一種大規(guī)格陶瓷基板、其制備方法以及生產(chǎn)線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1∶0.04?0.14∶0.005?0.018∶0.02?0.06∶0.3?0.9；其中所述陶瓷粉料由以下重量百分比的原料組成：氧化鋁93?96％、二氧化硅0.5?3％、氧化鎂0.3?2％、氧化鈣0.2?1％、氧化釔0.1?2％、碳酸鋇0.1?2.5％、氧化鋯0.05?1％、氧化鉍0.1?2％同時公開了陶瓷基板的生產(chǎn)方法和所需的生產(chǎn)線。本發(fā)明陶瓷基板具有優(yōu)良的機械強度，良好的導熱特性；制備方法簡單，成本低，生產(chǎn)線簡單，不占用空間，有效提高產(chǎn)品質(zhì)量。
【專利說明】
-種大規(guī)格陶瓷基板、其制備方法從及生產(chǎn)線
技術領域
[0001] 本發(fā)明屬于陶瓷基板技術領域，具體設及一種大規(guī)格陶瓷基板、其制備方法W及 生產(chǎn)線。
【背景技術】
[0002] 近年來，L抓照明、太陽能及風力發(fā)電等新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，運些產(chǎn)業(yè)都需要大 功率電子電路。原用侶板涂硅油做Lm)電路基板因耐電壓性能差、涂硅油后導熱至6倍性差、 硅油老化導致L邸忍片光衰和死燈等問題，預計今明兩年L邸用的大規(guī)格電子陶瓷基板將W 每年4的速度增長，高性能氧化侶電子陶瓷基板具有廣闊的應用領域和巨大的市場空間。而 全球只有德國賽巧泰克(CERAMTEC)、日本丸和(MRUWA)、日本京瓷化Y0CERA)等少數(shù)的廠商 生產(chǎn)，國內(nèi)只有極個別的廠家生產(chǎn)小規(guī)格的低端產(chǎn)品。小規(guī)格產(chǎn)品適用范圍較小，并且工藝 配方及設備不能用于大規(guī)格氧化侶陶瓷生產(chǎn)，因此急需開發(fā)一種大規(guī)格的陶瓷基板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種大規(guī)格陶瓷基板、其制備方法W及生產(chǎn)線。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：
[0005] -種大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷 粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.04-0.14:0.005-0.018:0.02-0.06: 0.3-0.9;其中所述陶瓷粉料由W下重量百分比的原料組成:氧化侶93-96%、二氧化娃0.5- 3%、氧化儀0.3-2 %、氧化巧0.2-1 %、氧化錠0.1-2%、碳酸領0.1-2.5 %、氧化錯0.05-1 %、 氧化祕0.1-2%。
[0006] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為1.0-5.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、 碳酸領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為1.0-4.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙 醇和下酬的重量比為1:1-1.8。
[0007] 所述粘結(jié)劑為聚乙締醇縮下醒;所述分散劑為藍麻油;所述增塑劑為鄰苯二甲酸 二下醋。
[000引上述大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0009] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機中球磨30-5化至組織非常均勻，再在-0.01-0.15MPa下脫 去氣泡得陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度20-50°C，粘度《2500mp. S;
[0010] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶瓷生 巧用模具沖切成一定形狀后再敷一層隔粘粉得到巧片；
[0011] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠18-2化;然后進入燒結(jié)裝 置的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)20-3化;接著進入燒結(jié)裝置的降溫區(qū)，在1600-900°C 下燒結(jié)8-15h;再進入整平裝置，在1300-1400°C下整平44-5化即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良 的陶瓷基板;其中所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5°C/min，燒結(jié)裝置降 溫區(qū)的降溫速率為2-5 °C/min。
[0012] 上述方法得到的陶瓷基板可W根據(jù)客戶要求用激光加工的方法進一步的進行刻 化切割加工。
[0013] 為了滿足生產(chǎn)需求，本發(fā)明還提供了制備大規(guī)格陶瓷基板的生產(chǎn)線，包括高速分 散機，高速分散機的出口依次連接有球磨機、真空脫泡裝置、流延成型裝置、敷粉裝置、燒結(jié) 裝置和整平裝置;所述燒結(jié)裝置包括機架，機架的機頭處設有推機，機架上設有爐膛，爐膛 內(nèi)設有傳動漉，爐膛的出口和入口均設有與傳動漉連接的固定板，固定板上沿傳動漉傳動 方向設有兩條平行的導軌;爐膛內(nèi)設有加熱裝置，爐膛上方設有排氣孔，排氣孔通過管道連 接換熱器，換熱器上連接有進水管道。
