一種提高直拉硅單晶拉速的結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種直拉硅單晶爐的結(jié)構(gòu)，特別涉及一種提高直拉硅單晶拉速的結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著當(dāng)前硅單晶的售價不斷降低而另一方面客戶對品質(zhì)的要求不斷提高，當(dāng)前市場普遍要求RRV的< 15%，需要對品質(zhì)進行改善且提高生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于市場需要，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)，可以對硅熔液中間位置的溫度進行補償，從而減小液面徑向的溫度梯度，同時提高單晶軸向的溫度梯度，來提高拉速，生產(chǎn)RRV< 15%娃單晶，具體技術(shù)方案是，一種提高直拉硅單晶拉速的結(jié)構(gòu)，包括熱屏上內(nèi)膽、碳氈、熱屏外膽、熱屏下內(nèi)膽，其特征在于:熱屏下內(nèi)膽為上口小、下口大的錐形斜面，與坩禍內(nèi)硅熔液液面夾角為45-90°，熱屏上內(nèi)膽、熱屏下內(nèi)膽與熱屏外膽之間填充碳氈，熱屏上內(nèi)膽、熱屏下內(nèi)膽材質(zhì)選用鉬、石墨或石英。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)效果是，結(jié)構(gòu)簡單，明顯提高拉速，對RRV有改善效果。
【附圖說明】
[0005]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)剖面圖。
【具體實施方式】
[0006]實施例拉制半導(dǎo)體4寸〈111〉晶向單晶，
如圖1所示，一種提高直拉硅單晶拉速的結(jié)構(gòu)，包括熱屏上內(nèi)膽2、碳氈3、熱屏外膽4、熱屏下內(nèi)膽5，熱屏下內(nèi)膽5為上口小、下口大的錐形斜面與坩禍5內(nèi)硅熔液液面夾角為70°，采用耐高溫，高反射的材質(zhì)石墨，厚度5mm，石墨具有良好的漫反射能力，在爐體中熱量的散發(fā)主要為輻射、傳導(dǎo)，夾角設(shè)計對液面進行熱量輻射，減少單晶徑向的溫度梯度，使硅熔液液面保持為平面，同時，提高硅單晶軸向溫度梯度，提高拉速，另一方面使氬氣氣流在此處產(chǎn)生渦流，減少直接對溶液表面擴散，熱屏上內(nèi)膽2材質(zhì)選用粗面鉬片，厚度1mm，鉬具有高反射率，可對導(dǎo)流間外側(cè)的熱量進行隔擋，確保導(dǎo)流間內(nèi)部的低溫，提高硅單晶軸向溫度梯度，提高拉速，熱屏上內(nèi)膽2、熱屏下內(nèi)膽5與熱屏外膽4之間填充碳氈3。拉速可以提升到1.9mm/min,同時RRV小于15%的比例提升到95%。
【主權(quán)項】
1.一種提高直拉硅單晶拉速的結(jié)構(gòu)，包括熱屏上內(nèi)膽(2)、碳氈(3)、熱屏外膽(4)、熱屏下內(nèi)膽(5)，其特征在于:熱屏下內(nèi)膽(5)為上口小、下口大的錐形斜面，與坩禍(6)內(nèi)硅熔液液面夾角為45-90°，熱屏上內(nèi)膽(2)、熱屏下內(nèi)膽(5)與熱屏外膽(4)之間填充碳氈(3)，熱屏上內(nèi)膽(2)、熱屏下內(nèi)膽(5)材質(zhì)選用鉬、石墨或石英。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種提高直拉硅單晶爐拉速的結(jié)構(gòu)，包括熱屏上內(nèi)膽、碳氈、熱屏外膽、熱屏下內(nèi)膽，熱屏下內(nèi)膽為上口小、下口大的錐形斜面，與坩堝內(nèi)硅熔液液面夾角為45-90°，熱屏上內(nèi)膽、熱屏下內(nèi)膽與熱屏外膽之間填充碳氈，熱屏上內(nèi)膽、熱屏下內(nèi)膽材質(zhì)選用鉬、石墨或石英，技術(shù)效果是，結(jié)構(gòu)簡單，明顯提高拉速，對RRV有改善效果。
【IPC分類】C30B15/30, C30B29/06
【公開號】CN105483820
【申請?zhí)枴緾N201510904659
【發(fā)明人】王林, 高潤飛, 宋都明, 陳建梅, 張壽星, 張頌越, 王淼
【申請人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月9日