(yīng)。46.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的烷基氯硅烷在作為催化劑的至少一種元素周期表第八副族的金屬上與氫反應(yīng)。47.權(quán)利要求46所述的方法，其特征在于，具有通式IIa的烷基氯硅烷在至少一種選自鐵、鈷、釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑的金屬上與氫反應(yīng)。48.權(quán)利要求46所述的方法，其特征在于，催化劑涂覆于載體上。49.權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，催化劑涂覆于載體上，而所述栽體包括活性炭和/或鋁和/或鈦和/或硅的氧化物。50.權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，在反應(yīng)中氫對通式II的烷基氯硅烷的摩爾比為1:1至100:1。51.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，在反應(yīng)中以氫計(jì)的空速(GHSV)在10至10000h"之間。52.權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，二曱基二氯硅烷與氫催化反應(yīng)并且從反應(yīng)產(chǎn)物中獲得二曱基氯硅烷和/或曱基二氯硅烷。53.特別權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，使具有通式I和通式II且其中A-硅、鍺、鈦或錫的，即對應(yīng)于如下通式Ib和IIb的化合物的待處理相和至少一種含氫化合物與冷等離子體接觸，(Ib)R(4-m-n)SiClmHn，R(4-m-n)GeClmHn，R(4-m-n)TiClmHn和/或R(4-m-n)SnClmHn(nb)R(4.p.q)SiClpHq，R(4_p.q)GeapHq,R(4_p.q)TiClpHq和/或R(4.p-q)SllClpHq且式Ib中i^0和m-4，以及式IIb中p-4和q-0，式Ib等于式IIb。54.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，有目的地利用冷等離子處理選自四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫和含有至少一種含氫化合物的待處理相，并從如此處理之后的相中得到提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。55.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，冷等離子體通過介電受阻放電、電容耦合放電、射頻放電、微波放電、電暈放電、(高壓至低壓)輝光放電、高頻放電、介質(zhì)阻擋放電或通過前述放電的混合形式來產(chǎn)生。56.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，介電受阻放電以1V至1x10的交流電壓或脈沖電壓進(jìn)行。57.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，介電受阻放電以50Hz至100MHz的頻率進(jìn)4亍。58.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，待處理的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫以0.01至100m/s的流速流過放電區(qū)域。59.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，每次放電的暴露時間位10ns至lms。60.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，待處理的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫在放電區(qū)域停留1ms至10min。61.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，介電受阻放電在-40t:至200t:的氣相溫度下進(jìn)行。62.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，在方法中的一個或多個位置處向待處理的相添加稀有氣體、氮?dú)饣蚨栊跃彌_氣或前述氣體的混合物。63.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，向待處理相中添加氯和/或氯化氬。64.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，在0.1mbar至10barabs.的壓力下進(jìn)行處理，其中將待處理的相調(diào)整到-40至200t:的溫度。65.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，連續(xù)或非連續(xù)地進(jìn)行該方法。66.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)行同時連續(xù)地分析測定液體四氯化硅餾分、四氯化鍺餾分、四氯化鈦餾分或四氯化錫餾分。67.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，逐步冷卻經(jīng)處理的相并且排出經(jīng)提純的四氯化硅餾分、四氯化鍺餾分、四氯化鈦餾分或四氯化錫餾分。68.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，循環(huán)流動四氯化硅餾分、四氯化鍺餾分、四氯化鈦餾分或四氯化錫餾分，并且用冷等離子體處理，檢測導(dǎo)納參數(shù)，視需要進(jìn)行冷凝，取出支流，將其導(dǎo)入到蒸餾單元中并補(bǔ)償從循環(huán)中取出的產(chǎn)物量。69.權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，使待處理的相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?