[0014] 為了得到更好的大規(guī)格陶瓷基板，所述爐膛的膛壁由內(nèi)到外依次為304不誘鋼層、 保溫層和201不誘鋼層;所述換熱器為熱管換熱器。
[0015] 優(yōu)選的，為了對溶劑進行回收再利用，保護環(huán)境，所述流延成型裝置連接有溶劑回 收裝置。
[0016] 經(jīng)檢測，本發(fā)明大規(guī)格陶瓷基板的體積密度為3.65-3.75g/cm3,抗彎強度為250- 450MPa，線膨脹系數(shù)（（25-800°C ) 1〇-6): 7.7-7.8，熱導率為 18-26w/^(m · k)，絕緣強度為 15KV/mm，體積電阻率(25°C)為>1〇ι4Ω . cm,介電常數(shù)（ε(1ΜΗζ))為9.0,接電損耗（（IMHz)/ 10-4)為3。綜上所述本發(fā)明陶瓷基本各項性能良好。
[0017] 本發(fā)明陶瓷基板具有優(yōu)良的機械強度，良好的導熱特性，適用于高溫環(huán)境;具有耐 抗侵蝕和磨耗性，高電氣絕緣特性，良好表面特性，提供優(yōu)異平面度與平坦度;抗震效果佳， 低翅曲度，高溫環(huán)境下穩(wěn)定性穩(wěn)定，可加工成各種復雜形狀。本發(fā)明制備方法簡單，采用流 延法陶瓷基板，相比于干壓、扎膜等成型工藝，流延法得到的基板組織非常均勻、致密，燒結(jié) 后的晶粒均勻、氣孔少、抗熱震性好、導熱性好、抗彎強度高、表面光潔，成本低。本發(fā)明的生 產(chǎn)線簡單，不占用空間，流延成型裝置配備吸附冷凝式溶劑回收裝置，燒結(jié)廢氣冷水冷凝的 方式處理，有效提高產(chǎn)品質(zhì)量并從源頭減少污染物排放，達到國內(nèi)清潔生產(chǎn)先進水平，適合 工業(yè)使用。
【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明生產(chǎn)線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019 ]圖2為本發(fā)明燒結(jié)裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明的技術方案及其有益效果做進一步的說明。實施例起解 釋說明作用，并不對本發(fā)明的的保護范圍構(gòu)成限定，任何基于本發(fā)明總體構(gòu)思下的變化和 修改應屬本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0021 ]如圖1所示的大規(guī)格陶瓷基板的生產(chǎn)線，包括高速分散機1，高速分散機1的出口依 次連接有球磨機2、真空脫泡裝置3、流延成型裝置4、敷粉裝置5、燒結(jié)裝置6和整平裝置7，流 延成型裝置4連接有溶劑回收裝置21;所述燒結(jié)裝置6包括機架8,機架8的機頭處設有推機 9，機架8上設有爐膛10，爐膛10內(nèi)設有傳動漉11，爐膛10的出口和入口均設有與傳動漉11連 接的固定板12,固定板12上沿傳動漉11傳動方向設有兩條平行的導軌13;爐膛10內(nèi)設有加 熱裝置14,爐膛10上方設有排氣孔15,排氣孔15通過管道連接換熱器16,換熱器16上連接有 進水管道17。所述爐膛10的膛壁由內(nèi)到外依次為304不誘鋼層18、保溫層19和201不誘鋼層 20;所述換熱器16為熱管換熱器。
[0022] 工作時，將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入 分散劑進行預分散，分散后加入球磨機2中球磨至組織非常均勻，再用真空脫泡裝置3脫去 氣泡得陶瓷漿料;陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧， 流延成型的過程中溶劑回收裝置21將溶劑回收并返回高速分散機進行再利用，陶瓷生巧用 模具沖切成一定形狀后再用敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片;巧片放置在機架8上的固定 板12的導軌13上，推機則尋巧片推入爐膛10內(nèi)，巧片在傳動漉11的帶動下移動，在爐膛10內(nèi) 的加熱裝置14的工作下加熱，產(chǎn)生的廢氣通過排氣孔15進入換熱器16,與進水管道17進入 換熱器16的冷水進行換熱，使廢氣的熱量得W利用，產(chǎn)生的熱水也可用于其他工序;經(jīng)過爐 膛10燒結(jié)的巧片再經(jīng)過整平裝置7整平即得符合生產(chǎn)需要的陶瓷基板。
[0023] 下列為利用上述生產(chǎn)線生產(chǎn)大規(guī)格陶瓷基板的實施例，實施例中所述粘結(jié)劑為聚 乙締醇縮下醒;所述分散劑為藍麻油;所述增塑劑為鄰苯二甲酸二下醋。
[0024] 實施例1
[0025] 大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉 料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.04:0.005:0.02:0.3;其中所述陶瓷粉料 由W下重量百分比的原料組成:氧化侶93%、二氧化娃0.5%、氧化儀0.3%、氧化巧0.2%、 氧化錠2 %、碳酸領1.0 %、氧化錯1 %、氧化祕2 %。
[0026] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為1.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、碳酸 領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為Ι.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙醇和下酬 的重量比為1:1。
