一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種陶瓷坩禍，特別涉及一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]不可再生能源的不斷枯竭使可再生能源受到廣泛的關(guān)注，尤以太陽能特別受到關(guān)注，太陽能的利用成為了可再生資源利用的主力軍。
[0003]當前的多晶鑄錠技術(shù)多采用定向凝固生長的方法，為了獲得低缺陷的硅錠，多采用沿著生長方向整齊排列的柱狀晶結(jié)構(gòu)，在鑄錠生長的初期為了減少缺陷的分布，使用減小晶粒大小增加晶界的長度的方式，應(yīng)力釋放進入晶界而降低缺陷的產(chǎn)生，達到后期提高制成后的電池效率。
[0004]通過在坩禍底部增加小的顆粒層能夠得到一定的效果，但目前由于受熱場因素的影響，在生長過程中坩禍側(cè)壁的溫度下降較快，熔融的硅液在坩禍側(cè)壁開始形核并由此出現(xiàn)橫向生長的晶粒，通過對熱場的優(yōu)化可以減少橫向生成晶粒的現(xiàn)象過程，但無法完全避免坩禍側(cè)壁橫向生長晶粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)合理、能夠降低由側(cè)壁橫向生長的缺陷的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍。
[0006]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的，本實用新型是一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，其特點是:包括鍋底和側(cè)壁，所述鍋底的上表面和側(cè)壁的內(nèi)表面上均勻鑲嵌有一層顆粒層，顆粒層包括若干個硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒。
[0007]本實用新型所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進一步實現(xiàn)，所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍中:所述側(cè)壁的壁厚由上至下逐漸增加5-8mm。
[0008]本實用新型所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進一步實現(xiàn)，所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍中:所述硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒的純度大于4N。
[0009]本實用新型所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進一步實現(xiàn)，所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍中:所述顆粒層的厚度為0.1-3_。
[0010]本實用新型所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進一步實現(xiàn)，所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍中:所述硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒的粒徑為60 μπι~2_。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過在坩禍的鍋底和側(cè)壁上鑲嵌一層顆粒層，顆粒層為若干個硅顆粒或硅的化合物顆粒，因此在鍋底能夠?qū)杈w的形貌進行引導(dǎo)，同時側(cè)壁也能夠引導(dǎo)晶粒的生長，使得從坩禍側(cè)壁橫向生產(chǎn)出來的晶粒擁有更低的缺陷密度，減少側(cè)壁晶粒形狀的素亂，并得到更為優(yōu)質(zhì)的尚品質(zhì)的多晶娃徒，提尚娃徒外圍部分制成電池的效率。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]以下參照附圖，進一步描述本實用新型的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對其權(quán)利的限制。
[0014]實施例1，參照圖1，一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，包括鍋底3和側(cè)壁1，所述鍋底3的上表面和側(cè)壁1的內(nèi)表面上均勻鑲嵌有一層顆粒層2，顆粒層2包括若干個硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒。所述側(cè)壁1的壁厚由上至下逐漸增加5-8_。所述硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒的純度大于4N。所述顆粒層2的厚度為0.1-3_。所述硅顆粒或硅的化合物顆粒的粒徑為 60 μ m~2mm0
[0015]實施例2，一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，在陶瓷坩禍胚體進行高溫?zé)Y(jié)后，制成成品，選用粒徑大小為100 μ m的碳化硅顆粒，碳化硅顆粒的純度為6N，通過使用陶瓷粘結(jié)劑，將以上選用的碳化硅顆粒均勻的刷涂在坩禍的側(cè)壁1內(nèi)表面及鍋底3的上表面上，顆粒層2較坩禍平面凸出2_，待碳化硅顆粒牢固的粘粘在坩禍側(cè)壁1及鍋底3上，形成顆粒層2，將以上坩禍進行正常的噴涂后進行使用。側(cè)壁1和鍋底3顆粒層能夠擇優(yōu)的生長，使得側(cè)壁1和鍋底3優(yōu)先生長出來的晶粒具有較低的缺陷密度，提高硅片品質(zhì)。
[0016]實施例3，一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，在陶瓷坩禍胚體尚未燒結(jié)，制成成品前，選用粒徑大小為80 μ m的二氧化娃顆粒，二氧化娃的純度為7N，將以上選用的二氧化娃顆粒均勻的刷涂在坩禍胚體的側(cè)壁1的內(nèi)表面上及鍋底3的上表面上，顆粒層2較坩禍平面凸出1.5mm，待二氧化硅顆粒牢固的粘貼在坩禍側(cè)壁1及鍋底3上，將以上坩禍在進行燒結(jié)成型，在側(cè)壁1和鍋底3形成顆粒層2，成型后的坩禍進行正常的噴涂工藝進行使用。側(cè)壁1和鍋底3的顆粒層2能夠擇優(yōu)的生長，使得側(cè)壁1和鍋底3優(yōu)先生長出來的晶粒具有較低的缺陷密度，提尚娃片品質(zhì)。
[0017]實施例4，一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，在陶瓷坩禍胚體進行高溫?zé)Y(jié)后，制成成品，選用粒徑大小為70 μ m的硅顆粒，硅顆粒的純度為5N，通過使用粘結(jié)劑，將以上選用的硅顆粒均勻的刷涂在坩禍的側(cè)壁1的內(nèi)表面上及鍋底3的上表面上，顆粒層2較坩禍平面凸出3_，待硅顆粒牢固的粘貼在陶瓷坩禍側(cè)壁1及鍋底3上，在側(cè)壁1和鍋底3形成顆粒層2。將以上坩禍進行正常的噴涂工藝后進行使用。側(cè)壁1和鍋底3顆粒層2能夠擇優(yōu)的生長，使得側(cè)壁1和鍋底3優(yōu)先生長出來的晶粒具有較低的缺陷密度，提高硅片品質(zhì)。
【主權(quán)項】
1.一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，其特征在于:包括鍋底和側(cè)壁，所述鍋底的上表面和側(cè)壁的內(nèi)表面上均勻鑲嵌有一層顆粒層，顆粒層包括若干個硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒，所述側(cè)壁的壁厚由上至下逐漸增加5-8_。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，其特征在于:所述硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒的純度大于4N。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，其特征在于:所述顆粒層的厚度為 0.l_3mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶鑄錠的陶瓷坩禍，其特征在于:所述硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒的粒徑為60 ym~2mm。
【專利摘要】本實用新型是一種用于多晶鑄錠的陶瓷坩堝，包括鍋底和側(cè)壁，所述鍋底的上表面和側(cè)壁的內(nèi)表面上均勻鑲嵌有一層顆粒層，顆粒層包括若干個硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒。本實用新型通過在坩堝的鍋底和側(cè)壁上鑲嵌一層顆粒層，顆粒層為若干個硅顆?；蚬璧幕衔镱w粒，因此在鍋底能夠?qū)杈w的形貌進行引導(dǎo)，同時側(cè)壁也能夠引導(dǎo)晶粒的生長，使得從坩堝側(cè)壁橫向生產(chǎn)出來的晶粒擁有更低的缺陷密度，減少側(cè)壁晶粒形狀的紊亂，并得到更為優(yōu)質(zhì)的高品質(zhì)的多晶硅錠，提高硅錠外圍部分制成電池的效率。
【IPC分類】C30B29/06, C30B28/06
【公開號】CN205011860
【申請?zhí)枴緾N201520685126
【發(fā)明人】潘歡歡, 魏國, 吳金友
【申請人】韓華新能源科技有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年9月7日