，并且視需要添加惰性氣體和/或氯，使氣相經(jīng)理至少一次氣體放電，根據(jù)導(dǎo)納參數(shù)來監(jiān)控處理過程并通過蒸餾從經(jīng)處理的相中分離高純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫餾分。70.用以特別根據(jù)權(quán)利要求53至69之一所述的方法處理四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的裝置，其特征在于，四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的存儲單元和蒸發(fā)單元(圖10:4.1或圖11:5.12)經(jīng)由連接導(dǎo)管與帶有控制單元(圖10:4.4或圖11:5.4)的反應(yīng)器(圖10:4.3或圖11:5.3)入口相連以進(jìn)行電介質(zhì)受阻放電過程，而反應(yīng)器的出口經(jīng)由導(dǎo)管直接或間接地通過至少另一個反應(yīng)器(圖11:5.5)而導(dǎo)入到其后接有收集容器(圖10:4.6或圖11:5.12)的冷凝單元(圖10:4.5或圖11:5.11)，并且所述收集容器經(jīng)由抽取管(圖10:4.6.2或圖11:5.12.1)而與蒸餾單元(圖10:4.8或圖11:5.13)相連以及任選地還任選地設(shè)置有通向單元(圖10:4.1)的導(dǎo)管(圖10:4.6.1)。71.特別根據(jù)權(quán)利要求3處理雜以至少一種含氫化合物的具有通式IIb的化合物的反應(yīng)器，(1Ib)R(4-p-q)SiClpHq，R(4-p-q)GeClpHq，R(4-p-q)TiClpHq或R(4-p-q)SllClpHq其中p-4且q-0，特別是通過利用冷等離子體來處理雜以至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，其中，等離子反應(yīng)器(圖13:4)基于反應(yīng)器罩殼、高壓電源和至少一個用以等離子處理的微單元，所述微單元基本上由接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)、電介質(zhì)(圖13:4.4)、孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)和高壓電極(圖13:4.3)組成，并且電介質(zhì)(圖13:4.4)、高壓電極(圖13:4.3)以及接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的方向矢量取向。72.用于特別根據(jù)權(quán)利要求3制備具有通式Ib的高純度化合物的設(shè)備，(lb)R(4_m-n)SiClmHn，R(4-m_n)GeClmHn，R(4—加-n)TiClmHn和/或R(4-m-n)SnClmHn其中n=0JLm=4，特別是用于在反應(yīng)器體系(圖12:1，2，3，4，5，6，7，8)內(nèi)利用冷等離子體和下游連接的用于提純經(jīng)處理的相的蒸餾單元(圖12:9，10，11，12，13，14，15)來制備高純度的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，其中，等離子反應(yīng)器(圖13:4)基于反應(yīng)器罩殼、高壓電源和至少一個用以等離子處理的微單元，所述微單元基本上由接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)、電介質(zhì)(圖13:4.4)、孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)和高壓電極(圖13:4.3)組成，并且電介質(zhì)(圖13:4.4)、高壓電極(圖13:4.3)以及接地的金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的方向矢量取向。73.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，管狀電介質(zhì)(圖13:4.4)定向于孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)上，并且其中的電介質(zhì)(圖13:4.4)被管狀的熱交換器(圖13:4.2)包圍并且電極棒或管狀電極網(wǎng)(圖13:4.3)完全或部分地伸入到管(圖13:4.4)中。74.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，電介質(zhì)(圖13:4.4)具有壁厚為0.1至10mm，內(nèi)徑為l至300mm并且長度為10至3000mm的管并且由石英玻璃、杜蘭玻璃、硼硅酸鹽玻璃或氧化鋁構(gòu)成。75.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，電極(圖13:4.3)由金屬或金屬合金構(gòu)成并且設(shè)計(jì)成可冷卻的形式。76.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，在各種情況下電介質(zhì)(圖13:4.4)和高壓電極(圖13:4.3)之間以及電介質(zhì)(圖13:4.4)和管式熱交換器(圖13:4.2)之間的最小凈間距(d)相等。77.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，間距(d)為0.01至100mm。78.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)具有10至90%的自由橫截面積。79.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，將熱交換器設(shè)計(jì)成即可加熱又可冷卻的形式并且設(shè)計(jì)成管束式熱交換器。80.權(quán)利要求71或72所述的設(shè)備，其特征在于，等離子體反應(yīng)器(圖12/13:4)含有1至50000個微單元。81.特別根據(jù)權(quán)利要求3的連續(xù)制備高純度具有通式Ib的化合物的大型工業(yè)方法，其中利用冷等離子體來處理雜有至少一種含氫化合物的且具通式IIb的待提純化合物，并從如此所得的相中通過分餾獲得經(jīng)過提純的具有通式Ib的化合物，(1Ib)R(4隱p-q)SiClpHq，R(4-p-q)GeClpHq，R(4-p-q)TiClpHq和/或R(4-p-q)SnClpHq其中p-4且q-0，(Ib)R(4-m-n)SiClmHn，R(4-m-n)GeClmHn，R(4-m-n)TiClmHn或R(4-m-n)SnClmHn其中n-0且m-4，該方法的特征在于，所述處理過程是在等離子體反應(yīng)器(圖13:4)內(nèi)進(jìn)行，并且其中電介質(zhì)(圖13:4.4)，高壓電極(圖13:4.3)以及接地的、金屬熱交換器(圖13:4.2)的長軸相互平行且同時平行于地球引力的矢量取向。