[0027] 大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0028] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機2中球磨30h至組織非常均勻，再經(jīng)真空脫泡裝置3在- 0.0 lMPa下脫去氣泡得陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度20°C，粘度《2500mp. S;
[0029] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶 瓷生巧用模具沖切成一定形狀后再經(jīng)敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片；
[0030] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置6的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠1她;然后進入燒結(jié)裝置 6的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)20h;接著進入燒結(jié)裝置6的降溫區(qū)，在1600-900°C下 燒結(jié)8h;再進入整平裝置7,在130(TC下整平44h即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良的陶瓷基板;其 中所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5 °C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降溫速 率為 2-5 °C/min。
[0031] 實施例2
[0032] 大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉 料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.14:0.018:0.06:0.9;其中所述陶瓷粉料 由W下重量百分比的原料組成:氧化侶96%、二氧化娃0.5%、氧化儀0.3%、氧化巧0.2%、 氧化錠1 %、碳酸領1.5 %、氧化錯0.05 %、氧化祕0.45 %。
[0033] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為5.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、碳酸 領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為4.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙醇和下酬 的重量比為1:1.8。
[0034] 大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0035] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機2中球磨50h至組織非常均勻，再經(jīng)真空脫泡裝置3在 0.15MPa下脫去氣泡得陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度50°C，粘度《2500mp. S;
[0036] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶 瓷生巧用模具沖切成一定形狀后再經(jīng)敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片；
[0037] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置6的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠22h;然后進入燒結(jié)裝置 6的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)30h;接著進入燒結(jié)裝置6的降溫區(qū)，在1600-900°C下 燒結(jié)15h;再進入整平裝置7,在140(TC下整平55h即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良的陶瓷基板； 其中所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5 °C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降溫 速率為 2-5 °C/min。
[003引實施例3
[0039] 大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉 料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.1:0.01:0.04:0.6;其中所述陶瓷粉料由 W下重量百分比的原料組成:氧化侶95%、二氧化娃1 %、氧化儀1 %、氧化巧0.5%、氧化錠 1 %、碳酸領0.45 %、氧化錯0.05 %、氧化祕1 %。
[0040] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為3.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、碳酸 領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為2.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙醇和下酬 的重量比為1:1.5。
[0041] 大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0042] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機2中球磨40h至組織非常均勻，再經(jīng)真空脫泡裝置3在 0.1 MPa下脫去氣泡得陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度30°C，粘度《2500mp. S;
[0043] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶 瓷生巧用模具沖切成一定形狀后再經(jīng)敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片；
[0044] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置6的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠20h;然后進入燒結(jié)裝置 6的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)25h;接著進入燒結(jié)裝置6的降溫區(qū)，在1600-900°C下 燒結(jié)lOh;再進入整平裝置7,在1350°C下整平50h即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良的陶瓷基板； 其中所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5 °C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降溫 速率為 2-5 °C/min。
[0045] 實施例4
[0046] 大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉 料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.08:0.012:0.05:0.7;其中所述陶瓷粉料 由W下重量百分比的原料組成:氧化侶94%、二氧化娃1 %、氧化儀0.5 %、氧化巧0.5 %、氧 化錠0.5 %、碳酸領2.5 %、氧化錯0.9 %、氧化祕0.1 %。
[0047] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為2.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、碳酸 領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為3.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙醇和下酬 的重量比為1:1.2。
[0048] 大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0049] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機中球磨45h至組織非常均勻，再經(jīng)真空脫泡裝置3在 0.05M化下脫去氣泡得陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度25°C，粘度《2500mp. S;
[0050] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶 瓷生巧用模具沖切成一定形狀后再經(jīng)敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片；
[0051] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置6的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠21h;然后進入燒結(jié)裝置 6的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)27h;接著進入燒結(jié)裝置6的降溫區(qū)，在1600-900°C下 燒結(jié)12h;再進入整平裝置7,在137(TC下整平即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良的陶瓷基板;其中 所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5°C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降溫速率 為2-5 °C/min。
[0化2] 實施例5
[0053] 大規(guī)格陶瓷基板，由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制成，所述陶瓷粉 料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1:0.12:0.009:0.05:0.5;其中所述陶瓷粉料 由W下重量百分比的原料組成:氧化侶93%、二氧化娃1.5%、氧化儀1.2%、氧化巧0.3%、 氧化錠1.24 %、碳酸領2.5 %、氧化錯0.06 %、氧化祕0.2 %。
[0054] 所述陶瓷粉料中氧化侶的粒度為2.0皿，二氧化娃、氧化儀、氧化巧、氧化錠、碳酸 領、氧化錯、氧化祕的粒度均為為2.5μπι;所述溶劑由無水乙醇和下酬組成，無水乙醇和下酬 的重量比為1:1.6。
[0055] 大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，包括W下步驟：