82.權(quán)利要求81所述的用于制備高純度四氯化硅、高純度四氯化鍺、高純度四氯化鈦或高純度四氯化錫的連續(xù)的大型工業(yè)方法，其中利用冷等離子體來處理雜有至少一種含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫，并且通過分餾從如此所得的相中獲得經(jīng)提純的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫。83.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，通過介電受阻放電產(chǎn)生冷等離子體。84.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，將等離子體反應(yīng)器用于氣相處理(圖12/13:4)，且其放電空間設(shè)計(jì)成管狀的并且不含所謂的死區(qū)。85.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，將等離子體反應(yīng)器用于氣相處理(圖12/13:4)中，且其管狀電介質(zhì)(圖13:4.4)位于孔板、網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)(圖13:4.1)上，待處理的相(A)流過通孔的基面(圖13:4.1)并接著經(jīng)過位于電介質(zhì)(圖13:4.4)與電極(圖13:4.3或4.2)之間的反應(yīng)區(qū)域。86.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，兩個或多個等離子體反應(yīng)器(圖12/13:4)以串連或并聯(lián)的方式工作。87.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，以1V至1x10的交流電壓或脈沖電壓進(jìn)行介電受阻的放電過程。88.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，以lHz至30GHz的頻率進(jìn)行介電受阻的放電過程。89.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，每次放電的暴露時間為lOns至lms。90.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，待處理的四氯化硅或四氯化鍺以0.01至100m/s的流速流過放電區(qū)域。91.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，將待處理的四氯化硅或四氯化鍺在放電區(qū)域內(nèi)的停留時間調(diào)節(jié)為lms至10分鐘。92.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，在0至200X:的氣相溫度下進(jìn)行介電受阻放電過程。93.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，在過程的一個或多個位置處向待處理的相中添加稀有氣體、氮?dú)饣蚨栊跃彌_氣體或前述氣體的混合物。94.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，向待處理的相中添加氯和/或氯化氫。95.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，在0.1mbar至10barabs.的壓力下進(jìn)行處理，并且將待處理相的溫度調(diào)節(jié)到0至200匸。96.權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，使待處理的相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀啵⑶乙曅枰砑佣栊詺怏w和/或氯，使氣相在耐壓、可加熱和/或可冷卻的反應(yīng)器(圖12/13:4)中經(jīng)歷介電受阻的放電過程，根據(jù)導(dǎo)納參數(shù)監(jiān)控處理過程并通過分餾從經(jīng)處理的相中連續(xù)地分離高純度四氯化硅或四氯化鍺餾分。全文摘要本發(fā)明涉及具有通式R_(4-m-n)ACl_mH_n且其中A等于硅、鍺、鈦或錫的化合物或高純化合物的方法，以及適用于實(shí)施本方法的裝置。特別地，本發(fā)明涉及用以通過在存在催化劑條件下歧化高度氯化的硅烷而制備具有通式H_nSiCl_4-n且n＝1，2，3或4的硅烷的裝置和方法，并且其中用于本方法的裝置基于至少一個蒸餾塔和至少一個旁路反應(yīng)器、即外部反應(yīng)器的組合體。根據(jù)另一個方面，本發(fā)明涉及包括具有通式(C_xH_2x+1O)₃Si(CH₂)_zN(C_yH_2y+1)₂的烷氨基三烷氧基硅烷的催化劑。另外，本發(fā)明還涉及通過在氫存在條件下的催化加氫脫鹵四氯硅烷(SiCl₄)而制備三氯硅烷(HSiCl₃)的方法。根據(jù)再一個方面，本發(fā)明涉及制備具有通式Ia(R_(4-m-n)SiCl_mH_n)的烷基氫氯硅烷的方法，其中m等于1或2而n等于1或2且m+n≠3，并且R表示具有1至5個碳原子的烷基。此外，本發(fā)明還公開了用于處理雜有至少一種難以蒸餾分離出的含氫化合物的四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的方法和裝置。另外，本發(fā)明還公開了用于制備高純度四氯化硅、四氯化鍺、四氯化鈦或四氯化錫的連續(xù)方法、設(shè)備以及反應(yīng)器。文檔編號C07F7/28GK101284843SQ20071010979公開日2008年10月15日申請日期2007年4月10日優(yōu)先權(quán)日2007年4月10日發(fā)明者G·羅沃,H·-J·瓦倫西克,H·J·霍恩,H·-P·波普,H·勞爾德,I·羅弗,J·E·朗,J·卡斯尼茨,J·舒勒,J·蒙凱維奇,K·博姆漢默爾,P·阿德勒,R·尼科萊,R·索南謝恩,R·肖爾克,R·馬特赫斯,S·科瑟,T·波普肯申請人:德古薩有限責(zé)任公司