[0056] (1)將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機1中，然后加入分散 劑進行預分散，分散后加入球磨機2中球磨3化至組織非常均勻，再在0.05Μ化下脫去氣泡得 陶瓷漿料，陶瓷漿料的溫度35°C，粘度《2500mp. S;
[0057] (2)將陶瓷漿料經(jīng)流延成型裝置4得厚度均勻、表面光潔、分切成卷的陶瓷生巧，陶 瓷生巧用模具沖切成一定形狀后再經(jīng)敷粉裝置5敷一層隔粘粉得到巧片；
[0058] (3)將巧片放入燒結(jié)裝置6的排膠區(qū)，在室溫-50(TC下排膠19h;然后進入燒結(jié)裝置 6的升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)23h;接著進入燒結(jié)裝置6的降溫區(qū)，在1600-900°C下 燒結(jié)化;再進入整平裝置7,在1300-1400°C下整平4她即得平整、光潔、熱震性優(yōu)良的陶瓷基 板;其中所述燒結(jié)裝置排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5°C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降 溫速率為2-5 °C/min。
[0059] 本發(fā)明實施例1-5中產(chǎn)品性能的測試方式和測試設備如下：
[0060] 1、用GF-300D型密度儀測試成瓷密度；
[0061] 2、用Agilent網(wǎng)絡分析儀，采用閉腔法測試圓柱樣品的介電性能，測試頻率范圍在 IMHz ~20MHz
[0062] 3、用SANS萬能實驗機，Ξ點彎曲法測試條樣抗彎強度。
[0063] 4、用耐馳LFA 447熱導測試儀測試熱導率。
[0064] 經(jīng)檢測，實施例1-5中陶瓷基板的成瓷密度、介電性能、抗彎強度、熱導率數(shù)結(jié)果詳 細見下表：
[00 化]
[0067]由上表可知，本發(fā)明大規(guī)格陶瓷基板均勻、致密，具有優(yōu)良的抗彎強度，良好的導 熱特性，適用于高溫環(huán)境;具有耐抗侵蝕和磨耗性，高電氣絕緣特性，高溫環(huán)境下穩(wěn)定性穩(wěn) 定，可加工成各種復雜形狀，適合作為大功率電路的基板。
【主權項】
1. 一種大規(guī)格陶瓷基板，其特征在于：由陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑制 成，所述陶瓷粉料、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑和溶劑的重量比為1: 0.04-0.14:0.005-0.018: 0.02-0.06:0.3-0.9;其中所述陶瓷粉料由以下重量百分比的原料組成:氧化鋁93-96 %、二 氧化硅0.5-3 %、氧化鎂0.3-2 %、氧化鈣0.2-1 %、氧化釔0.1-2 %、碳酸鋇0.1-2.5 %、氧化 鋯0.05-1 %、氧化鉍0.1-2%。2. 如權利要求1所述的一種大規(guī)格陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷粉料中氧化鋁的粒 度為1.0-5. Oym，二氧化娃、氧化鎂、氧化媽、氧化紀、碳酸鋇、氧化錯、氧化祕的粒度均為為 1.0-4.Ομπι;所述溶劑由無水乙醇和丁酮組成，無水乙醇和丁酮的重量比為1:1-1.8。3. 如權利要求2所述的一種大規(guī)格陶瓷基板，其特征在于，所述粘結(jié)劑為聚乙烯醇縮丁 醛;所述分散劑為蓖麻油;所述增塑劑為鄰苯二甲酸二丁酯。4. 權利要求1-3任一所述大規(guī)格陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 將陶瓷粉料、粘結(jié)劑、增塑劑和溶液混合后加入高速分散機中，然后加入分散劑進 行預分散，分散后加入球磨機中球磨30-50h，再在-0.01-0.15MPa下脫去氣泡得陶瓷漿料， 陶瓷漿料的溫度20-50°(：，粘度<2500111?. 8; (2) 將陶瓷漿料經(jīng)流延成型得陶瓷生坯，陶瓷生坯用模具沖切成一定形狀后再敷一層 隔粘粉得到坯片； (3) 將坯片放入燒結(jié)裝置的排膠區(qū)，在室溫-500°C下排膠18-22h;然后進入燒結(jié)裝置的 升溫高溫區(qū)，在500-1600°C下燒結(jié)20-30h;接著進入燒結(jié)裝置的降溫區(qū)，在1600-900°C下燒 結(jié)8-15h;再進入整平裝置，在1300-1400°C下整平44-55h即得陶瓷基板;其中所述燒結(jié)裝置 排膠區(qū)和升溫高溫區(qū)的升溫速率為2-5°C/min，燒結(jié)裝置降溫區(qū)的降溫速率為2-5°C/min。5. 制備權利要求1-3任一所述的大規(guī)格陶瓷基板的生產(chǎn)線，其特征在于，包括高速分散 機，高速分散機的出口依次連接有球磨機、真空脫泡裝置、流延成型裝置、敷粉裝置、燒結(jié)裝 置和整平裝置;所述燒結(jié)裝置包括機架，機架的機頭處設有推機，機架上設有爐膛，爐膛內(nèi) 設有傳動輥，爐膛的出口和入口均設有與傳動輥連接的固定板，固定板上沿傳動輥傳動方 向設有兩條平行的導軌;爐膛內(nèi)設有加熱裝置，爐膛上方設有排氣孔，排氣孔通過管道連接 換熱器，換熱器上連接有進水管道。6. 如權利要求5所述的制備大規(guī)格陶瓷基板的生產(chǎn)線，其特征在于，所述爐膛的膛壁由 內(nèi)到外依次為304不銹鋼層、保溫層和201不銹鋼層;所述換熱器為熱管換熱器。7. 如權利要求6所述的制備大規(guī)格陶瓷基板的生產(chǎn)線，其特征在于，所述流延成型裝置 連接有溶劑回收裝置。
【文檔編號】C04B35/634GK105906331SQ201610355830
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月26日
【發(fā)明人】吳崇雋, 孔麗萍, 蔡斌斌
【申請人】鄭州中瓷科技有限公司